專利名稱：封裝堆棧裝置及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝堆棧裝置及其制法，尤其涉及一種得提升堆棧良率的封裝堆棧裝置及其制法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的演進(jìn),半導(dǎo)體裝置(Semiconductor device)已開發(fā)出不同的封裝型態(tài)，而為提升電性功能及節(jié)省封裝空間，遂堆加多個封裝結(jié)構(gòu)以形成封裝堆棧裝置(Package on Package, POP),此種封裝方式能發(fā)揮系統(tǒng)封裝(SiP)異質(zhì)整合特性,可將不同功用的電子組件，例如內(nèi)存、中央處理器、繪圖處理器、影像應(yīng)用處理器等，借由堆棧設(shè)計達(dá)到系統(tǒng)的整合，適合應(yīng)用于輕薄型各種電子產(chǎn)品。請參閱圖1，其為現(xiàn)有封裝堆棧裝置的剖面示意圖。如圖I所示，現(xiàn)有封裝堆棧裝置是將第二封裝結(jié)構(gòu)Ib疊設(shè)于第一封裝結(jié)構(gòu)Ia上。該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia包含具有相對的第一及第二表面11a，Ilb的第一基板11、及設(shè)于該第一表面Ila上且電性連接該第一基板11的第一電子組件10。該第二封裝結(jié)構(gòu)Ib包含具有相對的第三及第四表面12a，12b的第二基板12、及設(shè)于該第三表面12a上且電性連接該第二基板12的第二電子組件15。此外,通過于該第一基板11的第一表面Ila上形成焊錫球110，以令該第二基板12的第四表面12b借由該焊錫球110疊設(shè)且電性連接于該第一基板11上。又，該第一基板11的第二表面Ilb上具有植球墊112以供結(jié)合焊球14，且該第一及第二電子組件10，15為主動組件及/或被動組件，并以覆晶方式電性連接基板，且借由底膠13充填于第一及第二電子組件10，15與第一基板11及第二基板12間，以形成覆晶接合。然而，現(xiàn)有裝置中，是借由焊接工藝以堆棧該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia與第二封裝結(jié)構(gòu)lb，導(dǎo)致于回焊過程中，該焊錫球110的焊錫材料容易污染該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia與第二封裝結(jié)構(gòu)Ib的表面，且該焊錫球110的尺寸變異不易控制，所以容易造成該兩封裝結(jié)構(gòu)之間呈傾斜接置，甚致于產(chǎn)生接點(diǎn)偏移的問題。此外，當(dāng)堆棧的高度需增加時，該焊錫球110的直徑需增加，導(dǎo)致該焊錫球110所占用的基板表面(第一表面Ila及第四表面12b)的面積增加，因而使基板表面上的布線與電子組件布設(shè)的空間受到壓縮。又，該焊錫球110的體積增加，容易產(chǎn)生橋接(bridge)現(xiàn)象，將影響產(chǎn)品的良率。另外，該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia與第二封裝結(jié)構(gòu)Ib之間僅借由該焊錫球110作支撐，將因該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia與第二封裝結(jié)構(gòu)Ib之間的空隙過多，導(dǎo)致該第一與第二基板11，12容易發(fā)生翅曲(warpage)。因此，如何克服現(xiàn)有技術(shù)中的種種問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種封裝堆棧裝置及其制法，以避免基板發(fā)生翹曲。本發(fā)明所提供的封裝堆棧裝置包括第一封裝結(jié)構(gòu)，其包含第一基板，其具有相對的第一表面及第二表面，且該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱；及第一電子組件，其設(shè)于該第一基板的第一表面上，且電性連接該第一基板；第二封裝結(jié)構(gòu)，其包含第二基板，其具有相對的第三表面及第四表面，且該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度；及第二電子組件，其設(shè)于該第二基板的第三表面上，且電性連接該第二基板；以及封裝膠體，其設(shè)于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間，并包覆該第一電子組件。