專(zhuān)利名稱(chēng)：帶阻濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶阻濾波器(band-elimination filter)。
背景技術(shù)：
已經(jīng)采用了使用同軸電介質(zhì)諧振器的帶阻濾波器(例如參見(jiàn)日本待審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi) No. 07-336109)。圖IA是示出了現(xiàn)有技術(shù)中的BEF的示例性模塊配置的分解透視圖。BEF 101包括同軸電介質(zhì)諧振器塊102、多層襯底103、電感元件104和蓋105。同軸電介質(zhì)諧振器塊102包括塊本體102A、內(nèi)導(dǎo)體102B、外導(dǎo)體102C和端接電極 102D，并且形成兩個(gè)同軸電介質(zhì)諧振器Rl和R2。塊本體102A形成為由電介質(zhì)材料構(gòu)成的實(shí)質(zhì)上矩形平行六面體的形狀，并且包括從塊前表面延伸至塊后表面的兩個(gè)通孔。內(nèi)導(dǎo)體102B各自形成于通孔的內(nèi)表面上。外導(dǎo)體102C形成于除了塊前表面之外的塊外表面上。端接電極102D形成于塊底面上，使得端接電極與外導(dǎo)體102C間隔開(kāi)，并且各自面對(duì)內(nèi)導(dǎo)體102B的開(kāi)口端附近。多層襯底103包括襯底本體103A、接地電極103B、諧振器連接電極103C、信號(hào)傳輸路徑103D和103E以及內(nèi)部配線(xiàn)(未示出)。在襯底本體103A上，安裝了同軸電介質(zhì)諧振器塊102、電感元件104和蓋105。接地電極103B形成于襯底本體103A的上表面上，并且與同軸電介質(zhì)諧振器塊102的外導(dǎo)體102C相連。諧振器連接電極103C形成于襯底本體103A的上表面上,并且各自與同軸電介質(zhì)諧振器塊102的端接電極102D相連。信號(hào)傳輸路徑103D和103E形成于襯底本體103A的上表面上，使得它們的遠(yuǎn)端部分之間具有間隔，并且各自經(jīng)由內(nèi)部配線(xiàn)與諧振器連接電極103C相連。電感元件104設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑103D和103E的遠(yuǎn)端部分之間。設(shè)置蓋105，使得形成暴露同軸電介質(zhì)諧振器塊102的塊前表面和電感元件104的空間，并且在塊前表面上的外導(dǎo)體102C和接地電極103B之間進(jìn)行短路。圖IB是BEF 101的等效電路圖。BEF 101包括串聯(lián)連接在輸入端子IN和輸出端子OUT之間的電感器L。輸入端子IN設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑103D的近端一側(cè)上，輸出端子OUT設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑103E的近端一側(cè)。電感器L由電感元件104構(gòu)成。輸入端子IN和電感器L之間的連接點(diǎn)經(jīng)由電容器C3接地，并且還經(jīng)由包括電容器Cel和同軸電介質(zhì)諧振器Rl的串聯(lián)電路接地。輸出端子OUT和電感器L之間的連接點(diǎn)經(jīng)由電容器C4接地，并且還經(jīng)由包括電容器Ce2和同軸電介質(zhì)諧振器R2的串聯(lián)電路接地。將電容器Cel和Ce2設(shè)置在內(nèi)導(dǎo)體102B之一和端接電極102D之一之間，并且設(shè)置在另一個(gè)內(nèi)導(dǎo)體102B和另一個(gè)端接電極102D之間。電容器C3和C4與內(nèi)部配線(xiàn)(未示出)處的雜散(stray)電容相對(duì)應(yīng)。電容器C3和C4以及電感器L用作相移電路，同軸電介質(zhì)諧振器Rl和電容器Cel用作串聯(lián)諧振電路，以及同軸電介質(zhì)R2和電容器Ce2用作串聯(lián)諧振電路。