專利名稱：搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管的制造方法
搭橋晶粒多晶娃薄膜晶體管的制造方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總的涉及多晶粒薄膜晶體管(TFT)，更具體地，涉及一種沒(méi)有源漏極摻雜處理的搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
為實(shí)現(xiàn)多晶硅TFT有源矩陣顯示器面板的工業(yè)化制造，需要很高質(zhì)的多晶硅膜。它需要滿足以下要求:低溫加工、可以在大面積玻璃襯上實(shí)現(xiàn)、低制造成本、穩(wěn)定的制造工藝、高性能、一致的特性、以及晶硅TFT的高可靠性。
高溫多晶硅技術(shù)可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能TFT，但是它不能用于商業(yè)顯示器面板中使用的普通玻璃襯底。在這樣的情形下必須使用低溫多晶硅(LTPS)。有三種主要的LTPS技術(shù):(1)通過(guò)在600°C長(zhǎng)時(shí)間退火的固相結(jié)晶(SPC) ；(2)準(zhǔn)分子激光晶化(ELC)或閃光燈退火；以及(3)金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)及其有關(guān)變體。ELC產(chǎn)生最好的結(jié)果但是昂貴，SPC成本最低但是花的時(shí)間長(zhǎng)，這些技術(shù)都不能滿足上述低成本和高性能的所有要求。
所有多晶薄膜材料所共有的是，膜的晶粒在尺寸、晶體取向和形狀上基本上隨機(jī)分布。晶界通常也對(duì)優(yōu)良TFT的形成有害，當(dāng)該多晶薄膜被用作TFT中的有源層時(shí)，電特性取決于在有源溝道中存在多少晶粒和晶界。
所有現(xiàn)有技術(shù)的共同問(wèn)題是，它們以不可預(yù)料的模式(pattern)在TFT有源溝道內(nèi)形成許多晶粒。晶粒的分布是隨機(jī)的，使得TFT的電特性在襯底上有些不均勻。該電特性的寬分布對(duì)顯示器的性能有害并且導(dǎo)致問(wèn)題，例如mura缺陷和亮度不均勻。
多晶薄膜晶體管的晶粒形成隨機(jī)的網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于任何半導(dǎo)體材料例如硅、鍺、硅鍺合金、三五族化合物半導(dǎo)體、以及有機(jī)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，事實(shí)都是如此。晶粒內(nèi)部的傳導(dǎo)幾乎與晶體材料相同，而跨過(guò)晶界的傳導(dǎo)更差并且造成遷移率的，總體損失并且增加的閾值電壓。在由這種多晶薄膜制成的薄膜晶體管(TFT)的有源溝道內(nèi)部，晶粒結(jié)構(gòu)幾乎是二維隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)。隨機(jī)性以及相應(yīng)而生的可變電導(dǎo)不利地影響顯示器性能和圖像質(zhì)量。
如圖1a所示的典型多晶硅結(jié)構(gòu)，低溫多晶硅膜101包括晶粒102。在相鄰的晶粒102之間有明顯的晶界103。每個(gè)晶粒102的長(zhǎng)度大小從數(shù)十納米到幾微米，并且被認(rèn)為是單晶。許多位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)以及懸掛鍵的缺陷分布在所述晶界103中。由于不同的制備方法，低溫多晶硅膜101內(nèi)部的晶粒102可以隨機(jī)分布或沿確定的取向。至于常規(guī)的低溫多晶硅膜101，在晶界103中有嚴(yán)重的缺陷，如圖1b中所示。在晶界103中的嚴(yán)重缺陷將引入高勢(shì)壘104。垂直于載流子105傳輸方向的所述勢(shì)壘104 (或傾斜勢(shì)壘的垂直分量)將影響載流子的初始狀態(tài)和能力。對(duì)于在該低溫多晶硅膜101上制造的薄膜晶體管，閾值電壓和場(chǎng)效應(yīng)遷移率受晶界勢(shì)壘104限制。當(dāng)高的反向柵電壓施加在TFT中時(shí)，分布在結(jié)區(qū)域中的晶界103也引起大的漏電流。