本發(fā)明還提供一種封裝堆棧裝置的制法，其包括提供具有相對的第一表面及第二表面的第一基板，該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱，且提供具有相對的第三表面及第四表面的第二基板，該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度；于該第一基板的第一表面上設(shè)置第一電子組 件，且該第一電子組件電性連接該第一基板，以形成第一封裝結(jié)構(gòu)，又于該第二基板的第三表面上設(shè)置第二電子組件，且該第二電子組件電性連接該第二基板，以形成第二封裝結(jié)構(gòu)；將該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上；以及于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間形成封裝膠體，并包覆該第一電子組件。本發(fā)明又提供一種封裝堆棧裝置，其包括第一封裝結(jié)構(gòu)，其包含第一基板，其具有相對的第一表面及第二表面，且該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱；及第一電子組件，其以覆晶方式設(shè)于該第一基板的第一表面上，且電性連接該第一基板；底膠，其形成于該第一電子組件與該第一基板的第一表面之間；第二封裝結(jié)構(gòu)，其包含第二基板，其具有相對的第三表面及第四表面，且該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度；及第二電子組件，其設(shè)于該第二基板的第三表面上，且電性連接該第二基板；以及封裝膠體，其設(shè)于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間，并包覆該第一電子組件與底膠。依前述裝置，該第一基板上設(shè)有金屬凸塊，以接置該第一電子組件，且該金屬凸塊可為銅凸塊。又該金屬凸塊上設(shè)有焊錫材料，使該底膠還包覆該焊錫材料。前述的裝置及其制法中，該第一及第二金屬柱可為銅柱，且以電鍍形成的，而于其它實(shí)施例中，也可為其它材質(zhì)或成型方式，并不限于上述。前述的裝置及其制法中，該第一金屬柱的端面寬度可大于、等于或小于該第二金屬柱的端面寬度，并無特別限制。前述的裝置及其制法中，于該第一金屬柱上可形成焊錫材料，以利于結(jié)合該第二金屬柱。前述的裝置及其制法中，該第一基板的第二表面上可具有植球墊，以供結(jié)合焊球。前述的裝置及其制法中，可依需求，使該第一電子組件為主動組件及/或被動組件，并無特別限制。另外，該第一電子組件可以打線方式或覆晶方式電性連接該第一基板。由上可知，本發(fā)明封裝堆棧裝置及其制法，借由該第一與第二金屬柱的對接，以利于堆棧作業(yè)；且借由金屬柱電性連接兩封裝結(jié)構(gòu)，所以該金屬材不僅不會污染基板表面，且借由該金屬柱的尺寸變異易于控制，使其可克服堆棧結(jié)構(gòu)間傾斜接置及接點(diǎn)偏移的問題。此外，當(dāng)該金屬柱的高度任意調(diào)整時，并不會增加其直徑，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的金屬柱所占用的基板表面的面積不會增加，因此不會壓縮基板表面上的布線空間、及電子組件的布設(shè)空間。又，該金屬柱是以電鍍形成的，所以其高度增加時，并不會產(chǎn)生橋接現(xiàn)象，以提升廣品的良率。另外，兩封裝結(jié)構(gòu)之間不僅借由該金屬柱作支撐，且借由該封裝膠體填滿兩基板之間的空隙，所以可避免基板發(fā)生翹曲。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖I為現(xiàn)有封裝堆棧裝置的剖視示意圖；圖2A至圖2G為本發(fā)明封裝堆棧裝置的制法的第一實(shí)施例的剖視示意圖；其中，圖2G’及圖2G”為圖2G的其它實(shí)施例；圖3、圖3’及圖3”為本發(fā)明封裝堆棧裝置的第一實(shí)施例的其它實(shí)施例的剖視示意圖；圖4為本發(fā)明封裝堆棧裝置的第一實(shí)施例的其它實(shí)施例的剖視示意圖；以及圖5A至圖5C為本發(fā)明封裝堆棧裝置的制法的第二實(shí)施例的剖視示意圖。主要組件符號說明la, 2a 第一封裝結(jié)構(gòu)lb, 2b第二封裝結(jié)構(gòu)10，20，20’ 第一電子組件11，21第一基板I la, 21a 第一表面lib,21b 第二表面110焊錫球112,212 植球墊12，22 第二基板12a, 22a 第三表面12b, 22b 第四表面13，250b，550 底膠14，24 焊球15，25a，25a’，25b 第二電子組件200,250 電極墊200a, 250a 焊錫凸塊210，210’，210”，310，310’，310”，410 第一金屬柱210a, 210b, 210c, 310a, 310b, 310c端面211焊錫材料
211a，221a 焊墊211b，221b電性接觸墊213,223絕緣保護(hù)層213a，223a 開孔220，220’，220”，320，320’，320”，420 第二金屬柱220a, 220b, 220c, 320a, 320b, 320c端面23封裝膠體540 金屬凸塊d, d，，d”，r, r，，r” 寬度h，h，，h”，t，t，，t” 長度
