專利名稱：一種基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基板的制作方法。
背景技術(shù)：
光刻膠涂布是光刻工藝的必須環(huán)節(jié)，為了提高涂布時光刻膠的利用率，目前，LCD行業(yè)在涂布工藝中以狹縫式涂覆為主流，在提高光刻膠利用率，和提高生產(chǎn)效率的同時，也存在較難解決的問題，即存在涂布不良(Uncoating)的問題。目前，構(gòu)成薄膜場效應晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-1XD)的陣列基板及彩膜基板的膜層一般由5層或更多層組成，其中通過構(gòu)圖工藝形成圖案時，都必須經(jīng)過光刻膠涂布這一步驟。然而，越在后面的薄膜層上形成圖案時，涂布光刻膠所需跨越的段差就越大，涂布過程中發(fā)生涂布不良的幾率就增大，此夕卜，玻璃基板邊緣表面狀態(tài)差等都使得在涂布過程中發(fā)生涂布不良的可能性增大。例如，如圖1所示，當涂布光刻膠30的涂布裝置的噴嘴60從透明基板10邊緣開始涂布時，在經(jīng)過段差區(qū)域時，會導致光刻膠30涂布不良的發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種基板的制作方法，可避免或減少光刻膠涂布時涂布不良的發(fā)生率，進而提聞量廣廣品良率。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供了一種基板的制作方法，包括在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第一薄膜為所述至少兩層薄膜中除最后一層薄膜外的任一層；所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀。可選的，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作至少三層導電薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；所述第一薄膜為所述至少三層導電薄膜中除最后一層導電薄膜外的
任一層。進一步地，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案還包括在透明基板上制作第二薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第二導電薄膜為所述至少兩層薄膜中除最后一層薄膜和所述第一薄膜外的任一層薄膜；所述第二輔助圖案橫截面呈矩形狀。進一步地，所述第一輔助圖案位于所述第二輔助圖案之上。
可選的，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案還包括在透明基板上制作半導體薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第三輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第三輔助圖案橫截面呈矩形狀，且所述第三輔助圖案位于所述第一輔助圖案之下。基于上述各種可能的陣列基板的制作方法，進一步可選的，所述至少三層導電薄膜包括源漏金屬薄膜、柵金屬薄膜、像素電極薄膜。進一步地，所述在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括所述在透明基板上制作源漏金屬薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成源漏極圖案?？蛇x的，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作至少四層樹脂薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；所述第一薄膜為所述至少四層樹脂薄膜中除最后一層樹脂薄膜外的
任一層。進一步地，所述第一樹脂薄膜為最先制作形成的樹脂薄膜。基于上述各種可能的基板，進一步地，所述至少一個第一邊緣為兩個第一邊緣。進一步地，所述第一輔助圖案的橫截面為對稱形狀。進一步地，所述第一輔助圖案包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分的厚度高于所述第二部分或第三部分的厚度，且所述第二部分和第三部分分別位于所述第一部分的左右兩側(cè)，在光刻膠涂布方向上，第一部分的長度為0. 2mm-0. 5mm,第二部分的長度為0. 2mm-0. 5mm,第三部分的長度為0. 2mm-0. 5mm。優(yōu)選的，所述第一輔助圖案距離所述第一邊緣20cm 30cm。本發(fā)明實施例提供了一種基板的制作方法，在至少兩層薄膜中除最后一層薄膜外的任一層上，通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的輔助圖案，并同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；當在后續(xù)制作的薄膜上涂布光刻膠以形成該層圖案時，由于所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直及所述輔助圖案的作用，當該輔助圖案形成在涂布起始處的第一邊緣處時，一方面，可避免由于透明基板邊緣表面狀態(tài)差導致的涂布不良，另一方面，涂布光刻膠時，先經(jīng)過輔助圖案，再經(jīng)過起始處的顯示區(qū)域內(nèi)的段差高的圖案時，可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；當該第一輔助圖案形成在涂布結(jié)束處的第一邊緣處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)生光刻膠涂布不良的示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；圖5為本發(fā)明實施例提供的第一輔助圖案形成過程的意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；圖8為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖六；圖9為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖七；圖10為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖八；圖11為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；圖12為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；圖13為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；圖14為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；圖15為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖16為本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；圖17為本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；圖18為本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；圖19為本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；圖20為本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；圖21為本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖六。附圖標記10-透明基板，IOa-第一邊緣；IOla-棚極，IOlb-棚線，IOlc-棚線引線；102-棚絕緣層；103_半導體有源層，103a-第三輔助圖案；104a-源極，104b-漏極，104c-數(shù)據(jù)線，104d-數(shù)據(jù)線引線；105_第一輔助圖案；106_保護層，107-過孔；108_像素電極層；109_第二輔助圖案；201-黑矩陣圖案；202_紅色光阻圖案，204a-紅色樹脂薄膜；204_綠色光阻圖案；205_藍色光阻圖案；20_第一薄膜；30_光刻膠；40_半灰階掩模版，40a-非曝光區(qū)，40b-部分曝光區(qū)；60_噴嘴。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供了一種基板的制作方法，包括在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第一薄膜為所述至少兩層薄膜中除最后一層薄膜外的任一層；所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀。需要說明的是，此處所說的顯示用圖案是指當該基板用于制作顯示面板時，該顯示用圖案是能使該顯示面板進行顯示的必不可少的圖案。以陣列基板為例，通過構(gòu)圖工藝可形成柵極、柵線以及柵線引線圖案，半導體有源層圖案、源漏極、數(shù)據(jù)線以及數(shù)據(jù)線引線圖案，像素電極圖案等，這些都是顯示用圖案；以彩膜基板為例，通過構(gòu)圖工藝依次可形成黑矩陣、紅色光阻圖案、綠色光阻圖案、藍色光阻圖案等，這些都是顯示圖案。本發(fā)明實施例提供了一種基板的制作方法，在至少兩層薄膜中除最后一層薄膜外的任一層上，通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，并同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；當在后續(xù)制作的薄膜上涂布光刻膠以形成該層圖案時，由于所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，且所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，當該第一輔助圖案形成在涂布起始處的第一邊緣處時，一方面，可避免由于透明基板邊緣表面狀態(tài)差導致的涂布不良，另一方面，涂布光刻膠時，先經(jīng)過至少一側(cè)邊為階梯狀的第一輔助圖案，再經(jīng)過起始處的顯示區(qū)域內(nèi)的段差高的圖案時，可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；當該第一輔助圖案形成在涂布結(jié)束處的第一邊緣處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。進一步地，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作至少三層導電薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；所述第一薄膜為所述至少三層導電薄膜中除最后一層導電薄膜外
的任一層。進一步地，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案還包括在透明基板上制作第二薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第二薄膜為所述至少兩層薄膜中除最后一層導電薄膜和所述第一薄膜外的任一層導電薄膜；所述第二輔助圖案橫截面呈矩形狀。 進一步地，所述第一輔助圖案位于所述第二輔助圖案之上。實施例一，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括在透明基板上制作至少三層導電薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述在透明基板上制作至少三層導電薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第一薄膜為所述至少三層導電薄膜中除最后一層薄膜外的任一層；所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀。此外，所述第一輔助圖案與任一層導電層圖案無電連接。需要說明的是，所述導電薄膜為在透明基板上涂覆的一層導電性材料；所述顯示用圖案、所述第一輔助圖案為在薄膜上經(jīng)過構(gòu)圖工藝后形成在該層的圖案，其中構(gòu)圖工藝為光刻膠涂布、曝光、顯影、刻蝕、剝離等。當所述陣列基板為一塊用作顯示面板的陣列基板時，所述顯示區(qū)域僅指一塊顯示面板用的陣列基板的顯示區(qū)及引線；當所述陣列基板為一張大的基板，其經(jīng)切割可分為多個顯示面板用的陣列基板時，所述顯示區(qū)域指每個顯示面板用的陣列基板上的顯示區(qū)及引線的集合。