在美國(guó)專利US 2010/0171546A1 (該專利的全部?jī)?nèi)容均作為背景技術(shù)援引于此)，披露了一種搭橋晶粒(BG)結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜晶體管(TFT)。采用摻雜BG多晶硅線，本征或輕摻雜通道被分隔成多個(gè)區(qū)域。單個(gè)柵極覆蓋了整個(gè)包括摻雜線的有源通道，用來(lái)控制電流的流動(dòng)。BG TFT的源漏極區(qū)域需要進(jìn)一步的二次重?fù)诫s處理。圖2是搭橋晶粒(BG)結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜晶體管的源和漏注入的示意圖。如圖2中所示，劑量為4*1014/cm2的硼離子903利用柵電極802作為離子阻擋層被注入溝道。源和漏902被形成。柵電極802下面的溝道901未摻雜。使用BG多晶硅作為有源層，TFT被設(shè)計(jì)成使電流垂直流過(guò)在通道結(jié)晶區(qū)域的平行線，晶界的影響可以減少。與傳統(tǒng)的低溫多晶硅TFT相比，BG多晶硅TFT的可靠性，均勻性和電學(xué)性能都得到顯著的改善。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了提供更好的布局和簡(jiǎn)化BG多晶硅薄膜晶體管的制造工藝。利用所披露的新布局，源/漏極摻雜處理是沒(méi)有必要的。從而簡(jiǎn)化了制造工藝和制造周期，降低了成本。由于沒(méi)有源/漏極摻雜過(guò)程，摻雜活化的處理也是沒(méi)有必要的。因此，有著金屬柵極的η型TFT的源/漏極摻雜物激活問(wèn)題也迎刃而解了。
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種新結(jié)構(gòu)的架橋結(jié)晶多晶硅薄膜晶體管及其制造過(guò)程。
其中該搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管包括一個(gè)由低溫多晶硅半導(dǎo)體材料構(gòu)成的有源層，在有源層中具有多個(gè)橫向?qū)щ姌颍粰M向?qū)щ姌虻奈恢么怪庇跍系绤^(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向；同時(shí)，橫向?qū)щ姌虻奈恢闷叫杏谠?漏極區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向。
該形成搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管的制造過(guò)程，包括如下步驟:步驟一、制造多晶硅薄膜，形成一個(gè)有源區(qū)域；步驟二、制造多個(gè)彼此大致平行導(dǎo)線；導(dǎo)線的位置垂直于有源區(qū)域中溝道區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向；同時(shí)，導(dǎo)線的位置平行于有源區(qū)域中源/漏極區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向。
通過(guò)應(yīng)用所披露的新結(jié)構(gòu)，源/漏極摻雜處理不再是必要的。在傳統(tǒng)的BGTFT中所披露的兩個(gè)離子注入過(guò)程，可以減少到一個(gè)。
通過(guò)上述技術(shù)方案，本發(fā)明提供下列優(yōu)點(diǎn):改善電性能；改善場(chǎng)效應(yīng)遷移率；改善接通電流的均勻性。降低成本；減小閾值電壓和漏電流；晶粒遷移率和晶界電阻的隨機(jī)性減?。辉凇敖油ā睜顟B(tài)中降低勢(shì)壘和改善載流子遷移率；在“關(guān)斷”狀態(tài)中減小漏電流；簡(jiǎn)化工藝和縮短了處理時(shí)間；在形成金屬柵極之后不再需要對(duì)源漏極摻雜物進(jìn)行激活。


圖1a是現(xiàn)有技術(shù)中典型多晶硅結(jié)構(gòu)；
圖1b是圖1a的相應(yīng)勢(shì)壘的圖2是美國(guó)專利US 2010/0171546Α1多晶硅薄膜晶體管的源和漏注入的示意圖3是BG線的導(dǎo)電性的各向異性測(cè)試結(jié)構(gòu)布局；
圖4是BG線電導(dǎo)率的測(cè)試結(jié)果；
圖5是搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管布局的第一實(shí)施例；
圖6是搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管布局的第二實(shí)施例；
圖7是搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管布局的第一實(shí)施例的傳輸特性；
