專利名稱：一種基于腐蝕、噴砂的aaqfn產(chǎn)品的二次塑封制作工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及ー種扁平封裝件塑封エ序中的改良エ藝，尤其是ー種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作エ藝，屬于集成電路封裝技術領域。
背景技術：
集成電路是信息產(chǎn)業(yè)和高新技術的核心，是經(jīng)濟發(fā)展的基礎。集成電路封裝是集成電路產(chǎn)業(yè)的主要組成部分，它的發(fā)展一直伴隨著其功能和器件數(shù)的增加而邁進。自20世紀90年代起，它進入了多引腳數(shù)、窄間距、小型薄型化的發(fā)展軌道。無載體柵格陣列封裝(即AAQFN)是為適應電子產(chǎn)品快速發(fā)展而誕生的一種新的封裝形式，是電子整機實現(xiàn)微小型化、輕量化、網(wǎng)絡化必不可少的產(chǎn)品。 無載體柵格陣列封裝元件，底部沒有焊球，焊接時引腳直接與PCB板連接，與PCB的電氣和機械連接是通過在PCB焊盤上印刷焊膏，配合SMT回流焊エ藝形成的焊點來實現(xiàn)的。該技術封裝可以在同樣尺寸條件下實現(xiàn)多引腳、高密度、小型薄型化封裝，具有散熱性、電性能以及共面性好等特點。AAQFN封裝產(chǎn)品適用于大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的封裝。AAQFN封裝的器件大多數(shù)用于手機、網(wǎng)絡及通信設備、數(shù)碼相機、微機、筆記本電腦和各類平板顯示器等高檔消費品市場。掌握其核心技木，具備批量生產(chǎn)能力，將大大縮小國內集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距，該產(chǎn)品有著廣闊市場應用前景。但是由于技術難度等限制，目前AAQFN產(chǎn)品在市場上的推廣有一定難度，尤其是在可靠性方面，直接影響產(chǎn)品的使用及壽命，已成為AAQFN封裝件的技術攻關難點。

發(fā)明內容
為了克服上述現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明提供ー種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作エ藝，使集成電路框架與塑封體結合更加牢固，不受外界環(huán)境影響，直接提高產(chǎn)品的封裝可靠性，同時降低成本。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用ー種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作エ藝，先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用ニ次塑封的方法，具體制作エ藝按照如下步驟進行第一歩、晶圓減??；晶圓減薄厚度為50μηι 200 μ m,粗糙度Ra O. IOum
O.30um ；第二步、劃片；第三步、采用粘片膠上芯；第四歩、壓焊；第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進行一次塑封；第六步、后固化；第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；第八步、刷磨、刷綠漆、二次塑封；第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗、包裝、入庫。所述的方法中的第二步中150μπι以上的晶圓采用普通QFN劃片工藝；厚度在150μπι以下晶圓，采用雙刀劃片機及其エ藝；所述的方法中的第三步中上芯時采用的粘片膠可以用膠膜片(DAF)替換；所述的方法中的第八步二次塑封中使用30 32um顆粒度的塑封料填充；所述的方法中的第四步、第六步、第九步、均與常規(guī)AAQFNエ藝相同。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明先在框架上先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，在一次塑封的塑封料和框架間形 成更加有效的防拖拉結構，使集成電路框架與塑封體結合更加牢固，不受外界環(huán)境影響，直接提高產(chǎn)品的封裝可靠性，同吋，簡單易行，生產(chǎn)效率高，降低成本。


圖I為本發(fā)明中引線框架剖面圖；圖2為本發(fā)明中上芯后廣品首I]面圖；圖3為本發(fā)明中壓焊后產(chǎn)品剖面圖；圖4為本發(fā)明中一次塑封后產(chǎn)品剖面圖；圖5為本發(fā)明中框架背面蝕刻后產(chǎn)品剖面圖。圖中1-引線框架、2-粘片膠、3-芯片、4-鍵合線、5-塑封體、6-蝕刻凹槽。
具體實施例方式下面結合附圖1-5和實施例對本發(fā)明做進ー步說明，以方便技術人員理解。實施例I先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具體制作エ藝按照如下步驟進行第一歩、晶圓減??；晶圓減薄厚度為50 μ m,粗糙度Ra O. IOum ；第二步、采用雙刀劃片機及其エ藝進行劃片；第三步、采用粘片膠上芯；第四步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行壓焊；第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進行一次塑封；第六步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行后固化；第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；第八步、刷磨、刷綠漆、二次塑封；使用30um顆粒度的塑封料填充；第九步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗、包裝、入庫。實施例2先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具體制作エ藝按照如下步驟進行