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)同軸電介質(zhì)諧振器塊102的結(jié)構(gòu)來(lái)確定同軸電介質(zhì)諧振器Rl和R2的值以及電容器Cel和Ce2的值，并且根據(jù)多層襯底103的結(jié)構(gòu)來(lái)確定電容器C3和C4的值。因此，為了調(diào)節(jié)濾波器特性，需要代替電感元件104，或者改變同軸電介質(zhì)諧振器塊102或多層結(jié)構(gòu)103的結(jié)構(gòu)。因此，難以精密地設(shè)置濾波器特性。具體地，難以改進(jìn)低于信號(hào)切斷帶(signal removal band)的通帶中的特性,并且在低頻通帶中增加了反射度和通帶損耗。本發(fā)明的目的是提供一種可以精密地設(shè)置濾波器特性的帶阻濾波器。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的帶阻濾波器包括同軸電介質(zhì)諧振器塊、襯底以及第一、第二和第三電感元件。同軸電介質(zhì)諧振器塊包括塊本體，所述塊本體形成為主要由電介質(zhì)構(gòu)成的實(shí)質(zhì)上矩形平行六面體的形狀，并且具有從塊前表面延伸至塊后表面的第一和第二通孔；第一和第二內(nèi)導(dǎo)體，所述第一和第二內(nèi)導(dǎo)體各自形成于第一和第二通孔的內(nèi)表面上；以及外導(dǎo)體，形成于除了至少塊前表面之外的塊外表面上。所述襯底包括具有上表面的襯底本體，在所述上表面上安裝同軸電介質(zhì)諧振器塊；接地電極，形成于所述襯底本體的上表面上，并且與外導(dǎo)體相連；第一信號(hào)傳輸路徑，形成于所述襯底本體的上表面上并且經(jīng)由第一串聯(lián)諧振電容器與第一內(nèi)導(dǎo)體相連；以及第二信號(hào)傳輸路徑，形成于所述襯底本體的上表面上并且經(jīng)由第二串聯(lián)諧振電容器與第二內(nèi)導(dǎo)體相連。第一電感元件設(shè)置在第一信號(hào)傳輸路徑和第二信號(hào)傳輸路徑之間。第二電感元件設(shè)置在第一信號(hào)傳輸路徑和接地電極之間。第三電感元件設(shè)置在第二信號(hào)傳輸路徑和接地電極之間。在這種電路配置中，第一內(nèi)導(dǎo)體和外導(dǎo)體形成第一諧振器，并且第二內(nèi)導(dǎo)體和外導(dǎo)體形成第二諧振器。第一信號(hào)傳輸路徑和接地電極形成雜散電容器，第二信號(hào)路徑和接地電極形成雜散電容器，并且所述雜散電容器和第一至第三電感元件形成相移電路。相移電路、第一和第二諧振器以及第一和第二串聯(lián)諧振電容器形成了帶阻濾波器。因此，可以通過(guò)改變第一至第三電感元件的電感值的至少一個(gè)來(lái)調(diào)節(jié)帶阻濾波器的濾波特性。具體地，通過(guò)設(shè)置第二和第三電感元件，可以在低于信號(hào)切斷頻率的頻率一側(cè)實(shí)現(xiàn)特性改善。在低頻通帶中，因此可以減小反射度和通帶損耗。優(yōu)選地，所述帶阻濾波器還包括第一電容元件，設(shè)置在第一內(nèi)導(dǎo)體和第一信號(hào)傳輸路徑之間，作為第一串聯(lián)諧振電容器；以及第二電容元件，設(shè)置在第二內(nèi)導(dǎo)體和第二信號(hào)傳輸路徑之間，作為第二串聯(lián)諧振電容器。優(yōu)選地，所述同軸電介質(zhì)諧振器塊還包括第一和第二端接電極，所述第一和第二端接電極與外導(dǎo)體間隔開(kāi)，分別面對(duì)第一和第二內(nèi)導(dǎo)體的開(kāi)口端附近，并且至少部分地形成于所述塊前表面上。第一串聯(lián)諧振電容器優(yōu)選地形成于第一端接電極和第一內(nèi)導(dǎo)體之間，以及第二串聯(lián)諧振電容器優(yōu)選地形成于第二端接電極和第二內(nèi)導(dǎo)體之間。在這些配置中，可以通過(guò)代替第一電容元件或者裁剪或修剪所述塊前表面上的第一端接電極的區(qū)域來(lái)控制第一串聯(lián)諧振電容器，或者通過(guò)代替第二電容元件或裁剪或修剪所述塊前表面上的第二端接電極的區(qū)域來(lái)控制第二串聯(lián)諧振電容器。因此，可以容易地將信號(hào)設(shè)置在信號(hào)切斷帶中，并且調(diào)節(jié)濾波器特性。在帶阻濾波器中，第一和第二信號(hào)傳輸路徑優(yōu)選是在單層襯底的上表面上形成的共面波導(dǎo)。在這種配置中，與現(xiàn)有技術(shù)中的多層襯底相比較，可以減小電路面積和安裝高度。