圖8是搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管布局的第二實(shí)施例的傳輸特性。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種沒(méi)有源漏極摻雜處理的搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
同時(shí)在這里做以說(shuō)明的是，為了使實(shí)施例更加詳盡，下面的實(shí)施例為最佳、優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)于一些公知技術(shù)本領(lǐng)域技術(shù)人員也可采用其他替代方式而進(jìn)行實(shí)施；同時(shí)，附圖并不是按比例嚴(yán)格繪制，其重點(diǎn)僅是放在公開(kāi)的原理上。
所發(fā)明的BG TFTs布局利用BG線導(dǎo)電性的各向異性(電流平行于BG線方向與電流垂直于BG線方向的電學(xué)特性不相同)，以消除美國(guó)專利號(hào)為US2010/0171546A1的專利中的源極/漏極摻雜過(guò)程。
BG線是沿Y軸方向的摻雜區(qū)域。當(dāng)沿著B(niǎo)G線施加電壓，在電流流動(dòng)路徑就沒(méi)有能量勢(shì)壘。因此，BG結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出較低的電阻率。相反，當(dāng)跨過(guò)幾對(duì)BG線施加電壓時(shí)，BG結(jié)構(gòu)就會(huì)出現(xiàn)高電阻率，因?yàn)槟抢镄纬闪擞梢幌盗袚诫sBG線(301)和未摻雜區(qū)域(302)形成的半導(dǎo)體接觸結(jié)。圖3給出了 BG結(jié)構(gòu)導(dǎo)電率的測(cè)試。
測(cè)試步驟和結(jié)果如圖4所示。當(dāng)在電極11和12之間施加電壓，則測(cè)量到PA量級(jí)范圍的電流。當(dāng)在電極11和21之間施加電壓，則測(cè)量結(jié)果為mA量級(jí)范圍的電流。此結(jié)果說(shuō)明，平行和垂直BG線的方向，電阻率有很大的區(qū)別。在平行于BG線的方向，電阻很小。而在垂直于BG線的方向，電阻極大。兩方向的電阻率相差達(dá)9個(gè)數(shù)量級(jí)。
基于以上這樣的事實(shí)，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，設(shè)計(jì)出一種新的搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管有源層布局，其中該搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管包括一個(gè)由低溫多晶硅半導(dǎo)體材料構(gòu)成的有源層，在有源層中具有多個(gè)橫向?qū)щ姌?。其中橫向?qū)щ姌虻奈恢么怪庇跍系绤^(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向；同時(shí)，橫向?qū)щ姌虻奈恢闷叫杏谠?漏極區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向。
在圖5中，提出一個(gè)Z字形有源層，即將有源層中的源極區(qū)與漏極區(qū)構(gòu)造為一不對(duì)稱的位置，溝道區(qū)域分別連接源極區(qū)的一端與漏極區(qū)的另一端，從而將有源層設(shè)計(jì)成Z字形。優(yōu)選的，該橫向?qū)щ姌驅(qū)挾刃∮?0 μ m,間距小于10 μ m ;橫向?qū)щ姌蚴峭ㄟ^(guò)對(duì)溝道層摻雜形成；更為優(yōu)選的是，其中低溫多晶硅半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體是由激光退火、固相晶化或金屬誘導(dǎo)晶化形成的低溫多晶硅材料。
