專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
半導(dǎo)體器件及其制造方法
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2011年9月5日提交的申請?zhí)枮?0-2011-0089543的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，本申請通過弓I用包括該申請的全部內(nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的示例性實施例涉及一種制造半導(dǎo)體器件的技術(shù)，更具體而言，涉及一種具有無焊盤結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
可以使用間隔件圖案化技術(shù)(SPT)來形成半導(dǎo)體存儲器件的字線。通常，半導(dǎo)體器件具有單元區(qū)和外圍電路區(qū)。字線具有單元區(qū)自外圍電路區(qū)延伸的結(jié)構(gòu)，且外圍電路區(qū)包括形成有將導(dǎo)線(例如金屬線)與字線電連接的焊盤的區(qū)域。形成有焊盤的區(qū)域的一個實例是譯碼器區(qū)。在這種配置中，因為譯碼器區(qū)由于結(jié)構(gòu)形狀的原因總是具有不充足的圖案化余量，所以可能產(chǎn)生橋接故障。此外，隨著設(shè)計規(guī)則的減小，當(dāng)采用雙間隔件圖案化技術(shù)(雙SPT)代替單間隔件圖案化技術(shù)(單SPT)時，圖案化余量會更大程度地降低。下面將參照附圖詳細(xì)地描述根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件 的特征。
圖IA至圖ID是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的制造半導(dǎo)體器件的方法的平面圖，圖2A至圖 2D是沿著圖IA至圖ID中的線1-1’截取的截面圖。此外，圖3A至圖3C是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的特征的圖像。
如圖IA和圖2A所示，在具有第一區(qū)和第二區(qū)的襯底11上形成導(dǎo)電層12。在這一實例中，第一區(qū)為單元區(qū)，第二區(qū)為包括譯碼器區(qū)的外圍電路區(qū)，在所述外圍區(qū)中形成有焊盤。
然后，在導(dǎo)電層12上形成犧牲圖案13，在犧牲圖案13的側(cè)壁上形成第一掩模圖案 14。隨后，去除犧牲圖案13。
如圖IB和圖2B所示，通過使用PAD掩模在第一掩模圖案14周圍的導(dǎo)電層12上形成第二掩模圖案15。
如圖IC和圖2C所示，使用第一掩模圖案14和第二掩模圖案15作為刻蝕掩模來刻蝕導(dǎo)電層12，以在第二區(qū)中形成焊盤12B，同時在第一區(qū)和第二區(qū)中形成導(dǎo)線12A。在刻蝕導(dǎo)電層12之后，去除第一掩模圖案14和第二掩模圖案15。
如圖ID和圖2D所示，使用切斷掩模(cut mask)刻蝕焊盤12B之間的導(dǎo)線12A以將相鄰的導(dǎo)線12A分離。
但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，形成在第二區(qū)中的第一掩模圖案14被形成為具有從第一掩模圖案14的延伸方向呈90°的彎曲，以提供形成焊盤12B的空間。由于彎曲結(jié)構(gòu)特性的原因，圖案在90°的彎曲處斷裂，因為光刻工藝的余量不充足(參見圖3A)。還是由于彎曲結(jié)構(gòu)特性的原因，可能難以保證臨界尺寸均勻性(CDU)(參見圖3B)，并且如圖3A至圖3C所示，在相鄰圖案之間產(chǎn)生橋接(參見圖3C)。
