專利名稱：高集成的疊層片式壓敏電阻排的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及壓敏電阻，特別是涉及高集成的疊層片式壓敏電阻排。
背景技術(shù)：
在同一印刷電路板(Printed Circuit Board，縮略詞為PCB)線路采用多個(gè)片式壓敏電阻時(shí)，常常占用過(guò)多線路面積，導(dǎo)致電路復(fù)雜化，帶來(lái)電路設(shè)計(jì)、維護(hù)方面的隱患。 而片式壓敏電阻排作為一種新型壓敏元件，能夠在同一單體上集成多個(gè)壓敏電阻并且每個(gè)壓敏電阻與表層電阻層構(gòu)成RC回路，不僅縮小產(chǎn)品體積的優(yōu)勢(shì)，還具有壓敏電阻的防護(hù)靜電放電(Electrc^tatic Discharge，縮略詞為 ESD)和電磁干擾(Electromagnetic hterference，縮略詞為EMI)的效果，正在應(yīng)用于多功能化、微型化的通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品上。但是，如何提供結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)多樣化的片式壓敏電阻排以滿足各種電路保護(hù)的應(yīng)用要求， 仍然需要進(jìn)一步改進(jìn)與完善。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種高集成的疊層片式壓敏電阻排。本實(shí)用新型所要解決的另一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種具有防護(hù)電磁干擾(Electromagnetic Interference，縮略詞為EMI)功能的高集成的疊層片式壓敏電阻排。本實(shí)用新型的高集成的疊層片式壓敏電阻排技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下技術(shù)方案予以解決。這種高集成的疊層片式壓敏電阻排，呈長(zhǎng)方體狀結(jié)構(gòu)，包括側(cè)內(nèi)電極、側(cè)外電極、 壓敏陶瓷基體及其表面的絕緣層，所述絕緣層具有提高產(chǎn)品的環(huán)境耐受力的功能。這種高集成的疊層片式壓敏電阻排的特點(diǎn)是沿長(zhǎng)方體的寬度方向集成至少兩個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，所述獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻的側(cè)外電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組相對(duì)的側(cè)外電極之間相互獨(dú)立，且每組相對(duì)的側(cè)外電極都與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一組沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向設(shè)置的側(cè)內(nèi)電極相連。長(zhǎng)方體的寬度方向兩個(gè)端面對(duì)稱分別設(shè)置一個(gè)端外電極，與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一個(gè)沿長(zhǎng)方體的寬度方向貫穿連接兩端的平面端內(nèi)電極相連短路導(dǎo)通，各個(gè)側(cè)外電極與端外電極構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，等效于至少兩個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻并聯(lián)，僅具有壓敏電阻功能。所述一組側(cè)內(nèi)電極包括至少一個(gè)側(cè)內(nèi)電極疊層單元，所述側(cè)內(nèi)電極之間以及側(cè)內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體。所述側(cè)內(nèi)電極疊層單元由N{彡1的正整數(shù)}+1個(gè)相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。所述端內(nèi)電極包括數(shù)量與側(cè)內(nèi)電極疊層單元相同或相差一個(gè)的端內(nèi)電極疊層單元，所述端內(nèi)電極之間以及端內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體。本實(shí)用新型的高集成的疊層片式壓敏電阻排技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下進(jìn)一步的技術(shù)方
案予以解決。如果N是奇數(shù)1，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向有高度差的相互交錯(cuò)的兩個(gè)內(nèi)電極，且構(gòu)成N = 1個(gè)電容。如果N是至少為3的奇數(shù)，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向有高度差的相互交錯(cuò)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個(gè)串聯(lián)電容。如果N是偶數(shù)，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向無(wú)高度差的相互相對(duì)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長(zhǎng)方體的高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N 個(gè)串聯(lián)電容。