專利名稱：通過優(yōu)化偽金屬分布增大介電強度的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過優(yōu)化偽金屬分布增大介電強度。
背景技術(shù)：
在集成電路中使用了偽金屬和偽通孔用在集成電路中，例如，用于減小在制作工藝中的微承載影響。在用于插入偽金屬和偽通孔的現(xiàn)有工藝中，首先，布置金屬線和金屬通孔，并且將偽金屬和偽通孔插入至未通過金屬線和金屬通孔使用的芯片區(qū)?，F(xiàn)有的插入工藝可能受制于因低插入效率而更糟。因此，需要改進的方法以提供具有高插入效率的插入工藝。

發(fā)明內(nèi)容
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種方法，包括提供晶圓表示件，包括金屬層和位于金屬層的上方的多個凸塊焊盤，其中，金屬層包括凸塊焊盤正下方區(qū)域；將固體金屬圖案插入金屬層中，其中，固體金屬圖案包括位于凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第一部件和位于凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第二部件；以及去除固體金屬圖案的第二部件的部分，其中，基本上沒有去除固體金屬圖案的第一部件的部分，在去除形成的偽金屬圖案的步驟期間沒有去除固體金屬圖案的剩余部分，并且其中，使用計算機執(zhí)行插入和去除的步驟。其中，該方法進一步包括在半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)偽金屬圖案和多個凸塊焊盤。其中，固體金屬圖案與多個凸塊焊盤之一的整體垂直重疊。其中，金屬層直接在多個凸塊焊盤的下方，在金屬層和多個凸塊焊盤之間不存在附加的金屬層。其中，金屬層沒有直接位于多個凸塊焊盤的下方，在金屬層和多個凸塊焊盤之間具有至少一個附加的金屬層。其中，貫穿晶圓表示件的整體，基本上沒有固體金屬圖案的部分從位于任意多個凸塊焊盤下方的凸塊焊盤正下方區(qū)域中去除。其中，凸塊焊盤正下方區(qū)域中的金屬密度大于約90%，并且在具有約大于 100 μ mX 100 μ m尺寸的區(qū)域中，金屬層位于凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的金屬密度在約 15%和約85%之間。其中，在插入固體金屬圖案的步驟之前，在金屬層中存在金屬連接件，并且其中， 固體金屬圖案與任意金屬連接件斷開。其中，在插入固體金屬圖案的步驟期間，插入附加的固體金屬圖案以填充金屬層， 并且其中，沒有附加固體金屬圖案連接至位于金屬層中的任何金屬連接件。該方法進一步包括附加的插入步驟，其中，在附加的插入步驟期間，將偽通孔插入凸塊焊盤正下方區(qū)域中，并且其中，沒有將偽通孔插入凸塊焊盤正下方區(qū)域以外。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，包括提供晶圓表示件，包括第一金屬層、位于第一金屬層上方的第二金屬層，以及位于第二金屬層上方的多個凸塊焊盤，其中，第一金屬層包括第一凸塊焊盤正下方區(qū)域，第二金屬層包括第二凸塊焊盤正下方區(qū)域； 將第一固體金屬圖案插入第一金屬層中，其中，第一固體金屬圖案包括位于第一凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第一部件、和位于第一凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第二部件；將第二固體金屬圖案插入第二金屬層中，其中，第二固體金屬圖案包括位于第二凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第三部件、和位于第二凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第四部件；分別去除第一固體金屬圖案的第二部件的部分、和第二固體金屬圖案的第四部件的部分，其中，基本上沒有去除第一固體金屬圖案的第一部件的部分、和第二固體金屬圖案的第三部件的部分，并且其中，第一固體金屬圖案和第二固體金屬圖案的剩余部分形成偽金屬圖案；以及將偽通孔插入在第一金屬層和第二金屬層之間，其中，偽通孔在第一部件和第三部件之間并且與第一部件和第三部件垂直重疊，其中，使用計算機執(zhí)行插入第一固體金屬圖案和第二固體金屬圖案的步驟、去除第二部件的部分和第四部件的部分的步驟、以及插入偽通孔的步驟。