專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管封裝構(gòu)造及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二級(jí)管即LED (Light Emitting Diode)作為一種新型光源,具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、啟動(dòng)速度快等諸多傳統(tǒng)光源無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。近年來(lái)，隨著發(fā)光二級(jí)管芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，發(fā)光二級(jí)管也越來(lái)越多的被應(yīng)用于照明及輔助照明領(lǐng)域。然而，所述發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造在實(shí)際使用上仍具有下述問(wèn)題，例如:制造成本過(guò)高，可靠性低等問(wèn)題。特別是由于現(xiàn)有的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的承載件多采用預(yù)先封膠的方式制造，即將金屬釘架與不透光的封膠體預(yù)先封裝，然后再將發(fā)光二級(jí)管芯片放置在承載件的不透光封膠體的凹穴內(nèi)，經(jīng)過(guò)電性連接后再一次利用透光膠體將發(fā)光二級(jí)管芯片封裝在承載件的不透光封膠體的凹穴內(nèi)。而此種方式工藝復(fù)雜，且制造成本較高，并且由于兩次封裝而導(dǎo)致封裝膠體之間以及封裝膠體與承載件之間的結(jié)合性較差，降低了封裝的可靠性。故，有必要提供一種封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的制造成本過(guò)高,可靠性低等問(wèn)題。本發(fā)明的主要目的在于提供一種發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造及其制造方法，其可以增強(qiáng)發(fā)光二級(jí)管承載件與透光膠體之間的結(jié)合強(qiáng)度，同時(shí)簡(jiǎn)化封裝工藝，降低封裝成本。為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其中所述封裝構(gòu)造包含:一承載件、一發(fā)光二級(jí)管芯片以及一透光膠體。所述承載件具有至少二引腳，所述至少二引腳中的至少一個(gè)引腳上具有至少一封膠卡摯結(jié)構(gòu)。所述發(fā)光二級(jí)管芯片放置于所述承載件的引腳上，且電性連接至所述承載件的引腳。所述透光膠體覆蓋所述發(fā)光二級(jí)管芯片以及至少部分所述承載件，連結(jié)所述承載件的所有引腳，并填充于所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)內(nèi)。再者，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法包含步驟:先提供一承載件，具有至少二引腳，所述至少二引腳中的至少一個(gè)引腳上具有至少一封膠卡摯結(jié)構(gòu)。接著，放置一發(fā)光二級(jí)管芯片于所述承載件的引腳上，并電性連接至所述承載件的引腳。隨后，將所述承載件以及所述發(fā)光二級(jí)管芯片放置于一模具內(nèi)。將一透光膠體材料注入所述模具內(nèi)以形成一透光膠體，其中所述透光膠體覆蓋所述發(fā)光二級(jí)管芯片以及至少部分所述承載件，連結(jié)所述承載件的所有引腳，并填充于所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明一實(shí)施例提供另一種發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法包含步驟:先提供一承載件，具有至少二引腳，所述至少二引腳中的至少一個(gè)引腳上具有至少一封膠卡摯結(jié)構(gòu)。接著，放置一發(fā)光二級(jí)管芯片于所述承載件的引腳上，并電性連接至所述承載件的引腳。隨后，將一預(yù)制透光體放置于所述承載件上，并與所述承載件之間形成一容置空間，以容置所述發(fā)光二級(jí)管芯片。之后，將一透光膠體材料注入所述容置空間內(nèi)以連接并固定所述預(yù)制透光體與所述的承載件以形成一透光膠體，其中所述透光膠體覆蓋所述發(fā)光二級(jí)管芯片以及至少部分所述承載件，連結(jié)所述承載件的所有引腳，并填充于所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造及其制造方法可以在形成透光膠體的同時(shí)連結(jié)所述承載件的所有引腳，并填充于所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)，使得所述承載件不需預(yù)先進(jìn)行一道不透光封膠的工藝，因此本發(fā)明不但可簡(jiǎn)化封裝工藝，降低封裝成本，還可以使得承載件與透光膠體的結(jié)合性更強(qiáng)，提高了發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的可靠性。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下:


圖1是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的俯視圖。圖2是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造沿X-X方向的剖視圖。圖3是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造沿Y-Y方向的剖視圖。圖4是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的承載件的俯視圖。圖5是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造沿Z-Z方向的凹槽1142的局部剖視圖以及通孔1141的局部上視圖。圖6至圖7是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法的示意圖。圖8至圖9是本發(fā)明又一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。再者，本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」或「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。圖1是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的俯視圖，圖2與圖3分別是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造沿X-X方向與Y-Y方向的剖視圖，圖4為本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的承載件的俯視圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1至圖4所示，本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造100主要包含承載件110、發(fā)光二級(jí)管芯片120、透光膠體130以及導(dǎo)線(xiàn)140。在本實(shí)施例中，承載件110包含第一引腳111與第二引腳112，第一引腳111與第二引腳112之間具有一間隙113。承載件110上具有封膠卡摯(mold lock)結(jié)構(gòu)114以及數(shù)個(gè)鋸齒狀半蝕刻邊緣115。本實(shí)施例中的封膠卡摯結(jié)構(gòu)114包含位于第一引腳111上的通孔1141以及位于第二引腳112上的凹槽1142，所說(shuō)的通孔是指貫穿整個(gè)承載件上下表面的結(jié)構(gòu)，所說(shuō)的凹槽是指不貫穿承載件的任何具有高度低于承載件表面的結(jié)構(gòu)。通常，鋸齒狀半蝕刻邊緣115不受透光膠體130所覆蓋。鋸齒狀半蝕刻邊緣115可以減小切割工藝中切割刀的損耗，同時(shí)避免在切割過(guò)程中承載件110變形。在本實(shí)施例中，發(fā)光二級(jí)管芯片120位于承載件110的芯片放置區(qū)域(如第一引腳111)，通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)140與承載件110電性連接。透光膠體130覆蓋發(fā)光二級(jí)管芯片120、導(dǎo)線(xiàn)140以及承載件110的上表面，連結(jié)所述承載件110的所有引腳111、112，并且填入間隙113、通孔1141以及凹槽1142中。第一引腳111與第二引腳112于承載件110的下表面曝露出來(lái)作為發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的端子。由此可以增加透光膠體130與承載件110的結(jié)合強(qiáng)度，增加發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造100的可靠性。在本實(shí)施例中，第一引腳111概為一 T型結(jié)構(gòu)，第二引腳112概為一 U型結(jié)構(gòu)，第一引腳111伸入第二引腳112中的一區(qū)塊可用以承載發(fā)光二級(jí)管芯片120，如此設(shè)置可提高承載件110的空間利用率，亦即減小了設(shè)置承載件110所需的二維平面尺寸。在其他實(shí)施方式中，第二引腳112也可以為一 I型結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，透光膠體130為一體成型結(jié)構(gòu)，且在發(fā)光二級(jí)管芯片120的上方形成一半圓球形從而構(gòu)成一透鏡。透光膠體130的材料可以是環(huán)氧樹(shù)脂材料、娃膠材料或其他透光膠材。透光膠體130覆蓋發(fā)光二級(jí)管芯片120、導(dǎo)線(xiàn)140以及承載件110的上表面，連結(jié)所述承載件110的所有引腳111、112，并且填入間隙113、通孔1141以及凹槽1142中；必要時(shí)，該透光膠體130的各側(cè)表面以及其填入間隙113部份的下表面皆可進(jìn)一步涂上一層反射層，以減少漏光現(xiàn)像。在本實(shí)施例中，封膠卡摯結(jié)構(gòu)114包含通孔1141以及凹槽1142，但是于其他實(shí)施方式中，亦可只包含通孔1141或凹槽1142，且并不限于此種結(jié)構(gòu)。同時(shí)，封膠卡摯結(jié)構(gòu)114可以位于承載件110與透光膠體130結(jié)合的其他任意位置，例如位于承載件110的上表面或者第一引腳111與第二引腳112于間隙113所曝露出的側(cè)面。封膠卡摯結(jié)構(gòu)114可以是一個(gè)或者多個(gè)，亦可僅位于第一引腳111或第二引腳112其中之一上，例如僅包含一個(gè)通孔1141或凹槽1142也可同時(shí)包含多個(gè)通孔1141或凹槽1142。本實(shí)施例中通孔1141或凹槽1142分別位于第一引腳111與第二引腳112上，此種方式可以避免降低承載件的機(jī)械強(qiáng)度，但是通孔1141或凹槽1142亦可換位設(shè)置。在本實(shí)施例中，通孔1141具有一圓形截面，并貫通承載件110的第一引腳111的上下表面，也就是說(shuō)通孔的截面為平行于承載件110的上表面的截面，請(qǐng)參考圖3中的Z-Z截面。凹槽1142具有一長(zhǎng)方形截面，且并未貫通承載件110的第二引腳112的上下表面，也就是說(shuō)凹槽的截面為垂直于承載件110的上表面的截面，請(qǐng)參考圖4中的Z-Z截面。