第一邊緣指與光刻膠涂布方向垂直的所述透明基板的兩個邊，因此，所述第一邊緣最多有兩個。此外，所述第一輔助圖案是相對在顯示區(qū)域形成的顯示用圖案而言的，即所述第一輔助圖案對于構(gòu)成顯示用的圖案結(jié)構(gòu)不起任何作用。本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，在至少三層導電薄膜中除最后一層導電薄膜外的任一層上，通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，并同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；當在后續(xù)制作的薄膜上涂布光刻膠以形成該層圖案時，由于所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，且所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，當該第一輔助圖案形成在涂布起始處的第一邊緣處時，一方面，可避免由于透明基板邊緣表面狀態(tài)差導致的涂布不良，另一方面，涂布光刻膠時，先經(jīng)過至少一側(cè)邊為階梯狀的第一輔助圖案，再經(jīng)過起始處的顯示區(qū)域內(nèi)的段差高的圖案時，可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；當該第一輔助圖案形成在涂布結(jié)束處的第一邊緣處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。進一步地，所述方法還包括在透明基板上制作第二薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第二薄膜為所述至少三層導電薄膜中除最后一層導電薄膜和所述第一薄膜外的任一層導電薄膜；所述第二輔助圖案橫截面呈矩形狀。此外，所述第二輔助圖案與任一層導電層圖案無電連接。進一步地，所述第一輔助圖案位于所述第二輔助圖案之上。需要說明的是，此處所說的第一輔助圖案位于所述第二輔助圖案之上，是按時間順序來說的，即，先形成第二輔助圖案再形成第一輔助圖案。為了說明的方面，在以下示例的描述中，按陣列基板的制作方法，以依次形成至少三層導電薄膜為薄膜A、薄膜B、薄膜C、依次類推進行描述。示例1，下面結(jié)合圖2至圖10所示的結(jié)構(gòu)，以一種底柵型陣列基板的制作方法為例，其制作過程如下SlOl、如圖2所示，在透明基板10上制作薄膜A，即，上述的第二薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成柵極101a、柵線IOlb (在圖9和圖10中標出)、柵線引線IOlc (在圖9和圖10中標出)圖案，同時在所述透明基板10的一個第一邊緣IOa(在圖9和圖10中標出)處，形成與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案109。其中，所述第一邊緣IOa與光刻膠涂布方向垂直，所述第二輔助圖案109的橫截面呈矩形狀，且所述第二輔助圖案109與任一層導電層圖案無電連接。此處，由于薄膜A通過溝通工藝形成柵極，因此，該薄膜A也可稱為柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成柵金屬層圖案，其中該柵金屬層圖案包括柵極圖案、柵線圖案、柵線引線圖案。具體的，可以使用磁控濺射方法，在透明基板10上制作一層厚度在1000人至7000人的金屬薄膜。金屬材料通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模版通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在透明基板10的規(guī)定區(qū)域上形成多條橫向的柵線IOlb和與柵線相連的柵極101a、以及柵線引線IOlc的圖案，同時在所述透明基板10的一個第一邊緣IOa處，形成與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案109，其中所述第二輔助圖案109的橫截面呈矩形狀，且所述第二輔助圖案109與任一層導電層圖案無電連接。在本示例的附圖中僅繪示出位于一個第一邊緣處的第二輔助圖案109，但本發(fā)明實施例并不限于此。需要說明的是，所述規(guī)定區(qū)域在本發(fā)明所有實施例中如無特殊說明均指上述的顯示區(qū)域。S102、如圖3所示，在柵極101a、柵線IOlb上形成柵絕緣層102，并在柵絕緣層102上制作一層半導體薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成半導體有源層103圖案。由于在步驟SlOl中形成柵極101a、柵線IOlb的同時，在與光刻膠涂布方向垂直的一個第一邊緣IOa處形成有與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案109，一方面，當所述第二輔助圖案109位于光刻膠涂布起始位置處時，在步驟S102中通過構(gòu)圖工藝處理形成半導體有源層103圖案前的涂布光刻膠時，可使噴嘴60從第二輔助圖案10的上方涂布，這樣可避免或減少由于起始涂布位置處前層的柵極IOla圖案的較大段差導致的涂布不良的發(fā)生率；另一方面，當所述第二輔助圖案109位于光刻膠涂布結(jié)束位置處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。具體的，可以在柵絕緣層102之上沉積金屬氧化物半導體薄膜，然后，用普通的掩模版對形成有半導體薄膜的透明基板10進行曝光、顯影、刻蝕，形成半導體有源層103圖案。S103、如圖4所示，在半導體有源層103上制作薄膜B，即，上述的第一薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c (在圖9和圖10中標出)、數(shù)據(jù)線引線104d(在圖9和圖10中標出)圖案，同時在所述第一邊緣IOa(在圖9和圖10中標出)處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案105。由于該薄膜B通過構(gòu)圖工藝形成源漏極，因此，該薄膜B也可稱為源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成源漏金屬層圖案，其中該源漏金屬圖案包括源漏極圖案、數(shù)據(jù)線圖案、數(shù)據(jù)線引線圖案。