其中，在去除第二部件的部分和第四部件的部分的步驟與在芯片中實現(xiàn)偽金屬圖案的步驟之間，在與偽通孔相同的水平面并且在第一凸塊焊盤正下方區(qū)域和第二凸塊焊盤正下方區(qū)域以外，基本上沒有插入附加的偽通孔。其中，貫穿晶圓表示件，基本上沒有從第一凸塊焊盤正下方區(qū)域去除第一固體金屬圖案的部分，并且基本上沒有從第二凸塊焊盤正下方區(qū)域去除第二固體金屬圖案的部分。其中，第一凸塊焊盤正下方區(qū)域和第二凸塊焊盤正下方區(qū)域中的金屬密度大于約 90%，并且其中，位于第一凸塊焊盤正下方區(qū)域和第二凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第一金屬層和第二金屬層的區(qū)域的金屬密度在約15%和約85%之間。其中，在插入第一固體金屬圖案和第二固體金屬圖案的步驟之前，在第一金屬層或第二金屬層中存在金屬連接件，并且其中，第一固體金屬圖案和第二固體金屬圖案與任意金屬連接件的電斷開。其中，在插入第二固體金屬圖案的步驟期間，基本上在晶圓表示件中所有凸塊焊盤的全部凸塊焊盤正下方區(qū)域中插入附加的固體金屬圖案，并且其中，將附加的固體金屬圖案插入第二金屬層中。根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種方法，包括提供晶圓表示件，包括金屬層和位于金屬層上方的多個凸塊焊盤，其中，金屬層包括凸塊焊盤正下方區(qū)域；將固體偽金屬圖案插入金屬層中，其中，將固體偽金屬圖案基本上限定在凸塊焊盤正下方區(qū)域內(nèi)，并且其中，基本上沒有將固體偽金屬圖案插入凸塊焊盤正下方區(qū)域以外；在插入固體偽金屬圖案的步驟以后，將偽圖案插入金屬層和凸塊焊盤正下方區(qū)域以外；以及在半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)固體偽金屬圖案和偽圖案。其中，固體偽金屬圖案與多個凸塊焊盤之一的整體垂直重疊。其中，在插入固體偽金屬圖案的步驟以前，凸塊焊盤正下方區(qū)域之一中存在金屬連接件，其中，固體偽金屬圖案和金屬連接件基本上與多個凸塊焊盤之一的整體垂直重疊， 并且其中，固體偽金屬圖案與金屬連接件斷開。其中，貫穿晶圓表示件的基本上全部凸塊焊盤正下方區(qū)域的金屬密度大于約 90%，并且位于凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的金屬層的區(qū)域的金屬密度在約15%和約85%
5之間，其中，該金屬層的區(qū)域具有大于約IOOymX IOOym的尺寸。


為了全面地理解本實施例及其優(yōu)點，現(xiàn)在將對結(jié)合附圖所作的以下描述進行參考，其中圖1示出了根據(jù)實施例的管芯的橫截面視圖；圖2至圖4為根據(jù)實施例插入偽金屬圖案的中間階段的俯視圖，其中，首先插入厚偽金屬圖案，并且從凸塊焊盤正下方區(qū)域以外去除部分厚偽金屬圖案；圖5至圖7為根據(jù)可選實施例插入偽金屬圖案的中間階段的俯視圖，其中，將偽金屬圖案插入凸塊焊盤正下方區(qū)域中，且之后將附加偽金屬圖案插入凸塊焊盤正下方區(qū)域以外；圖8至圖13為在凸塊焊盤正下方區(qū)域中插入偽通孔的中間階段的俯視圖；圖14示出了用于進行金屬圖案布置的計算機和用于存儲偽圖案布置的存儲介質(zhì)。
具體實施例方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明各實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本實施例提供了多個可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實施例僅僅用于說明，而不用于限制本發(fā)明的范圍。根據(jù)實施例提供了用于插入偽金屬和偽通孔的方法。示出了多個實施例的中間階段。貫穿多個視圖和說明性實施例，相同的參考標(biāo)號用于指示相同元件。參照圖1，提供了半導(dǎo)體晶圓100的一部分的橫截面視圖。半導(dǎo)體晶圓100可以包括諸如形成在半導(dǎo)體襯底20的表面的晶體管(未示出)的有源器件。互連結(jié)構(gòu)22形成在半導(dǎo)體襯底20的表面，該互連結(jié)構(gòu)包括形成在其中并且電連接至半導(dǎo)體器件的金屬線M 和通孔26。金屬線M和通孔沈可以由銅或銅合金形成，并且可以使用鑲嵌工藝來形成該金屬線和通孔?；ミB結(jié)構(gòu)22可以包括層間電介質(zhì)(ILD08和金屬間電介質(zhì)(IMD)30。