專利名稱：高壓大功率驅(qū)動(dòng)器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體混合集成電路器件，尤其是涉及一種高壓大功率驅(qū)動(dòng)器模塊。
背景技術(shù)：
大部分高壓大功率驅(qū)動(dòng)器是通過(guò)多個(gè)半導(dǎo)體元器件組合使用來(lái)實(shí)現(xiàn)電路功能，雖然可以實(shí)現(xiàn)高壓大功率應(yīng)用，但是占用空間大，重量重，組裝繁瑣。尤其是在空間要求小，重量要求輕，可靠性要求高的條件下，用多個(gè)半導(dǎo)體分立器件實(shí)現(xiàn)大功率驅(qū)動(dòng)電路具有一定困難。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，重量輕，組裝方便，可實(shí)現(xiàn)高壓大功率推挽輸出功能的高壓大功率驅(qū)動(dòng)器模塊。本實(shí)用新型涉及的高壓大功率驅(qū)動(dòng)器模塊，包括管殼，鉬片及可伐片，功率三極管芯片、功率MOSFET芯片和片式電阻，其特殊之處是在管殼底座上通過(guò)高溫合金焊料焊接有金屬化陶瓷基板，所述的鉬片、可伐片與金屬化陶瓷基板通過(guò)高溫合金焊料進(jìn)行焊接，所述的功率三極管、功率MOSFET芯片和片式電阻通過(guò)真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個(gè)元器件之間采用硅鋁絲互連構(gòu)成推挽輸出電路，在管殼上設(shè)有外引線，在管殼內(nèi)填充有氮?dú)?。本?shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，耐壓高，承受電流大布局合理，特別是將功率三極管、功率MOSFET和片式電阻通過(guò)真空燒結(jié)工藝進(jìn)行焊接，實(shí)現(xiàn)低的孔洞率， 降低了芯片到管殼的熱阻，散熱性好，在管殼內(nèi)填充有氮?dú)獠⒉捎脷饷苄苑庋b，大大提高了高壓大功率逆變器模塊的可靠性，可適用于-45 125°C的工作環(huán)境。通過(guò)將功率三極管、 功率MOSFET芯片和片式電阻集成在一個(gè)管殼內(nèi)，進(jìn)行模塊化封裝，功率器件芯片之間在達(dá)到散熱要求條件下實(shí)現(xiàn)了小的間距，同時(shí)電路的連接采用硅鋁絲，減小了管殼體積。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖；圖3是本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)圖；圖中管殼1、功率三極管芯片2、硅鋁絲3、金屬化陶瓷基板4、鉬片5、鉛錫銀合金焊料6、可伐片7、高溫合金焊料8、片式電阻9、功率MOSFET芯片10。
具體實(shí)施方式
如圖所示，本實(shí)用新型包括由底座和蓋板構(gòu)成的管殼1、功率三極管芯片2、硅鋁絲3、金屬化陶瓷基板4、鉬片5、鉛錫銀合金焊料6、可伐片7、高溫合金焊料8、片式電阻9、 功率MOSFET芯片10。管殼底1和金屬化陶瓷基板.4通過(guò)高溫合金焊料8進(jìn)行焊接，鉬片5、可伐片7與金屬化陶瓷基板4通過(guò)高溫合金焊料8進(jìn)行焊接，所述的功率三極管芯片2、 功率MOSFET芯片10和片式電阻9通過(guò)鉛錫銀合金焊料6真空燒結(jié)焊接在鉬片5上，各個(gè)功率三極管芯片、功率MOSFET芯片和片式電阻9之間采用硅鋁絲3互連構(gòu)成，通過(guò)硅鋁絲 3互連構(gòu)成推挽輸出電路，在管殼1內(nèi)填充氮?dú)?，在氮?dú)夥諊胁捎闷叫蟹夂腹に囘M(jìn)行氣密性封裝。
權(quán)利要求1. 一種高壓大功率驅(qū)動(dòng)器模塊，包括管殼，鉬片及可伐片，功率三極管芯片、功率 MOSFET芯片和片式電阻，其特征是在管殼底座上通過(guò)高溫合金焊料焊接有金屬化陶瓷基板，所述的鉬片、可伐片與金屬化陶瓷基板通過(guò)高溫合金焊料進(jìn)行焊接，所述的功率三極管、功率MOSFET芯片和片式電阻通過(guò)真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個(gè)元器件之間采用硅鋁絲互連構(gòu)成推挽輸出電路，在管殼上設(shè)有外引線，在管殼內(nèi)填充有氮?dú)狻?br> 專利摘要一種結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，重量輕，組裝方便，可實(shí)現(xiàn)高壓大功率推挽輸出功能的高壓大功率驅(qū)動(dòng)器模塊，包括管殼，鉬片及可伐片，功率三極管芯片、功率MOSFET芯片和片式電阻，其特殊之處是在管殼底座上通過(guò)高溫合金焊料焊接有金屬化陶瓷基板，所述的鉬片、可伐片與金屬化陶瓷基板通過(guò)高溫合金焊料進(jìn)行焊接，所述的功率三極管、功率MOSFET芯片和片式電阻通過(guò)真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個(gè)元器件之間采用硅鋁絲互連構(gòu)成推挽輸出電路，在管殼上設(shè)有外引線，在管殼內(nèi)填充有氮?dú)?。?yōu)點(diǎn)是耐壓高，承受電流大布局合理，占用空間小，散熱性好，可靠性高，適用于-45～125℃的工作環(huán)境。
文檔編號(hào)H01L25/18GK202042482SQ201120093568
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月1日
發(fā)明者潘蕊, 王建翼, 王立偉, 蘇舟, 高廣亮 申請(qǐng)人:錦州遼晶電子科技有限公司