在帶阻濾波器中，第一至第三電感元件優(yōu)選是芯片電感器和印刷電感器中的至少一個(gè)。在這種配置中，可以通過(guò)代替芯片電感器的至少一個(gè)或者裁剪或修剪印刷電感器的至少一個(gè)來(lái)容易地調(diào)節(jié)濾波器特性。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以通過(guò)改變第一至第三電感元件的電感值中的至少一個(gè)來(lái)調(diào)節(jié)帶阻濾波器的濾波器特性。具體地，通過(guò)設(shè)置第二和第三電感元件中的至少一個(gè)，可以在低于信號(hào)切斷帶的頻率一側(cè)實(shí)現(xiàn)特性改善。在低頻通帶中，因此可以減小反射度和通帶損耗。根據(jù)參考附圖對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的其他特征、元件、特性和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚明白。


圖IA是示出了現(xiàn)有技術(shù)中的帶阻濾波器的示例性模塊結(jié)構(gòu)的分解透視圖；圖IB是圖IA所示的帶阻濾波器的等效電路圖；圖2A是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的帶阻濾波器的模塊配置的分解透視圖；圖2B是圖2A所示的帶阻濾波器的等效電路圖；圖3A是描述了根據(jù)附加電感元件的存在而改變圖2A所示的帶阻濾波器的反射特性的圖；圖3B是描述了根據(jù)附加電感元件的存在而改變圖2A所示的帶阻濾波器的傳輸特性的圖；圖4A是描述了根據(jù)附加電感元件的電感值而改變圖2A所示的帶阻濾波器的反射特性的圖；圖4B是描述了根據(jù)附加電感元件的電感值而改變圖2A所示的帶阻濾波器的傳輸特性的圖；圖5A是描述了根據(jù)串聯(lián)諧振電容器的電容值而改變圖2A所示的帶阻濾波器的反射特性的圖；圖5B是描述了根據(jù)串聯(lián)諧振電容器的電容值而改變圖2A所示的帶阻濾波器的傳輸特性的圖；以及圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的帶阻濾波器的模塊配置的分解透視圖。
具體實(shí)施例方式<第一實(shí)施例>下面將作為示例描述根據(jù)第一實(shí)施例的帶阻濾波器(BEF)，所述BEF具有用于全球定位系統(tǒng)(GPS)的1500MHz附近的衰減帶，并且具有用于移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的800MHz波段和1900MHz波段的通帶。圖2A是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的BEF I的模塊結(jié)構(gòu)的分解透視圖。BEF I包括同軸電介質(zhì)諧振器塊2、襯底3以及電感元件4、5和6。同軸電介質(zhì)諧振器塊2包括塊本體2A、內(nèi)導(dǎo)體2B、外導(dǎo)體2C、端接電極2D和開(kāi)口表面電極2E，并且形成了兩個(gè)四分之一波同軸電介質(zhì)諧振器Rl和R2。塊本體2A形成為由電介質(zhì)材料構(gòu)成的實(shí)質(zhì)上矩形平行六面體(例如，近似7mmX近似4mmX近似I. 5mm)，并且包括從塊前表面延伸至塊后表面的兩個(gè)通孔。內(nèi)導(dǎo)體2B各自形成于通孔的內(nèi)表面上。外導(dǎo)體2C形成于除了塊前表面之外的塊外表面上。端接電極2D延伸至塊底面、塊側(cè)面和塊前表面，使得它們與外導(dǎo)體2C間隔開(kāi)，并且面對(duì)內(nèi)導(dǎo)體2B的開(kāi)口端附近。開(kāi)口表面電極2E實(shí)質(zhì)上是矩形電極，該矩形電極形成于塊前表面上并且各自與內(nèi)導(dǎo)體2B相連。襯底3包括襯底本體3A、接地電極3B、諧振器連接電極3C和信號(hào)傳輸路徑3D和3E。在襯底本體3A上安裝了同軸電介質(zhì)諧振器塊2。