在層間電介質(zhì)(ILD)觀和金屬間電介質(zhì)(IMD) 30中形成并且嵌入金屬線M和通孔26。IMD 30可以包括多個介電層31和頂部介電層32，其中，將在介電層31中的金屬層稱作金屬層Ml至Mtop-I。將在頂部介電層32中的金屬層稱作Mtop，其中，整數(shù)“top”可以表示9或者更大或更小的整數(shù)。在實施例中，金屬層Ml至Mtop中的金屬線M和通孔沈由銅或銅合金形成。此外，介電層31可以為低k介電層，例如，具有小于例如約3. 0或2. 5 的低k值的低k介電層。金屬層Mtop可以由銅或銅合金形成，或者可選地由鋁、鋁銅合金等形成。頂部介電層32可以由低k電介質(zhì)材料或者諸如未摻雜硅玻璃(USG)的其他非低 k (具有大于3.8的k值)電介質(zhì)材料形成?？梢栽诨ヂ?lián)結(jié)構(gòu)22的上方形成一個或多個鈍化層。在所示的實施例中，形成了鈍化層36和鈍化層40。在鈍化層36的上方形成凸塊焊盤38。凸塊焊盤38可以包括鋁(Al) 或者鋁銅合金(AlCu)，并且還可以包括諸如銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鎢(W)等的其他金屬。凸塊焊盤38可以通過下方的互連結(jié)構(gòu)22和在鈍化層36中的金屬連接件(未示出) 與半導(dǎo)體器件電連接。鈍化層40可以包括覆蓋凸塊焊盤38的邊緣部的部分、以及與凸塊焊盤38相同水平位置的部分。鈍化層36和40可以由聚酰亞胺、或者諸如氧化硅、氮化硅、以及其多層的其他已知電介質(zhì)材料形成。底部凸塊金屬(UBM)42形成于凸塊焊盤38上并且電連接至凸塊焊盤38。UBM 42 可以包括銅層和鈦層(未示出)。在UBM 42的上方形成金屬凸塊44。金屬凸塊44由非回流材料形成，并且可以包括例如銅、鎳、鈀等?？蛇x地，金屬凸塊44為焊料凸塊。貫穿該描述，將在位于凸塊焊盤38的正下方、并且與該凸塊焊盤垂直重疊的區(qū)域稱作凸塊焊盤正下方區(qū)域，標(biāo)記為區(qū)域46(圖1)。在實施例中，在不違背提供的用于布置金屬部件的設(shè)計規(guī)則的情況下，在凸塊焊盤正下方區(qū)域中的金屬部件可以具有盡可能高的圖案密度，沒有違背提供的用于金屬部件的設(shè)計規(guī)則。凸塊焊盤正下方區(qū)域46中的金屬部件包括位于互連結(jié)構(gòu)22中的金屬線M和通孔26、以及諸如偽圖案52的偽金屬。凸塊焊盤正下方區(qū)域46通過所有介電層31和32延伸，并且延伸入至鈍化層36中。因此，金屬層 Ml至Mtop中的每個均包括凸塊焊盤正下方區(qū)域和位于任一凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的區(qū)域。圖2至圖4示出了根據(jù)實施例在金屬層(金屬層Mi，其中，整數(shù)為1至“top”之一)之一中布置偽圖案的中間階段的俯視圖。參照圖2，示出了半導(dǎo)體晶圓100、以及位于該半導(dǎo)體晶圓100中的凸塊焊盤38的俯視圖。應(yīng)該注意，貫穿圖2至圖13，所示的半導(dǎo)體晶圓100、凸塊焊盤38、金屬線M、偽圖案52以及152等是圖1所示的物理晶圓中部件的表示(表示件)(!^presentation)。在布置階段期間執(zhí)行圖2至圖13所示的步驟時，這些表示件尚未在物理半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)和制造。因此，貫穿該描述，還將晶圓100稱作晶圓表示件。然而，在稍后的后續(xù)制作步驟中，將在物理晶圓中實現(xiàn)該部件。參照圖3，固體金屬圖案50被布置(插入)在金屬層Mi中，其中，在插入固體金屬圖案50之前，該金屬層中布置有金屬線M。不將該固體金屬圖案50連接至位于相同金屬層中的任何條金屬線M。在固體金屬圖案50之間的間隔遵循設(shè)計規(guī)則。所以，對于某些凸塊焊盤38，沒有金屬線M位于其正下方，相應(yīng)的下層固體金屬圖案50完全覆蓋該凸塊焊盤 38?？梢载灤┱麄€金屬層Mi插入固體金屬圖案50，以使已有的金屬線M和固體金屬圖案 50基本上貫穿整個金屬層Mi延伸。接下來，如圖4所示，去除部分固體金屬圖案50，形成矩形開口 M。下文中，將固體金屬圖案50的剩余部稱作偽金屬圖案。在得到的結(jié)構(gòu)中，可以將位于凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外的某些偽圖案52與該結(jié)構(gòu)中的矩形開口討互連，其中，在各個半導(dǎo)體晶圓的制作當(dāng)中，開口 M將填充有電介質(zhì)材料31或32 (圖1)。