一種后柵工藝假柵的制造方法和后柵工藝假柵的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種后柵工藝假柵的制造方法和后柵工藝假柵，該方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上生長柵極氧化層；在所述柵極氧化層上淀積底層非晶硅；在所述底層非晶硅上淀積ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜；在所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜上淀積頂層非晶硅；在所述頂層非晶硅上淀積硬掩膜層；在所述硬掩膜層上形成光刻膠線條，并對(duì)所形成的光刻膠線條進(jìn)行微縮，使微縮后的光刻膠線條寬度小于等于22nm；以所述光刻膠線條為標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述硬掩膜層、頂層非晶硅、ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜和底層非晶硅進(jìn)行刻蝕，并去除所述光刻膠線條、硬掩膜層和頂層非晶硅。本發(fā)明能精確控制柵極的關(guān)鍵尺寸，柵極的剖面形貌，并能改善柵極線條粗糙度，保證了器件的性能及穩(wěn)定性。
【專利說明】一種后柵工藝假柵的制造方法和后柵工藝假柵
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種后柵工藝假柵的制造方法和后柵工藝假柵。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展，MOS晶體管的特征尺寸也越來越小，為了降低MOS晶體管柵極的寄生電容，提高器件速度，高K柵介電層與金屬柵極的柵極疊層結(jié)構(gòu)被引入到MOS晶體管中。為了避免金屬柵極的金屬材料對(duì)晶體管其他結(jié)構(gòu)的影響，所述金屬柵極與高K柵介電層的柵極疊層結(jié)構(gòu)通常采用“后柵(gate last)”工藝制作。
[0003]所謂后柵工藝是指:提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有假柵結(jié)構(gòu)和位于所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋所述假柵結(jié)構(gòu)的刻蝕阻擋層，在所述刻蝕阻擋層表面形成層間介質(zhì)層；以所述假柵結(jié)構(gòu)表面作為停止層，對(duì)所述層間介質(zhì)層和刻蝕阻擋層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨；除去所述假柵結(jié)構(gòu)后形成溝槽；通過物理氣相沉積或金屬靶濺射的方法向所述溝槽內(nèi)填充金屬，以形成金屬柵電極層；用化學(xué)機(jī)械研磨法研磨金屬柵電極層直至露出層間介質(zhì)層，形成金屬柵。
[0004]因此，在后柵工藝中，假柵的制造至關(guān)重要。但目前，由于受到物理機(jī)制、工藝技術(shù)以及加工手段等方面的限制，在22nm及以下技術(shù)帶中，假柵的關(guān)鍵尺寸、以及假柵的剖面形貌還無法精準(zhǔn)控制，從而影響了柵極線條的粗糙度，無法保證器件的性能及其穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本公開實(shí)施例提供一種后柵工藝假柵的制作方法，該方法包括:
[0006]提供半導(dǎo)體襯底；
[0007]在所述半導(dǎo)體襯底上生長柵極氧化層；
[0008]在所述柵極氧化層上淀積底層非晶硅；
[0009]在所述底層非晶硅上淀積氧化膜-氮化膜-氧化膜(ONO)結(jié)構(gòu)硬掩膜；
[0010]在所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜上淀積頂層非晶硅；
[0011]在所述頂層非晶硅上淀積硬掩膜層；
[0012]在所述硬掩膜層上形成光刻膠線條，并對(duì)所形成的光刻膠線條進(jìn)行微縮，使微縮后的光刻膠線條寬度小于等于22nm ；
[0013]以所述微縮后的光刻膠線條為標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述硬掩膜層、頂層非晶硅、ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜和底層非晶硅進(jìn)行刻蝕，并去除所述硬掩膜層和頂層非晶硅。
[0014]優(yōu)選的，以所述微縮后的光刻膠線條為標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述硬掩膜層、頂層非晶硅、ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜和底層非晶硅進(jìn)行刻蝕，并去除所述微縮后的光刻膠線條、硬掩膜層和頂層非晶娃，包括:
[0015]將所述微縮后的光刻膠線條作為所述硬掩膜層的掩膜，對(duì)所述硬掩膜層進(jìn)行刻蝕，去除所述光刻膠線條；[0016]將所述硬掩膜層作為所述頂層非晶硅的掩膜，對(duì)所述頂層非晶硅進(jìn)行刻蝕；
[0017]將所述硬掩膜層和所述頂層非晶硅作為ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜的掩膜，對(duì)所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜進(jìn)行刻蝕，去除所述硬掩膜層；
[0018]將所述頂層非晶硅和所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜作為所述底層非晶硅的掩膜，對(duì)所述底層非晶硅進(jìn)行刻蝕，去除所述頂層非晶硅。