其中，所述第一邊緣IOa與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案105沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，且所述第一輔助圖案105與任一層導電層圖案無電連接。在本示例的附圖中僅繪示出位于一個第一邊緣處的第一輔助圖案105，但本發(fā)明實施例并不限于此。具體的，可以在半導體有源層103上沉積一層厚度在丨000人到7000A金屬薄膜。在規(guī)定區(qū)域用掩模版對基板進行曝光、顯影、刻蝕，形成源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c、數(shù)據(jù)線引線104d的圖案，同時在與光刻膠涂布方向垂直的所述第一邊緣IOa處，用半灰階掩模版進行曝光、顯影、刻蝕，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案105，且該第一輔助圖案105沿光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，所述第一輔助圖案與源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c、數(shù)據(jù)線引線104d的圖案無電連接。其中，若在步驟SlOl中所述第二輔助圖案109位于光刻膠涂布起始位置處，則在形成源極104a、漏極104b圖案前的光刻膠涂布中，可使噴嘴60從SlOl中在先形成的第二輔助圖案10的上方涂布，這樣，在光刻膠涂布過程中，可避免涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；若在SlOl中所述第二輔助圖案109位于光刻膠涂布結(jié)束位置處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。上述在形成源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c、數(shù)據(jù)線引線104d圖案的同時，形成第一輔助圖案105，可通過一塊半灰階掩模版便可實現(xiàn)。其中，如圖5所示，第一輔助圖案的形成過程可以為先在透明基板10的與光刻膠涂布方向垂直的一個第一邊緣處，對第一薄膜20上的光刻膠30使用半灰階掩模版40進行曝光，該半灰階掩模版40包括非曝光區(qū)40a和部分曝光區(qū)40b，且所述部分曝光區(qū)40b位于所述非曝光區(qū)40a的左右兩側(cè)；當經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕、剝離后，形成圖5中的第一輔助圖案 105。需要說明的是，此處以形成的第一輔助圖案105的橫截面的兩個側(cè)面均具有階梯狀為例進行說明，但本發(fā)明并不限于此，可以是只有一個側(cè)面具有階梯狀。S104、如圖6-圖7所示，在源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c、數(shù)據(jù)線引線104d上制作保護層106，并通過構(gòu)圖工藝處理，在漏極104b上方的保護層106上形成露出該漏極104b的過孔107。具體的，可以在源漏金屬層上涂覆一層厚度在丨000A到6000人的保護層，其材料通常是氮化硅或透明的有機樹脂材料，通過掩模版，利用構(gòu)圖工藝在漏極104b上方的保護層106上形成露出所述漏極104b的過孔107。由于在步驟S103中形成源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c、數(shù)據(jù)線引線104d的同時，在與光刻膠涂布方向垂直的所述第一邊緣IOa處形成有與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案105，且當所述第一輔助圖案105位于光刻膠涂布起始位置處時，使得在S 104中形成過孔107前的涂布光刻膠時，可避免或減少由于起始涂布位置處前層的源極104a、漏極104b圖案的較大段差導致的涂布不良的發(fā)生率；當所述第一輔助圖案105位于光刻膠涂布結(jié)束位置處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。其中，此處沿光刻膠涂布方向，將所述第一輔助圖案105設(shè)計成其橫截面具有至少一側(cè)邊為階梯狀的圖案，是為了將一個段差分為兩段段差，從而減少制作下一層圖形時，涂布光刻膠的噴嘴在經(jīng)過涂布起始位置的段差高的圖形時導致的涂布不良。S105、如圖8所示，在保護層106上制作薄膜C，通過構(gòu)圖工藝在規(guī)定區(qū)域內(nèi)形成像素電極層108圖案。由于該薄膜C通過構(gòu)圖工藝形成像素電極，因此，該薄膜C也可稱為像素電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極層圖案，其中該像素電極層圖案包括像素電極圖案。具體的，可以利用化學汽相沉積法在整個保護層106上沉積一層導電薄膜層，之后通過構(gòu)圖工藝得到像素電極圖案。常用的導電薄膜可以為IT0(Indium Tin Oxides，銦錫氧化物)或IZO (Indium Zinc Oxide,銦鋅氧化物)，厚度在丨00人至I 000 A之間。經(jīng)過上述步驟后，如圖9-圖10所示，為制作成的陣列基板的俯視圖。如圖9所示，當光刻膠涂布方向為從左到右時，所述第一輔助圖案105形成在與所述光刻膠涂布方向垂直的左邊的第一邊緣IOa處或右邊的第一邊緣IOa處(圖中未標出)，此時，由于數(shù)據(jù)線104c與第一邊緣IOa平行，使得第一輔助圖案105不會與數(shù)據(jù)線104c相交，因此該第一輔助圖案105為連續(xù)。此外，如圖10所示，當光刻膠涂布方向為從上到下時，所述第一輔助圖案105形成在與所述光刻膠涂布方向垂直的上邊的第一邊緣IOa處和/或下邊的第一邊緣IOa處(圖中未標出)，此時，由于數(shù)據(jù)線104c與第一邊緣IOa垂直，使得該第一輔助圖案105會與數(shù)據(jù)線引線104d相交，因而所述第一輔助圖案需形成為不連續(xù)狀態(tài)以避開數(shù)據(jù)線引線104d。此外，在透明基板10上還可以制作另外一層導電薄膜，以形成公共電極層圖案，在此不再贅述。需說明的是，在本發(fā)明實施例中僅以在形成柵極的同時，形成第二輔助圖案，在形成源、漏極圖案的同時，形成第一輔助圖案，但本發(fā)明實施例并不限于此，優(yōu)選的，以第一輔助圖案位于所述第二輔助圖案之上佳。