在去除期間，對位于凸塊焊盤正下方區(qū)域46中的固體金屬圖案50的部分和位于凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外的固體金屬圖案 50的部分進行不同處理。在實施例中，在凸塊焊盤正下方區(qū)域46中，不會去除固體金屬圖案50的部分。然而，在凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外，去除了固體金屬圖案50的部分。在可選的實施例中，將凸塊焊盤正下方區(qū)域46中固體金屬圖案50的部分、與凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外的固體金屬圖案50的部分一并去除。然而，與凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外的區(qū)域相比較，在凸塊焊盤正下方區(qū)域46中可以去除更小百分比。在生成的布置中，假設(shè)在凸塊焊盤正下方區(qū)域46中，金屬圖案密度為“A”，并且在凸塊焊盤正下方區(qū)域 46以外，金屬圖案密度為“B”，金屬圖案密度A (包括金屬線M和偽圖案52這兩者)大于金屬圖案密度B (也包括金屬線M和偽圖案52這兩者)。值A(chǔ)可能以大于約10%或者大于約90%的偏差大于值B。應(yīng)該注意，對于在每個凸塊焊盤38的下方的整個凸塊焊盤正下方區(qū)域46測量金屬圖案密度A，并且對于大于或等于100 μ mX 100 μ m的芯片面積測量金屬圖案密度B。此外，金屬圖案密度A可以大于約90%，或者可以高達(dá)100%。在凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外，金屬圖案密度B可以在約10%和約85%之間。圖5至圖7示出了根據(jù)可選實施例的布置偽圖案中的中間階段的俯視圖。除非另有說明，否則在該實施例中的參考標(biāo)號基本上與在圖2至圖4所示的實施例中的相同。如圖5所示，首先布置金屬線M。接下來，參照圖6，將偽圖案52A添加至與金屬線M相同的金屬層。貫穿這里的描述，由于偽圖案的尺寸接近或者大于凸塊焊盤38的尺寸，并且還由于在半導(dǎo)體芯片中實現(xiàn)該偽圖案，所以可選地將偽圖案52A稱作預(yù)定固體偽圖案。此外，在該步驟中，將偽圖案52A添加至凸塊焊盤正下方區(qū)域46中，而在凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外，則不添加偽圖案52A或者基本上沒有偽圖案52A。盡管示出了偽圖案52A的邊緣如稍微越過凸塊焊盤38的邊緣延伸的，示出了偽圖案52A的邊緣，但是如通過虛線47所示的，偽圖案的邊緣還可以與凸塊焊盤38的邊緣對齊。偽圖案52A可以基本上與各個凸塊焊盤38 的整體重疊，并且還可以稍微越過各個凸塊焊盤38的邊緣延伸。然而，偽圖案52A越過凸塊焊盤38的延伸受到限制。例如，延伸寬度Wl小于凸塊焊盤38的寬度W2的大約20%。 偽圖案52A還可以具有與各個上層凸塊焊盤38基本上相同的形狀和相同的尺寸，并且可以基本上完全覆蓋各個上層凸塊焊盤38。在一實施例中，偽圖案52A是非固體金屬圖案，并且可以包括在相同凸塊焊盤38下方的多個不連續(xù)部分。在凸塊焊盤正下方區(qū)域46內(nèi)的金屬圖案密度A可以達(dá)到大于大約等于90%或更高。此外，在金屬線M延伸進入凸塊焊盤正下方區(qū)域46的實施例中，偽金屬焊盤52A與金屬線M隔離開。接下來，如圖7所示，將偽圖案52B添加至與金屬線M相同的金屬層，并且添加至凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外。在該步驟中，基本上沒有將偽圖案插入凸塊焊盤正下方區(qū)域46當(dāng)中。偽圖案52B可以形成分離的矩形圖案，或者可以具有其他形狀。所以，凸塊焊盤的正下方區(qū)域46以外的金屬圖案密度B可以落入預(yù)定范圍內(nèi)，例如，在大于或等于 100 μ mX 100 μ m的芯片面積中，在約15%和約85%之間。在實施例中，對于諸如Mtop和Mtop-I的上部金屬層而不是諸如Ml至Mtop_2的下金屬層，可以重復(fù)圖2至圖4的步驟或者圖5至圖7的步驟。在可選的實施例中，對于金屬層Ml至Mtop的每層，可以重復(fù)圖2至圖4的步驟或者圖5至圖7的步驟。通過提高凸塊焊盤正下方區(qū)域46中的金屬圖案密度，可以在各個晶圓上更均勻地分布施加給凸塊焊盤38的應(yīng)力，從而，改善了生成的封裝組件的可靠性。