專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品改良結(jié)構(gòu)，具體來(lái)說(shuō)，是涉及到具有一定厚度的多芯片或器件，合并封裝在一塑封體內(nèi)的系統(tǒng)級(jí)封裝(System In a Package, SIP)或多芯片模塊(multichip module，MCM)封裝的一種封裝用引線(xiàn)框架載片臺(tái)裝置。
背景技術(shù)：
在系統(tǒng)級(jí)封裝(SystemIn a Package, SIP)或多芯片模塊(multichip module, MCM)封裝中，兩個(gè)或以上的芯片與器件之間需要進(jìn)行焊線(xiàn)，而這兩種器件具有不同的厚度， 但其又不可以通過(guò)減薄焊接這種半導(dǎo)體封裝流程中常用方法進(jìn)行處理。如圖1所示，兩個(gè)不同厚度以上的芯片或器件合封在一個(gè)塑封體內(nèi)，裝載在同高度的載片臺(tái)上時(shí)，因器件2厚度900微米，芯片1厚度300微米，因器件2厚度900微米在組裝已無(wú)法更改，芯片1厚度300微米與器件有相600微米的落差，芯片1與器件2之間需要打線(xiàn)連接，打線(xiàn)3的弧高會(huì)達(dá)到650微米以上，但該弧高已超出組裝控制能力，在線(xiàn)與芯片連接點(diǎn)之間極易產(chǎn)生崩裂，同時(shí)經(jīng)過(guò)后道工序料的填入，線(xiàn)極易產(chǎn)生大幅度變形?，F(xiàn)有技術(shù)中，解決這個(gè)問(wèn)題通常是從對(duì)芯片1厚度不進(jìn)行減薄處理，維持芯片來(lái)料時(shí)的原始厚度600 700微米，但這種做法600 700微米厚度芯片，進(jìn)行切割工序作業(yè)時(shí)，會(huì)超出切割工序當(dāng)前的切割能力，加速切割工序用切割刀片的損耗，刀的使用壽命大大降低?，F(xiàn)有技術(shù)中，另一個(gè)通常的處理工藝是改變打線(xiàn)方向，即從器件2打線(xiàn)至芯片1， 但這時(shí)，器件與線(xiàn)弧的整體高度會(huì)達(dá)到1100微米以上，有超出塑封體厚度的巨大風(fēng)險(xiǎn)；而且打線(xiàn)的第二焊點(diǎn)與芯片表面形成過(guò)大的夾角，對(duì)產(chǎn)品可靠性非常不利。

實(shí)用新型內(nèi)容在下文中給出關(guān)于本實(shí)用新型的簡(jiǎn)要概述，以便提供關(guān)于本實(shí)用新型的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個(gè)概述并不是關(guān)于本實(shí)用新型的窮舉性概述。它并不是意圖確定本實(shí)用新型的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本實(shí)用新型的范圍。其目的僅僅是以簡(jiǎn)化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，提供一種封裝用引線(xiàn)框架載片臺(tái)，其簡(jiǎn)單實(shí)用，成本低廉，適合大批量生產(chǎn)。為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型而提供的一種半導(dǎo)體封裝，包括承載第一部件的第一載片臺(tái)， 以及承載第二部件的第二載片臺(tái)，該第一部件的厚度大于第二部件的厚度，第一載片臺(tái)的深度大于第二載片臺(tái)的深度。較優(yōu)地，其中所述第一部件和第二部件的厚度差約等于所述第一載片臺(tái)和第二載片臺(tái)的深度差。較優(yōu)地，其中所述第一部件和第二部件的厚度差與所述第一載片臺(tái)和第二載片臺(tái)的深度差之間的差值小于或等于250微米。[0011]較優(yōu)地，所述第二載片臺(tái)與第一載片臺(tái)之間具有大于或等于350微米的深度差。較優(yōu)地，其中所述第一部件和第二部件的厚度差與所述第一載片臺(tái)和第二載片臺(tái)的深度差之間的差值小于或等于150微米。較優(yōu)地，所述第二載片臺(tái)與第一載片臺(tái)之間具有大于或等于450微米的深度差。較優(yōu)地，所述第二部件厚度為300微米；所述第一部件厚度為900微米；所述第一載片臺(tái)與第二載片臺(tái)之間具有550微米的深度差。優(yōu)選地，第一載片臺(tái)和第二載片臺(tái)之間由連筋連接。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于本實(shí)用新型的封裝用引線(xiàn)框架載片臺(tái)，可以使不同部件之間以低弧150 250微米高度差實(shí)現(xiàn)連接，穩(wěn)定在封裝能力范圍內(nèi)，其簡(jiǎn)單實(shí)用，成本低廉，適合大批量生產(chǎn)。

參照
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的說(shuō)明，會(huì)更加容易地理解本實(shí)用新型的以上和其它目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。附圖中的部件只是為了示出本實(shí)用新型的原理。在附圖中， 相同的或類(lèi)似的技術(shù)特征或部件將采用相同或類(lèi)似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種半導(dǎo)體封裝；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝；以及圖3是圖2中半導(dǎo)體封裝的俯視圖。
具體實(shí)施方式
