專(zhuān)利名稱(chēng)：噴淋頭及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種噴淋頭及其形成方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝中，很多流程，例如金屬互連線的制作涉及等離子體刻蝕。等離子的刻蝕在等離子體腔中進(jìn)行，然而，該等離子體刻蝕過(guò)程中，不僅處理了晶圓，同時(shí)該刻蝕氣體，例如含氟氣體還對(duì)等離子體腔的內(nèi)壁以及其它設(shè)備組件表面進(jìn)行刻蝕，例如噴淋頭(Shower Head)、靜電吸盤(pán)(ESC)等,造成其表面化學(xué)成分以及幾何尺寸變化,進(jìn)而造成刻蝕設(shè)備組件的工藝性能發(fā)生變化，這會(huì)損害晶圓上的器件的性能，造成良率下降。針對(duì)上述問(wèn)題，行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)了以抗刻蝕性能更強(qiáng)的碳化硅、氧化鋁、氧化釔等作為 刻蝕設(shè)備組件或保持刻蝕設(shè)備組件本體的材質(zhì)不變?nèi)詾殇X時(shí)，在其表面形成以上述材料的覆蓋層。然而，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，該碳化硅的抗刻蝕性能仍不能符合要求，氧化鋁或氧化釔的性能雖然符合要求，但存在其它缺陷。以噴淋頭為例，該噴淋頭表面覆蓋該兩者時(shí)，刻蝕同樣大小的晶圓都會(huì)發(fā)現(xiàn)中間區(qū)域的刻蝕速率快而邊緣區(qū)域的刻蝕速率慢，這造成形成器件的晶圓的中間、邊緣區(qū)域被刻蝕的厚度不一樣，即出現(xiàn)不均勻現(xiàn)象。一般認(rèn)為，該不均勻現(xiàn)象是由聚焦環(huán)引起的。為改善上述不均勻問(wèn)題，需對(duì)邊緣區(qū)域進(jìn)行重新處理，造成工藝復(fù)雜；如不處理，該不均勻現(xiàn)象會(huì)影響器件的性能，嚴(yán)重地，會(huì)導(dǎo)致器件失效。有鑒于此，實(shí)有必要提出一種新的噴淋頭及其形成方法，以克服上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提出一種新的噴淋頭及其形成方法，在使用過(guò)程中，其噴淋頭的抗刻蝕性能得以提高，同時(shí)可使等離子體對(duì)圓晶的刻蝕均勻性得到改善。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種噴淋頭，其本體的材質(zhì)為金屬或金屬合金，所述本體表面的至少部分區(qū)域覆蓋有氧化鋁、氧化釔的混合物或由內(nèi)向外依次覆蓋有氧化鋁層、氧化釔層以提高晶圓表面的刻蝕速率的均勻性?？蛇x地，所述噴淋頭的本體表面的中央?yún)^(qū)域覆蓋有氧化鋁層，所述中央?yún)^(qū)域之外的本體表面為邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域覆蓋有氧化鋁、氧化釔的混合物或由內(nèi)向外依次覆
蓋有氧化鋁層、氧化釔層?？蛇x地，所述噴淋頭的本體表面的中央?yún)^(qū)域與邊緣區(qū)域由內(nèi)向外依次覆蓋有氧化鋁層、氧化釔層，所述邊緣區(qū)域的氧化釔層與氧化鋁層的厚度之比大于中央?yún)^(qū)域的氧化釔層與氧化鋁層的厚度之比。可選地，所述噴淋頭的本體表面的中央?yún)^(qū)域與邊緣區(qū)域覆蓋有氧化鋁、氧化釔的混合物，所述邊緣區(qū)域的氧化釔與氧化鋁的體積之比大于中央?yún)^(qū)域的氧化釔與氧化鋁的體積之比?？蛇x地，所述中央?yún)^(qū)域?yàn)橐試娏茴^中心為中心，噴淋頭的半徑的1/2為半徑所形成的圓形區(qū)域。
可選地，所述中央?yún)^(qū)域?yàn)橐試娏茴^中心為中心，噴淋頭的半徑的3/4為半徑所形成的圓形區(qū)域?？蛇x地，所述氧化釔層的表面粗糙度小于5微米。可選地，所述氧化鋁層為陽(yáng)極氧化鋁層，所述陽(yáng)極氧化鋁層的表面粗糙度大于4微米。此外，本發(fā)明還提供了一種噴淋頭的形成方法，包括提供噴淋頭的本體，所述本體的材質(zhì)為金屬或金屬合金；在所述本體表面的至少部分區(qū)域覆蓋氧化鋁、氧化釔的混合物或由內(nèi)向外依次覆