此外，通過凸塊焊盤正下方區(qū)域46 中的最大圖案密度，還改善了熱損失。圖8至圖13示出了根據(jù)可選實施例的插入偽通孔的中間階段。參照圖8，貫穿金屬層之一添加固體金屬圖案52，其中，該金屬層之一可以為金屬層M2至Mtop中的任一層， 并且在下文中被稱作金屬層Mi。因此，整數(shù)i可以為在2和“top”之間(并且包括2和 “top”)的任意值。用于插入固體金屬圖案52的細(xì)節(jié)本質(zhì)上可以與圖2和圖3中所示的相同，因此這里不再重復(fù)。將金屬層Mi中的金屬連接件/線表示為24A，其在插入固體金屬圖案52之布置。固體金屬圖案52與任一金屬線24A斷開。接下來，如圖9所示，將固體金屬圖案152插入金屬層M(i_l)中，該金屬層直接位于金屬層Mi的下方，沒有位于金屬層Mi和M(i-l)之間的其他金屬層。用于插入固體金屬圖案152的細(xì)節(jié)與插入固體圖案52的基本相同，因此這里沒有進行討論。金屬層M(i-l)也可以具有預(yù)先布置的金屬線24(標(biāo)記為MB)，該金屬線可以具有與圖8所示的金屬線24A 不同的圖案。圖10示出了固體金屬圖案52和固體金屬圖案152的重疊區(qū)域，其中，重疊區(qū)域 252為固體金屬圖案52和152在俯視圖中彼此重疊。換而言之，固體金屬圖案52和152這兩者都延伸至重疊區(qū)域252中。參照圖11，將偽通孔56插入在金屬層Mi和M(i-l)之間，以與固體金屬圖案52和 152互連。偽通孔56在俯視圖中與重疊區(qū)域252重疊。每個偽通孔56的至少一部分并且也可以是其全部位于凸塊焊盤正下方區(qū)域46中。因此，每個偽通孔56的至少一部分與凸塊焊盤38基本上垂直重疊。在凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外，基本上沒有偽通孔56被插入。 當(dāng)當(dāng)在將半導(dǎo)體晶圓中實施偽通孔56和金屬層Mi和M(i-l)在半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)時，偽通孔將偽圖案52物理連接至偽圖案152 (請參照圖12和圖1 。在實施例中，在金屬層Mi和 M(i-l)之間的通孔層中，在插入偽通孔56以前和以后的任何步驟中，沒有插入除偽通孔56 以外的附加額外偽通孔。在插入偽通孔56和制作包括偽通孔56的各個晶圓之間的任何步驟中，沒有插入除偽通孔56以外的附加額外偽通孔。因此，在各個物理晶圓中沒有形成除偽通孔56以外的附加額外偽通孔。接下來，如圖12所示，從金屬層Mi以及凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外去除了固體金屬圖案52的部分。圖13示出了從金屬層M(i-l)以及從凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外去除了固體金屬圖案152的部分。用于去除固體金屬圖案52和152的部分的細(xì)節(jié)基本上可以與針對圖4所討論的相同，因此，這里不進行重復(fù)。與圖4所示的實施例類似，基本上沒有固體金屬圖案52和152的部分被從凸塊焊盤正下方區(qū)域46中去除。固體金屬圖案52 和152的剩余部分為偽金屬。通過使用圖8至圖13所示的工藝，增大了金屬層Ml至Mtop和通孔層中的金屬圖案密度，而沒有導(dǎo)致在凸塊焊盤正下方區(qū)域46以外的金屬圖案密度的增大。圖2至圖13示出了偽金屬線的布置，其中，可以使用計算機70進行該布置，該計算機包括用于執(zhí)行如圖2至圖13所示的步驟的特定軟件。將生成的布置保存在諸如硬盤驅(qū)動器72的存儲介質(zhì)中。如圖2至圖13所示的生成的偽金屬線、偽通孔56、以及凸塊焊盤 38，可以在物理半導(dǎo)體晶圓100中實現(xiàn)(制作)，得到圖1所示的結(jié)構(gòu)。根據(jù)實施例，一種方法，包括提供晶圓表示件，包括金屬層和在該金屬層上方的多個凸塊焊盤，其中，金屬層包括凸塊焊盤正下方區(qū)域。將固體金屬圖案插入金屬層中，其中，固體金屬圖案包括位于凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第一部件和位于凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第二部件。去除固體金屬圖案的第二部件的部分，其中，基本上沒有去除固體金屬圖案的第一部件的部分。在形成偽金屬圖案的去除步驟期間沒有去除固體金屬圖案的剩余部分。