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檢測(cè)裝置的制作方法

文檔序號(hào):7005448閱讀:241來源:國(guó)知局
專利名稱:檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于檢測(cè)晶片(wafer,晶圓)內(nèi)部裂紋的裝置,更特別的是,涉及一種當(dāng)于一方向傳送晶片時(shí),通過利用一照明單元與一相機(jī)拍攝晶片以檢測(cè)晶片內(nèi)部裂紋或其他缺陷的裝置。
背景技術(shù)
在利用一多晶錠制造太陽(yáng)能電池晶片的方法中,一多晶硅錠被切成多個(gè)矩形錠構(gòu)件(此一分割的錠稱為塊或柱),且通過線鋸切割處理或類似處理,將這些錠構(gòu)件的每一者切成薄晶片。雖然通過線鋸處理將錠構(gòu)件切成薄晶片,但包括磨料的漿料噴灑到介于線與錠構(gòu)件之間的界面。不過,噴灑漿料時(shí)利用線鋸該錠構(gòu)件的處理造成切割晶片高度粗糙、由于浪費(fèi)漿料的高制造成本、及復(fù)原漿料以避免漿料環(huán)境污染的成本。因此,最近利用線鋸切割該錠構(gòu)件的方法,其中附著細(xì)微磨料,諸如晶鉆微粒。此一鉆石線鋸處理方法提供切割晶片平滑表面,降低制造成本,及避免環(huán)境污染。不過,鉆石線鋸處理制造的晶片表面有鋸痕,諸如在一方向形成非常細(xì)微條紋,拍攝通過照明與相機(jī)之間的晶片以檢測(cè)晶片內(nèi)部裂紋過程會(huì)引起波紋現(xiàn)象,使得不能夠正確檢測(cè)內(nèi)部裂紋,由于長(zhǎng)垂直條紋圖案顯現(xiàn)在晶片影像,如圖1所示。傳統(tǒng)上,在通過照明與相機(jī)之間以前,晶片會(huì)90度旋轉(zhuǎn),為了通過旋轉(zhuǎn)鋸痕90度避免波紋現(xiàn)象。不過,在此情況,由于需額外裝置與旋轉(zhuǎn)晶片90度的時(shí)間,所以存在低生產(chǎn)力的問題。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題因此,本發(fā)明是要解決先前技術(shù)問題,且本發(fā)明的一方式是要提供一晶片檢測(cè)裝置,通過排除由波紋現(xiàn)象所導(dǎo)致的影響,獲得經(jīng)由鉆石線鋸處理等切割晶片的清楚影像,且當(dāng)在一方向連續(xù)傳送晶片時(shí),可于檢測(cè)晶片內(nèi)部裂紋時(shí),利用一照明單元與一相機(jī)拍攝晶片,不需改變晶片方向,即可檢測(cè)晶片。技術(shù)解決方案根據(jù)本發(fā)明的一方式,提供一種檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)在一方向擁有延伸條紋狀的多個(gè)鋸痕的表面上連續(xù)形成的晶片。該裝置包括一傳輸單元,其于一方向?yàn)檫B續(xù)及水平傳送晶片;一相機(jī),其配置在晶片的傳送路徑,及拍攝由該傳輸單元傳送的晶片;一照明單元,其配置相對(duì)于該相機(jī),且提供光給晶片以拍攝晶片;及一棱鏡片,其位于該相機(jī)與該照明單元之間。在此,棱鏡片是在一方向擁有延伸條紋狀的多個(gè)不平坦圖案的表面上連續(xù)形成。棱鏡片的不平坦圖案可在與晶片傳送方向相同的方向中延伸。
有利的效果根據(jù)示范性具體實(shí)施例,由于通過位于照明單元上面的棱鏡片折射及凝聚之后, 一照明單元的發(fā)射光提供給晶片,所以當(dāng)拍攝晶片時(shí),由于波紋現(xiàn)象造成的條紋圖案不會(huì)出現(xiàn)。因此,裝置可獲得清楚影像,藉此正確檢測(cè)晶片的內(nèi)部裂紋。此外,雖然晶片不是90度旋轉(zhuǎn),但沒有波紋現(xiàn)象。因此,不需要額外的組態(tài)與操作供晶片90度旋轉(zhuǎn)。