本實(shí)用新型的高集成的疊層片式壓敏電阻排技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下再進(jìn)一步的技術(shù)方案予以解決。所述壓敏陶瓷基體的材料是氧化鋅、碳化硅、鈦酸鋇中的至少一種，與獨(dú)立的壓敏電阻器件相同。所述絕緣層是玻璃和高分子樹脂中的一種。所述絕緣層厚度為5 30 μ m。所述側(cè)外電極是純銀電極和在銀表面先電鍍一層鎳后電鍍一層錫的銀電極中的一種。所述內(nèi)電極的材料是銀、鈀、鉬中的至少一種。所述內(nèi)電極厚度為5 30 μ m，寬度至多為側(cè)外電極的寬度。本實(shí)用新型的具有防護(hù)EMI功能的高集成的疊層片式壓敏電阻排技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下技術(shù)方案予以解決。這種具有防護(hù)EMI功能的高集成的疊層片式壓敏電阻排，呈長(zhǎng)方體狀結(jié)構(gòu)，包括側(cè)內(nèi)電極、側(cè)外電極、壓敏陶瓷基體及其表面的絕緣層，所述絕緣層具有提高產(chǎn)品的環(huán)境耐受力的功能。這種具有防護(hù)EMI功能的高集成的疊層片式壓敏電阻排的特點(diǎn)是沿長(zhǎng)方體的寬度方向集成至少兩個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，所述獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻的側(cè)外電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組相對(duì)的側(cè)外電極分別通過(guò)設(shè)置在壓敏陶瓷基體表面的帶狀功能層相連，且每組相對(duì)的側(cè)外電極都與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一組沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向設(shè)置的側(cè)內(nèi)電極相連。長(zhǎng)方體的寬度方向兩個(gè)端面對(duì)稱分別設(shè)置一個(gè)端外電極，與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一個(gè)沿長(zhǎng)方體的寬度方向貫穿連接兩端的平面端內(nèi)電極相連短路導(dǎo)通，各個(gè)側(cè)外電極與端外電極構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻。由于每組相對(duì)的側(cè)外電極分別通過(guò)設(shè)置在壓敏陶瓷基體表面的帶狀功能層相連，等效于將獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻串聯(lián)形成具有防護(hù)EMI功能的RC電路，同時(shí)還具有壓敏電阻功能。所述一組側(cè)內(nèi)電極包括至少一個(gè)側(cè)內(nèi)電極疊層單元，所述側(cè)內(nèi)電極之間以及側(cè)內(nèi)
5電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體。所述側(cè)內(nèi)電極疊層單元由N{ ^ 1的正整數(shù)}+1個(gè)相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。所述端內(nèi)電極包括數(shù)量與側(cè)內(nèi)電極疊層單元相同或相差一個(gè)的端內(nèi)電極疊層單元，所述端內(nèi)電極之間以及端內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體。本實(shí)用新型的具有防護(hù)EMI功能的高集成的疊層片式壓敏電阻排技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下進(jìn)一步的技術(shù)方案予以解決。如果N是奇數(shù)1，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向有高度差的相互交錯(cuò)的兩個(gè)內(nèi)電極，且構(gòu)成N = 1個(gè)電容。如果N是至少為3的奇數(shù)，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向有高度差的相互交錯(cuò)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個(gè)串聯(lián)電容。如果N是偶數(shù)，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向無(wú)高度差的相互相對(duì)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長(zhǎng)方體的高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N 個(gè)串聯(lián)電容。本實(shí)用新型的具有防護(hù)EMI功能的高集成的疊層片式壓敏電阻排技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下再進(jìn)一步的技術(shù)方案予以解決。所述帶狀功能層由電阻材料經(jīng)燒結(jié)形成薄膜電阻，與本身具有電容量的壓敏電阻形成阻容回路，高集成為具有防護(hù)電磁干擾(Electromagnetic Interference，縮略詞為 EMI)功能的疊層片式壓敏電阻排。