另外，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件，焊盤12B被均勻地布置在導(dǎo)線12A的端部。在這種情況下，由于半導(dǎo)體器件需要與各個焊盤12B之間的間隔相對應(yīng)的較大空間，因此，即使提高布置在第一區(qū)中的導(dǎo)線12A的集成度(更具體地，即使減小第一區(qū)的面積)，但也由于焊盤12B的原因而難以減小第二區(qū)的面積。更具體而言，半導(dǎo)體器件的芯片尺寸可能由于焊盤12B的原因而難以減小。為了減小第二區(qū)的面積，將切斷掩模和焊盤掩模的布置方式復(fù)雜化，這是降低了導(dǎo)線12A形成工藝的余量和增加了后續(xù)工藝(例如，接觸插塞形成工藝、金屬線形成工藝)的難度從而降低半導(dǎo)體器件產(chǎn)量的因素。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例針對具有無焊盤結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟在具有第一區(qū)和多個第二區(qū)的襯底之上形成從第一區(qū)延伸至多個第二區(qū)的第一組導(dǎo)線；在襯底之上形成層間絕緣層；在襯底之上形成第二組導(dǎo)線，所述第二組導(dǎo)線與第一組導(dǎo)線交替，并且從第一區(qū)延伸至所述多個第二區(qū)；通過在所述多個第二區(qū)中選擇性地刻蝕層間絕緣層來形成部分地暴露出第一組導(dǎo)線和第二組導(dǎo)線的開放區(qū)；通過去除由開放區(qū)暴露出的第一組導(dǎo)線中的每個導(dǎo)線的一部分來形成擴大的開放區(qū)；形成掩埋在擴大的開放區(qū)中的絕緣層；以及通過間隙填充開放區(qū)來形成接觸插塞。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟在具有第一區(qū)和布置在第一區(qū)兩側(cè) 的一對第二區(qū)的襯底上形成從第一區(qū)延伸至第二區(qū)的第一組導(dǎo)線；在位于第一區(qū)兩側(cè)的襯底之上形成第二組導(dǎo)線，所述第二組導(dǎo)線與第一組導(dǎo)線交替，并且從第一區(qū)延伸至第二區(qū)；在襯底之上形成層間絕緣層；通過選擇性地刻蝕第二區(qū)的層間絕緣層來形成部分地暴露出第一組導(dǎo)線和第二組導(dǎo)線的開放區(qū)；在層間絕緣層上形成暴露出形成在第一組導(dǎo)線中的開放區(qū)的掩模圖案；通過刻蝕由掩模圖案暴露出的開放區(qū)中的第一組導(dǎo)線來形成擴大的開放區(qū)；形成掩埋擴大的開放區(qū)的絕緣層；去除掩模圖案；在襯底之上的開放區(qū)中形成用于插塞的導(dǎo)電層；以及通過執(zhí)行平坦化工藝直到暴露出層間絕緣層暴露出來為止而在開放區(qū)中形成接觸插塞。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，一種半導(dǎo)體器件包括襯底，所述襯底具有第一區(qū)和布置在第一區(qū)兩側(cè)的第二區(qū)；第一組導(dǎo)線，所述第一組導(dǎo)線在襯底上從第一區(qū)延伸至第二區(qū)； 第二組導(dǎo)線，所述第二組導(dǎo)線在襯底上與第一組導(dǎo)線交替，并且從第一區(qū)延伸至第二區(qū)；層間絕緣層，所述層間絕緣層形成在襯底之上；絕緣層，所述絕緣層形成在第二區(qū)中的層間絕緣層和第一組導(dǎo)線的第一開放區(qū)中；以及接觸插塞，所述接觸插塞與形成在第二區(qū)中的層間絕緣層的第二開放區(qū)中的第二組導(dǎo)線接觸。


圖IA至圖ID是說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖。
圖2A至圖2D是沿著圖IA至圖ID中的線1_1’截取的截面圖。
圖3A至圖3C是說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的特征的圖像。
圖4A至圖4G是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的平面圖。
圖5A至圖5G是沿著圖4A至圖4G中的線1_1’截取的截面圖。
具體實施方式
下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實施例。但是，本發(fā)明可以用不同的方式實施，并不應(yīng)當(dāng)解釋為限于本文所列的實施例。另外，提供這些實施例是為了是本說明書充分和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本說明書中，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的不同附圖和實施例中表示相同的部分。