下面參照附圖來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施例。在本實(shí)用新型的一個(gè)附圖或一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可以與一個(gè)或更多個(gè)其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說(shuō)明中省略了與本實(shí)用新型無(wú)關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。本實(shí)用新型實(shí)施例的封裝用引線(xiàn)框架載片臺(tái)，如圖2，圖3所示，包括承載第一部件1(例如為器件)的第一載片臺(tái)4，以及承載第二部件2 (例如是芯片)的第二載片臺(tái)5。 第一部件1和第二部件2之間需要打線(xiàn)連接。第一部件1的厚度大于第二部件2的厚度，第一載片臺(tái)4的深度大于第二載片臺(tái) 5的深度。載片臺(tái)的深度是指部件放置在載片臺(tái)上時(shí)的部件的厚度方向的深度。較佳地，第一部件1和第二部件2的厚度差約等于所述第一載片臺(tái)4和第二載片臺(tái)5的深度差。更佳地，作為一種可實(shí)施方式，其中第一部件1和第二部件2的厚度差與第一載片臺(tái)4和第二載片臺(tái)5的深度差之間的差值小于或等于250微米。更佳地，第二載片臺(tái)5與第一載片臺(tái)4之間具有大于或等于350微米的深度差。更佳地，作為另一種可實(shí)施方式，第一部件1和第二部件2的厚度差與所述第一載片臺(tái)4和第二載片臺(tái)5的深度差之間的差值小于或等于150微米。更佳地，所述第二載片臺(tái)5與第一載片臺(tái)4之間具有大于或等于450微米的深度差。下面結(jié)合系統(tǒng)級(jí)封裝(System In a Package, SIP)或多芯片模塊(multichipmodule,MCM)封裝要求，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的封裝用引線(xiàn)框架載片臺(tái)進(jìn)一步說(shuō)明，第二部件2厚度300微米，第一部件1厚度900微米，與第二部件2有600微米的落差，如圖2、圖 3所示，將承載第一部件1與第二部件2的載片臺(tái)設(shè)置成相對(duì)獨(dú)立的兩個(gè)載片臺(tái)，即承載第一部件1的第一載片臺(tái)4與承載第二部件2的第二載片臺(tái)5。如圖3所示，第一、第二兩載片臺(tái)4、5之間可以通過(guò)打凹的連筋6連接。圖3的右上角的5’是第二載片臺(tái)5的放大的表不。第二載片臺(tái)5與第一載片臺(tái)4之間有550微米的深度差，其深度差彌補(bǔ)了第一部件1與第二部件2之間厚度差600微米，從而消除了打線(xiàn)兩端點(diǎn)之間的高度差，即第一部件 1與第二部件2的厚度差，從而使第一部件1和第二部件2之間能夠以150 250微米厚度差實(shí)現(xiàn)低弧連接，該低弧穩(wěn)定在封裝能力范圍內(nèi)。本實(shí)用新型的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝，其載片臺(tái)的打凹深度差具有一定的可容忍高度差，從而使例如器件和芯片的部件之間以低弧150 250微米高度差實(shí)現(xiàn)連接，穩(wěn)定在封裝能力范圍內(nèi)，其簡(jiǎn)單實(shí)用，成本低廉，適合大批量生產(chǎn)。在本實(shí)用新型的設(shè)備和方法中，顯然，各部件或各步驟是可以分解、組合和/或分解后重新組合的。這些分解和/或重新組合應(yīng)視為本實(shí)用新型的等效方案。同時(shí)，在上面對(duì)本實(shí)用新型具體實(shí)施例的描述中，針對(duì)一種實(shí)施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類(lèi)似的方式在一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施方式中使用，與其它實(shí)施方式中的特征相組合，或替代其它實(shí)施方式中的特征。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括承載第一部件(1)的第一載片臺(tái)G)，以及承載第二部件⑵的第二載片臺(tái)(5)；所述第一部件(1)的厚度大于所述第二部件O)的厚度，所述第一載片臺(tái)的深度大于第二載片臺(tái)(5)的深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中所述第一部件(1)和第二部件 (2)之間的厚度差約等于所述第一載片臺(tái)(4)和第二載片臺(tái)(5)之間的深度差。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中所述第一部件(1)和第二部件 (2)之間的厚度差與所述第一載片臺(tái)(4)和第二載片臺(tái)(5)之間的深度差之間的差值小于或等于250微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二載片臺(tái)( 與第一載片臺(tái) (4)之間具有大于或等于350微米的深度差。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一部件(1)和第二部件(2) 的厚度差與所述第一載片臺(tái)(4)和第二載片臺(tái)(5)的深度差之間的差值小于或等于150微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二載片臺(tái)( 與第一載片臺(tái) (4)之間具有大于450微米的深度差。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一部件(1)厚度為900微米；所述第二部件( 厚度為300微米；所述第一載片臺(tái)(4)與第二載片臺(tái)(5) 之間具有550微米的深度差。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一載片臺(tái)(4)和所述第二載片臺(tái)( 之間由連筋連接。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種半導(dǎo)體封裝，包括承載第一部件的第一載片臺(tái)，以及承載第二部件的第二載片臺(tái)，所述第一部件的厚度大于所述第二部件的厚度，所述第一載片臺(tái)的深度大于第二載片臺(tái)的深度。其簡(jiǎn)單實(shí)用，成本低廉，適合大批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202196775SQ201120055538
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者石海忠, 趙亞俊, 陳巧鳳, 顧夏茂 申請(qǐng)人:南通富士通微電子股份有限公司