但是于其他實(shí)施方式中，通孔1141與凹槽1142分別可以設(shè)計(jì)為其他幾何形狀的截面，例如圖5是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造沿Z-Z方向的凹槽1142的局部剖視圖以及通孔1141的局部上視圖，其中通孔1141可以設(shè)計(jì)為圓形、半圓形、長(zhǎng)方形或三角形，凹槽1142分別可以設(shè)計(jì)為半圓形、長(zhǎng)方形或三角形，其同樣可以達(dá)到封膠卡摯結(jié)構(gòu)114所具有的功效，另外通孔1141的截面的邊數(shù)越多，其與膠體的接觸面及越大，其卡摯效果越好，如五角星形。較佳的，封膠卡摯結(jié)構(gòu)114的面積不小于承載件110的上表面的面積的30%，此時(shí)封膠卡摯結(jié)構(gòu)114能較大程度的增加承載件110與透明封膠130的結(jié)合強(qiáng)度，此處所說(shuō)的封膠卡摯結(jié)構(gòu)114的面積是指在承載件110上表面開(kāi)槽和/或者開(kāi)孔的面積，封膠卡摯結(jié)構(gòu)114的面積有以下幾種情況:一個(gè)是指在承載件110上表面一個(gè)通孔1141的面積或多個(gè)通孔1141的面積之和，第二個(gè)是指一個(gè)凹槽1142的面積或者多個(gè)凹槽1142的面積之和，第三個(gè)是指通孔1141( 一個(gè)或多個(gè))與凹槽1142(—個(gè)或多個(gè))的面積之和。并且，封膠卡摯結(jié)構(gòu)114是否貫穿承載件110也可以依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需要進(jìn)行調(diào)整，較佳的，通孔1141的面積(即在承載件110上表面一個(gè)通孔1141的面積或者多個(gè)通孔1141的面積之和)不小于承載件110的上表面的面積的10%。此外，為了達(dá)到較好的卡摯效果，凹槽的深度需要設(shè)置為不小于承載件110厚度的1/3，例如是承載件110厚度的1/2。本實(shí)施例中，發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造100為一雙邊扁平無(wú)腳封裝(Dual FlatNon-lead, DFN),此種封裝結(jié)構(gòu)可以大大減少封裝體積。圖6至圖7是本發(fā)明一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法的示意圖，本發(fā)明將于下文利用圖6至7逐一詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法。請(qǐng)參照?qǐng)D6所示，首先提供一承載件110，其具有第一引腳111與第二引腳112、間隙113以及封膠卡摯結(jié)構(gòu)114(通孔1141，凹槽1142)。接著，將發(fā)光二級(jí)管芯片120放置于承載件110的第一引腳111伸入第二引腳112中的一區(qū)塊上，并通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)140電性連接至承載件110。然后，將由承載件110、發(fā)光二級(jí)管芯片120以及導(dǎo)線(xiàn)140組成的半成品一起放入一模具200內(nèi)。請(qǐng)參考圖7所述，接著向模具200中注入透光膠體材料以覆蓋發(fā)光二級(jí)管芯片120以及承載件110上表面，連結(jié)所述承載件110的所有引腳111、112，并填充于間隙113以及封膠卡摯結(jié)構(gòu)114中形成透光膠體130，而后再去除模具200，以形成發(fā)光二級(jí)管封裝結(jié)構(gòu)100。圖8至圖9是本發(fā)明另一實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法的示意圖，本發(fā)明將于下文利用圖8至9逐一詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造方法。請(qǐng)參照?qǐng)D8所示，首先提供一承載件110，具有第一引腳111與第二引腳112、間隙113以及封膠卡摯結(jié)構(gòu)114 (通孔1141，凹槽1142)。接著，將發(fā)光二級(jí)管芯片120放置于承載件110的第一引腳111伸入第二引腳112中的一區(qū)塊上，并通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)140電性連接至承載件110。然后，將一由透光膠體材料制成的預(yù)制透光體131放置于承載件110上并與承載件110之間形成一個(gè)容置空間300，其中發(fā)光二級(jí)管芯片120以及導(dǎo)線(xiàn)140位于容置空間300 內(nèi)。請(qǐng)參考圖9所述，隨后向容置空間300中注入透光膠體材料以覆蓋發(fā)光二級(jí)管芯片120以及承載件110上表面，連結(jié)所述承載件110的所有引腳111、112，并填充于間隙113以及封膠卡摯結(jié)構(gòu)114中，同時(shí)連接預(yù)制透光體131與承載件110，并與預(yù)制透光體131結(jié)合形成透光膠體130從而形成發(fā)光二級(jí)管封裝結(jié)構(gòu)100。本實(shí)施例中，通過(guò)將由承載件110、發(fā)光二級(jí)管芯片120以及導(dǎo)線(xiàn)140組成的半成品倒置(未繪示)，透光膠體材料可以自承載件110的下表面透過(guò)間隙113注入容置空間300內(nèi)，本實(shí)施例的制造方法無(wú)需模具，簡(jiǎn)化了工藝。如上所述，相較于現(xiàn)有發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造需要預(yù)先封裝承載件，而導(dǎo)致成本較高、工藝繁瑣等以及透光膠體與承載件之間結(jié)合強(qiáng)度過(guò)低等缺點(diǎn)。本發(fā)明發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造通過(guò)在承載件上設(shè)置封膠卡摯結(jié)構(gòu)并且無(wú)需預(yù)先封裝承載件，其確實(shí)可以有效提高承載件與透光膠體之間的結(jié)合強(qiáng)度、簡(jiǎn)化封裝工藝并降低封裝成本。