附圖并非按照比例繪制，并且在某些情況下，為了清楚地示出實施例的特征，可能對比例做夸大處理。當(dāng)提及第一層在第二層“上”或在襯底“上”時，其不僅表示第一層直接形成在第二層或襯底上的情況，還表示在第一層與第二層或襯底之間存在第三層的情況。
下面將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實施例，以使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠容易地實施本發(fā)明的技術(shù)思想。將要描述的本發(fā)明的示例性實施例提供具有無焊盤結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
圖4A至圖4G是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的平面圖。圖5A至圖5G是沿著圖4A至圖4G中的線I-I’截取的截面圖。
如圖4A和圖5A中所示，在具有第一區(qū)和第二區(qū)的襯底31上形成導(dǎo)電層32。在本實施例的配置中，第一區(qū)可以是單元區(qū)，第二區(qū)可以是外圍電路區(qū)。具體地，第二區(qū)可以是譯碼器區(qū)并且可以被設(shè)置在第一區(qū)的兩側(cè)。
然后，在導(dǎo)電層32上形成犧牲圖案33。犧牲圖案33可以形成為線圖案，所述線圖案從第一區(qū)延伸至第二區(qū)，并且被形成為在第一區(qū)和第二區(qū)中具有相同的尺寸。
如圖4B和圖5B中所示，在犧牲圖案33的一個或更多個側(cè)壁上形成第一掩模圖案34。第一掩模圖案34可以具有間隔件形式，并且可以由與犧牲圖案33具有相同刻蝕選擇性的材料形成。形成在犧牲圖案33的一個或更多個側(cè)壁上的第一掩模圖案34是環(huán)形的線圖案，并且在第一區(qū)和第二區(qū)中具有相同的臨界尺寸(CD)。
然后，在去除犧牲圖案33之后，通過使用第一掩模圖案34作為刻蝕掩模來刻蝕導(dǎo)電層32而形成導(dǎo)線32A。在刻蝕導(dǎo)電層32之后，形成了導(dǎo)線32A，并且導(dǎo)線32A可以是字線。
如圖4C和5C中所示，在去除第一掩模圖案34之后，在襯底31之上形成覆蓋導(dǎo)線32A的層間絕緣層35。層間絕緣層35可以由選自氧化物層、氮化物層和氧氮化物 (oxynitride)層中的任一種形成。
然后，利用接觸掩模在層間絕緣層35上形成第二掩模圖案36。第二掩模圖案36 可以利用光致抗蝕劑形成。
然后，使用第二掩模圖案36作為刻蝕阻擋層來刻蝕層間絕緣層35，以形成使第二區(qū)中的導(dǎo)線32A的表面部分地暴露出的開放區(qū)37。開放區(qū)37以鋸齒式的形式而形成，其中暴露出第N導(dǎo)線32A的開放區(qū)37與暴露出第N+1導(dǎo)線32A的開放區(qū)37相互交錯。如圖 4C中所示，在第二區(qū)中形成將基于任一導(dǎo)線32A而編號成奇數(shù)的導(dǎo)線32A暴露出來的多個開放區(qū)37所構(gòu)成的組，使得多個開放區(qū)37所構(gòu)成的組排列在垂直于導(dǎo)線32A的延伸方向的線上，并且在第二區(qū)中形成將編號成偶數(shù)的導(dǎo)線32A暴露出來的多個開放區(qū)37所構(gòu)成的組，所述多個開放區(qū)37所構(gòu)成的組排列在垂直于導(dǎo)線32A的延伸方向的線上。實施這種形成是為了降低后續(xù)工藝(例如金屬線形成工藝等)的工藝難度。此外，形成在基于第一區(qū)的一側(cè)的第二區(qū)中的開放區(qū)37和形成在基于第一區(qū)的另一側(cè)的第二區(qū)中的開放區(qū)37以彼此非對稱的方式形成。
如圖4D和圖中所示,在去除第二掩模圖案36之后,利用切斷掩模形成第三掩模圖案38。第三掩模圖案38由與層間絕緣層35具有相同刻蝕選擇性的材料形成。例如， 當(dāng)層間絕緣層35由氧化物層形成時，第三掩模圖案38可以由氮化物層形成。
第三掩模圖案38可以覆蓋開放區(qū)37中的一些并暴露出開放區(qū)37中的一些。例如，可以暴露形成在基于任一導(dǎo)線32A而編號成奇數(shù)或編號成偶數(shù)的導(dǎo)線32A中的開放區(qū) 37。由于形成在基于任一導(dǎo)線32A而編號成奇數(shù)的(或編號成偶數(shù)的)導(dǎo)線中的開放區(qū)37 排列在一條線上，因此第三掩模圖案38的開放部分可以被形成為是線型的。更具體地，可以簡化切斷掩模的形式，并且可以降低形成第三掩模圖案38的工藝難度。