接地電極3B形成于襯底本體3A的上表面上，并且與同軸電介質(zhì)諧振器塊2的外導(dǎo)體2C相連。諧振器連接電極3C形成于襯底本體3A的上表面上，并且各自與同軸電介質(zhì)諧振器塊2的端接電極2D相連。信號(hào)傳輸路徑3D和3E是在襯底本體3A的上表面上形成的共面波導(dǎo)，設(shè)置為使得它們的遠(yuǎn)端部分之間具有間隔，并且它們各自與諧振器連接電極3C相連。電感元件4設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑3D和3E的遠(yuǎn)端部分之間。電感元件5設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑3D和接地電極3B之間。電感元件6設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑3E和接地電極3B之間。在該示例中，電感元件4、5和6是芯片電感器,但也可以是空心(air-cored)線(xiàn)圈或印刷線(xiàn)圈。在具有上述配置的BEF I中，可以通過(guò)代替它們來(lái)改變電感元件4、5和6的電感值?？梢酝ㄟ^(guò)裁剪或修剪開(kāi)口表面電極2E或塊前表面上的端接電極2D的區(qū)域來(lái)改變?cè)陂_(kāi)口表面電極2E和端接電極2D之間獲得的電容值。圖2B是BEF I的等效電路圖。BEF I包括串聯(lián)連接在輸入端子IN和輸出端子OUT之間的電感器LI。輸入端子IN設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑3D的近端一側(cè)上，而輸出端子OUT設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑3E的近端一側(cè)上。電感器LI由電感元件4形成。輸入端子IN和電感器LI之間的連接點(diǎn)經(jīng)由電容器C3接地，并且還經(jīng)由包括電容器Cel (串聯(lián)諧振電容器)和諧振器Rl在內(nèi)的串聯(lián)電路接地。輸出端子OUT和電感器LI之間的連接點(diǎn)經(jīng)由電容器C4接地，并且還經(jīng)由包括電容器Ce2(串聯(lián)諧振電容器)和諧振器R2在內(nèi)的串聯(lián)電路接地。電容器Cel設(shè)置在端接電極2E之一以及內(nèi)導(dǎo)體2B之一和開(kāi)口表面電極2E之一中的每一個(gè)之間。電容器Ce2設(shè)置在另一個(gè)端接電極2D以及另一個(gè)內(nèi)導(dǎo)體2B的和另一個(gè)開(kāi)口表面電極2E中的每一個(gè)之間。電容器C3和C4與例如信號(hào)傳輸路徑3D和3E處的雜散電容相對(duì)應(yīng)。電容器C3和C4以及電感器LI、L2和L3用作相移電路，諧振器Rl和電容器Cel用作串聯(lián)諧振電路，并且諧振器R2和電容器Ce2用作串聯(lián)諧振電路。在這種電路配置中，可以容易地改變電感器LI、L2和L3以及電容器Cel和Ce2，并且因此可以容易地調(diào)節(jié)BEF I的濾波器特性。〈第一比較性測(cè)試〉這里將描述電感器L2和L3對(duì)BEF I的濾波器特性的影響。圖3A是描述了根據(jù)電感器L2和L3的存在而改變的BEF I的反射特性的圖。圖3B是描述了根據(jù)電感器L2和L3的存在而改變的BEF I的傳輸特性的圖。在圖中，實(shí)線(xiàn)表示在其中存在電感器L2和L3的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例配置的情況下獲得的特性，而虛線(xiàn)表示不存在電感器L2和L3的比較配置的情況下獲得的特性。 在圖3A所示的反射特性中，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例配置的情況下，可以將其中Sll最小的極點(diǎn)設(shè)置在信號(hào)切斷帶(約1500MHz)、低頻信號(hào)通帶(約800MHz)和高頻信號(hào)通帶(約1900MHz)。