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已公開(kāi)的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書(shū)的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造包含:一承載件，具有至少二引腳，所述至少二引腳中的至少一個(gè)引腳上具有至少一封膠卡摯結(jié)構(gòu)；一發(fā)光二級(jí)管芯片，放置于所述承載件的引腳上，且電性連接至所述承載件的引腳；以及一透光膠體，覆蓋所述發(fā)光二級(jí)管芯片以及至少部分所述承載件，連結(jié)所述承載件的所有引腳，并填充于所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述至少二引腳各具有至少一封膠卡摯結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述承載件為一釘架，所述釘架包含一第一引腳與一第二引腳，其中所述發(fā)光二級(jí)管芯片放置于所述第一引腳上。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述第一引腳為一T型結(jié)構(gòu)，所述第二引腳為一 U型或一 I型結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述第一引腳與第二引腳之間具有一間隙，所述透光膠體覆蓋部分所述第一引腳與所述第二引腳并填充至所述間隙，且所述第一引腳與第二引腳曝露于所述透光膠體的底部。
6.如權(quán)利要求1或3所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)為至少一凹槽和/或至少一通孔。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述凹槽的截面為半圓形、長(zhǎng)方型或三角形；所述通孔的截面為圓形、半圓形、長(zhǎng)方型或三角形。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)的面積不小于所述承載件上表面的面積的30%。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)為至少一凹槽和至少一通孔
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述通孔的面積不小于所述承載件上表面的面積的10 %。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述透光膠體為一體成型結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造，其特征在于:所述承載件的各引腳具有至少一個(gè)鋸齒狀半蝕刻邊緣。
13.一種發(fā)光二級(jí)管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述發(fā)光二級(jí)管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包含步驟:提供一承載件，具有至少二引腳，所述至少二引腳中的至少一個(gè)引腳上形成至少一封膠卡摯結(jié)構(gòu)；放置一發(fā)光二級(jí)管芯片于所述承載件的引腳上，并電性連接至所述承載件的引腳；將所述承載件以及所述發(fā)光二級(jí)管芯片放置于一模具內(nèi)；以及將一透光膠體材料注入所述模具內(nèi)以形成一透光膠體，其中所述透光膠體覆蓋所述發(fā)光二級(jí)管芯片以及至少部分所述承載件，連結(jié)所述承載件的所有引腳，并填充于所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)。
14.一種發(fā)光二級(jí)管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述發(fā)光二級(jí)管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包含步驟:提供一承載件，具有至少二引腳，所述至少二引腳中的至少一個(gè)引腳上形成至少一封膠卡摯結(jié)構(gòu)；放置一發(fā)光二級(jí)管芯片于所述承載件的引腳上，并電性連接至所述承載件的引腳；將一預(yù)制透光體放置于所述承載件的引腳上，并與所述承載件之間形成一容置空間，以容置所述發(fā)光二級(jí)管芯片；以及將一透光膠體材料注入所述容置空間內(nèi)以連接并固定所述預(yù)制透光體與所述承載件以形成一透光膠體，其中所述透光膠體覆蓋所述發(fā)光二級(jí)管芯片以及至少部分所述承載件，連結(jié)所述承載件的所有引腳， 并填充于所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造及其制造方法。所述發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造包含一承載件、一發(fā)光二級(jí)管芯片以及一透光膠體。所述承載件具有至少二引腳，所述至少二引腳中的至少一個(gè)引腳上具有至少一封膠卡摯結(jié)構(gòu)。所述發(fā)光二級(jí)管芯片放置于所述承載件的引腳上，且電性連接至所述承載件的引腳。所述透光膠體覆蓋所述發(fā)光二級(jí)管芯片以及至少部分所述承載件，連結(jié)所述承載件的所有引腳，并填充于所述封膠卡摯結(jié)構(gòu)內(nèi)。因此，可以降低發(fā)光二級(jí)管封裝構(gòu)造的制造成本，同時(shí)增強(qiáng)所述承載件與所述透光膠體的結(jié)合強(qiáng)度，提高產(chǎn)品封裝可靠度。
文檔編號(hào)H01L33/48GK103078041SQ201210329729
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月7日
發(fā)明者包鋒, 崔軍, 項(xiàng)丹, 汪虞, 陳乾, 趙冬冬, 黃中朋, 郭桂冠 申請(qǐng)人:蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司