專利名稱：電介質(zhì)波導管濾波器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及耦合有多個電介質(zhì)波導管諧振器的電介質(zhì)波導管濾波器。
背景技術：
在手機等基站中，為了使無線通信的信道盡可能鄰接且有效運用頻率資源，需要防止信道間的干擾，并保持陡峭的衰減特性的帶通濾波器。如果代替大且重的金屬制的空腔諧振器，使用小型且輕量的電介質(zhì)波導管諧振器的被稱作電介質(zhì)波導管濾波器的帶通濾波器，則可以將基站小型輕量化。另外，也能夠?qū)崿F(xiàn)基站的低成本化。電介質(zhì)波導管濾波器由在用導體膜覆蓋周圍的電介質(zhì)塊體的局部設有電介質(zhì)露出的耦合窗的多個電介質(zhì)波導管諧振器組合而構成。鄰接的電介質(zhì)波導管諧振器密合地配置，鄰接的電介質(zhì)波導管諧振器之間由I禹合窗電磁I禹合。長度方向與電場方向相同的I禹合 窗稱為電感性窗，將電介質(zhì)波導管諧振器之間的路徑進行電感性耦合，長度方向與電場方向正交的窗稱為電容性窗，在相鄰的電介質(zhì)波導管諧振器之間進行電容性f禹合。通常，為了使帶通濾波器的衰減特性陡峭，只要増加構成濾波器的諧振器數(shù)量即可。但是，電介質(zhì)波導管諧振器的無負荷Q比金屬制空腔諧振器的無負荷Q低，因此，増加電介質(zhì)波導管濾波器的電介質(zhì)波導管諧振器的數(shù)量時，會增加濾波器在帯域內(nèi)的插入損失。因此，為了不增加諧振器的數(shù)量而得到插入損失小、陡峭的衰減特性的濾波器，而使用利用跳躍耦合的極化。作為這種現(xiàn)有技術的具體例，特開2000-286606號公報的圖5中公開有由4個電介質(zhì)波導管諧振器構成、且利用跳躍耦合進行極化的電介質(zhì)波導管濾波器。圖8A表示利用跳躍耦合進行極化的現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器的分解立體圖，圖8B表不圖8A的等效電路圖。如圖8A與圖8B所示，現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器8由用導體膜被覆長方體形狀的電介質(zhì)塊體周圍的電介質(zhì)波導管諧振器81 86構成， 電介質(zhì)波導管諧振器81包括用于輸入的電感性窗L81,電介質(zhì)波導管諧振器86包括用于輸出的電感性窗L87,電介質(zhì)波導管諧振器81 86用電感性窗L82 L85串聯(lián)地I禹合，電介質(zhì)波導管諧振器82與85之間通過電容性窗C8tl跳躍f禹合。在此，電介質(zhì)波導管濾波器8中，將通過電介質(zhì)波導管諧振器81、82、83、84、85、86的耦合通路稱為主耦合通路，將通過電介質(zhì)波導管諧振器81、82、85、86的耦合通路稱為副奉禹合通路。電介質(zhì)波導管濾波器對于主耦合通路，調(diào)整副耦合通路的透射相位和透射振幅并進行極化。
圖9A是表示對于電感性耦合通路和電容性耦合通路頻率的透射相位變化的圖表，圖9A中，實線表示電感性耦合通路的透射相位，虛線表示電容性耦合通路的透射相位。圖9B是表示對于電介質(zhì)波導管諧振器頻率的透射相位變化的圖表。如圖9A所示，電感性耦合通路和電容性耦合通路的透射相位與頻率無關、基本固定。電感性耦合通路具有使相位超前約90°的作用，電容性耦合通路具有使相位滯后約90°的作用。另ー方面，如圖9B所示，電介質(zhì)波導管諧振器的透射相位在比電介質(zhì)波導管諧振器的諧振頻率も低頻率側(cè)相位滯后90°，在比諧振頻率も高頻率側(cè)相位超前90°。另外，通常在將多個電介質(zhì)波導管諧振器串聯(lián)地耦合的情況下，電介質(zhì)波導管諧振器的數(shù)量越多的路徑，透射相位的傾斜變得越陡峭。利用上述特性，將電感性耦合通路和電容性耦合通路組合來連接電介質(zhì)波導管諧振器，以使向主耦合通路傳送的信號和向副耦合通路傳送的信號相位相反且振幅相同的方式設計濾波器。