具體實(shí)施例方式以下借由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技藝的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。請參閱圖2A至圖2G，其為本發(fā)明封裝堆棧裝置的制法的第一實(shí)施例的剖視示意圖。如圖2A所示，首先，提供一具有相對的第一表面21a及第二表面21b的第一基板21，該第一基板21的第一表面21a上具有多個焊墊21 Ia與電性接觸墊211b，且該第一基板21的第二表面21b上具有多個植球墊212。于本實(shí)施例中，該第一基板21的第一及第二表面21a，21b上具有例如防焊層的絕緣保護(hù)層213，且該絕緣保護(hù)層213形成有多個開孔213a，以借由該些開孔213a外露該些焊墊211a、電性接觸墊211b及植球墊212。如圖2B所不,于該電性接觸墊211b的外露表面上電鍍形成第一金屬柱210,且于該焊墊211a的外露表面上借由焊錫凸塊200a設(shè)置第一電子組件20，即該第一電子組件20的電極墊200以覆晶方式電性連接該第一基板21，以形成第一封裝結(jié)構(gòu)2a。于本實(shí)施例中，該第一金屬柱210為銅柱，該銅柱上可形成焊錫材料211，以利于后續(xù)的堆棧工藝，而該第一電子組件20為主動組件或被動組件，并可使用多個第一電子組件20，且可選自主動組件、被動組件或其組合，該主動組件為例如芯片，而該被動組件為例如電阻、電容及電感。如圖2C所不,提供一具有相對的第三表面22a及第四表面22b的第二基板22,該第二基板22的第三表面22a上具有多個焊墊221a，且該第二基板22的第四表面22b上具有多個電性接觸墊221b，又該第二基板22的第三及第四表面22a，22b上具有例如防焊層的絕緣保護(hù)層223，且該絕緣保護(hù)層223形成有多個開孔223a，以借由該些開孔223a外露該些焊墊221a及電性接觸墊221b。
如圖2D所示，于該第二基板22的電性接觸墊221b的外露表面上電鍍形成例如銅柱的第二金屬柱220,且該第二金屬柱220的長度h小于該第一金屬柱210的長度t或第一金屬柱210與焊錫材料211長度總和。又于該第二基板22的焊墊221a的外露表面上借由焊錫凸塊250a設(shè)置多個第二電子組件25a，25b，以形成第二封裝結(jié)構(gòu)2b。該些第二電子組件25a，25b的電極墊250以覆晶方式電性連接該第二基板22。
于本實(shí)施例中，右側(cè)的第二電子組件25a可為例如芯片的主動組件，因而需形成底膠250b于第二電子組件25a與第二基板22的第三表面22a之間；另外，左側(cè)的第二電子組件25b可為例如電阻、電容及電感等的被動組件。如圖2E所示，將該第二金屬柱220連接該第一金屬柱210 (或其上的焊錫材料211)，使該第二封裝結(jié)構(gòu)2b疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)2a上。于本實(shí)施例中，該第一金屬柱210的端面210a(是指兩金屬柱相接合的表面)寬度d (也可表示最大直徑)大于該第二金屬柱220的端面220a寬度r，以借由端面寬度的不同而利于對位，可減少接點(diǎn)偏移的問題。此外，當(dāng)該第一及第二金屬柱210，220的高度增加時，并不會增加該第一及第二金屬柱210，220的直徑，不僅可達(dá)到薄化的目的，且可于預(yù)定區(qū)域內(nèi)，形成更多可供形成接 點(diǎn)的第一及第二金屬柱210,220,以利于該第一封裝結(jié)構(gòu)2a與該第二封裝結(jié)構(gòu)2b對接。如圖2F所示，于該第一基板21的第一表面21a(即其上的絕緣保護(hù)層213)及第二基板22的第四表面22b (即其上的絕緣保護(hù)層223)之間形成封裝膠體23，并包覆該第一電子組件20。如圖2G所示，于該第一基板21的植球墊212的外露表面上結(jié)合焊球24。如圖2G’所示，該第一金屬柱210’的端面210b寬度d’ (如直徑)可等于該第二金屬柱220’的端面220b寬度r’(如直徑)，雖然該第一與第二金屬柱210’，220’的端面210b, 220b寬度d’，r’相同，但該金屬柱的尺寸變異容易控制，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，使用金屬柱作堆棧仍較利于該堆棧結(jié)構(gòu)間垂直接置，且可減少接點(diǎn)偏移的問題。或者，如圖2G”所示，該第一金屬柱210”的端面210c寬度d”可小于該第二金屬柱220”的端面220c寬度r”。請參閱圖3、圖3’及圖3”，于第一實(shí)施例的其它實(shí)施例中，該第二金屬柱320的長度h’大于該第一金屬柱310的長度t’，且該第一金屬柱310的端面310a寬度d(如直徑)可大于該第二金屬柱320的端面320a寬度r (如直徑)，并于該第二基板22上僅設(shè)置如主動組件的第二電子組件25a。