專利名稱：一種柔性低壓壓敏電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種柔性可彎曲的低壓壓敏電阻。
背景技術(shù)：
隨著電子器件向便攜化、平板化發(fā)展，可彎曲、可折疊的電子設(shè)備越來(lái)越收到科技人員的重視，柔性電子器件已成為近年來(lái)的研究開(kāi)發(fā)熱點(diǎn)。柔性電子器件例如柔性顯示器、 柔性三極管甚至柔性的手機(jī)等已有報(bào)道，眾多的儀器設(shè)備例如心臟起搏器、醫(yī)療設(shè)備、視頻攝像機(jī)、助聽(tīng)器、打印機(jī)、掃描儀等均需要柔性可彎曲的電子保護(hù)元件。然而，迄今為止還沒(méi)有人提出柔性可彎曲的電子保護(hù)元器件。作為一種保護(hù)元件，壓敏電阻已經(jīng)廣泛的應(yīng)用與各種保護(hù)電路中，然而普通的壓敏電阻體積大且不可彎曲，不能應(yīng)用于柔性可彎曲的設(shè)備中。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種柔性可彎曲的低壓壓敏電阻。本實(shí)用新型的柔性低壓壓敏電阻為層狀結(jié)構(gòu)，依次包括柔性基板、下電極薄膜、 ZnO薄膜和上電極薄膜，下電極薄膜完全覆蓋柔性基板、ZnO薄膜部分覆蓋下電極薄膜、上電極薄膜覆蓋在ZnO薄膜上；上電極薄膜表面連接有上電極引線，下電極薄膜表面連接有下電極引線；所述的柔性基板為PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)薄膜，所述的上電極薄膜和下電極薄膜為15 50nm厚的Pt (鉬)薄膜，所述的上電極引線和下電極引線為金絲或鋁絲，所述的SiO (氧化鋅)薄膜的厚度為10 lOOnm。本實(shí)用新型的柔性低壓壓敏電阻具有獨(dú)特的柔性、延展性，能夠彎曲，可以在信息、能源、醫(yī)療、國(guó)防等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景，如柔性電子顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管0LED、 印刷RFID、薄膜太陽(yáng)能電池板等。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如附圖1所示，一種層狀結(jié)構(gòu)的柔性低壓壓敏電阻，依次包括柔性基板1、下電極薄膜2、ZnO薄膜3和上電極薄膜4，下電極薄膜2完全覆蓋柔性基板1、ZnO薄膜3部分覆蓋下電極薄膜2 ；上電極薄膜4表面連接有上電極引線5，下電極薄膜2表面連接有下電極引線6。其中柔性基板1采用PET薄膜，上電極薄膜4和下電極薄膜2采用15 50nm厚的Pt薄膜，上電極引線5和下電極引線6采用金絲或鋁絲，ZnO薄膜的厚度為10 lOOnm。[0010]該柔性低壓壓敏電阻的制作方法如下步驟(1)選取柔性的PET薄膜作為柔性基板，在柔性基板一側(cè)表面利用磁控濺射法沉積一層15 50nm的Pt薄膜，作為下電極薄膜；下電極薄膜完全覆蓋PET薄膜的一側(cè)表面；步驟( 通過(guò)掩模技術(shù)遮擋部分作為下電極薄膜的Pt薄膜，在暴露的作為下電極薄膜的Pt薄膜上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射沉積一層10 IOOnm的ZnO薄膜；將下電極引線壓焊在未沉積ZnO薄膜的作為下電極薄膜的Pt薄膜部分的表面；步驟(3)在ZnO薄膜上利用磁控濺射法沉積一層15 50nm的Pt薄膜，作為上電極薄膜，將上電極引線壓焊在作為上電極薄膜的Pt薄膜的表面。
權(quán)利要求1.一種柔性低壓壓敏電阻，其特征在于該柔性低壓壓敏電阻為層狀結(jié)構(gòu)，依次包括柔性基板、下電極薄膜、ZnO薄膜和上電極薄膜，下電極薄膜完全覆蓋柔性基板、ZnO薄膜部分覆蓋下電極薄膜、上電極薄膜覆蓋在ZnO薄膜上；上電極薄膜表面連接有上電極引線，下電極薄膜表面連接有下電極引線。
2.如權(quán)利要求1所述的一種柔性低壓壓敏電阻，其特征在于所述的柔性基板為PET 薄膜，所述的上電極薄膜和下電極薄膜為Pt薄膜，所述的上電極引線和下電極引線為金絲或鋁絲。
3.如權(quán)利要求1所述的一種柔性低壓壓敏電阻，其特征在于所述的上電極薄膜的厚度為15 50nm，所述的下電極薄膜的厚度為15 50nm，所述的ZnO薄膜的厚度為10 IOOnm0
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種柔性低壓壓敏電阻?，F(xiàn)有壓敏電阻體積大且不可彎曲，不能應(yīng)用于柔性可彎曲的設(shè)備中。本實(shí)用新型的柔性低壓壓敏電阻為層狀結(jié)構(gòu)，依次包括柔性基板、下電極薄膜、ZnO薄膜和上電極薄膜，下電極薄膜完全覆蓋柔性基板、ZnO薄膜部分覆蓋下電極薄膜、上電極薄膜覆蓋在ZnO薄膜上，上、下電極薄膜表面分別連接有上、下電極引線；所述的柔性基板為PET薄膜，所述的上電極薄膜和下電極薄膜為15～50nm厚的Pt薄膜，ZnO薄膜的厚度為10～100nm。本實(shí)用新型的柔性低壓壓敏電阻具有獨(dú)特的柔性、延展性，能夠彎曲。
文檔編號(hào)H01C7/10GK202110901SQ20112019497
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月10日
發(fā)明者季振國(guó), 席俊華, 杜歡 申請(qǐng)人:杭州電子科技大學(xué)