同時(shí)，采用玻璃襯底支撐上述半導(dǎo)體材料，并以柵極覆蓋了有源溝道的大部分，包括多個(gè)高電阻和低電阻的橫穿區(qū)域，并且柵極與上述有源溝道絕緣。其中的橫穿區(qū)域可優(yōu)選為摻雜形成平行線，上述橫穿區(qū)域摻雜劑的單位面積劑量的選取范圍為IXio14/Cm2-1X 1016/cm2,優(yōu)選為2X 1015/cm2-4X IO1Vcm2 ;摻雜區(qū)域是以離子注入方式形成的。以p型溝道的器件為例，柵極上的一個(gè)負(fù)偏壓開(kāi)啟TFT，漏極加負(fù)電壓。電流沿著B(niǎo)G線從源極流向溝道區(qū)域。柵極上的負(fù)偏壓誘導(dǎo)有源層反型。溝道因此導(dǎo)電且電流沿著B(niǎo)G線流入漏極區(qū)域。實(shí)心箭頭代表源極/漏極區(qū)域中電流流向。在器件關(guān)閉狀態(tài)，正偏電壓施于柵極，溝道不導(dǎo)電。一系列反偏結(jié)阻礙了電流。結(jié)果，電流不能流經(jīng)溝道區(qū)域。
本設(shè)計(jì)與美國(guó)專利US 2010/0171546A1的主要區(qū)別在于:
在美國(guó)專利US 2010/0171546A1中，BG線在器件溝道及源極漏極區(qū)域中都是垂直于電流流動(dòng)方向的。源極漏極的形成是由另外的離子注入工藝進(jìn)行二次摻雜來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
在本設(shè)計(jì)中，充分利用了 BG線的導(dǎo)電性的各向異性。在源極漏極區(qū)域，使電流的流動(dòng)方向與BG線平行。而在器件溝道中，使電流流動(dòng)方向與BG線垂直。
前文已經(jīng)證實(shí)，在沿著B(niǎo)G線長(zhǎng)度的方向，電阻很小，BG線的導(dǎo)電性很高。因此在 源極漏極區(qū)域，如果電流沿著與BG線平行方向流動(dòng)，此路徑的電阻很小，因此不需要再進(jìn) 行第二次離子注入工藝進(jìn)行摻雜。
而在器件溝道區(qū)域，電流的方向是與BG線垂直的。這樣設(shè)計(jì)使得本專利設(shè)計(jì)的器 件保持了美國(guó)專利us 2010/0171546A1所提及的所有優(yōu)點(diǎn)。
在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，控制電流的流向與BG線的相對(duì)方向，是由全新設(shè)計(jì)有 源層的形狀(Z型和C型)來(lái)實(shí)現(xiàn)的(相對(duì)于傳統(tǒng)的矩形有源層設(shè)計(jì))。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，設(shè)計(jì)出一種新的搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管有源層布 局，如圖6所示。提出一個(gè)C形有源層，將有源層構(gòu)造為源/漏極區(qū)域上下對(duì)稱，而溝道區(qū) 域位于源/漏極區(qū)域左側(cè)，以連接源/漏極區(qū)域，從而將有源層設(shè)計(jì)成C字形。第二實(shí)施例 的工作原理與本發(fā)明的第一實(shí)施例設(shè)計(jì)的Z形設(shè)備相同。實(shí)心箭頭代表源極/漏極區(qū)域中 電流的流向。虛線箭頭代表溝道中電流的流向。其中該搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管包括一 個(gè)由低溫多晶硅半導(dǎo)體材料構(gòu)成的有源層，在有源層中具有多個(gè)橫向?qū)щ姌?。其中橫向?qū)?電橋的位置垂直于溝道區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向；同時(shí)，橫向?qū)щ姌虻奈恢闷叫杏谠? 漏極區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向。優(yōu)選的，該橫向?qū)щ姌驅(qū)挾刃∮?0 μ m,間距小于10 μ m ; 橫向?qū)щ姌蚴峭ㄟ^(guò)對(duì)溝道層摻雜形成；更為優(yōu)選的是，其中低溫多晶硅半導(dǎo)體材料的半導(dǎo) 體是由激光退火、固相晶化或金屬誘導(dǎo)晶化形成的低溫多晶硅材料。同時(shí)，采用玻璃襯底支 撐上述半導(dǎo)體材料，并以柵極覆蓋了有源溝道的大部分，包括高電阻和低電阻的多個(gè)橫穿 區(qū)域，并且柵極與上述有源溝道絕緣。其中的橫穿區(qū)域可優(yōu)選為摻雜形成平行線，上述多 個(gè)橫穿區(qū)域摻雜劑的單位面積劑量的選取范圍為I X IO1Vcm2-1 X 1016/cm2，優(yōu)選為2 X IO15/ cm2-4X IO1Vcm2 ;摻雜區(qū)域是以離子注入方式形成的。