又，該第一金屬柱310’的端面310b寬度d’可等于該第二金屬柱320’的端面320b寬度r’ ；或者，該第一金屬柱310”的端面310c寬度d”可小于該第二金屬柱320”的端面320c 寬度 r”。請參閱圖4，于第一實(shí)施例的其它實(shí)施例中，該第二金屬柱420的長度h”等于該第一金屬柱410的長度t ”，且該第一電子組件20’與第二電子組件25a’是以打線方式電性連接該第一與第二基板21，22。本發(fā)明是借由電鍍方式形成該第一及第二金屬柱210，220，以堆棧且電性連接該第一及第二封裝結(jié)構(gòu)2a，2b，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)的回焊方式，本發(fā)明的金屬柱材料不會污染該第一及第二封裝結(jié)構(gòu)2a, 2b的表面。此外，當(dāng)該第一金屬柱210，310，410及第二金屬柱220，320，420的高度任意調(diào)整時，如圖2G、圖3及圖4，并不會改變該第一及第二金屬柱210，310，410，220，320，420的預(yù)設(shè)直徑(寬度d, r),所以相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的第一及第二金屬柱210,310,410,220,320，420所占用的基板表面(第一表面21a及第四表面22b)的面積不會任意增加，因此不會壓縮基板表面上的布線空間、及電子組件的布設(shè)空間，相對而言，若具有相同布線數(shù)量的需求時，本發(fā)明 的封裝堆棧裝置的體積可較現(xiàn)有技術(shù)縮小許多。又，該第一及第二金屬柱210，220是以電鍍形成的，所以當(dāng)該第一及第二金屬柱210，220的高度增加時，并不會產(chǎn)生橋接(bridge)現(xiàn)象，以提升產(chǎn)品的良率。另外，該第一與第二封裝結(jié)構(gòu)2a，2b之間不僅借由該第一及第二金屬柱210，220作支撐，且借由例如封模方式(molding)使該封裝膠體23填滿該第一與第二基板21，22之間的空隙，所以可避免該第一與第二基板21，22發(fā)生翹曲(warpage)。本發(fā)明還提供一種封裝堆棧裝置，其包括第一封裝結(jié)構(gòu)2a、第二封裝結(jié)構(gòu)2b、以及設(shè)于該第一及第二封裝結(jié)構(gòu)2a，2b之間的封裝膠體23。所述的第一封裝結(jié)構(gòu)2a包含具有相對的第一及第二表面21a，21b的第一基板
21、及設(shè)于該第一表面21a上且電性連接該第一基板21的第一電子組件20,20’。該第一基板21的第一表面21a上具有第一金屬柱210，310，310’，310”，410，且該第一基板21的第二表面21b上具有植球墊212以供結(jié)合焊球24，而該第一金屬柱210，310，310’，310”，410為電鍍形成的銅柱。該第一電子組件20，20’為主動組件及/或被動組件，且該第一電子組件20，20’以打線方式或覆晶方式電性連接該第一基板21。所述的第二封裝結(jié)構(gòu)2b包含具有相對的第三及第四表面22a，22b的第二基板
22、及設(shè)于該第三表面22a上且電性連接該第二基板22的第二電子組件25a，25b，25a’。該第二基板22的第四表面22b上具有第二金屬柱220，320，320’，320”，420，且該第二金屬柱220，320，320’，320”，420 連接該第一金屬柱 210，310，310’，310”，410，以令該第二封裝結(jié)構(gòu)2b疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)2a上，而該第二金屬柱220，320，320’，320”，420為電鍍形成的銅柱。又該第二金屬柱220，320，320’，320”，420的長度h，h’，h”小于、大于或等于該第一金屬柱 210，310，310’，310”，410 的長度 t，t，，t”。所述的封裝膠體23設(shè)于該第一基板21的第一表面21a與第二基板22的第四表面22b之間，并包覆該第一電子組件20，20’。此外，該第一金屬柱210，310，310’，310”，410 與該第二金屬柱 220，320，320’，320”，420之間具有焊錫材料211。又，該第一金屬柱210，310，310，，310” 的端面 210a, 210b, 210c, 310a, 310b, 310c寬度d，d，，d”大于、等于或小于該第二金屬柱220，320，320，，320”的端面220a, 220b, 220c，320a, 320b, 320c 寬度 r, r，，r”。請參閱圖5A至圖5C，其為本發(fā)明封裝堆棧裝置的制法的第二實(shí)施例的剖視示意圖。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于第一電子組件20的覆晶方式，其它工藝均相同，所以不再贅述。