示例2，下面結(jié)合圖11至圖14所示的結(jié)構(gòu)，以一種頂柵型陣列基板的制作方法為例，其制作過程如下S201、如圖11所示，在透明基板10上制作薄膜A，即上述的第二薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域內(nèi)形成像素電極層108圖案，同時在所述透明基板10的一個第一邊緣IOa(在圖9和圖10中標出)處，形成與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案109。其中，所述第一邊緣IOa與光刻膠涂布方向垂直，所述第二輔助圖案109的橫截面呈矩形狀，且所述第二輔助圖案109與任一層顯示用圖案無電連接。在本示例的附圖中僅繪示出位于一個第一邊緣處的第二輔助圖案109，但本發(fā)明實施例并不限于此。S202、參照圖11所示，在像素電極層108上制作薄膜B，即上述的第一薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c (在圖9和圖10中標出)、數(shù)據(jù)線引線104d(在圖9和圖10中標出)的圖案，其中所述漏極104b與像素電極108連接；同時，在所述第一邊緣IOa處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案105。其中，所述第一邊緣IOa與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案105沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，且所述第一輔助圖案105與任一層導電層圖案無電連接。在本示例的附圖中僅繪示出位于一個第一邊緣處的第一輔助圖案105，但本發(fā)明實施例并不限于此。由于在步驟S201中形成像素電極層108圖案的同時，在與光刻膠涂布方向垂直的一個第一邊緣IOa處形成有與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案109，一方面，當所述第二輔助圖案109位于光刻膠涂布起始位置處時，在步驟S202中通過構(gòu)圖工藝處理形成源極104a、漏極104b前的涂布光刻膠時，可使噴嘴60從第二輔助圖案10的上方涂布，這樣可避免或減少由于起始涂布位置處前層的像素電極層108圖案的較大段差導致的涂布不良的發(fā)生率；另一方面，當所述第二輔助圖案109位于光刻膠涂布結(jié)束位置處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。S203、如圖12-圖13所示，在源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c、數(shù)據(jù)線引線104d上制作一層半導體薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成半導體有源層103圖案。由于在步驟S202中形成源極104a、漏極104b、數(shù)據(jù)線104c、數(shù)據(jù)線引線104d的同時，在與光刻膠涂布方向垂直的透明基板10的第一邊緣IOa處形成有與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案105，且當所述第一輔助圖案105位于光刻膠涂布起始位置處時，使得在S203中形成半導體有源層103圖案前的涂布光刻膠30時，避免或減少由于起始涂布位置處前層的源極104a、漏極104b圖案的較大段差導致的涂布不良；當所述第一輔助圖案105位于光刻膠涂布結(jié)束位置處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。S204、如圖14所示，在半導體有源層103上形成柵絕緣層102。S205、參考圖14所示，在柵絕緣層102上制作薄膜C，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成柵極101a、柵線101b、柵線引線IOlc (在圖9和圖10標出)圖案。同上述步驟S203中第一輔助圖案105的作用，使得在S205中形成柵極101a、柵線IOlb (在圖9和圖10中標出)、柵線引線IOlc (在圖9和圖10標出)前的光刻膠涂布時，可避免或減少了涂布不良的發(fā)生率。經(jīng)過上述步驟后，參考圖9-圖10所示，為制作成的陣列基板的俯視圖，在此不再贅述。在本發(fā)明實施例中以形成的第一輔助圖案的橫截面的兩個側(cè)面均具有階梯狀為例進行說明，但本發(fā)明并不限于此，可以是只有一個側(cè)面具有階梯狀。對于上述兩個示例，當在透明基板10上制作三層以上導電薄膜時，在除最后一層薄膜、第一薄膜、第二薄膜外的其他層導電薄膜上，還可在第一輔助圖案I05之下形成與所述第二輔助圖案109相同的圖案，其形成方法與所述第二輔助圖案109形成方法相同，在此不再贅述。進一步地，所述方法還包括在透明基板上制作半導體薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第三輔助圖案103a，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第三輔助圖案103a橫截面呈矩形狀，且所述第三輔助圖案103a位于所述第一輔助圖案105之下。此處，所述顯示用圖案即為半導體有源層圖案103。示例的，在上述第一個示例的基礎(chǔ)上，可在步驟S102中，在形成半導體有源層103圖案，同時在所述透明基板10的一個第一邊緣IOa處，形成與所述第一邊緣平行的第三輔助圖案103a，其中，所述第三輔助圖案103a橫截面呈矩形狀。經(jīng)過后續(xù)步驟后，形成如圖15所示的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。其形成過程及所述第三輔助圖案103a對于后層的作用在此不再贅述。優(yōu)選的，所述至少一個第一邊緣為兩個第一邊緣。這樣，一方面，可避免由于透明基板邊緣表面狀態(tài)差導致的涂布不良，另一方面，涂布光刻膠時，先經(jīng)過輔助圖案，再經(jīng)過起始處的顯示區(qū)域內(nèi)的段差高的圖案時，可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；當輔助圖案形成在涂布結(jié)束處的第一邊緣處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。