本發(fā)明的上述及其他方式、特征與效益可從下列連同附圖的詳細(xì)描述而更了解, 其中圖1顯示傳統(tǒng)的晶片影像;圖2為根據(jù)本發(fā)明的一示范性具體實(shí)施例的一晶片檢測(cè)裝置側(cè)視圖;圖3為圖2的晶片檢測(cè)裝置的平面圖;圖4為圖2的晶片檢測(cè)裝置的主要部份的透視圖;圖5顯示根據(jù)示范性具體實(shí)施例的晶片檢測(cè)裝置拍攝的晶片影像,其中晶片配置成擁有垂直于晶片移動(dòng)方向的鋸痕;及圖6顯示根據(jù)示范性具體實(shí)施例的晶片檢測(cè)裝置拍攝的晶片影像,其中晶片配置成擁有平行于晶片移動(dòng)方向的鋸痕。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性具體實(shí)施例。請(qǐng)即參考圖2至4,根據(jù)一示范性具體實(shí)施例的一晶片檢測(cè)裝置包括一傳輸單元 10,其在一方向傳送晶片W ;—相機(jī)20,其配置在該傳輸單元10上面;一照明單元30,其配置在傳輸單元10的下面,且相對(duì)于相機(jī)20 ;及一棱鏡片40,其只位在照明單元30上面,并與照明單元分開。晶片W是借著通過鉆石線鋸處理切割一錠構(gòu)件加以制成,且在擁有連續(xù)鋸痕SM的表面上形成,每一鋸痕擁有于一方向延伸的延伸條紋狀。傳輸單元10組態(tài)成于一方向?yàn)檫B續(xù)及水平傳送晶片W。傳輸單元10包括多個(gè)滑輪11 ;一皮帶12,其繞于該滑輪11周圍;及一驅(qū)動(dòng)馬達(dá)13,其可供力給這些滑輪11之一, 以旋轉(zhuǎn)滑輪11和皮帶12。雖然在此具體實(shí)施例中,示例說明的傳輸單元10包括滑輪11、 皮帶12和驅(qū)動(dòng)馬達(dá)13,但傳輸單元可組態(tài)成使用一球頭螺釘和一馬達(dá)、一線性馬達(dá)系統(tǒng)或各種不同其他已知的線性運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)。相機(jī)20通過線條掃描方法拍攝晶片W的整個(gè)影像,其中在傳輸單元10上傳送晶片W的一些區(qū)域?yàn)槌掷m(xù)性拍攝。相機(jī)20可利用各種不同的已知相機(jī)。在此具體實(shí)施例中, 能拍攝SOOnm(奈米,納米) 2000nm(奈米)波長(zhǎng)紅外線影像的一紅外線相機(jī)可當(dāng)作相機(jī) 20使用。此外,照明單元30位于傳輸單元10的下面,且當(dāng)拍攝晶片W時(shí),提供光(此具體實(shí)施例為紅外線)給晶片W。在此的具體實(shí)施例中,照明單元30具有一結(jié)構(gòu),其中向上發(fā)射紅外線的多個(gè)紅外光發(fā)射二極管LED (未在圖顯示)是配置在一方向(即是Y軸方向)。不過,應(yīng)注意,本發(fā)明未受限于此。此外,凝聚來自紅外線LED(未在圖顯示)發(fā)射光的一半球形透鏡32配置在照明單元30上。棱鏡片40為一光學(xué)膜,能夠傳輸光,且可僅位于照明單元30上面而以預(yù)定距離分開。棱鏡片40是在擁有與晶片W的移動(dòng)方向相同的方向中延伸條紋狀的多個(gè)不平坦圖案 41的表面上連續(xù)形成。棱鏡片40的不平坦圖案41是在棱鏡片40的光出口表面上連續(xù)形成,且通過折射照明單元30的發(fā)射光改變光的行進(jìn)方向,藉此避免由于晶片W的鋸痕SM造成的波紋現(xiàn)象。 在此具體實(shí)施例中,不平坦圖案41擁有一半圓截面。不過,不局限于不平坦圖案,但能有各種不同截面,諸如三角形截面等。