例如，圖8A所示的電介質(zhì)波導管濾波器8中，在低頻側(cè)和高頻側(cè)雙方，以使在主耦合通路傳送的信號和在向副耦合通路傳送的信號相位相反的方式而進行設計。這樣的設計法記載于J. Brain Thomas 著，“Cross-Coupling inCoaxial CavityFilters-A Tutorial Overview”，IEEE TRANSACTIONS OMOCROWAVE THEORY ANDTECHNIQUES, VOL. 51，NO. 4，APRIL2003, P1368。圖10A是表示圖8A所示的電介質(zhì)波導管濾波器8的主耦合通路和副耦合通路各自的透射振幅的頻率特性的圖表，圖10A中，實線表示主耦合通路，虛線表示副耦合通路。圖10B是將圖8A所示的主耦合通路和副耦合通路的透射振幅合成而得到的，表示電介質(zhì)波導管濾波器8的透射振幅的頻率特性的圖表。圖10A和圖10B中，電介質(zhì)波導管濾波器8的中心頻率為ち，主耦合通路與副耦合通路的透射振幅一致的頻率生成衰減極fa和fb。圖10A和圖10B中，衰減極fb與中心頻率fQ的距離比衰減極fa與中心頻率fQ的距離遠。這是由于電容性耦合通路具有類似于頻率越高透射振幅越減少的低通濾波器的性質(zhì)。圖11是表示電容性耦合通路和電感性耦合通路的透射振幅頻率特性的圖表。圖11中，實線表示電感性耦合通路，虛線表示電容性耦合通路。如圖11所示，電感性耦合通路中隨著頻率變高透射振幅逐漸變大，電容性耦合通路中隨著頻率變高而透射振幅逐漸變小。由此，電感性耦合通路具有類似高通濾波器的性質(zhì)，電容性耦合通路具有類似低通濾波器的性質(zhì)。由于現(xiàn)有的電介質(zhì)波導管濾波器在主耦合通路含有的具有類似高通濾波器性質(zhì)的電感性耦合通路比副耦合通路多，因此，主耦合通路的透射振幅的高頻側(cè)的衰減傾斜度比低頻側(cè)的衰減傾斜度更緩。因此，主耦合通路和副耦合通路的透射振幅一致的高頻側(cè)的點移動到頻率高的ー側(cè)。其結(jié)果產(chǎn)生高頻側(cè)的衰減極與低頻側(cè)的衰減極相比距中心頻率的距離遠，電介質(zhì)波導管濾波器的高頻側(cè)衰減特性與低頻側(cè)衰減特性相比變得緩慢的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決所述問題，本發(fā)明的電介質(zhì)波導管濾波器將用導體膜被覆長方體形狀的電介質(zhì)塊體周圍的多個電介質(zhì)波導管諧振器耦合而構成，其特征在于，包括
將所述多個電介質(zhì)波導管諧振器串聯(lián)地耦合的主耦合通路、和跳躍所述主耦合通路的一部分而耦合的I個或I個以上的副耦合通路，其中，被所述副耦合通路跳躍的主耦合通路中包含I個或I個以上的電容性耦合通路。另外，本發(fā)明的電介質(zhì)波導管濾波器的特征在于，將介電常數(shù)比所述電介質(zhì)波導管諧振器高的電介質(zhì)板夾在所述電容性耦合通路中。根據(jù)發(fā)明第一方面，由于主耦合通路的一部分使用電容性耦合通路，因此能夠得到高頻側(cè)的衰減極接近中心頻率，高頻和低頻兩側(cè)的衰減特性陡峭的電介質(zhì)波導管濾波器。根據(jù)發(fā)明第二方面，由于在所述電容性耦合通路夾有與電介質(zhì)波導管諧振器相比介電常數(shù)高的電介質(zhì)板，因此可以擴展電容性窗的橫向間隔，即使在向電介質(zhì)波導管濾波器輸入大功率的情況下，也能夠得到在電容性窗難以放電的電介質(zhì)波導管濾波器。