[0019]優(yōu)選的，所述在所述柵極氧化層上淀積底層非晶硅，包括:
[0020]采用低壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述柵極氧化層上淀積底層非晶硅。
[0021]優(yōu)選的，所述底層非晶硅厚度為600A?1200A。
[0022]優(yōu)選的，所述在所述底層非晶硅上淀積ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜，包括:
[0023]通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在底層非晶硅上淀積底部氧化膜；
[0024]通過低壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述底部氧化膜上淀積氮化膜；
[0025]通過常壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述氮化膜上淀積頂部氧化膜。
[0026]優(yōu)選的，所述底部氧化膜的厚度為80A120A，所述氮化膜的厚度為160A?240A，所述頂部氧化膜的厚度為500A?800A。
[0027]優(yōu)選的，所述在所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜上淀積頂層非晶硅和硬掩膜層，包括:
[0028]通過低壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜上淀積頂層非晶硅；
[0029]通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在所述頂層非晶硅上淀積硬掩膜層。
[0030]優(yōu)選的，所述頂層非晶硅厚度為300A100A，所述硬掩膜層厚度為300A?400A。
[0031]本公開實(shí)施例還提供了一種后柵工藝假柵，包括:半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極氧化層，位于所述柵極氧化層表面的非晶硅層，和位于所述非晶硅層上的ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜，所述非晶硅層和所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜的寬度小于等于22nm。
[0032]優(yōu)選的，所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜包括:底部氧化膜、氮化膜和頂部氧化膜。
[0033]本公開實(shí)施例所提供的后柵工藝假柵制造方法，首先采用在非晶硅上淀積ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜，在刻蝕階段，將光刻膠線條進(jìn)行微縮，使之寬度小于等于22nm，并以此寬度為標(biāo)準(zhǔn)并對(duì)ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜進(jìn)行刻蝕，通過此方法，在22nm及以下技術(shù)帶中，柵極的關(guān)鍵尺寸，柵極的剖面形貌能得到精確控制，柵極線條的粗糙度也能得到有效改善，從而保證了器件的性能及穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]為了更清楚地說明本公開實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0035]圖1為本公開實(shí)施例所提供的一種后柵工藝假柵的制造方法的流程示意圖；
[0036]圖2-1至圖2-10為本公開實(shí)施例采用圖1所示的方法制造后柵工藝假柵的各個(gè)階段的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]附圖標(biāo)記:
[0038]20-半導(dǎo)體襯底，22-柵極氧化物，24-底層非晶硅，26-0N0結(jié)構(gòu)硬掩膜，28-頂層非晶硅，30-硬掩膜層，32-光刻膠線條；261_底部氧化膜，262-氮化膜，263-頂部氧化膜。【具體實(shí)施方式】
[0039]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本公開實(shí)施例中的附圖，對(duì)本公開實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本公開一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒竟_中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本公開保護(hù)的范圍。
[0040]本公開實(shí)施例提供一種后柵工藝假柵的制作方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上生長柵極氧化層；在所述柵極氧化層上淀積底層非晶硅；在所述底層非晶硅上淀積ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜；在所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜上淀積頂層非晶硅；在所述頂層非晶硅上淀積硬掩膜層；在所述硬掩膜層上形成光刻膠線條，并對(duì)所形成的光刻膠線條進(jìn)行微縮，使微縮后的光刻膠線條寬度小于等于22nm ;以所述微縮后的光刻膠線條為標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述硬掩膜層、頂層非晶硅、ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜和底層非晶硅進(jìn)行刻蝕，并去除所述光刻膠線條、硬掩膜層和頂層非晶硅。
