光刻掩膜版的良率提升方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光刻掩膜版的良率提升方法，該方法是在光刻亞分辨率輔助圖形上增加支撐圖形。該方法通過在光刻亞分辨率輔助圖形上增加一些小的支撐圖形，使光刻膠在局部形成比較大的光刻膠形貌，從而增加了光刻膠與襯底的粘附力，避免了光刻膠倒塌，達(dá)到了提升光刻版良率的目的。
【專利說明】光刻掩膜版的良率提升方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種光刻掩膜版的良率提升方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,在半導(dǎo)體工藝中，光刻工藝為了提升自身的工藝能力，一般在65nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)就開始增加了光刻亞分辨率輔助圖形(SRAF, Sub-resolution Assist Features),這些輔助圖形由于實(shí)際尺寸比正常的光刻設(shè)計(jì)圖形要小，它們通過改變光強(qiáng)通過光刻版之后的光強(qiáng)分布，使得正常的光刻設(shè)計(jì)圖形的光強(qiáng)得以增強(qiáng)，而自身的光強(qiáng)由于光刻膠的分辨率達(dá)不到要求，不會(huì)在硅片上顯影形成圖案。但是，這樣的光刻版的制作工藝要求很高，因?yàn)檩o助圖形的尺寸比正常的光刻設(shè)計(jì)圖形要小很多，一般為曝光波長的1/5?1/4，所以價(jià)格往往是普通光刻版的好幾倍。由于輔助圖形的圖形尺寸比正常圖形小得多，所以在光刻版制作的過程中，光刻膠形成這些輔助圖形時(shí)很容易發(fā)生倒塌現(xiàn)象，尤其是在聚焦不良的情況下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種光刻掩膜版的良率提升方法，它可以提高帶有光刻亞分辨率輔助圖形的掩膜版的良率。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的光刻掩膜版的良率提升方法，是在光刻亞分辨率輔助圖形上增加支撐圖形。
[0005]所述支撐圖形可以環(huán)繞光刻亞分辨率輔助圖形放置，也可以放置在光刻亞分辨率輔助圖形的一邊。
[0006]本發(fā)明通過在光刻亞分辨率輔助圖形上增加一些小的支撐圖形，使光刻膠在局部形成比較大的光刻膠形貌，從而增加了光刻膠與襯底的粘附力，避免了光刻膠倒塌，達(dá)到了提升光刻版良率的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的增加了三角形支撐圖形的光刻亞分辨率輔助圖形示意圖。
[0008]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的增加了梯形支撐圖形的光刻亞分辨率輔助圖形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]為對(duì)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合圖示的實(shí)施方式，詳述如下:
[0010]本實(shí)施例的光刻掩膜版的良率提升方法，是在光刻亞分辨率輔助圖形的周圍放置支撐圖形，如圖1和2所示。
[0011]為了不影響正常圖形的形貌，在支撐圖形上，靠近光刻亞分辨率輔助圖形的那條邊(以下稱為長邊)的尺寸要大于遠(yuǎn)離光刻亞分辨率輔助圖形的那條邊(以下稱為短邊)的尺寸，一般來說，長邊的尺寸可以是光刻亞分辨率輔助圖形寬度的0.3?1.5倍，短邊的尺寸可以是光刻亞分辨率輔助圖形寬度的O?I倍，長邊到短邊的距離則一般不超過光刻亞分辨率輔助圖形寬度的1.5倍。因此，支撐圖形的形狀優(yōu)選為三角形或者梯形，但是也可以用其他符合上述尺寸要求的幾何圖形或者由幾何圖形組成的復(fù)雜圖形。
[0012]支撐圖形在光刻亞分辨率輔助圖形周圍可以均勻放置，也可以不均勻放置。支撐圖形與支撐圖形之間在沿光刻亞分辨率輔助圖形的線條方向(圖1、2中是豎直方向)的距離為10?50納米。在光刻亞分辨率輔助圖形的末端，支撐圖形可以放置得密一些，即支撐圖形之間的間距可以小于光刻亞分辨率輔助圖形的中間位置處的支撐圖形之間的間距。
【權(quán)利要求】
1.光刻掩膜版的良率提升方法，其特征在于，在光刻亞分辨率輔助圖形上增加支撐圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撐圖形環(huán)繞光刻亞分辨率輔助圖形放置，或放置在光刻亞分辨率輔助圖形的一邊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，支撐圖形與支撐圖形之間在沿光刻亞分辨率輔助圖形的線條方向的距離為10?50納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述支撐圖形上，靠近光刻亞分辨率輔助圖形的邊的尺寸大于遠(yuǎn)離光刻亞分辨率輔助圖形的邊的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述支撐圖形上，靠近光刻亞分辨率輔助圖形的邊的尺寸為光刻亞分辨率輔助圖形寬度的0.3?1.5倍，遠(yuǎn)離光刻亞分辨率輔助圖形的邊的尺寸為光刻亞分辨率輔助圖形寬度的O?I倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述支撐圖形上，靠近光刻亞分辨率輔助圖形的邊到遠(yuǎn)離光刻亞分辨率輔助圖形的邊的距離不超過光刻亞分辨率輔助圖形寬度的1.5 倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撐圖形的形狀為三角形或者梯形。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK103454854SQ201210170234
【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月28日
【發(fā)明者】陳福成 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司