圖IA是本發(fā)明第一實施例的分解立體圖；圖IB是圖IA的等效電路圖；圖2A是表示圖IA的電介質(zhì)波導管濾波器的主耦合通路和副耦合通路透射振幅的頻率特性的圖表；圖2B是表示圖IA的電介質(zhì)波導管濾波器和現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器透射振幅的頻率特性的圖表；圖3A是本發(fā)明第二實施例的分解立體圖； 圖3B是對圖3A局部進行詳細說明的圖；圖3C是圖3A的等效電路圖；圖4是表示圖3A的電介質(zhì)波導管濾波器頻率特性的圖表；圖5A是表不窗尺寸和稱合系數(shù)的關系的圖表；圖5B是對圖5A中X符號表示的電介質(zhì)波導管諧振器的構成進行說明的圖；圖5C是對圖5A中三角符號表示的電介質(zhì)波導管諧振器的構成進行說明的圖；圖是對圖5A中圓符號表示的電介質(zhì)波導管諧振器的構成進行說明的圖；圖6A是表不對于圖相對介電常數(shù)的透射相位和反射相位的圖表；圖6B是表示對于圖電介質(zhì)板厚度的透射相位和反射相位的頻率特性的圖表； 圖7A是本發(fā)明第三實施例的分解立體圖；圖7B是圖7A的等效電路圖；圖8A是現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器的分解立體圖；圖8B是圖8A的等效電路圖；圖9A是表示對于電感性耦合通路和電容性耦合通路的頻率的透射相位的頻率特性的圖表；圖9B是表示對于電介質(zhì)波導管諧振器頻率的透射相位的頻率特性的圖表；圖IOA是表示現(xiàn)有電介質(zhì)波導管諧振器的主耦合通路和副耦合通路各自的透射振幅的頻率特性的圖表；圖IOB是表示現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器的透射振幅的頻率特性的圖表；圖11是表示電感性耦合通路和電容性耦合通路的透射振幅的頻率特性的圖表。符號說明1、3、7、8電介質(zhì)導波管濾波器11 16、31 36、51、71 76、81 86電介質(zhì)波導管諧振器37、52電介質(zhì)板L10 L13、L15 L17-, L30 L33、、L35 L37、L51 > L70 L73> L75 L77-, L81 L87 電感性窗 C14> C34> C51、C74> C78> C80 電容性窗C37、C52 窗
具體實施例方式下面，使用附圖對本發(fā)明的電介質(zhì)波導管濾波器的第一實施例進行說明。圖IA表示本發(fā)明的電介質(zhì)波導管濾波器的第一實施例的分解立體圖，圖IB表示圖IA的等效電路圖。如圖IA所示，電介質(zhì)波導管濾波器I由將長方體形狀的電介質(zhì)塊體周圍用導體膜被覆的電介質(zhì)波導管諧振器11 16構成。電介質(zhì)波導管諧振器11具有用于輸入的電感性窗L11,電介質(zhì)波導管諧振器16具有用于輸出的電感性窗L17。電介質(zhì)波導管諧振器11 13由電感性窗L12 L13串聯(lián)地I禹合，電介質(zhì)波導管諧振器14 16由電感性窗L15 L16串聯(lián)地I禹合，電介質(zhì)波導管諧振器13和電介質(zhì)波導管諧振器14之間由電容性窗L14稱合，電介質(zhì)波導管諧振器12和電介質(zhì)波導管諧振器15之間由電感性窗Lltl耦合。其結(jié)果是，本發(fā)明的電介質(zhì)波導管諧振器I具有通過電介質(zhì)波導管諧振器11、12、
13、14、15、16的主耦合通路和通過電介質(zhì)波導管諧振器11、12、15、16的副耦合通路。S卩，副耦合通路跳躍電介質(zhì)波導管諧振器13、14而耦合，被副耦合通路跳躍的主耦合通路含有電容性耦合C14。圖2A是表示圖IA所示的電介質(zhì)波導管濾波器的主耦合通路和副耦合通路的透射振幅的頻率特性的圖表，圖2A中，實線表示主耦合通路，虛線表示副耦合通路。圖2B是表示圖IA所示的電介質(zhì)波導管濾波器和現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器的透射振幅的頻率特性的圖表，圖2B中，實線表示圖IA所示的電介質(zhì)波導管濾波器，虛線表示用于比較的現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器。