當(dāng)形成在基于第一區(qū)的一側(cè)的第二區(qū)中的第三掩模圖案38的開放部分暴露出形成在基于任一導(dǎo)線32A而編號成奇數(shù)的導(dǎo)線32A中的開放區(qū)37時，則形成在第一區(qū)的另一側(cè)的第二區(qū)中的第三掩模圖案38的開放部分暴露出形成在編號成偶數(shù)的導(dǎo)線32A中的開放區(qū)37，反之亦然。這是為了使多個分離的導(dǎo)線32B經(jīng)由后續(xù)工藝全部都具有相同的長度。
然后，刻蝕由第三掩模圖案38和開放區(qū)37暴露出的導(dǎo)線32A，直到襯底31暴露出來為止。通過刻蝕暴露出的導(dǎo)線32A，相鄰的導(dǎo)線被彼此分離。為了說明的目的，分離的導(dǎo)線用附圖標(biāo)記“32B”表示，在刻蝕導(dǎo)線32A的步驟之后被擴大的開放區(qū)用附圖標(biāo)記“37A” 表不。
如圖4E和圖5E所示，在襯底31之上沉積絕緣層39以間隙填充擴大的開放區(qū)37A， 然后，執(zhí)行平坦化工藝直到暴露出第三掩模圖案38為止?？梢允褂没瘜W(xué)機械拋光(CMP)來執(zhí)行平坦化工藝。絕緣層39可以由與層間絕緣層35相同的材料形成。
如圖4F和圖5F所示，去除第三掩模圖案38。
然后，在去除第三掩模圖案38之后，在襯底31之上形成導(dǎo)電層40以間隙填充開放區(qū)37。導(dǎo)電層40可以用于形成插塞。
如圖4G和5G所示，執(zhí)行平坦化工藝直到暴露出層間絕緣層35為止，以形成掩埋在開放區(qū)37中的接觸插塞40A。形成在接觸插塞40A之下的導(dǎo)線32B用作焊盤?？梢允褂没瘜W(xué)機械拋光來執(zhí)行平坦化工藝。
雖然未示出，但是隨后可以在層間絕緣層35上形成與接觸插塞40A接觸的金屬引線。
通過上述工藝形成的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的半導(dǎo)體器件具有無焊盤結(jié)構(gòu)。 另外，本發(fā)明的示例性實施例能夠提高第二區(qū)(更具體而言，外圍電路區(qū))的集成度。更具體而言，本發(fā)明的示例性實施例能夠減少第二區(qū)的面積以減小芯片尺寸。此外，本發(fā)明的示例性實施例能夠簡化制造半導(dǎo)體器件的工藝并降低工藝難度，從而提高半導(dǎo)體器件的制造產(chǎn)量。
如前所述，本發(fā)明的示例性實施例具有無焊盤結(jié)構(gòu)，從而基本上防止了在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)形成焊盤的步驟中所產(chǎn)生的問題。
另外，本發(fā)明的示例性實施例能夠根據(jù)第一區(qū)的集成度提高第二區(qū)的集成度，以顯著地減少第二區(qū)的面積，從而容易地減小芯片尺寸。
此外，本發(fā)明的示例性實施例能夠簡化制造半導(dǎo)體器件的工藝并降低工藝難度， 從而提高半導(dǎo)體器件的制造成品率。
雖然已經(jīng)以具體實施例的方式描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，在不脫離所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的主旨和范圍的情況下可以進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟 在具有第一區(qū)和多個第二區(qū)的襯底之上形成第一組導(dǎo)線，所述第一組導(dǎo)線從所述第一區(qū)延伸至所述多個第二區(qū)； 在所述襯底之上形成第二組導(dǎo)線，所述第二組導(dǎo)線與所述第一組導(dǎo)線交替，并且從所述第一區(qū)延伸至所述多個第二區(qū)； 在所述襯底之上形成層間絕緣層； 通過在所述多個第二區(qū)中選擇性地刻蝕所述層間絕緣層來形成部分地暴露出所述第一組導(dǎo)線和所述第二組導(dǎo)線的開放區(qū)； 通過去除由所述開放區(qū)暴露出的所述第一組導(dǎo)線中的每個導(dǎo)線的一部分來形成擴大的開放區(qū)； 在所述擴大的開放區(qū)中形成絕緣層；以及 通過間隙填充所述開放區(qū)來形成接觸插塞。