另一方面，在比較配置的情況下，可以將Sll最小的極點(diǎn)設(shè)置在信號(hào)切斷帶中，但是明顯從低頻信號(hào)通帶朝著低頻一側(cè)偏離并且從高頻信號(hào)通帶朝著低頻一側(cè)偏離。在圖3B所示的傳輸特性中，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的配置和比較配置兩種情況下，可以將S21最小的極點(diǎn)設(shè)置在信號(hào)切斷帶(約1500MHz)中。在高頻信號(hào)通帶(約1900MHz)中，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的配置和比較配置的兩種情況下，可以實(shí)現(xiàn)實(shí)質(zhì)上相同的傳輸特性。然而在低頻信號(hào)通帶(約800MHz)中，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例配置的情況下，衰減量小于比較配置的情況，并且可以實(shí)現(xiàn)更好的傳輸特性。測(cè)試結(jié)果表示電感器L2和L3可以改善低于信號(hào)切斷帶的信號(hào)通帶中的反射特性和傳輸特性。<第二比較性測(cè)試>接下來(lái)將描述電感器L2和L3的電感值變化對(duì)于BEF I的濾波器特性的影響。圖 4A是描述了根據(jù)電感器L2和L3的電感值而改變的BEF I的反射特性的圖。圖4B是描述了根據(jù)電感器L2和L3的電感值而改變的BEF I的傳輸特性的圖。在圖中，實(shí)線(xiàn)表示在第一示例的情況下獲得的特性，在第一示例中使用與利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的上述配置獲得的電感值相同的電感值，而虛線(xiàn)表示在其中使用電感值增加10 %的第二示例情況下獲得的特性，并且交替的長(zhǎng)短虛線(xiàn)表示在使用電感值減小10%的第三示例的情況下獲得的特性。在圖4A所示的反射特性中，在所有示例的情況下，可以將其中Sll最小的極點(diǎn)設(shè)置在信號(hào)切斷帶(約1500MHz)、低頻信號(hào)通帶(約800MHz)和高頻信號(hào)通帶(約1900MHz)。即使當(dāng)改變電感值時(shí)也不會(huì)改變信號(hào)切斷帶中的極點(diǎn)。然而，當(dāng)增加電感值時(shí)，低頻信號(hào)通帶和高頻信號(hào)通帶中的極點(diǎn)朝著低頻一側(cè)移動(dòng)，并且當(dāng)減小電感值時(shí)朝著高頻一側(cè)移動(dòng)。測(cè)試結(jié)果表示可以通過(guò)設(shè)置電感器L2和L3以及調(diào)節(jié)電感器L2和L3的電感值來(lái)在高頻信號(hào)通帶和低頻信號(hào)通帶中調(diào)節(jié)BEF I的反射特性。在圖4B所示的傳輸特性中，在所有示例的情況下，可以將S21最小的極點(diǎn)設(shè)置在信號(hào)切斷帶(約1500MHz)中。在低頻信號(hào)通帶(約800MHz)和高頻信號(hào)通帶(約1900MHz)中，可以實(shí)現(xiàn)其中幾乎沒(méi)有衰減量變化的良好傳輸特性。測(cè)試結(jié)果表示即使當(dāng)設(shè)置電感器L2和L3并且調(diào)節(jié)電感器L2和L3的電感值時(shí)也可以保持BEF I的良好傳輸特性?！吹谌容^示例〉接下來(lái)將描述電容器Cel和Ce2的電容值對(duì)BEF I的濾波器特性的影響。圖5A是描述了根據(jù)電容器Cel和Ce2的電容值而改變的BEF I的反射特性的圖。圖5B是描述了根據(jù)電容器Cel和Ce2的電容值而改變的BEF I的傳輸特性的圖。在圖中，實(shí)線(xiàn)表示在第四示例的情況下獲得的特性，其中使用與根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的上述結(jié)構(gòu)獲得的電容值相同的電容值。虛線(xiàn)表示在第五示例的情況下獲得的特性，其中使用增加10%的電容值；以及交替的長(zhǎng)短虛線(xiàn)表示在第六示例的情況下獲得的特性，其中使用減小10%的電容值。在圖5A所示的反射特性中，在所有示例的情況下，可以將Sll最小的極點(diǎn)設(shè)置在信號(hào)切斷帶(約1500MHz)、低頻信號(hào)通帶(約800MHz)和高頻信號(hào)通帶(約1900MHz)中。