圖2A和圖2B中，も表示濾波器的中心頻率，fa表示低頻側(cè)的衰減扱，fb表示在現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器情況下高頻側(cè)的衰減扱，fbl表示圖IA所示的電介質(zhì)波導管濾波器的高頻側(cè)的衰減極。另外，電介質(zhì)波導管諧振器11 16的相對介電常數(shù)為21，電介質(zhì)波導管諧振器11和16的寬度(X軸方向)為18_，長度為(Y軸方向)14. 7mm,高度為(Z軸方向)8mm,電介質(zhì)波導管諧振器12和15的寬度(X軸方向)為18mm,長度為(Y軸方向)I6· 3mm,高度為(Z軸方向)8mm,電介質(zhì)波導管諧振器13和14的寬度(X軸方向)為18mm，長度為(Y軸方向)19mm，高度為(Z軸方向)8mm,電感性窗L11和L17的寬度(X軸方向)為10. 4mm,高度為(Z軸方向)6mm，電感性窗L12和L16的寬度(X軸方向)為7. 3mm,高度為(Z軸方向)6mm，電感性窗L13和L15的寬度(X軸方向)為6. 7mm,高度為(Z軸方向)6mm，電感性窗L1。的寬度(Y軸方向)為3. 2mm，高度為(Z軸方向)6mm，電容性窗C14的寬度(Y軸方向)為19臟，高度為(Z軸方向)0. 2mm, 電介質(zhì)波導管諧振器11 16配置為底面對齊，電容性窗C14偏向配置于電介質(zhì)波導管諧振器13、14的底面?zhèn)?。圖IA所示的電介質(zhì)波導管濾波器I將處于主耦合通路上的具有類似高通濾波器性質(zhì)的電感性耦合通路中的一個置換成具有類似低通濾波器性質(zhì)的電容性耦合通路，因此，如圖2A的箭頭A所示，主耦合通路的高頻側(cè)透射振幅與現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器透射振幅相比，變得稍微陡峭，另外，將副耦合通路上的具有類似低通濾波器性質(zhì)的電容性耦合通路置換成具有類似高通濾波器性質(zhì)的電感性耦合通路，因此，如圖2A的箭頭B所示，副耦合通路的高頻側(cè)透射振幅與現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器的透射振幅相比，變得稍微緩慢，其結(jié)果如圖2A的箭頭C所示，在主耦合通路和副耦合通路的透射振幅一致這一點上產(chǎn)生的高頻側(cè)衰減極向中心頻率f。靠近。結(jié)果如圖2B所示，高頻側(cè)的衰減極成為fbl的位置，可以得到高頻側(cè)的衰減特性沒有變緩的電介質(zhì)波導管濾波器。圖3A表示本發(fā)明電介質(zhì)波導管濾波器的第二實施例的分解立體圖，圖3B是對圖3A分解立體圖的局部進行詳細說明的圖，圖3C表示圖3A的等效電路圖。如圖3A和圖3B所示，電介質(zhì)波導管濾波器3由將長方體形狀的電介質(zhì)塊體的周圍用導體膜被覆的電介質(zhì)波導管諧振器31 36和將周圍用導體膜被覆的電介質(zhì)板37構成。電介質(zhì)波導管諧振器31具有用于輸入的電感性窗L31,電介質(zhì)波導管諧振器36具有用于輸出的電感性窗し37。電介質(zhì)波導管諧振器31 33由電感性窗L32 L33串聯(lián)地率禹合，電介質(zhì)波導管諧振器34 36由電感性窗L35 L36串聯(lián)地I禹合，電介質(zhì)波導管諧振器33,34經(jīng)由電介質(zhì)板37由電容性窗C34耦合，電介質(zhì)波導管諧振器32和35之間由電感性窗L3tl跳躍地稱合。電介質(zhì)板37中,在與電容性窗C34相同位置設有與電容性窗C34相同尺寸的窗C37。另外，電介質(zhì)波導管諧振器31 36的相對介電常數(shù)為21，電介質(zhì)波導管諧振器31和36的寬度(X軸方向)為18mm,長度(Y軸方向)為