上述兩種實(shí)施例中TFT新布局的應(yīng)用，設(shè)備制造工藝幾乎與美國(guó)專利號(hào)為美國(guó)專 利US 2010/0171546A1中BG TFT發(fā)明相同。唯一的區(qū)別是在刻蝕成柵極電極后該發(fā)明沒(méi) 有源極/漏極摻雜過(guò)程或者摻雜激活過(guò)程。同時(shí)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，雖然 在實(shí)施例一二中形成的是Z字形有源層或C字形有源層，然而這僅是較佳實(shí)施例，根據(jù)說(shuō)明 書(shū)及其附圖可以理解任何實(shí)施例的其他變形對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員也是顯而易見(jiàn)的，諸如其 他非對(duì)稱有源層字形、以及反向C字形等，也均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。當(dāng)然，為了增加布線 的方便性，也可以做成H字形或工字線，把對(duì)角或位于溝道一側(cè)的做為源漏極即可。
接下來(lái)，本發(fā)明根據(jù)上述新的搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管有源層布局，提供了一 種制造形成多晶硅半導(dǎo)體薄膜的方法，首先制造多晶硅薄膜，形成一個(gè)有源區(qū)域；然后制造 多個(gè)彼此大致平行導(dǎo)線；其中導(dǎo)線的位置垂直于有源區(qū)域中溝道區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方 向；同時(shí)，導(dǎo)線的位置平行于有源區(qū)域中源/漏極區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向。
該導(dǎo)線為橫向?qū)щ姌?；其中即將有源層中的源極區(qū)與漏極區(qū)構(gòu)造為一不對(duì)稱的位 置，溝道區(qū)域分別連接源極區(qū)的一端與漏極區(qū)的另一端，從而將有源層設(shè)計(jì)成Z字形；或?qū)?有源層構(gòu)造為源/漏極區(qū)域上下對(duì)稱，而溝道區(qū)域位于源/漏極區(qū)域左側(cè)，以連接源/漏極 區(qū)域，從而將有源層設(shè)計(jì)成C字形。所述導(dǎo)線寬度小于10 μ m、間距，小于10 μ m。
由非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜和制造多個(gè)導(dǎo)線的次序可以調(diào)換。并且在形成多晶 硅半導(dǎo)體薄膜時(shí)進(jìn)行摻雜多晶硅薄膜從而形成導(dǎo)線。其中的摻雜過(guò)程可以選用掩模板的光 刻技術(shù)、兩束相干激光束的光波干涉的光刻技術(shù)、或者利用納米壓印過(guò)程。
更進(jìn)一步的，在制造形成多晶硅半導(dǎo)體薄膜的方法中，采用大面積光柵制造技術(shù)或電子束直接寫(xiě)入圖案化半導(dǎo)體薄膜與摻雜的橫向區(qū)域形成一個(gè)有源區(qū)域，電流流動(dòng)方向跨過(guò)橫向區(qū)域；同時(shí)，形成源極/漏極區(qū)域，電流流動(dòng)方向沿著橫向區(qū)域；在有源區(qū)域上沉積絕緣層然后在有源區(qū)域頂部形成柵極；上述柵極圖案覆蓋除了薄膜晶體管兩端用于形成源極和漏極區(qū)域的全部有源溝道；光刻絕緣層形成源極和漏極電接觸。柵極形成后源極或漏極區(qū)域不需要額外的摻雜或激活。
以下各段會(huì)給出實(shí)驗(yàn)結(jié)果并進(jìn)行分析。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果
具有上文所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的TFT被制造出來(lái)且進(jìn)行測(cè)試。用于示范，作為有源層的材料是IOOnm厚的固相結(jié)晶多晶硅。柵介質(zhì)是70nm厚的低溫LPCVD沉淀二氧化硅。
運(yùn)用第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的設(shè)備傳輸特性分別如圖7和圖8所示。晶體管的尺寸是W = 24μπι, LI = L2 = L3 = 20 μ m，W和L1-L3定義在圖5和圖6中標(biāo)記。
為了方便比較，沒(méi)有BG線但具有源極/漏極離子植入過(guò)程的具有相同尺寸的設(shè)備也在作為參考的圖7和圖8中所示。
設(shè)備性能的重要參數(shù)在下表中列出:(使用W/L = 24/60，Vds = -5V計(jì)算).
