專利名稱：肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其是一種肖特基二極管。
背景技術(shù)：
肖特基二極管不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，肖特基二極管也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪HO. 4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千毫安，這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基二極管大多采用封裝形式，但封裝上都不顯示肖特基二極管的工作參數(shù)，使用不便捷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是基于上述問題，本發(fā)明提供一種可以清楚顯示出工作參數(shù)的肖特基二極管。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種肖特基二極管，包括二極管本體，所述的二極管本體以N型半導(dǎo)體為基片，在基片上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層，N-外延層上面有與其接觸的陽極金屬，陽極金屬的邊緣區(qū)域設(shè)置有二氧化硅層，在基片下邊形成有N+陰極層，N+陰極層下面有與其接觸的陰極金屬，陽極金屬和陰極金屬對(duì)外各引出一個(gè)電極，所述的二極管本體塑封在環(huán)氧樹脂管內(nèi)，環(huán)氧樹脂管外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體工作參數(shù)的涂層。

所述的涂層的原料為紫外光固化油墨，可經(jīng)過氟利昂、酒精、異丙醇及類似溶劑清洗，涂層也不會(huì)剝落。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，二極管本體塑封在環(huán)氧樹脂管內(nèi)確保其電氣特性不受影響，環(huán)氧樹脂管外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體工作參數(shù)的涂層，方便正確使用。


下面結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1. 二極管本體，2.基片，3.N-外延層，4.陽極金屬，5. 二氧化硅層，6.N+陰極層，7.陰極金屬，8.電極，9.環(huán)氧樹脂管，10.涂層。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，以下實(shí)施例旨在說明本發(fā)明而不是對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步限定。如圖1 2所示的肖特基二極管，包括二極管本體I，二極管本體I以N型半導(dǎo)體為基片2，在基片2上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層3，N-外延層3上面有與其接觸的陽極金屬4，陽極金屬4的邊緣區(qū)域設(shè)置有二氧化硅層5，在基片2下邊形成有N+陰極層6，N+陰極層6下面有與其接觸的陰極金屬7，陽極金屬4和陰極金屬7對(duì)外各引出一個(gè)電極8，二極管本體I塑封在環(huán)氧樹脂管9內(nèi)，環(huán)氧樹脂管9外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體I工作參數(shù)的涂層10。涂層10的原料為紫外光固化油墨，可經(jīng)過氟利昂、酒精、異丙醇及類似溶劑清洗，涂層也不會(huì)剝落。以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明 書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
1.肖特基二極管，包括二極管本體(I)，其特征在于所述的二極管本體(I)以N型半導(dǎo)體為基片(2)，在基片(2)上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層(3)，N-外延層(3)上面有與其接觸的陽極金屬(4)，陽極金屬(4)的邊緣區(qū)域設(shè)置有二氧化硅層(5)，在基片(2)下邊形成有N+陰極層(6)，N+陰極層(6)下面有與其接觸的陰極金屬(7)，陽極金屬(4)和陰極金屬(7)對(duì)外各引出一個(gè)電極(8)，所述的二極管本體(I)塑封在環(huán)氧樹脂管(9)內(nèi)，環(huán)氧樹脂管(9)外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體(I)工作參數(shù)的涂層(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于所述的涂層(10)的原料為紫外光固化油墨。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其是一種肖特基二極管。肖特基二極管，包括二極管本體，所述的二極管本體以N型半導(dǎo)體為基片，在基片上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層，N-外延層上面有與其接觸的陽極金屬，陽極金屬的邊緣區(qū)域設(shè)置有二氧化硅層，在基片下邊形成有N+陰極層，N+陰極層下面有與其接觸的陰極金屬，陽極金屬和陰極金屬對(duì)外各引出一個(gè)電極，所述的二極管本體塑封在環(huán)氧樹脂管內(nèi)，環(huán)氧樹脂管外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體工作參數(shù)的涂層。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，二極管本體塑封在環(huán)氧樹脂管內(nèi)確保其電氣特性不受影響，環(huán)氧樹脂管外涂覆有一層可以清楚顯示出二極管本體工作參數(shù)的涂層，方便正確使用。
文檔編號(hào)H01L23/29GK103035586SQ20111030165
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者孔明 申請(qǐng)人:孔明