即使當(dāng)改變電容值時(shí)，在高頻信號(hào)通帶中也不會(huì)顯著改變極點(diǎn)的頻率。另一方面，在其中增加電容值的第五示例中，將低頻信號(hào)通帶和信號(hào)切斷帶中的極點(diǎn)朝著比在第四示例中獲得的極點(diǎn)頻率更低的頻率一側(cè)移動(dòng)，而在其中減小電容值的第六示例中，將低頻信號(hào)通帶和信號(hào)切斷帶中的極點(diǎn)朝著比在第四示例中獲得的極點(diǎn)頻率更高的頻率一側(cè)移動(dòng)。測(cè)試結(jié)果表示可以通過(guò)設(shè)置能夠被裁剪或修剪的開(kāi)口表面電極和端接電極來(lái)在低頻信號(hào)通帶和信號(hào)切斷帶中調(diào)節(jié)BEF I的反射特性。在圖5B的傳輸特性中，在所有示例的情況下，在低頻信號(hào)通帶(約800MHz)和高頻信號(hào)通帶(約1900MHz)中，可以實(shí)現(xiàn)其中衰減量幾乎不變情況下的良好傳輸特性。在其中增加電容值的第五示例中，將信號(hào)切斷帶(約1500MHz)中的極點(diǎn)朝著比在第四示例中獲得的極點(diǎn)頻率更低的頻率一側(cè)移動(dòng)，并且在其中減小電容值的第六示例中，將信號(hào)切斷帶中的極點(diǎn)朝著比在第四示例中獲得的極點(diǎn)頻率更高的頻率一側(cè)移動(dòng)。測(cè)試結(jié)果表示通過(guò)設(shè)置能夠裁剪或修剪的開(kāi)口表面電極和端接電極，可以在保持低頻信號(hào)通帶和高頻信號(hào)通帶中BEF I的良好傳輸特性的同時(shí)，調(diào)節(jié)信號(hào)切斷帶中的頻率。根據(jù)上述比較測(cè)試清楚明白的是，在其中可以調(diào)節(jié)電感器L2和L3的值以及電容器Cel和Ce2的值的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例結(jié)構(gòu)的情況下，可以具有較高靈活度地設(shè)置BEF I的反射特性和傳輸特性。<第二實(shí)施例>接下來(lái)將描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的帶阻濾波器。圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的BEF 11的模塊結(jié)構(gòu)的分解透視圖。BEF 11包括同軸電介質(zhì)諧振器塊12、襯底13、電感元件4、5和6以及電容元件17和18。同軸電介質(zhì)諧振器塊12包括塊本體2A、內(nèi)導(dǎo)體2B、外導(dǎo)體2C、端接電極12D和開(kāi)口表面電極12E，并且形成了兩個(gè)四分之一波同軸電介質(zhì)諧振器Rl和R2。端接電極12D形成于與外導(dǎo)體2C間隔開(kāi)的塊底部表面上。開(kāi)口表面電極12E各自與內(nèi)導(dǎo)體2B和端接電極12D相連,并且形成于塊前表面上。襯底13包括襯底本體3A、接地電極3B、諧振器連接電極3C以及信號(hào)傳輸路徑13D和13E。信號(hào)傳輸路徑13D和13E形成于襯底本體3A的上表面上，使得它們的遠(yuǎn)端部分之間具有間隔，并且它們與諧振器連接電極3C間隔開(kāi)。將電容元件17設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑13D和諧振器連接電極3C之一之間，并且將電容元件18設(shè)置在信號(hào)傳輸路徑13E和另一個(gè)之諧振器連接電極3C之間。因?yàn)殡娙萜鰿el和Ce2由根據(jù)該實(shí)施例的BEF 11中的芯片電容元件形成，通過(guò)在電感元件4、5、6的情況下代替電容元件等，可以改變電容器Cel和Ce2的電容值。本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例，并且可以對(duì)其進(jìn)行各種改變。例如，可以使用兩級(jí)(或多級(jí))串聯(lián)諧振電路。 盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解的是在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種變化和修改對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是清楚明白的。因此，本發(fā)明的范圍只由所附權(quán)利要求確定。