[0041]上述的后柵工藝假柵的制造方法中，首先采用在非晶硅上淀積ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜，在刻蝕階段，將光刻膠線條進(jìn)行微縮，使之寬度小于等于22nm左右，并以此寬度為標(biāo)準(zhǔn)并對(duì)ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜進(jìn)行刻蝕，通過此方法，在22nm及以下技術(shù)帶中，柵極的關(guān)鍵尺寸，柵極的剖面形貌能得到精確控制，柵極線條的粗糙度也能得到有效改善，從而保證了器件的性能及穩(wěn)定性。
[0042]為使本公開的上述目的、特征和有點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本公開的具體實(shí)時(shí)方式做詳細(xì)的說明。在詳述本公開實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本公開的保護(hù)范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度以及深度的三維空間尺寸。
[0043]圖1為本實(shí)施例后柵工藝假柵的制造方法流程圖，圖2-1至圖2-10為本公開實(shí)施例采用圖1所示的方法制造后柵工藝假柵的各個(gè)階段的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]如圖1所示，所述后柵工藝中假柵的制作方法包括:
[0045]步驟S1:提供半導(dǎo)體襯底20 ；
[0046]在本步驟中，該襯底20可以采用任何的半導(dǎo)體材料，例如單晶硅、多晶硅、非晶硅、鍺、硅鍺、碳化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其他化合物半導(dǎo)體材料，襯底的材質(zhì)還可以為疊層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如Si/SiGe、絕緣體上硅(SOI)或絕緣體上硅鍺(SGOI)。另外，襯底還可以為鰭型器件、正常平面型CMOS器件或者納米線溝道器件等。本公開實(shí)施例中襯底20僅以采用Si為例，此處僅為示例，本公開并不限于此。
[0047]步驟S2:在半導(dǎo)體襯底上生長柵極氧化層22，并在所生長的柵極氧化層上淀積底層非晶娃24 ；
[0048]在本步驟中，可以采用熱氧化工藝在半導(dǎo)體襯底20上生長柵極氧化層22，其中，所述熱氧化工藝可以為傳統(tǒng)的熱氧化工藝爐管(Furnace)、蒸汽原位生成(situstream-generated, IS SG)或者是快速熱氧化(Rapid thermal oxidation, RT0)工藝。柵極氧化層22的材料可以為氧化硅或氮氧化硅等，除此之外，柵極氧化層22的材料也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料，其厚度可以為8A?40A。
[0049]之后，在所生成的柵極氧化層22上淀積底層非晶硅24。其中，此處可采用化學(xué)氣相淀積(Chemical Vapor Deposition, CVD)工藝來完成該步驟,例如可采用低壓化學(xué)氣相淀積(LP CVD)、常壓化學(xué)氣相淀積(AP CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PE CVD)、以及高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDP CVD)等工藝。所淀積的底層非晶硅24厚度可以為600A?1200A。
[0050]步驟S3:在所淀積的底層非晶硅24上淀積氧化膜-氮化膜-氧化膜(ONO)結(jié)構(gòu)硬掩膜26 ；
[0051]在本步驟中，ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26的淀積過程可具體為:在底層非晶硅24上依次淀積底部氧化膜261、氮化膜262和頂部氧化膜263。其中，在本實(shí)施例中，底部氧化膜261可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝進(jìn)行淀積，氮化膜262可以采用低壓化學(xué)氣相淀積工藝或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝等進(jìn)行淀積；頂部氧化膜263可以采用常壓化學(xué)氣相淀積工藝、低壓化學(xué)氣相淀積工藝或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝等進(jìn)行淀積。并且，底部氧化膜261和頂部氧化膜263的材料可以為氧化硅，厚度分別為80A?120A，和500A?800A，氮化膜262的材料可以為氮化硅，厚度可以為160A?240A。
[0052]步驟S4:在ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26上進(jìn)行頂層非晶硅28和硬掩膜層30的淀積；
[0053]在本步驟中，頂層非晶硅28可以采用化學(xué)氣相淀積、常壓化學(xué)氣相淀積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積、以及高密度等離子體化學(xué)氣相淀積等工藝進(jìn)行淀積。其中，該步驟中所淀積的頂層非晶娃28厚度可以為300A 400A。