所述帶狀功能層的電阻為10 500 Ω。所述帶狀功能層的寬度至多為側(cè)外電極的寬度。所述壓敏陶瓷基體的材料是氧化鋅、碳化硅、鈦酸鋇中的至少一種，與獨(dú)立的壓敏電阻器件相同。所述絕緣層是玻璃和高分子樹脂中的一種，也設(shè)置在所述帶狀功能材料層的表所述絕緣層厚度為5 30 μ m。所述側(cè)外電極是純銀電極和在銀表面先電鍍一層鎳后電鍍一層錫的銀電極中的一種。所述內(nèi)電極的材料是銀、鈀、鉬中的至少一種。所述內(nèi)電極厚度為5 30 μ m，寬度至多為側(cè)外電極的寬度。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比的有益效果是本實(shí)用新型產(chǎn)品集成了多個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，即是多個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻集成的排列式產(chǎn)品，或者是多個(gè)單體片式壓敏電阻與多個(gè)薄膜電阻形成阻容回路高集成的具有防護(hù)EMI功能的排列式產(chǎn)品，不僅集成性高，顯著減小PCB板占用空間，而且，內(nèi)電極設(shè)計(jì)有較多選擇，可以按照不同需求設(shè)計(jì)出各種結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，為電子線路設(shè)計(jì)提供更多便利。
圖1是本實(shí)用新型的一種高集成的疊層片式壓敏電阻排的解體結(jié)構(gòu)圖；圖中側(cè)外電極1、壓敏陶瓷基體2、側(cè)內(nèi)電極3、端內(nèi)電極4、端外電極5、絕緣層6 ；圖2是本實(shí)用新型的另一種高集成的疊層片式壓敏電阻排解體結(jié)構(gòu)圖；圖中側(cè)外電極1、壓敏陶瓷基體2、側(cè)內(nèi)電極3、端內(nèi)電極4、端外電極5、絕緣層6、帶狀功能層7 ；圖3是圖1、圖2的局部剖視圖；圖中側(cè)外電極1、壓敏陶瓷基體2、側(cè)內(nèi)電極3、端內(nèi)電極4、端外電極5 ；絕緣層6、帶狀功能層7未畫出；圖4是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
一的立體透視結(jié)構(gòu)圖；圖5是圖4的長(zhǎng)度方向剖視圖；圖6是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
二的立體透視結(jié)構(gòu)圖；圖7是圖6的長(zhǎng)度方向剖視圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施方式
并對(duì)照附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說(shuō)明。
具體實(shí)施方式
一—種如圖1、3 5所示的低電容量的高集成的疊層片式壓敏電阻排，呈長(zhǎng)方體狀結(jié)構(gòu)，包括側(cè)內(nèi)電極3、側(cè)外電極1、及其表面的絕緣層6。側(cè)外電極1覆蓋在壓敏陶瓷基體 2側(cè)面，并延展至上、下兩個(gè)壓敏陶瓷基體2表面，延伸出的部分電極長(zhǎng)度為50 μ m，以增加側(cè)外電極1與壓敏陶瓷基體2的附著力，有助于進(jìn)行焊接。沿長(zhǎng)方體的寬度方向集成四個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻的側(cè)外電極1沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組側(cè)外電極1分別與壓敏陶瓷基體2內(nèi)部設(shè)置的一組側(cè)內(nèi)電極3相連。一組側(cè)內(nèi)電極3包括至少一個(gè)側(cè)內(nèi)電極疊層單元，側(cè)內(nèi)電極3之間以及側(cè)內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體2。長(zhǎng)方體的寬度方向兩個(gè)端面對(duì)稱分別設(shè)置一個(gè)端外電極5，與壓敏陶瓷基體2內(nèi)部設(shè)置的一個(gè)沿長(zhǎng)方體的寬度方向貫穿連接兩端的平面端內(nèi)電極4相連短路導(dǎo)通，各個(gè)側(cè)外電極1與端外電極5構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，等效于四個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻并聯(lián)，僅具有壓敏電阻功能。側(cè)內(nèi)電極疊層單元由N{ = 4}+1個(gè)相同參數(shù)的內(nèi)電極組成，分別與兩個(gè)側(cè)外電極 1連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向無(wú)高度差的相互相對(duì)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的三個(gè)內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長(zhǎng)方體的高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成四個(gè)串聯(lián)電容。端內(nèi)電極4包括5個(gè)端內(nèi)電極疊層單元，端內(nèi)電極4之間以及端內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體2。
具體實(shí)施方式