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，形成所述第一組導(dǎo)線和所述第二組導(dǎo)線的步驟包括以下步驟； 在所述襯底上形成導(dǎo)電層； 在所述導(dǎo)電層上形成從所述第一區(qū)延伸至所述多個第二區(qū)的線形的犧牲圖案； 在所述犧牲圖案的側(cè)壁上形成掩模圖案； 去除所述犧牲圖案；以及 使用所述掩模圖案作為刻蝕掩模來刻蝕所述導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，在形成所述擴大的開放區(qū)之前，所述第一組導(dǎo)線中的每個導(dǎo)線與所述第二組導(dǎo)線中的一個導(dǎo)線在所述導(dǎo)線的兩端相連接，并且 在形成所述擴大的開放區(qū)之后，所述第一組導(dǎo)線與所述第二組導(dǎo)線電分離。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，形成所述開放區(qū)的步驟形成鋸齒形式的開放區(qū)。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，在形成所述開放區(qū)的步驟中，第一組開放區(qū)沿著垂直于所述導(dǎo)線的延伸方向的第一線排列，第二組開放區(qū)沿著垂直于所述導(dǎo)線的延伸方向的第二線排列。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述多個第二區(qū)被布置在所述第一區(qū)的兩側(cè)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，在形成所述開放區(qū)的步驟中，形成在基于所述第一區(qū)的ー側(cè)的第二區(qū)中的開放區(qū)和形成在另ー側(cè)的第二區(qū)中的開放區(qū)以彼此非対稱的方式形成。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一區(qū)包括単元區(qū)，所述第二區(qū)包括外圍電路區(qū)。
9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟 在襯底上形成從第一區(qū)延伸至ー對第二區(qū)的第一組導(dǎo)線，所述襯底具有所述第一區(qū)和布置在所述第一區(qū)兩側(cè)的所述第二區(qū)； 形成第二組導(dǎo)線，所述第二組導(dǎo)線與所述第一組導(dǎo)線交替，并且從所述第一區(qū)延伸至在所述襯底上位于所述第一區(qū)兩側(cè)的所述第二區(qū)； 在所述襯底之上形成層間絕緣層； 通過選擇性地刻蝕所述第二區(qū)的層間絕緣層來形成部分地暴露出所述第一組導(dǎo)線和所述第二組導(dǎo)線的開放區(qū)； 在所述層間絕緣層上形成暴露出形成在所述第一組導(dǎo)線中的開放區(qū)的掩模圖案； 通過刻蝕由所述掩模圖案暴露出的在開放區(qū)中的第一組導(dǎo)線來形成擴大的開放區(qū)； 形成掩埋所述擴大的開放區(qū)的絕緣層； 去除所述掩模圖案； 在所述襯底之上的開放區(qū)中形成用于插塞的導(dǎo)電層；以及 通過執(zhí)行平坦化工藝直到暴露出所述層間絕緣層為止而在所述開放區(qū)中形成接觸插塞。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述第一組導(dǎo)線和所述第二組導(dǎo)線的步驟包括以下步驟 在所述襯底上形成導(dǎo)電層； 在所述導(dǎo)電層上形成線形的犧牲圖案，所述犧牲圖案從所述第一區(qū)延伸至所述第二區(qū)； 在所述犧牲圖案的側(cè)壁上形成掩模圖案； 去除所述犧牲圖案；以及 使用所述掩模圖案作為刻蝕掩模來刻蝕所述導(dǎo)電層。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在形成所述擴大的開放區(qū)之前，所述第一組導(dǎo)線中的每個導(dǎo)線與所述第二組導(dǎo)線中的一個導(dǎo)線在所述導(dǎo)線的兩端相連接，并且 在形成所述擴大的開放區(qū)之后，所述第一組導(dǎo)線與所述第二組導(dǎo)線電分離。