權(quán)利要求
1.一種帶阻濾波器，包括 同軸電介質(zhì)諧振器塊，所述同軸電介質(zhì)諧振器塊包括塊本體，所述塊本體形成為主要由電介質(zhì)構(gòu)成的實(shí)質(zhì)上矩形平行六面體的形狀，并且具有從塊前表面延伸至塊后表面的第一和第二通孔；第一和第二內(nèi)導(dǎo)體，所述第一和第二內(nèi)導(dǎo)體各自形成于第一和第二通孔的內(nèi)表面上；以及外導(dǎo)體，形成于除了至少所述塊前表面之外的塊外表面上； 襯底,所述襯底包括具有上表面的襯底本體,在所述襯底本體的上表面上安裝同軸電介質(zhì)諧振器塊；接地電極，形成于所述襯底本體的上表面上并且與外導(dǎo)體相連；第一信號(hào)傳輸路徑，形成于所述襯底本體的上表面上并且經(jīng)由第一串聯(lián)諧振電容器與第一內(nèi)導(dǎo)體相連；以及第二信號(hào)傳輸路徑，形成于所述襯底本體的上表面上并且經(jīng)由第二串聯(lián)諧振電容器與第二內(nèi)導(dǎo)體相連； 第一電感元件，設(shè)置在第一信號(hào)傳輸路徑和第二信號(hào)傳輸路徑之間； 第二電感元件，設(shè)置在第一信號(hào)傳輸路徑和接地電極之間；以及 第三電感元件，設(shè)置在第二信號(hào)傳輸路徑和接地電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶阻濾波器，還包括 第一電容元件，設(shè)置在第一內(nèi)導(dǎo)體和第一信號(hào)傳輸路徑之間，作為第一串聯(lián)諧振電容器；以及 第二電容元件，設(shè)置在第二內(nèi)導(dǎo)體和第二信號(hào)傳輸路徑之間，作為第二串聯(lián)諧振電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶阻濾波器， 其中所述同軸電介質(zhì)諧振器塊還包括第一和第二端接電極，所述第一和第二端接電極與外導(dǎo)體間隔開(kāi)，分別面對(duì)第一和第二內(nèi)導(dǎo)體的開(kāi)口端附近，并且至少部分地形成于所述塊前表面上；以及 所述第一串聯(lián)諧振電容器形成于第一端接電極和第一內(nèi)導(dǎo)體之間，以及所述第二串聯(lián)諧振電容器形成于第二端接電極和第二內(nèi)導(dǎo)體之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的帶阻濾波器，其中所述第一和第二信號(hào)傳輸路徑是在單層襯底的上表面上形成的共面波導(dǎo)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的帶阻濾波器，其中所述第一至第三電感元件是芯片電感器和印刷電感器中的至少一個(gè)。
全文摘要
一種帶阻濾波器(BEF)，包括同軸電介質(zhì)諧振器塊、襯底以及第一、第二和第三電感元件。同軸電介質(zhì)諧振器塊包括內(nèi)導(dǎo)體和外導(dǎo)體，并且形成共軸電介質(zhì)諧振器。第一電感元件設(shè)置在經(jīng)由串聯(lián)諧振電容器與同軸電介質(zhì)諧振器之一相連的信號(hào)傳輸路徑和經(jīng)由串聯(lián)諧振電容器與另一個(gè)同軸電介質(zhì)諧振器相連的信號(hào)傳輸路徑之間。第二電感元件設(shè)置在第一電感元件的一端和地之間，以及第三電感元件設(shè)置在第一電感元件的另一端和地之間。
文檔編號(hào)H01P1/203GK102637925SQ201210027080
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月14日
發(fā)明者岡田貴浩, 塚本秀樹(shù), 多田齊 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所