需要說明的是，當在所述透明基板的兩個第一邊緣處，分別形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案時，該兩個第一輔助圖案可以相同也可以不相同，只需使沿光刻膠涂布方向的橫截面至少有一側(cè)邊為階梯狀即可。當分別形成第二輔助圖案，或第三輔助圖案時，優(yōu)選的在兩個第一邊緣處相同。優(yōu)選的，所述第一輔助圖案105的橫截面為對稱形狀。示例的，參考附圖(例如圖8)中第一輔助圖案105，其橫截面為對稱的階梯形狀，其在形成過程可以參考圖5的過程，在此情況下，需使掩模版的位于非曝光區(qū)40兩側(cè)的部分曝光區(qū)40b的大小一致，且需配合刻蝕工藝，使經(jīng)掩模版左右兩側(cè)的部分曝光區(qū)曝光、顯影并刻蝕后所保留的第一薄膜的對應部分大小一致，這樣，便可使最后形成的第一輔助圖案105沿光刻膠涂布方向的橫截面為對稱形狀。這樣，在形成下一層圖案的光刻膠涂布工藝中，由于前層的第一輔助圖案的兩個側(cè)面均為階梯狀，在光刻膠涂布時，該第一輔助圖案可將前層圖形的段差分為兩個高度，當兩側(cè)面均為階梯狀時，可更進一步可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率。需要說明的是，上述所說的前層圖形，是指按時間順序，相對下一層要形成的圖案而言的。進一步地，所述第一輔助圖案105包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分的厚度高于所述第二部分或第三部分的厚度，且所述第二部分和第三部分分別位于所述第一部分的左右兩側(cè)，在光刻膠涂布方向上，第一部分的長度為0. 2mm-0. 5mm,第二部分的長度為0. 2mm-0. 5mm,第三部分的長度為0. 2mm-0. 5mm?？蛇x的，所述第一輔助圖案105距離所述第一邊緣20cm 30cm。同樣，所述第二輔助圖案109及第三輔助圖案103a也距離所述第一邊緣20cm 30cmo基于上述各種可能的陣列基板的制作方法，所述至少三層導電薄膜包括源漏金屬薄膜、柵金屬薄膜、像素電極薄膜。進一步優(yōu)選的，所述在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作源漏金屬薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成源漏極圖案。這樣，相比在其他導電層上形成第一輔助圖案而言，可減少曝光工藝，進而節(jié)約成本。本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，在至少三層導電薄膜中除最后一層薄膜外的源漏金屬層上，通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，并同時在顯示區(qū)域形成源漏極圖案；進一步還可以在至少三層導電薄膜中除最后一層導電薄膜和源漏金屬層外的其他導電層上，通過構(gòu)圖工藝在所述至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案且所述第二輔助圖案位于所述第一輔助圖案之下，并同時在顯示區(qū)域形成導電層圖案；此外還可以在半導體薄膜層上，通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第三輔助圖案且所述第三輔助圖案位于所述第一輔助圖案之下，并同時在顯示區(qū)域形成有源層圖案；當在后續(xù)制作的薄膜上涂布光刻膠以形成該層圖案時，由于所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直且輔助圖案的作用，當輔助圖案形成在涂布起始處的第一邊緣處時，一方面，可避免由于透明基板邊緣表面狀態(tài)差導致的涂布不良，另一方面，涂布光刻膠時，先經(jīng)過輔助圖案，再經(jīng)過起始處的顯示區(qū)域內(nèi)的段差高的圖案時，可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；當輔助圖案形成在涂布結(jié)束處的第一邊緣處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。進一步地，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作至少四層樹脂薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；所述第一薄膜為所述至少四層樹脂薄膜中除最后一層樹脂薄膜外
的任一層。進一步地，所述第一薄膜為最先制作形成的樹脂薄膜。實施例二，本發(fā)明實施例提供了一種彩膜基板的制作方法，包括在透明基板上制作至少四層樹脂薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述在透明基板上制作至少四層樹脂薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第一薄膜為所述至少四層樹脂薄膜中除最后一層樹脂薄膜外的任一層；所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，且所述第一輔助圖案與任一光阻圖案無連接。需要說明的是，樹脂薄膜為在透明基板上涂覆的一層樹脂材料；所述顯示用圖案、第一輔助圖案為所述樹脂薄膜經(jīng)過構(gòu)圖工藝后形成在該層的圖案，其中顯示用圖案例如可以為黑矩陣圖案、紅色光阻圖案、綠色光阻圖案、藍色光阻圖案等。當所述彩膜基板為一塊用作顯示面板的彩膜基板時，所述顯示區(qū)域僅指一塊顯示面板用的彩膜基板的顯示區(qū)；當所述彩膜基板為一張大的基板，其經(jīng)切割可分為多個顯示面板用的彩膜基板時，所述顯示區(qū)域指每個顯示面板用的彩膜基板上的顯示區(qū)的集合。第一邊緣指與光刻膠涂布方向垂直的所述透明基板的兩個邊，因此，所述第一邊緣最多有兩個。此外，所述第一輔助圖案是相對在顯示區(qū)域形成的光阻圖案而言的，即所述第一輔助圖案對于構(gòu)成顯示用的圖案結(jié)構(gòu)不起任何作用。