權(quán)利要求
1.一個(gè)形成多晶硅半導(dǎo)體薄膜的方法，包括如下步驟: 步驟一、制造多晶硅薄膜，形成一個(gè)有源區(qū)域； 步驟二、制造多個(gè)彼此大致平行導(dǎo)線；導(dǎo)線的位置垂直于有源區(qū)域中溝道區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向；同時(shí)，導(dǎo)線的位置平行于有源區(qū)域中源/漏極區(qū)域內(nèi)所需電流的流動(dòng)方向。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該導(dǎo)線為橫向?qū)щ姌颉?br> 3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟一中，將有源層中的源極區(qū)與漏極區(qū)構(gòu)造為一不對(duì)稱的位置，溝道區(qū)域分別連接源極區(qū)的一端與漏極區(qū)的另一端，從而將有源層設(shè)計(jì)成Z字形。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟一中，將有源層構(gòu)造為源/漏極區(qū)域上下對(duì)稱，而溝道區(qū)域位于源/漏極區(qū)域左側(cè)，以連接源/漏極區(qū)域，從而將有源層設(shè)計(jì)成C字形。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)線寬度小于10μ m、間距小于10 μ m。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，由非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜和制造多個(gè)導(dǎo)線的次序可以調(diào)換。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法采用摻雜多晶硅薄膜從而形成所述導(dǎo)線的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，摻雜過(guò)程利用使用掩模板的光刻技術(shù)。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，摻雜過(guò)程利用使用兩束相干激光束的光波干涉的光刻技術(shù)。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，摻雜過(guò)程利用納米壓印過(guò)程。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中:采用大面積光柵制造技術(shù)或電子束直接寫(xiě)入圖案化半導(dǎo)體薄膜與摻雜的橫向區(qū)域形成該有源區(qū)域，在有源區(qū)域上沉積絕緣層然后在有源區(qū)域頂部形成柵極；上述柵極圖案覆蓋除了薄膜晶體管兩端用于形成源極和漏極區(qū)域的全部有源溝道；光刻絕緣層形成源極和漏極電接觸。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征是在柵極形成后源極或漏極區(qū)域不需要額外的摻雜或激活。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種新結(jié)構(gòu)的搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管(TFT)的制備方法。使用BG多晶硅作為有源層，TFT通道區(qū)域，電流垂直流過(guò)平行的BG線。相比之下，在源/漏區(qū)，電流平行流過(guò)BG線。利用BG線導(dǎo)電性的的各向異性，可以不必進(jìn)行源/漏極摻雜處理。制造過(guò)程可以簡(jiǎn)化，與傳統(tǒng)的沒(méi)有BG結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜晶體管相比，所披露的沒(méi)有源漏摻雜的BG多晶硅TFT保持了有源漏極摻雜處理的BG-TFT的所有優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/28GK103137484SQ201110389560
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者周瑋, 趙淑云, 郭海成 申請(qǐng)人:廣東中顯科技有限公司