蓋氧化鋁層、氧化釔層。
可選地，在所述本體表面的至少部分區(qū)域由內(nèi)向外依次覆蓋氧化鋁層、氧化釔層的方法包括對(duì)所述本體表面生成氧化鋁層；去除部分區(qū)域的部分厚度的所述氧化鋁層后在其上形成氧化釔層?？蛇x地，所述氧化鋁層為陽(yáng)極氧化形成、噴涂法形成或真空鍍膜法形成?？蛇x地，所述陽(yáng)極氧化采用的電解液為草酸、磷酸、硫酸、鉻酸、檸檬酸中的至少一種?？蛇x地，去除部分區(qū)域的所述氧化鋁層采取光刻、化學(xué)或機(jī)械刻蝕工藝?？蛇x地，所述氧化釔層為噴涂法形成或真空鍍膜法形成?？蛇x地，在被去除氧化鋁層的區(qū)域上形成氧化釔層至該高度與其它區(qū)域的氧化鋁層高度齊平。可選地，去除部分區(qū)域中的部分區(qū)域?yàn)樗鰢娏茴^的本體表面的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域?yàn)楸倔w表面的中央?yún)^(qū)域之外的區(qū)域?？蛇x地，所述邊緣區(qū)域?yàn)橐試娏茴^中心為中心，噴淋頭的半徑的1/2為半徑所形成的圓形區(qū)域以外的噴淋頭表面的環(huán)形區(qū)域?？蛇x地，所述邊緣區(qū)域?yàn)橐試娏茴^中心為中心，噴淋頭的半徑的3/4為半徑所形成的圓形區(qū)域以外的噴淋頭表面的環(huán)形區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在噴淋頭的表面覆蓋層中，不論采用氧化鋁或氧化釔，都會(huì)出現(xiàn)晶圓的中間區(qū)域刻蝕的快，邊緣區(qū)域刻蝕的慢的現(xiàn)象，但總體來(lái)說(shuō)，以氧化釔為覆蓋層，不論在晶圓的邊緣還是在中央?yún)^(qū)域，其刻蝕速率都大于以氧化鋁為覆蓋層的相應(yīng)的邊緣區(qū)域、中央?yún)^(qū)域的晶圓的刻蝕速率；利用了上述特點(diǎn)，本發(fā)明提出在對(duì)應(yīng)晶圓刻蝕速率較快的噴淋頭的中央?yún)^(qū)域采用氧化鋁，刻蝕較慢的邊緣區(qū)域采用氧化鋁表面覆蓋氧化釔的方法以提高晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率，使得晶圓的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的刻蝕速率趨于相等；或采用噴淋頭的中央?yún)^(qū)域與邊緣區(qū)域都形成氧化鋁表面覆蓋氧化釔的雙層材質(zhì)或混合材質(zhì)，且對(duì)晶圓刻蝕速率較快的中央?yún)^(qū)域，降低氧化釔的比重，對(duì)于晶圓刻蝕速率較慢的邊緣區(qū)域，提高氧化釔的比重，如此也可以使得晶圓的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的刻蝕速率趨于相等；在可選方案中，氧化鋁層為陽(yáng)極氧化鋁層，其表面粗糙度大于4微米，如此可以提高其上形成的氧化釔層的附著力，從而使得氧化釔層不容易剝落；在可選方案中，氧化釔層采用真空鍍膜形成，常見(jiàn)的真空鍍膜工藝包括化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、或者兩者的結(jié)合。該工藝形成的氧化釔層基本無(wú)空隙，表面粗糙度小，因而在等離子體刻蝕過(guò)程中，其氧化釔表面的抗刻蝕性能增強(qiáng)，而且不易產(chǎn)生顆粒剝落。


圖I是采用CF4為基本刻蝕氣體，對(duì)于表面分別覆蓋SiC、陽(yáng)極氧化鋁(Al2O3)、氧化釔(Y2O3)的薄膜的三種噴淋頭，對(duì)應(yīng)刻蝕三個(gè)晶圓，各晶圓表面上的各點(diǎn)的刻蝕速率與其位置偏離中心距離的關(guān)系圖；圖2是采用C4F8為基本刻蝕氣體，對(duì)于表面分別覆蓋SiC、陽(yáng)極氧化鋁(Al2O3)、氧化釔(Y2O3)的薄膜的三種噴淋頭，對(duì)應(yīng)刻蝕三個(gè)晶圓，各晶圓表面上的各點(diǎn)的刻蝕速率與其位置偏離中心距離的關(guān)系圖；圖3是實(shí)施例一提供的噴淋頭的形成方法流程圖； 