二一種如圖1、3、6、7所示的更低電容量的高集成的疊層片式壓敏電阻排，呈長(zhǎng)方體狀結(jié)構(gòu)，外觀同具體實(shí)施方式
一，區(qū)別在于側(cè)內(nèi)電極疊層單元由N{ = 6}+1個(gè)相同參數(shù)的內(nèi)電極組成，分別與兩個(gè)側(cè)外電極 1連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向無(wú)高度差的相互相對(duì)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的五個(gè)內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長(zhǎng)方體的高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成六個(gè)串聯(lián)電容。端內(nèi)電極4包括7個(gè)端內(nèi)電極疊層單元，端內(nèi)電極4之間以及端內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體2。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型由所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種高集成的疊層片式壓敏電阻排，呈長(zhǎng)方體狀結(jié)構(gòu)，包括側(cè)內(nèi)電極、側(cè)外電極、壓敏陶瓷基體及其表面的絕緣層，其特征在于沿長(zhǎng)方體的寬度方向集成至少兩個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，所述獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻的側(cè)外電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組相對(duì)的側(cè)外電極之間相互獨(dú)立，且每組相對(duì)的側(cè)外電極都與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一組沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向設(shè)置的側(cè)內(nèi)電極相連；長(zhǎng)方體的寬度方向兩個(gè)端面對(duì)稱分別設(shè)置一個(gè)端外電極，與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一個(gè)沿長(zhǎng)方體的寬度方向貫穿連接兩端的平面端內(nèi)電極相連短路導(dǎo)通，各個(gè)側(cè)外電極與端外電極構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，等效于至少兩個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻并聯(lián)；所述一組側(cè)內(nèi)電極包括至少一個(gè)側(cè)內(nèi)電極疊層單元，所述側(cè)內(nèi)電極之間以及側(cè)內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體；所述側(cè)內(nèi)電極疊層單元由N+1個(gè)相同參數(shù)的內(nèi)電極組成，其中N是大于或等于1的正整數(shù)；所述一組端內(nèi)電極包括數(shù)量與側(cè)內(nèi)電極疊層單元相同或相差一個(gè)的端內(nèi)電極疊層單元，所述端內(nèi)電極之間以及端內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體。
2.如權(quán)利要求1所述的高集成的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于N是奇數(shù)1，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向有高度差的相互交錯(cuò)的兩個(gè)內(nèi)電極，且構(gòu)成N = 1個(gè)電容；N是至少為3的奇數(shù)，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向有高度差的相互交錯(cuò)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個(gè)串聯(lián)電容；N是偶數(shù)，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向無(wú)高度差的相互相對(duì)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長(zhǎng)方體的高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個(gè)串聯(lián)電容。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高集成的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于 所述壓敏陶瓷基體的材料是氧化鋅、碳化硅、鈦酸鋇中的至少一種。
4.如權(quán)利要求3所述的高集成的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于 所述絕緣層是玻璃和高分子樹脂中的一種。
5.如權(quán)利要求4所述的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于所述側(cè)外電極是純銀電極和在銀表面先電鍍一層鎳后電鍍一層錫的銀電極中的一種。