在半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)偽金屬圖案和多個凸塊焊盤。根據(jù)其他實施例，一種方法，包括提供晶圓表示件，包括第一金屬層、在第一金屬層上方的第二金屬層、以及在該第二金屬層上方的多個凸塊焊盤，其中，第一金屬層和第二金屬層分別包括第一凸塊焊盤正下方區(qū)域和第二凸塊焊盤正下方區(qū)域。將第一固體金屬圖案插入第一金屬層中，其中，第一固體金屬圖案包括位于第一凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第一部件和位于第一凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第二部件。將第二固體金屬圖案插入第二金屬層中，其中，第二固體金屬圖案包括位于第二凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第三部件和位于第二凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第四部件。分別去除第一固體金屬圖案的第二部件的部分和第二固體金屬圖案的第四部件的部分，其中，基本上沒有去除第一固體金屬圖案的第一部件的部分和第二固體金屬圖案的第三部件的部分。在去除形成偽金屬圖案的步驟期間沒有去除第一固體金屬圖案和第二固體金屬圖案的剩余部分。將偽通孔插入在第一金屬層和第二金屬層之間，其中，偽通孔在第一部件和第三部件之間并且與第一部件和第三部件垂直重疊。在半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)偽金屬圖案和多個凸塊焊盤。再根據(jù)其他實施例，一種方法，包括提供晶圓表示件，包括金屬層和在該金屬層上方的多個凸塊焊盤，其中，金屬層包括凸塊焊盤正下方區(qū)域。將固體偽金屬圖案插入金屬層中，其中，固體偽金屬圖案基本上限定在凸塊焊盤正下方區(qū)域中，并且其中，基本上沒有將固體偽金屬圖案插入凸塊焊盤正下方區(qū)域以外。在插入固體偽金屬圖案的步驟以后，將偽圖案插入金屬層中以及凸塊焊盤正下方區(qū)域以外。在半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)固體偽金屬圖案和偽圖案。盡管已經(jīng)詳細(xì)描述了實施例及其優(yōu)點，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的實施例主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變、替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與在本文中所述相應(yīng)實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求旨在包括在這樣的工藝、機器、 制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨的實施例，并且多個權(quán)利要求和實施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括提供晶圓表示件，包括金屬層和位于所述金屬層的上方的多個凸塊焊盤，其中，所述金屬層包括凸塊焊盤正下方區(qū)域；將固體金屬圖案插入所述金屬層中，其中，所述固體金屬圖案包括位于所述凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第一部件和位于所述凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第二部件；以及去除所述固體金屬圖案的所述第二部件的部分，其中，基本上沒有去除所述固體金屬圖案的所述第一部件的部分，在去除形成的偽金屬圖案的步驟期間沒有去除所述固體金屬圖案的剩余部分，并且其中，使用計算機執(zhí)行插入和去除的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括在半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)所述偽金屬圖案和所述多個凸塊焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述固體金屬圖案與所述多個凸塊焊盤之一的整體垂直重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述金屬層直接在所述多個凸塊焊盤的下方，在所述金屬層和所述多個凸塊焊盤之間不存在附加的金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述金屬層沒有直接位于所述多個凸塊焊盤的下方，在所述金屬層和所述多個凸塊焊盤之間具有至少一個附加的金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，貫穿所述晶圓表示件的整體，基本上沒有所述固體金屬圖案的部分從位于任意所述多個凸塊焊盤下方的凸塊焊盤正下方區(qū)域中去除。