圖4至圖6是按照?qǐng)D3中的流程形成的中間結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是按照?qǐng)D3中的流程形成的最終結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是實(shí)施例二提供的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在刻蝕過(guò)程中，晶圓表面刻蝕速率不均勻的現(xiàn)象不僅與聚焦環(huán)有關(guān)，還與噴淋頭表面的材質(zhì)有關(guān)。以CF4為基本刻蝕氣體,對(duì)于相同尺寸的噴淋頭,其表面材質(zhì)分別為SiC、陽(yáng)極氧化鋁(Al2O3)、氧化釔(Y2O3)，分別刻蝕三片300微米的晶圓為例，各自晶圓表面的刻蝕速率如圖I所示。以C4F8為基本刻蝕氣體，對(duì)于相同尺寸的噴淋頭，其表面材質(zhì)分別為SiC、A1203、Y2O3,分別刻蝕三片300微米的晶圓為例，各自晶圓表面的刻蝕速率如圖2所示?？梢钥闯?，覆蓋A1203、Y203的薄膜的刻蝕速率雖然快，但會(huì)出現(xiàn)晶圓的中央?yún)^(qū)域刻蝕得快，邊緣區(qū)域刻蝕得慢，以均勻性指標(biāo)UV0 (刻蝕最快區(qū)的刻蝕速率與刻蝕最慢區(qū)的刻蝕速率的差值與刻蝕速率的平均值的比值)來(lái)衡量，可以得出該兩層各自的均勻度都較差。但總體來(lái)說(shuō)，以氧化釔為覆蓋層，不論在晶圓的邊緣還是在中央?yún)^(qū)域，其刻蝕速率都大于以氧化鋁為覆蓋層的相應(yīng)的邊緣區(qū)域、中央?yún)^(qū)域的晶圓的刻蝕速率。利用了上述特點(diǎn)，本發(fā)明提出I)在對(duì)應(yīng)晶圓刻蝕速率較快的噴淋頭的中央?yún)^(qū)域采用氧化鋁，刻蝕較慢的邊緣區(qū)域采用氧化鋁表面覆蓋氧化釔的方法以提高晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率，使得晶圓的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的刻蝕速率趨于相等；或2)采用噴淋頭的中央?yún)^(qū)域與邊緣區(qū)域都形成氧化鋁表面覆蓋氧化釔的雙層材質(zhì)或氧化鋁與氧化釔的混合材質(zhì)，且對(duì)晶圓刻蝕速率較快的中央?yún)^(qū)域，降低氧化釔的比重，對(duì)于晶圓刻蝕速率較慢的邊緣區(qū)域，提高氧化釔的比重，如此也可以使得晶圓的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的刻蝕速率趨于相等。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。由于本發(fā)明重在解釋原理，因此，未按比例制圖。實(shí)施例一以下詳細(xì)介紹本實(shí)施例一提供的噴淋頭的結(jié)構(gòu)及其形成方法。參考圖3中的流程，首先執(zhí)行步驟S11，如圖4所示，提供噴淋頭的本體10，所述本體10的材質(zhì)為金屬或金屬合金，本實(shí)施例一中為鋁。其它實(shí)施例中，也可以為鋁合金、其它金屬材質(zhì)或其它金屬合金。
接著，執(zhí)行步驟S12，如圖5所示，對(duì)所述本體10的表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化，生成陽(yáng)極氧化招層 11 (Anodic Aluminum Oxide, AA0)。
陽(yáng)極氧化鋁是一種具有規(guī)則的納米多孔陣列結(jié)構(gòu)，其納米孔的間距、形狀分布規(guī)律、生長(zhǎng)方向都可以調(diào)節(jié)。例如，通過(guò)改變電解時(shí)所加的電壓的大小、所選擇電解液的種類(lèi)(如草酸、磷酸、硫酸、鉻酸、檸檬酸或以上兩種或多種的混合酸)及濃度，可以調(diào)節(jié)納米孔間距的大小；采用二次電解或預(yù)先拋光鋁表面的方法，可以得到相對(duì)規(guī)則分布的六角形孔分布；或采用納米壓印、光刻、附加掩膜板等方法，配合電解電壓選擇，可以控制孔的分布規(guī)律；通過(guò)電解后的擴(kuò)孔過(guò)程，可以在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)孔徑的大??