[0054]之后，在頂層非晶硅28上淀積硬掩膜層30，在本實(shí)施例中，硬掩膜層30材料可以為氧化膜，并可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝進(jìn)行淀積，其厚度可以為300A?400A。
[0055]步驟S5:在硬掩膜層30上形成光刻膠線條32 ；
[0056]在本步驟中，光刻膠線條32可以采用浸潤式光刻或者電子束直寫的方式形成，本實(shí)施例不做限制；另外，對(duì)于所形成的光刻膠線條32的寬度，本實(shí)施例不做限制。
[0057]步驟S6:對(duì)所形成的光刻膠線條32進(jìn)行微縮。
[0058]在本步驟中，為形成22nm或小于22nm的后柵工藝假柵，要求對(duì)所形成的光刻膠線條32進(jìn)行微縮，使其寬度小于或等于22nm。在本實(shí)施例中，可以采用將氧等離子體對(duì)所形成的光刻膠線條32進(jìn)行原位微縮，具體為:在干法刻蝕設(shè)備中，例如反應(yīng)離子刻蝕(Reactive 1n Etching, RIE)設(shè)備中通入氧氣，并在刻蝕設(shè)備上加載射頻電源,形成氧氣等離子體(O2Plasma)，通過氧氣等離子體對(duì)光刻膠線條32進(jìn)行微縮。
[0059]步驟S7:對(duì)硬掩膜層30進(jìn)行刻蝕；
[0060]在本步驟中，以微縮后的光刻膠線條32為掩膜，可以采用干法刻蝕工藝對(duì)硬掩膜層30進(jìn)行刻蝕，例如反應(yīng)離子刻蝕方式對(duì)硬掩膜層30進(jìn)行刻蝕。
[0061]步驟S8:去除光刻膠線條32 ；
[0062]在本步驟中，可以采用干法去膠工藝，例如，使用氧氣等離子體去除光刻膠線條32，具體為:在等離子刻蝕腔體內(nèi)填充氧氣等離子體去刻蝕光刻膠線條32。為徹底去除光刻膠線條32和硬掩膜層30刻蝕過程中所產(chǎn)生的聚合物，本步驟還可以采用干法去膠和濕法去膠相結(jié)合的方法。[0063]步驟S9:對(duì)頂層非晶硅28進(jìn)行刻蝕；
[0064]在本步驟中，以硬掩膜層30作為頂層非晶硅28的掩膜，對(duì)頂層非晶硅28進(jìn)行刻蝕，其中，本實(shí)施例中可采用反應(yīng)離子刻蝕等方法對(duì)頂層非晶硅28進(jìn)行刻蝕，具體方法在此不做贅述。
[0065]步驟SlO:對(duì)ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26進(jìn)行刻蝕；
[0066]在本步驟中，以硬掩膜層30和頂層非晶硅28為掩膜，對(duì)ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26進(jìn)行刻蝕，在本實(shí)施例中，可以采用反應(yīng)離子刻蝕方法對(duì)ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26進(jìn)行刻蝕；同時(shí)，可以在對(duì)ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26進(jìn)行刻蝕之后，去除硬掩膜層30，以簡化后續(xù)流程。
[0067]步驟Sll:對(duì)底層非晶娃24進(jìn)行刻蝕；
[0068]在本步驟中，以頂層非晶硅28和ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26為掩膜，對(duì)底層非晶硅24進(jìn)行刻蝕，在本實(shí)施例中，可以采用反應(yīng)離子刻蝕方法對(duì)底層非晶硅24進(jìn)行刻蝕；同時(shí)，可以在對(duì)底層非晶硅24進(jìn)行刻蝕之后，直接去除頂層非晶硅28。
[0069]至此，線寬為22nm的后柵工藝假柵制造完成。
[0070]本公開實(shí)施例所提供的后柵工藝假柵制造方法，首先采用在非晶硅上淀積ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜，在刻蝕階段，將光刻膠線條進(jìn)行微縮，使之寬度小于等于22nm，并以此寬度為標(biāo)準(zhǔn)并對(duì)ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜進(jìn)行刻蝕，通過此方法，在22nm及以下技術(shù)帶中，柵極的關(guān)鍵尺寸，柵極的剖面形貌能得到精確控制，柵極線條的粗糙度也能得到有效改善，從而保證了器件的性能及穩(wěn)定性。
[0071]本公開實(shí)施例還提供了一種利用上述方法形成的假柵結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參考圖2-10，為本公開實(shí)施例所提供的假柵的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，具體包括:半導(dǎo)體襯底20，位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極氧化層22，位于所述柵極氧化層22表面的非晶硅層24，和位于所述非晶硅層24上的ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26。所述非晶硅層24和所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26的寬度小于等于 22nm。
[0072]其中，所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜26包括:底部氧化膜261，氮化膜262和頂部氧化膜263 ;所述底部氧化膜261和頂部氧化膜263的材料可以為氧化硅，厚度可以為80A?120A，和500A?800A，氮化膜262的材料可以為氮化硅，厚度可以為160A?240A。