14.8mm,高度(Z軸方向)為8mm,電介質(zhì)波導管諧振器32和35的寬度(X軸方向)為19. 9mm,長度(Y軸方向)為15mm,高度(Z軸方向)為8mm,電介質(zhì)波導管諧振器33和34的寬度(X軸方向)為18. 3mm,長度(Y軸方向)為18mm,高度(Z軸方向)為8mm,電感性窗L31和L37的寬度(X軸方向)為10. 4mm,高度(Z軸方向)為6mm，電感性窗L32和L36的寬度(X軸方向)為7. 3mm,高度(Z軸方向)為6mm，
電感性窗L33和L35的寬度(X軸方向)為6. 5mm,高度(Z軸方向)為6mm，電感性窗L3tl的寬度(Y軸方向)為4. 7mm,高度(Z軸方向)為6mm，電介質(zhì)板37的寬度(X軸方向)為18mm，厚度(X軸方向)為2mm，高度(Z軸方向)為 5. 3mm,電容性窗C34的寬度(Y軸方向)為13mm，高度(Z軸方向)為2. 3mm,電容性窗C34的中心與電介質(zhì)板37的側(cè)面(YZ面)的中心一致，電介質(zhì)波導管諧振器31 36和電介質(zhì)板3 7配置為底面對齊。另外，電介質(zhì)板37的寬度Y37不需要與電介質(zhì)波導管諧振器33的寬度Y33或電介質(zhì)波導管諧振器34的寬度Y34相同，電介質(zhì)板37的高度Z37不需要與鄰接的電介質(zhì)波導管諧振器33、37的高度Z3相同。圖4是表示圖3A所示的電介質(zhì)波導管濾波器3的頻率特性的圖表，實線表示圖3A所示的電介質(zhì)波導管濾波器3，虛線表示用于比較的現(xiàn)有電介質(zhì)波導管濾波器。根據(jù)圖4得知，即使在電容性耦合通路夾有電介質(zhì)板的情況下，在高頻側(cè)也能夠得到陡峭的衰減特性。但是，在電容性窗和電感性窗的耦合系數(shù)的大小大致相同的情況下，電容性窗的橫向距離與電感性窗的橫向距離相比，靠近極端。另外，圖IA所示的電介質(zhì)波導管濾波器I中，由于在濾波器的傳輸頻帶區(qū)域主耦合通路的透射振幅比副耦合通路大，因此，功率大部分通過主耦合通路。因此，在主耦合通路上的一部分使用電容性窗的電介質(zhì)波導管濾波器在輸入大功率的情況下，易于電場在其電容性窗C14集中并產(chǎn)生放電，其結(jié)果是耐功率性惡化。為了解決上述問題，圖3A所示的電介質(zhì)波導管濾波器3在電容性耦合通路中夾有介電常數(shù)比電介質(zhì)波導管諧振器高的電介質(zhì)板37。圖5A是表不將電介質(zhì)波導管諧振器以用圖5B D構成表不的構成f禹合時的窗尺寸和耦合系數(shù)關系的圖表。圖5A中，縱軸表示耦合系數(shù)，橫軸表示窗尺寸，如圖5B的構成所不，X符號表不將2個電介質(zhì)波導管諧振器51、51由電容性窗C51稱合的情況下的對于電容性窗C51的高度h51的稱合系數(shù),如圖5C的構成所不,三角符號表不將2個電介質(zhì)波導管諧振器51、51由電感性窗L51稱合的情況下的對于窗L51的寬度W51的稱合系數(shù),如圖的構成所示，圓符號表示用經(jīng)由電介質(zhì)板52的電容性窗C51將2個電介質(zhì)波導管諧振器51、51稱合的情況下的對于電容性窗C51窗尺寸的高度h51的稱合系數(shù)。另外，電介質(zhì)波導管諧振器51、51的相對介電常數(shù)為21,電介質(zhì)波導管諧振器51、51的寬度Y51為18mm，高度Z51為8mm，電介質(zhì)波導管諧振器51、51以基本模式(TElOl)諧振。電介質(zhì)波導管諧振器51、51的諧振頻率為2. 5GHz,由其諧振頻率決定長度X51。電介質(zhì)板52的相對介電常數(shù)為91，除去與窗C52相應的部分周圍都用導體膜被覆，厚度X52為2mm,寬度Y52為18mm,高度Z52比電容性窗C51的高度h51高Imm,窗C52的尺寸與電容性窗C51相等。根據(jù)圖5A，在例如希望的耦合系數(shù)為O. 08的情況下，電容性窗的高度為O. 2mm左右，但在夾持電介質(zhì)板的情況下，電容性窗的高度可以離開4. 7_左右。其結(jié)果在電容性窗難以產(chǎn)生放電，耐功率性提高。