；通過(guò)調(diào)節(jié)電解時(shí)所加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)方向，可以控制孔的生長(zhǎng)方向，如使孔沿著垂直襯底方向、平行襯底方向或其它呈夾角方向生長(zhǎng)。然后，執(zhí)行步驟S13，去除部分區(qū)域的部分厚度的所述陽(yáng)極氧化鋁層11后在其上形成氧化釔層12。本步驟中，去除部分區(qū)域中的部分區(qū)域?yàn)樗鰢娏茴^本體10的邊緣區(qū)域，其中的邊緣區(qū)域可以根據(jù)行業(yè)內(nèi)的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的劃分標(biāo)準(zhǔn)劃分，也可以根據(jù)本發(fā)明人的測(cè)試結(jié)果，即在為以噴淋頭10(本體)表面的中心為中心，噴淋頭本體10的半徑的1/2為半徑所形成的圓形區(qū)域以外的噴淋頭本體10表面的環(huán)形區(qū)域?qū)?yīng)的晶圓的刻蝕速率明顯小于其它區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)的刻蝕速率。更準(zhǔn)確地，在以噴淋頭表面的中心為中心，噴淋頭的半徑的3/4為半徑所形成的圓形區(qū)域以外的噴淋頭表面的環(huán)形區(qū)域的刻蝕速率下降更明顯，因而以該區(qū)域?yàn)檫吘墔^(qū)域也可以。本步驟中，由于噴淋頭本體10的表面一般直徑為400毫米左右，因而去除該區(qū)域的陽(yáng)極氧化鋁層11可以采取光刻、化學(xué)或機(jī)械刻蝕工藝。光刻工藝即在陽(yáng)極氧化鋁層11表面旋涂一層光刻膠，利用掩膜板選擇性曝光后形成圖案化的光刻膠，以該圖案化的光刻膠為掩膜刻蝕陽(yáng)極氧化鋁層11。需要說(shuō)明的是，刻蝕的陽(yáng)極氧化鋁層11的深度(厚度)由刻蝕時(shí)間決定。該刻蝕的陽(yáng)極氧化鋁11的深度(厚度)調(diào)節(jié)了陽(yáng)極氧化鋁層11’與后續(xù)形成的氧化釔層的兩層薄膜對(duì)應(yīng)的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率與中央?yún)^(qū)域的陽(yáng)極氧化鋁層11’對(duì)應(yīng)的晶圓中央?yún)^(qū)域的刻蝕速率的一致程度，進(jìn)而調(diào)節(jié)了晶圓表面的刻蝕均勻性?；瘜W(xué)去除例如采用酸腐蝕，機(jī)械去除例如采用剝離設(shè)備(車(chē)磨、銑削等)進(jìn)行剝離。本步驟執(zhí)行完畢后，形成的結(jié)構(gòu)的截面示意圖如圖6所示。此外，本實(shí)施例中，陽(yáng)極氧化鋁層11’優(yōu)選表面粗糙度較大，以提高與后續(xù)形成的氧化釔的結(jié)合力，使氧化釔更容易附著在其上。其它實(shí)施例中，該陽(yáng)極氧化鋁層11也可以由氧化鋁層替換，該氧化鋁層的形成方法例如為噴涂法(Plasma spray)形成或真空鍍膜法形成。常見(jiàn)的真空鍍膜工藝包括化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、或者兩者的結(jié)合。該工藝形成的氧化鋁層基本無(wú)空隙，致密度高。本步驟中，在去除的區(qū)域形成氧化釔層12。本步驟形成的結(jié)構(gòu)截面示意圖如圖7所示。氧化乾層12形成方法可以選擇噴涂法(plasma spray)形成或真空鍍膜法形成。常見(jiàn)的真空鍍膜工藝包括化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、或者兩者的結(jié)合。真空鍍膜法形成的氧化釔12的孔隙率比噴涂法形成的氧化釔12的空隙低，致密度高，因而在等離子體刻蝕時(shí)，氧化釔表面的抗刻蝕性能增強(qiáng)，而且不易產(chǎn)生顆粒剝落。