如圖5A所示，其于圖2A的第一基板21的焊墊211a上形成金屬凸塊540。如圖5B所不,于該電性接觸墊211b的外露表面上電鍍形成第一金屬柱310,且于該金屬凸塊540的外露表面上形成焊錫凸塊200a以設(shè)置第一電子組件20，再形成底膠550于第一電子組件20與第一基板21的第一表面21a之間。于本實(shí)施例中，該金屬凸塊540為銅凸塊。如圖5C所示，其為依序完成如圖2C至圖2G所示的堆棧、封裝、植球等工藝。本發(fā)明還提供一種封裝堆棧裝置，其包括第一封裝結(jié)構(gòu)2a、第二封裝結(jié)構(gòu)2b、以及設(shè)于該第一及第二封裝結(jié)構(gòu)2a，2b之間的封裝膠體23。所述的第一封裝結(jié)構(gòu)2a包含具有相對的第一及第二表面21a，21b的第一基板
21、以覆晶方式設(shè)于該第一表面21a上且電性連接該第一基板21的第一電子組件20、及形成于該第一電子組件20與該第一基板21的第一表面21a之間的底膠550。該第一基板21的第一表面21a上具有第一金屬柱310,且該第一基板21的第二表面21b上具有植球墊212以供結(jié)合焊球24，而該第一金 屬柱310為電鍍形成的銅柱。該第一電子組件20為主動組件及/或被動組件。所述的第二封裝結(jié)構(gòu)2b包含具有相對的第三及第四表面22a，22b的第二基板
22、及設(shè)于該第三表面22a上且電性連接該第二基板22的第二電子組件25a。該第二基板22的第四表面22b上具有第二金屬柱320，且該第二金屬柱320連接該第一金屬柱310，以令該第二封裝結(jié)構(gòu)2b疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)2a上，而該第二金屬柱320為電鍍形成的銅柱。又該第二金屬柱320的長度h’可大于該第一金屬柱310的長度t’ ；或者,該第二金屬柱320的長度可等于或小于該第一金屬柱310的長度。所述的封裝膠體23設(shè)于該第一基板21的第一表面21a與第二基板22的第四表面22b之間，并包覆該第一電子組件20與底膠550。此外,該第一基板21的第一表面21a上設(shè)有金屬凸塊540,以接置該第一電子組件20。該金屬凸塊540可為銅凸塊，且該金屬凸塊540上設(shè)有焊錫材料(如焊錫凸塊200a)，該底膠550包覆該焊錫材料。又，該第一金屬柱310與該第二金屬柱320之間具有焊錫材料211。綜上所述，本發(fā)明封裝堆棧裝置及其制法，借由該第一與第二金屬柱的對接，以利于堆棧作業(yè)；且借由電鍍方式形成該金屬柱以堆棧且電性連接兩封裝結(jié)構(gòu)，所以金屬材不僅不會污染該封裝結(jié)構(gòu)的表面，且因尺寸變異容易控制，所以容易使該兩封裝結(jié)構(gòu)之間呈垂直接置，并有利于固定接點(diǎn)。此外，當(dāng)該金屬柱的高度任意調(diào)整時，并不會增加其直徑，所以該金屬柱所占用的基板表面的面積不會增加，因此不會壓縮線路及電子組件的布設(shè)空間。又，當(dāng)該金屬柱的高度增加時，并不會產(chǎn)生橋接現(xiàn)象，以提升產(chǎn)品的良率。另外，該封裝結(jié)構(gòu)之間不僅借由該金屬柱作支撐，且借由該封裝膠體填滿該第一與第二封裝結(jié)構(gòu)之間的空隙，有效避免該基板發(fā)生翹曲。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種封裝堆棧裝置，其特征在于，包括 第一封裝結(jié)構(gòu)，其包含 第一基板，其具有相對的第一表面及第二表面，且該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱；及 第一電子組件，其設(shè)于該第一基板的第一表面上，且電性連接該第一基板； 第二封裝結(jié)構(gòu)，其包含 第二基板，其具有相對的第三表面及第四表面，且該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度；及 第二電子組件，其設(shè)于該第二基板的第三表面上，且電性連接該第二基板；以及 封裝膠體，其設(shè)于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間，并包覆該第一電子組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一金屬柱為銅柱。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第二金屬柱為銅柱。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一金屬柱的端面寬度大于、等于或小于該第二金屬柱的端面寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一金屬柱與該第二金屬柱之間具有焊錫材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一基板的第二表面上具有植球墊，以供結(jié)合焊球。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一電子組件為主動組件及/或被動組件。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一電子組件以打線方式或覆晶方式電性連接該第一基板。