圖3A所示的電介質(zhì)波導管濾波器3中，電介質(zhì)板37的介電常數(shù)比電介質(zhì)波導管諧振器的電介質(zhì)塊體的介電常數(shù)高，電介質(zhì)板37的厚度X37要不足電介質(zhì)板37的厚度方向(X軸方向)的管內(nèi)波長的四分之一。理由如下。圖6A是表示圖的構成中使電介質(zhì)板52的相對介電常數(shù)ε ,變化的情況下的反射相位和透射相位關系的圖表，圖6Β是表示在圖的構成中使電介質(zhì)板52的厚度X52變化的情況下的反射相位和透射相位關系的圖表。圖6A和圖6B中，圓符號表不反射相位,三角符號表示透射相位。根據(jù)圖6A，在電介質(zhì)板的相對介電常數(shù)為電介質(zhì)波導管諧振器的相對介電常數(shù)即21以下的情況下，透射相位脫離0°至-90°的范圍，并且反射相位的符號成為正。另外，根據(jù)圖6B，電介質(zhì)板的厚度為電介質(zhì)板中厚度方向的管內(nèi)波長的四分之一即3. 5mm以上的情況下，透射相位脫離0°至-90°的范圍，并且反射相位的符號成為正。這些現(xiàn)象意味著電介質(zhì)波導管諧振器之間的耦合不是電容性耦合。因此，電介質(zhì)板的介電常數(shù)比電介質(zhì)波導管諧振器的介電常數(shù)高，電介質(zhì)板的厚 度必須不足電介質(zhì)板中厚度方向的管內(nèi)波長的四分之一。圖7A表示本發(fā)明電介質(zhì)波導管濾波器的第三實施例的分解立體圖，圖7B表示圖7A的等效電路圖。如圖7A和圖7B所示，電介質(zhì)波導管濾波器7具有通過電介質(zhì)波導管諧振器71、72、73、74、75、76的主耦合通路；通過電介質(zhì)波導管諧振器71、72、75、76的第一副耦合通路；通過71、76的第二副耦合通路。這樣，即使副耦合通路為多個，只要在被副耦合通路跳躍的主耦合通路上有ー個以上的電容性耦合通路即可，另外，在副耦合通路上也可以有電容性耦合通路。另外，電容性耦合通路中也可以如第二實施例所示夾有電介質(zhì)板。如上所述，本發(fā)明的電介質(zhì)波導管濾波器，通過在由跳躍耦合而被跳躍的主耦合通路上的ー個或ー個以上電介質(zhì)波導管諧振器間的耦合上使用電容性耦合通路，可以使傳輸頻帶區(qū)域的高頻側(cè)的衰減特性陡峭。另外，通過在所述電容性耦合通路夾持電介質(zhì)板，可以拉開電容性窗橫向的距離，可以提高耐功率性。
權利要求
1.一種電介質(zhì)波導管濾波器，其由用導體膜被覆長方體形狀的電介質(zhì)塊體周圍的多個電介質(zhì)波導管諧振器耦合而構成，其特征在于，包括 主耦合通路，其串聯(lián)地耦合所述多個電介質(zhì)波導管諧振器、及 I個或I個以上的副耦合通路，其跳躍所述主耦合通路的一部分而耦合， 其中，被所述副耦合通路跳躍的主耦合通路中包含I個或I個以上的電容性耦合通路。
2.如權利要求I所述的電介質(zhì)波導管濾波器，其特征在于，將介電常數(shù)高于所述電介質(zhì)波導管諧振器的電介質(zhì)板夾在所述電容性耦合通路中。
3.如權利要求2所述的電介質(zhì)波導管濾波器，其特征在于，所述電介質(zhì)板的厚度不足所述電介質(zhì)板厚度方向的管內(nèi)波長的四分之一。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高頻側(cè)的衰減特性與低頻側(cè)的衰減特性相比劣化少的極性電介質(zhì)波導管濾波器。其中，將用導體膜被覆長方體形狀的電介質(zhì)塊體周圍的多個電介質(zhì)波導管諧振器設置于主耦合通路、和跳躍所述主耦合通路而耦合的副耦合通路，被所述副耦合通路跳躍的主耦合通路中包含(1)個以上的電容性耦合通路。
文檔編號H01P1/20GK102683771SQ201210061978
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權日2011年3月11日
發(fā)明者伊藤一洋 申請人:東光株式會社