6.一種高集成的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于沿長(zhǎng)方體的寬度方向集成至少兩個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，所述獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻的側(cè)外電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組相對(duì)的側(cè)外電極分別通過(guò)設(shè)置在壓敏陶瓷基體表面的帶狀功能層相連，且每組相對(duì)的側(cè)外電極都與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一組沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向設(shè)置的側(cè)內(nèi)電極相連；長(zhǎng)方體的寬度方向兩個(gè)端面對(duì)稱分別設(shè)置一個(gè)端外電極，與壓敏陶瓷基體內(nèi)部設(shè)置的一個(gè)沿長(zhǎng)方體的寬度方向貫穿連接兩端的平面端內(nèi)電極相連短路導(dǎo)通，各個(gè)側(cè)外電極與端外電極構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻；所述一組側(cè)內(nèi)電極包括至少一個(gè)側(cè)內(nèi)電極疊層單元，所述側(cè)內(nèi)電極之間以及側(cè)內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體；所述側(cè)內(nèi)電極疊層單元由N+1個(gè)相同參數(shù)的內(nèi)電極組成，其中N是大于或等于1的正整數(shù)；所述一組端內(nèi)電極包括數(shù)量與側(cè)內(nèi)電極疊層單元相同或相差一個(gè)的端內(nèi)電極疊層單元，所述端內(nèi)電極之間以及端內(nèi)電極疊層單元之間的間隙是壓敏陶瓷基體。
7.如權(quán)利要求6所述的高集成的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于N是奇數(shù)1，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向有高度差的相互交錯(cuò)的兩個(gè)內(nèi)電極，且構(gòu)成N = 1個(gè)電容；N是至少為3的奇數(shù)，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向有高度差的相互交錯(cuò)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個(gè)串聯(lián)電容；N是偶數(shù)，分別與兩個(gè)側(cè)外電極連接的內(nèi)電極是在長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向平行且在長(zhǎng)方體的高度方向無(wú)高度差的相互相對(duì)的兩個(gè)內(nèi)電極，其它的內(nèi)電極沿長(zhǎng)方體的長(zhǎng)度方向與兩側(cè)的內(nèi)電極保持在長(zhǎng)方體的高度方向有相同的高度差且交替平行均勻?qū)ΨQ，構(gòu)成N個(gè)串聯(lián)電容。
8.如權(quán)利要求7所述的高集成的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于所述帶狀功能層由電阻材料經(jīng)燒結(jié)形成薄膜電阻，與壓敏電阻高集成為具有防護(hù)電磁干擾EMI功能的疊層片式壓敏電阻排。
9.如權(quán)利要求8所述的高集成的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于所述帶狀功能層的電阻為10 500 Ω。
10.如權(quán)利要求9所述的高集成的疊層片式壓敏電阻排，其特征在于所述帶狀功能層的寬度至多為側(cè)外電極的寬度。
專利摘要一種高集成的疊層片式壓敏電阻排，呈長(zhǎng)方體狀結(jié)構(gòu)，沿寬度方向集成至少兩個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，側(cè)外電極沿長(zhǎng)度方向并排均勻?qū)ΨQ設(shè)置，每組相對(duì)的側(cè)外電極之間相互獨(dú)立或者分別通過(guò)帶狀功能層相連，且每組相對(duì)的側(cè)外電極都與沿長(zhǎng)度方向設(shè)置的側(cè)內(nèi)電極相連，寬度方向兩個(gè)端面對(duì)稱分別設(shè)置一個(gè)端外電極，與一組沿寬度方向設(shè)置的端內(nèi)電極相連短路導(dǎo)通，各個(gè)側(cè)外電極與端外電極構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的單體疊層片式壓敏電阻，一組側(cè)內(nèi)電極包括至少一個(gè)側(cè)內(nèi)電極疊層單元，側(cè)內(nèi)電極疊層單元由N+1個(gè)相同參數(shù)的內(nèi)電極組成。一組端內(nèi)電極包括數(shù)量與側(cè)內(nèi)電極疊層單元相同或相差一個(gè)的端內(nèi)電極疊層單元，具有防護(hù)EMI功能，顯著減小PCB板占用空間。
文檔編號(hào)H01C7/10GK202003784SQ20112000873
公開日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者馮志剛, 師習(xí)恩, 王小波, 賈廣平 申請(qǐng)人:深圳順絡(luò)電子股份有限公司