9.一種封裝堆棧裝置的制法，其特征在于，包括 提供一具有相對的第一表面及第二表面的第一基板，該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱，并于該第一基板的第一表面上設(shè)置電性連接該第一基板的第一電子組件，以形成第一封裝結(jié)構(gòu)，且提供一具有相對的第三表面及第四表面的第二基板，該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度，并于該第二基板的第三表面上設(shè)置電性連接該第二基板的第二電子組件，以形成第二封裝結(jié)構(gòu)； 將該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上；以及 于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間形成封裝膠體，并包覆該第一電子組件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝堆棧裝置的制法，其特征在于，是于該第一金屬柱上形成焊錫材料，以結(jié)合該第二金屬柱。
11.一種封裝堆棧裝置，其特征在于，包括 第一封裝結(jié)構(gòu)，其包含第一基板，其具有相對的第一表面及第二表面，且該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱；及 第一電子組件，其以覆晶方式設(shè)于該第一基板的第一表面上，且電性連接該第一基板； 底膠，其形成于該第一電子組件與該第一基板的第一表面之間； 第二封裝結(jié)構(gòu)，其包含 第二基板，其具有相對的第三表面及第四表面，且該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度；及 第二電子組件，其設(shè)于該第二基板的第三表面上，且電性連接該第二基板；以及封裝膠體，其設(shè)于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間，并包覆該第一電子組件與底膠。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一基板上設(shè)有金屬凸塊，以接置該第一電子組件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該金屬凸塊為銅凸塊。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該金屬凸塊上設(shè)有焊錫材料，該底膠包覆該焊錫材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一金屬柱為銅柱。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第二金屬柱為銅柱。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一金屬柱的端面寬度大于、等于或小于該第二金屬柱的端面寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一金屬柱與該第二金屬柱之間具有焊錫材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一基板的第二表面上具有植球墊，以供結(jié)合焊球。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝堆棧裝置，其特征在于，該第一電子組件為主動組件及/或被動組件。
全文摘要
一種封裝堆棧裝置及其制法，該封裝堆棧裝置包括表面具有第一金屬柱與第一電子組件的第一封裝結(jié)構(gòu)、表面具有第二金屬柱與第二電子組件的第二封裝結(jié)構(gòu)、及設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)與第二封裝結(jié)構(gòu)之間并包覆該第一電子組件的封裝膠體；借由該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上，以兩封裝結(jié)構(gòu)之間不僅借由該金屬柱作支撐，且借由該封裝膠體填滿兩封裝結(jié)構(gòu)之間的空隙，因而可避免該基板發(fā)生翹曲。
文檔編號H01L21/60GK102637678SQ20121000830
公開日2012年8月15日 申請日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月15日
發(fā)明者胡迪群 申請人:欣興電子股份有限公司