專利名稱：雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子技術中的元器件，是ー種集成電路，具體地說，是雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路。
背景技術：
電感是電子技術中不可缺少的元器件。隨著電子產(chǎn)品不斷朝小型化、低功耗方向發(fā)展的趨勢，電子電路同步地朝著高密度、小型化方向發(fā)展。目前，電感在電子電路中是以分立器件的形式存在的，不但占用了電路的面積，而且需要単獨的安裝步驟。集成電路中芯片與封裝材料的外周有較大的可利用空間，將電感與芯片一起封裝，不但節(jié)約電路的面積， 而且節(jié)省了安裝的步驟，同時還提高系統(tǒng)集成度，提升性能，降低整體成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供ー種將電感與芯片一起封裝，既節(jié)約電路面積又節(jié)省安裝步驟，同時還提高系統(tǒng)集成度，降低整體成本的集成電路。本發(fā)明的技術解決方案是一種雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，有芯片、電感器、合金磁芯、第一個金屬框架、第二個金屬框架和封裝材料，芯片固定于第一個金屬引線框架上，合金磁芯放置于電感器內(nèi)部，電感器放置于第二個金屬框架內(nèi)部，第二個金屬框架接地，芯片、電感器、合金磁芯及兩個金屬框架均設置在封裝材料內(nèi)部。電感置于芯片的周圍，電感線圈環(huán)繞的平面與芯片擺放的平面呈0度至180度之間的任何角度。電感的個數(shù)至少為ー個；當電感為多個時，電感的連接方法為串聯(lián)、并聯(lián)、既有串聯(lián)又有并聯(lián)或者各自獨立與芯片連接。雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，其特征是合金磁芯的部分或者整體為使用含 3%至15% (重量百分比)硅的硅鋁鐵合金或是其他種類的高磁通磁芯粉。雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，其特征是封裝材料是封裝塑料、硅的氧化物及硅酸鹽、陶瓷或其他任意一種絕緣材料。雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，芯片、電感用膠或其它方式固定于金屬引線框架上，封裝材料密封后對電感起二次絕緣保護的作用。本發(fā)明將電感器與芯片一起封裝，節(jié)省了安裝步驟，同時還提高系統(tǒng)集成度，降低系統(tǒng)的整體成本。放置于電感器內(nèi)部的合金磁芯增強了電感器的電感系數(shù)，減小了所需電感器的體積。第二個接地的金屬框架包裹電感器提供了磁屏蔽，有效地降低了電感器對芯片的磁干擾，提升了系統(tǒng)的整體性能。


圖1為本發(fā)明的一種雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路的結構示意圖。
具體實施例方式一種雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，有第一個金屬框架1、芯片2、電感器3、合金磁芯4、第二個金屬框架6和封裝材料5，第一個金屬框架1、芯片2、電感3、合金磁芯4、 和第二個金屬框架6均設置在封裝材料5內(nèi)部。芯片2固定于第一個金屬引線框架1上， 合金磁芯4設置在電感3內(nèi)部，電感3設置在第二個金屬框架6內(nèi)部。電感3置于芯片2的周圍，電感3線圈環(huán)繞的平面與芯片2擺放的平面呈0度至 180度之間的任何角度。電感3的個數(shù)至少為ー個；當電感3為多個時(如圖1所示)，電感3的連接方法為串聯(lián)、并聯(lián)、既有串聯(lián)又有并聯(lián)或者各自獨立與芯片2連接。封裝材料5是封裝塑料、硅的氧化物及硅酸鹽、陶瓷或其他任意一種絕緣材料。合金磁芯的部分或者整體為含3%至15%硅的硅鋁鐵合金或是含有其他種類的高磁通磁芯粉。
權利要求
1.一種雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，其特征是有芯片、電感器、合金磁芯、第一個金屬框架、第二個金屬框架和封裝材料。
2.根據(jù)權利要求1所述的雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，電感器放置于第二個金屬框架內(nèi)部。
3.根據(jù)權利要求1所述的雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，合金磁芯放置于電感器內(nèi)部。
4.根據(jù)權利要求2所述的雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，其特征是第二個金屬框架接地。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙層金屬框架內(nèi)置電感集成電路，有芯片、電感器、合金磁芯、第一個金屬框架、第二個金屬框架和封裝材料，芯片固定于第一個金屬引線框架上，合金磁芯放置于電感器內(nèi)部，電感器放置于第二個金屬框架內(nèi)部，第二個金屬框架接地，芯片、電感器、合金磁芯及兩個金屬框架均設置在封裝材料內(nèi)部。將電感與芯片一起封裝，既節(jié)約電路面積又節(jié)省安裝步驟，同時還提高系統(tǒng)集成度，提升性能，降低整體成本。第二個接地的金屬框架包裹電感器提供了磁屏蔽，有效地降低了電感器對芯片的磁干擾，提升了系統(tǒng)的整體性能。
文檔編號H01L23/495GK102543933SQ20121007569
公開日2012年7月4日 申請日期2012年3月21日 優(yōu)先權日2012年3月21日
發(fā)明者李 真 申請人:蘇州貝克微電子有限公司