此外，需要說(shuō)明的是，本步驟在形成氧化釔12前，不需要對(duì)陽(yáng)極氧化鋁進(jìn)行封孔工藝，因?yàn)樵摲饪兹菀讓?dǎo)致后續(xù)形成的氧化釔12在使用過(guò)程中由于陽(yáng)極氧化鋁11’與氧化釔12的熱膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂痕(crack)。至此，本實(shí)施例一的噴淋頭已經(jīng)制作完畢。綜上，該噴淋頭包括鋁本體及本體表面的中央?yún)^(qū)域的陽(yáng)極氧化鋁11’，邊緣區(qū)域的陽(yáng)極氧化鋁11’與氧化釔12的兩層薄膜。實(shí)施例二
本實(shí)施例二與實(shí)施例一的區(qū)別在于，參照?qǐng)D8所示，所述噴淋頭的本體表面的中央?yún)^(qū)域與邊緣區(qū)域都形成有氧化鋁11’、氧化釔12’，所述邊緣區(qū)域的氧化釔12’與氧化鋁11’的厚度之比大于中央?yún)^(qū)域的氧化釔12’與氧化鋁11’的厚度之比。換言之，該邊緣區(qū)域氧化釔12’占的比重要大于中央?yún)^(qū)域，以使得晶圓的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的刻蝕速率趨于相等。實(shí)施例三本實(shí)施例三與實(shí)施例二的區(qū)別在于，所述噴淋頭的本體表面的中央?yún)^(qū)域與邊緣區(qū)域都形成有氧化鋁和氧化釔的混合材質(zhì)涂層，所述邊緣區(qū)域的氧化鋁與氧化釔體積之比小于中央?yún)^(qū)域的氧化鋁與氧化釔體積之比。換言之，該邊緣區(qū)域氧化釔占的比重要大于中央?yún)^(qū)域，以使得晶圓的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的刻蝕速率趨于相等。氧化招和氧化乾的混合材質(zhì)涂層形成方法可以選擇噴涂法(plasma spray)形成或真空鍍膜法形成。噴涂法例如將氧化鋁和氧化釔的顆粒先進(jìn)行混合，在高溫下噴涂在噴淋頭本體10的表面。真空鍍膜法例如將鋁、釔的金屬放入蒸鍍室，在高溫下同時(shí)通入氧氣，在噴淋頭本體10的表面蒸鍍兩者的混合物。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，例如噴淋頭的中間區(qū)域的涂層可為氧化鋯及其他陶瓷涂層，而噴淋頭的邊緣區(qū)域的涂層可為氟化釔(YF3)及其他耐刻蝕陶瓷涂層。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種噴淋頭，其特征在于，其本體的材質(zhì)為金屬或金屬合金，所述本體表面的至少部分區(qū)域覆蓋有氧化鋁、氧化釔的混合物或由內(nèi)向外依次覆蓋有氧化鋁層、氧化釔層以提高晶圓表面的刻蝕速率的均勻性。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭的本體表面的中央?yún)^(qū)域覆蓋有氧化鋁層，所述中央?yún)^(qū)域之外的本體表面為邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域覆蓋有氧化鋁、氧化釔的混合物或由內(nèi)向外依次覆蓋有氧化鋁層、氧化釔層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭的本體表面的中央?yún)^(qū)域與邊緣區(qū)域由內(nèi)向外依次覆蓋有氧化鋁層、氧化釔層，所述邊緣區(qū)域的氧化釔層與氧化鋁層的厚度之比大于中央?yún)^(qū)域的氧化釔層與氧化鋁層的厚度之比。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭的本體表面的中央?yún)^(qū)域與邊緣區(qū)域覆蓋有氧化鋁、氧化釔的混合物，所述邊緣區(qū)域的氧化釔與氧化鋁的體積之比大于中央?yún)^(qū)域的氧化釔與氧化鋁的體積之比。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋頭，其特征在于，所述中央?yún)^(qū)域?yàn)橐試娏茴^中心為中心，噴淋頭的半徑的1/2為半徑所形成的圓形區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋頭，其特征在于，所述中央?yún)^(qū)域?yàn)橐試娏茴^中心為中心，噴淋頭的半徑的3/4為半徑所形成的圓形區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的噴淋頭，其特征在于，所述氧化釔層的表面粗糙度小于5微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的噴淋頭，其特征在于，所述氧化鋁層為陽(yáng)極氧化鋁層，所述陽(yáng)極氧化鋁層的表面粗糙度大于4微米。