本發(fā)明實施例提供了一種彩膜基板的制作方法，在至少四層樹脂薄膜中除最后一層樹脂薄膜外的任一層上，通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，并同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；當在后續(xù)制作的薄膜上涂布光刻膠以形成該層圖案時，由于所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，且所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，當該第一輔助圖案形成在涂布起始處的第一邊緣處時，一方面，可避免由于透明基板邊緣表面狀態(tài)差導致的涂布不良，另一方面，涂布光刻膠時，先經(jīng)過至少一側(cè)邊為階梯狀的第一輔助圖案，再經(jīng)過起始處的顯示區(qū)域內(nèi)的段差高的圖案時，可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；當該第一輔助圖案形成在涂布結(jié)束處的第一邊緣處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良?？蛇x的，在透明基板上制作第一樹脂薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的兩個第一邊緣處，分別形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案。需要說明的是，當在所述透明基板的兩個第一邊緣處，分別形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案時，該兩個第一輔助圖案可以相同也可以不相同，只需滿足沿光刻膠涂布方向的橫截面至少有一側(cè)邊為階梯狀即可。進一步地，所述第一薄膜為最先制作形成的樹脂薄膜。
示例的，下面結(jié)合圖16至圖21所示的結(jié)構(gòu)，以一種彩膜基板的制作方法為例，其制作過程如下S301、如圖16所示，在透明基板10上制作一層黑矩陣用樹脂薄膜，即上述的第一薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成黑矩陣圖案201，同時在所述透明基板10的第一邊緣IOa (在圖21中標出)處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案105。其中，所述第一邊緣IOa與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案105沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，且所述第一輔助圖案105與任一層顯示用圖案無連接。在本示例的附圖中僅繪示出位于一個第一邊緣處的第一輔助圖案105，但本發(fā)明實施例并不限于此。此外，此處以形成的第第一輔助圖案105的橫截面的兩個側(cè)面均具有階梯狀為例進行說明，但本發(fā)明并不限于此，可以是只有一個側(cè)面具有階梯狀。S302、如圖17-18所示，在所述黑矩陣201圖案上制作一層紅色樹脂薄膜202a，通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成紅色光組圖案202。由于在步驟S301中形成黑矩陣圖案201的同時，在與光刻膠涂布方向垂直的透明基板10的第一邊緣IOa處形成有與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案105，且當所述第一輔助圖案105位于光刻膠涂布起始位置處時，使得在步驟S302中形成紅色光組圖案202前的涂布光刻膠30時，避免或減少了由于起始涂布位置處下層的黑矩陣201圖案的較大段差導致的涂布不良。其中，此處沿光刻膠涂布方向，將所述第一輔助圖案105設(shè)計成其橫截面具有至少一側(cè)邊為階梯狀的圖案，是為了將一個段差分為兩段段差，從而減少制作下一層圖形時，涂布光刻膠的噴嘴在經(jīng)過涂布起始位置的段差高的圖形時導致的涂布不良；當所述第一輔助圖案105位于光刻膠涂布結(jié)束位置處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。S303、如圖19所示，在黑矩陣圖案201、紅色光組圖案202上制作一層綠色樹脂薄膜，并通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成綠色光組圖案204。同上述步驟S302第一輔助圖案105的作用，使得在S303中形成綠色光組圖案204前的光刻膠涂布時，可避免或減少了涂布不良的發(fā)生率。S304、如圖20所示，在黑矩陣圖案201、紅色光組圖案202、綠色光組圖案204上制作一層藍色樹脂薄膜，并通過構(gòu)圖工藝處理在規(guī)定區(qū)域形成藍色光組圖案205。同上述步驟S303第一輔助圖案105的作用，使得在S304中形成藍色光組圖案205前的光刻膠涂布時，可避免或減少了涂布不良的發(fā)生率。經(jīng)過上述步驟后，制作成如圖21所示的彩膜基板。需要說明的是，首先，在本發(fā)明實施例中在先形成黑矩陣，再依次形成紅色光阻圖案、第二次形成綠色光阻圖案、第三層形成藍色光阻圖案為例進行說明，但本發(fā)明實施例并不限于上述的形成順序；其次，還可以形成其他光阻圖案，在此不做限定；再次，此處以在形成黑矩陣同時，形成第一輔助圖案，但本發(fā)明實施例并不限于此，可以在至少四層樹脂薄膜中除最后一層樹脂薄膜外的任一層形成。進一步地，所述第一輔助圖案距離第一邊緣20cm 30cm。優(yōu)選的，所述第一輔助圖案的橫截面為對稱形狀。這樣，在形成下一層圖案(例如綠色光阻圖案)的光刻膠涂布工藝中，由于前層的第一輔助圖案的兩個側(cè)面均為階梯狀，在光刻膠涂布時，該第一輔助圖案可將前層圖形的段差分為兩個高度，當兩側(cè)面均為階梯狀時，可更進一步可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提聞量廣的廣品良率。進一步地，所述第一輔助圖案包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分的厚度高于所述第二部分或第三部分的厚度，且所述第二部分和第三部分分別位于所述第一部分的左右兩側(cè)，在光刻膠涂布方向上，第一部分的長度為0. 2mm-0. 5mm,第二部分的長度為0. 2mm-0. 5mm,第三部分的長度為0. 2mm-0. 5mm。