第一歩、晶圓減薄厚度為130 μ m，粗糙度Ra為O. 20um ；第二步、采用雙刀劃片機及其エ藝進行劃片；第三步、采用膠膜片(DAF)上芯；第四步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行壓焊；第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進行一次塑封；第六步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行后固化；第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；、
第八步、刷磨、刷綠漆、二次塑封；使用31um顆粒度的塑封料填充；第九步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗、包裝、入庫。實施例3先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具體制作エ藝按照如下步驟進行第一歩、晶圓減薄厚度為200 μ m,粗糙度Ra為O. 30um ；第二步、采用普通QFN劃片エ藝進行劃片；第三步、采用膠膜片(DAF)上芯；第四步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行壓焊；第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進行一次塑封；第六步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行后固化；第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；第八步、刷磨、刷綠漆、二次塑封；使用32um顆粒度的塑封料填充；第九步、采用與常規(guī)AAQFNエ藝相同的方法進行后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗、包裝、入庫。傳統(tǒng)沖壓框架在塑封エ序塑封料填充后，由于框架本身平整光滑，塑封料與框架之間的結合度低，極易出現(xiàn)分層的情況，封裝件可靠性得不到保證。本發(fā)明采用的不同于以往的塑封エ藝，先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法在框架與一次塑封料、二次塑封料之間形成有效的防拖拉結構，大大降低封裝件分層情況的發(fā)生幾率，極大提高產(chǎn)品可靠性，優(yōu)于傳統(tǒng)AQQFN產(chǎn)品的塑封效果。
權利要求
1.一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，其特征在于先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具體制作工藝按照如下步驟進行 第一步、晶圓減?。痪A減薄厚度為50 μ m 200 μ m,粗糙度Ra O. IOum O. 30um ； 第二步、劃片； 第三步、采用粘片膠上芯； 第四步、壓焊； 第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進行一次塑封； 第六步、后固化； 第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內； 第八步、刷磨、刷綠漆、二次塑封； 第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗、包裝、入庫。
2.根據(jù)權利要求I所述的一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，其特征在于所述的方法中的第二步中150μπι以上的晶圓采用普通QFN劃片工藝；厚度在150 μ m以下晶圓，采用雙刀劃片機及其工藝。
3.根據(jù)權利要求I所述的一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，其特征在于所述的方法中的第三步中上芯時采用的粘片膠用膠膜片(DAF)替換。
4.根據(jù)權利要求I所述的一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，其特征在于所述的方法中的第八步二次塑封中使用30 32um顆粒度的塑封料填充。
5.根據(jù)權利要求I所述的一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，其特征在于所述的方法中的第四步、第六步、第九步均與常規(guī)AAQFN工藝相同。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，屬于集成電路封裝技術領域；本發(fā)明先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用二次塑封，在一次塑封的塑封料和框架間形成更加有效的防拖拉結構，使集成電路框架與塑封體結合更加牢固，不受外界環(huán)境影響，直接提高產(chǎn)品的封裝可靠性，同時，簡單易行，生產(chǎn)效率高，降低成本。
文檔編號H01L21/56GK102738015SQ20121018220
公開日2012年10月17日 申請日期2012年6月5日 優(yōu)先權日2012年6月5日
發(fā)明者崔夢, 李萬霞, 羅育光, 蒲鴻鳴, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司