9.一種噴淋頭的形成方法，其特征在于，包括 提供噴淋頭的本體，所述本體的材質(zhì)為金屬或金屬合金； 在所述本體表面的至少部分區(qū)域覆蓋氧化鋁、氧化釔的混合物或由內(nèi)向外依次覆蓋氧化鋁層、氧化釔層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，在所述本體表面的至少部分區(qū)域由內(nèi)向外依次覆蓋氧化鋁層、氧化釔層的方法包括 對(duì)所述本體表面生成氧化鋁層； 去除部分區(qū)域的部分厚度的所述氧化鋁層后在其上形成氧化釔層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述氧化鋁層為陽(yáng)極氧化形成、噴涂法形成或真空鍍膜法形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述陽(yáng)極氧化采用的電解液為草酸、磷酸、硫酸、鉻酸、檸檬酸中的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，去除部分區(qū)域的所述氧化鋁層采取化學(xué)或機(jī)械刻蝕工藝。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述氧化釔層為噴涂法形成或真空鍍膜法形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，在被去除氧化鋁層的區(qū)域上形成氧化釔層至其高度與其它區(qū)域的氧化鋁層高度齊平。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，去除部分區(qū)域中的部分區(qū)域?yàn)樗鰢娏茴^的本體表面的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域?yàn)楸倔w表面的中央?yún)^(qū)域之外的區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的形成方法，其特征在于，所述邊緣區(qū)域?yàn)橐試娏茴^中心為中心，噴淋頭的半徑的1/2為半徑所形成的圓形區(qū)域以外的噴淋頭表面的環(huán)形區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的形成方法，其特征在于，所述邊緣區(qū)域?yàn)橐試娏茴^中心為中心，噴淋頭的半徑的3/4為半徑所形成的圓形區(qū)域以外的噴淋頭表面的環(huán)形區(qū)域。
全文摘要
一種噴淋頭，其本體的材質(zhì)為金屬或金屬合金，所述本體表面的至少部分區(qū)域覆蓋有氧化鋁、氧化釔的混合物或由內(nèi)向外依次覆蓋有氧化鋁層、氧化釔層以提高晶圓表面的刻蝕速率的均勻性。本發(fā)明還提供了該噴淋頭的形成方法。采用本發(fā)明的噴淋頭，在使用過(guò)程中，其噴淋頭的抗刻蝕性得以提高，同時(shí)可使等離子體對(duì)圓晶的刻蝕均勻性也能得到改善。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102629541SQ201210124969
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2012年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月25日
發(fā)明者萬(wàn)磊, 倪圖強(qiáng), 賀小明 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司