本發(fā)明實施例提供了一種彩膜基板的制作方法，在至少四層樹脂薄膜中除最后一層樹脂薄膜外的任一層上，通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，并同時在顯示區(qū)域形成黑矩陣圖案；當在后續(xù)制作的薄膜上涂布光刻膠以形成該層圖案時，由于所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，且所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀，當該第一輔助圖案形成在涂布起始處的第一邊緣處時，一方面，可避免由于透明基板邊緣表面狀態(tài)差導致的涂布不良，另一方面，涂布光刻膠時，先經(jīng)過至少一側(cè)邊為階梯狀的第一輔助圖案，再經(jīng)過起始處的顯示區(qū)域內(nèi)的段差高的圖案時，可避免或減少涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；當該第一輔助圖案形成在涂布結(jié)束處的第一邊緣處時，可避免或減少由于光刻膠回吸導致的涂布不良。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種基板的制作方法，包括在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其特征在于，在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括 在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中， 所述第一薄膜為所述至少兩層薄膜中除最后一層薄膜外的任一層；所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作至少三層導電薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案； 所述第一薄膜為所述至少三層導電薄膜中除最后一層導電薄膜外的任一層。
3.根據(jù)要求2所述的方法，其特征在于，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案還包括 在透明基板上制作第二薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第二輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中， 所述第二薄膜為所述至少兩層薄膜中除最后一層導電薄膜和所述第一薄膜外的任一層導電薄膜；所述第二輔助圖案橫截面呈矩形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一輔助圖案位于所述第二輔助圖案之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案還包括 在透明基板上制作半導體薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第三輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第三輔助圖案橫截面呈矩形狀，且所述第三輔助圖案位于所述第一輔助圖案之下。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少三層導電薄膜包括源漏金屬薄膜、柵金屬薄膜、像素電極薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括 所述在透明基板上制作源漏金屬薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成源漏極圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在透明基板上制作至少兩層薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案包括在透明基板上制作至少四層樹脂薄膜，并分別通過構(gòu)圖工藝在顯示區(qū)域形成顯示用圖案； 所述第一薄膜為所述至少四層樹脂薄膜中除最后一層樹脂薄膜外的任一層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一薄膜為最先制作形成的樹脂薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的方法，其特征在于，所述至少一個第一邊緣為兩個第一邊緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的方法，其特征在于，所述第一輔助圖案的橫截面為對稱形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一輔助圖案包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分的厚度高于所述第二部分或第三部分的厚度，且所述第二部分和第三部分分別位于所述第一部分的左右兩側(cè)，在光刻膠涂布方向上，第一部分的長度為O. 2mm-0. 5mm,第二部分的長度為O. 2mm-0. 5mm,第三部分的長度為O. 2mm-0. 5mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的方法，其特征在于，所述第一輔助圖案距離所述第一邊緣20cm 30cm。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供了一種基板的制作方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可避免或減少光刻膠涂布時涂布不良的發(fā)生率，進而提高量產(chǎn)產(chǎn)品良率；所述基板的制作方法包括在透明基板上制作第一薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在所述透明基板的至少一個第一邊緣處，形成與所述第一邊緣平行的第一輔助圖案，同時在顯示區(qū)域形成顯示用圖案；其中，所述第一薄膜為所述至少兩層薄膜中除最后一層薄膜外的任一層；所述第一邊緣與光刻膠涂布方向垂直，所述第一輔助圖案沿所述光刻膠涂布方向的橫截面的至少一側(cè)邊為階梯狀。用于顯示面板的制造。
文檔編號H01L21/77GK103034061SQ20121054052
公開日2013年4月10日 申請日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者周子卿, 李正勛, 金基用, 贠向南, 許朝欽, 孫亮 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司