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述開放區(qū)的步驟形成鋸齒形式的開放區(qū)。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在形成所述開放區(qū)的步驟中，第一組開放區(qū)沿著垂直于所述導(dǎo)線的延伸方向的第一線排列，第二組開放區(qū)沿著垂直于所述導(dǎo)線的延伸方向的第二線排列。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在形成所述開放區(qū)的步驟中，形成在基于所述第一區(qū)的一側(cè)的第二區(qū)中的開放區(qū)和形成在另一側(cè)的第二區(qū)中的開放區(qū)以彼此非對稱的方式形成。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述掩模圖案和所述層間絕緣層由具有不同刻蝕選擇性的材料形成。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述絕緣層與所述層間絕緣層由相同的材料形成。
17.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一區(qū)包括單元區(qū)，所述第二區(qū)包括外圍電路區(qū)。
18.一種半導(dǎo)體器件，包括 襯底，所述襯底具有第一區(qū)和布置在所述第一區(qū)兩側(cè)的第二區(qū)； 第一組導(dǎo)線，所述第一組導(dǎo)線在所述襯底上從所述第一區(qū)延伸至所述第二區(qū)； 第二組導(dǎo)線，所述第二組導(dǎo)線在所述襯底上與所述第一組導(dǎo)線交替，并且從所述第一區(qū)延伸至所述第二區(qū)； 層間絕緣層，所述層間絕緣層形成在所述襯底之上； 絕緣層，所述絕緣層形成在所述第二區(qū)中的層間絕緣層和所述第一組導(dǎo)線的第一開放區(qū)中；以及 接觸插塞，所述接觸插塞與形成在所述第二區(qū)中的所述層間絕緣層的第二開放區(qū)中的所述第二組導(dǎo)線接觸。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層和所述接觸插塞以鋸齒形式布置。
20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一組絕緣層沿著垂直于所述導(dǎo)線的延伸方向的第一線排列，所述第二組接觸插塞沿著垂直于所述導(dǎo)線的延伸方向的第二線排列。
21.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，形成在基于所述第一區(qū)的ー側(cè)的第二區(qū)中的絕緣層和接觸插塞是以與形成在另ー側(cè)的第二區(qū)中的絕緣層和接觸插塞非対稱的方式形成的。
22.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一區(qū)包括単元區(qū)，所述第二區(qū)包括外圍電路區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括襯底，所述襯底具有第一區(qū)和布置在第一區(qū)兩側(cè)的第二區(qū)；第一組導(dǎo)線，所述第一組導(dǎo)線在襯底上從第一區(qū)延伸至第二區(qū)；第二組導(dǎo)線，所述第二組導(dǎo)線在襯底上與第一組導(dǎo)線交替，并且從第一區(qū)延伸至第二區(qū)；層間絕緣層，所述層間絕緣層形成在襯底之上；絕緣層，所述絕緣層形成在第二區(qū)中的層間絕緣層和第一組導(dǎo)線的第一開放區(qū)中；以及接觸插塞，所述接觸插塞與形成在第二區(qū)中的層間絕緣層的第二開放區(qū)中的第二組導(dǎo)線接觸。
文檔編號H01L21/768GK102983100SQ20121005298
公開日2013年3月20日 申請日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月5日
發(fā)明者金美慧, 南炳燮 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司