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述凸塊焊盤正下方區(qū)域中的金屬密度大于約 90 %，并且在具有約大于100 μ mX 100 μ m尺寸的區(qū)域中，所述金屬層位于所述凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的金屬密度在約15%和約85%之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在插入所述固體金屬圖案的步驟之前，在所述金屬層中存在金屬連接件，并且其中，所述固體金屬圖案與任意所述金屬連接件斷開。
9.一種方法，包括提供晶圓表示件，包括第一金屬層、位于所述第一金屬層上方的第二金屬層，以及位于所述第二金屬層上方的多個凸塊焊盤，其中，所述第一金屬層包括第一凸塊焊盤正下方區(qū)域，所述第二金屬層包括第二凸塊焊盤正下方區(qū)域；將第一固體金屬圖案插入所述第一金屬層中，其中，所述第一固體金屬圖案包括位于所述第一凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第一部件、和位于所述第一凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第二部件；將第二固體金屬圖案插入所述第二金屬層中，其中，所述第二固體金屬圖案包括位于所述第二凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第三部件、和位于所述第二凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第四部件；分別去除所述第一固體金屬圖案的所述第二部件的部分、和所述第二固體金屬圖案的所述第四部件的部分，其中，基本上沒有去除所述第一固體金屬圖案的所述第一部件的部分、和所述第二固體金屬圖案的所述第三部件的部分，并且其中，所述第一固體金屬圖案和所述第二固體金屬圖案的剩余部分形成偽金屬圖案；以及將偽通孔插入在所述第一金屬層和所述第二金屬層之間，其中，所述偽通孔在所述第一部件和所述第三部件之間并且與所述第一部件和所述第三部件垂直重疊，其中，使用計算機執(zhí)行插入所述第一固體金屬圖案和所述第二固體金屬圖案的步驟、去除所述第二部件的部分和所述第四部件的部分的步驟、以及插入所述偽通孔的步驟。
10. 一種方法，包括提供晶圓表示件，包括金屬層和位于所述金屬層上方的多個凸塊焊盤，其中，所述金屬層包括凸塊焊盤正下方區(qū)域；將固體偽金屬圖案插入所述金屬層中，其中，將所述固體偽金屬圖案基本上限定在所述凸塊焊盤正下方區(qū)域內(nèi)，并且其中，基本上沒有將所述固體偽金屬圖案插入所述凸塊焊盤正下方區(qū)域以外；在插入所述固體偽金屬圖案的步驟以后，將偽圖案插入所述金屬層和所述凸塊焊盤正下方區(qū)域以外；以及在半導(dǎo)體晶圓中實現(xiàn)所述固體偽金屬圖案和所述偽圖案。
全文摘要
一種通過優(yōu)化偽金屬分布增大介電強度的方案，該方案包括以下方法提供晶圓表示件，包括金屬層和在該金屬層的上方的多個凸塊焊盤，其中，該金屬層包括凸塊焊盤正下方區(qū)域。將固體金屬圖案插入金屬層，其中，固體金屬圖案包括位于凸塊焊盤正下方區(qū)域中的第一部件和位于凸塊焊盤正下方區(qū)域以外的第二部件。去除固體金屬圖案的第二部件的部分，其中，基本上沒有去除固體金屬圖案的第一部件的部分。在去除形成的偽金屬圖案的步驟期間沒有去除固體金屬圖案的剩余部分。在半導(dǎo)體晶圓中實施偽金屬圖案和多個凸塊焊盤。
文檔編號H01L21/768GK102593043SQ20111020147
公開日2012年7月18日 申請日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月10日
發(fā)明者劉醇鴻, 陳憲偉 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司