[0073]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種后柵工藝假柵的制造方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上生長柵極氧化層； 在所述柵極氧化層上淀積底層非晶硅； 在所述底層非晶硅上淀積氧化膜-氮化膜-氧化膜(ONO)結(jié)構(gòu)硬掩膜； 在所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜上淀積頂層非晶硅； 在所述頂層非晶硅上淀積硬掩膜層； 在所述硬掩膜層上形成光刻膠線條，并對(duì)所形成的光刻膠線條進(jìn)行微縮，使微縮后的光刻膠線條寬度小于等于22nm ； 以所述微縮后的光刻膠線條為標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述硬掩膜層、頂層非晶硅、ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜和底層非晶硅進(jìn)行刻蝕，并去除所述光刻膠線條、硬掩膜層和頂層非晶硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，以所述微縮后的光刻膠線條為標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述硬掩膜層、頂層非晶硅、ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜和底層非晶硅進(jìn)行刻蝕，并去除所述光刻膠線條、硬掩膜層和頂層非晶硅，包括: 將所述微縮后的光刻膠線條作為所述硬掩膜層的掩膜，對(duì)所述硬掩膜層進(jìn)行刻蝕，去除所述微縮后的光刻膠線條； 將所述硬掩膜層作為所述頂層非晶硅的掩膜，對(duì)所述頂層非晶硅進(jìn)行刻蝕； 將所述硬掩膜層和所述頂層非晶硅 作為ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜的掩膜，對(duì)所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜進(jìn)行刻蝕，去除所述硬掩膜層； 將所述頂層非晶硅和所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜作為所述底層非晶硅的掩膜，對(duì)所述底層非晶硅進(jìn)行刻蝕，去除所述頂層非晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極氧化層上淀積底層非晶娃,包括: 采用低壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述柵極氧化層上淀積底層非晶硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述底層非晶硅厚度為600A1200A。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述底層非晶硅上淀積ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜，包括: 通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在底層非晶硅上淀積底部氧化膜 通過低壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述底部氧化膜上淀積氮化膜； 通過常壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述氮化膜上淀積頂部氧化膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述底部氧化膜的厚度為80A120A，所述氮化膜的厚度為160A~240A，所述頂部氧化膜的厚度為500A~800A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜上淀積頂層非晶硅和硬掩膜層，包括: 通過低壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜上淀積頂層非晶硅； 通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在所述頂層非晶硅上淀積硬掩膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述頂層非晶硅厚度為300A100A，所述硬掩膜層厚度為300A~400A。
9.一種后柵工藝假柵，其特征在于，包括:半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極氧化層，位于所述柵極氧化層表面的非晶硅層，和位于所述非晶硅層上的ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜，所述非晶硅層和所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜的寬小于等于22nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的后柵工藝假柵，其特征在于，所述ONO結(jié)構(gòu)硬掩膜包括:底部氧化膜、氮化膜和頂部氧 化膜。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK103854984SQ201210509428
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月3日
【發(fā)明者】李春龍, 李俊峰, 閆江, 趙超 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院微電子研究所