隨著此組態(tài),晶片檢測(cè)裝置操作如下所述。如果皮帶12在一方向旋轉(zhuǎn)(圖中為順時(shí)針方向),在傳輸單元10的皮帶12上置放的晶片W會(huì)在X軸方向移動(dòng),且移向相機(jī)20的下面。在此,晶片W置放在擁有晶片W鋸痕SM的皮帶12上,其配置是在垂直于晶片W移動(dòng)方向的Y軸方向延伸。當(dāng)晶片W由傳輸單元10移向相機(jī)20下面時(shí),(紅外線)光便會(huì)通過透鏡32從照明單元30的紅外線LED (未在圖顯示)發(fā)射,并通過棱鏡片40的不平坦圖案41抵達(dá)晶片 I相機(jī)20藉由通過晶片W傳輸?shù)呐恼展馀臄z紅外線影像。在此,相機(jī)20通過線條掃描方法獲得晶片W的整個(gè)影像,其中當(dāng)光通過相機(jī)20的下側(cè)時(shí),每個(gè)特定區(qū)域會(huì)持續(xù)拍攝數(shù)次晶片W。在整個(gè)影像中,可檢測(cè)內(nèi)部裂紋等的顯現(xiàn)、位置與大小。在此具體實(shí)施例中,晶片W是在晶片W的鋸痕SM配置垂直于晶片W的移動(dòng)方向時(shí)檢測(cè)。不過,根據(jù)另一具體實(shí)施例,晶片W可在晶片W的鋸痕SM配置平行于晶片的移動(dòng)方向時(shí)檢測(cè)。圖5顯示晶片W的鋸痕SM配置垂于晶片W的移動(dòng)方向時(shí)拍攝的晶片影像,且圖6 顯示晶片W的鋸痕SM配置平行于晶片W的移動(dòng)方向時(shí)拍攝的晶片影像。因此,應(yīng)明白,不管晶片W的鋸痕SM方向,可獲得清楚的影像,沒有上述兩情況的任何波紋現(xiàn)象。雖然在此已描述一些具體實(shí)施例,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解,這些具體實(shí)施例只是說明,且可達(dá)成各種不同修改、變化與變更,不致背離本發(fā)明的精神及范疇。因此,本發(fā)明的范疇?wèi)?yīng)只限于文后權(quán)利要求的范圍與同等物。工業(yè)適用性本發(fā)明適用于檢測(cè)太陽(yáng)能電池晶片、半導(dǎo)體裝置晶片等的一晶片檢測(cè)裝置。
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)一方向擁有延伸條紋狀的多個(gè)鋸痕(SM)的表面上連續(xù)形成的晶片(W),其特征在于,包括一傳輸單元(10),在一方向中連續(xù)及水平傳送晶片(W);一相機(jī)(20),其配置在晶片(W)的傳送路徑,及拍攝由所述傳輸單元(10)傳送的晶片(W);一照明單元(30),其相對(duì)于所述相機(jī)00)的配置,且提供光給晶片(W)以拍攝晶片 (W);及一棱鏡片(40),其位于所述相機(jī)00)與所述照明單元(30)之間,所述棱鏡片GO)為于一方向擁有延伸條紋狀的多個(gè)不平坦圖案Gl)的表面上連續(xù)形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述棱鏡片GO)的不平坦圖案Gl) 延伸方向與晶片(W)的傳輸方向相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述晶片(W)的鋸痕(SM)與所述棱鏡片GO)的不平坦圖案Gl)彼此維持正交。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述照明單元(30)在光出口表面擁有一半球形透鏡(32)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,當(dāng)拍攝晶片(W)時(shí),所述照明單元(30)發(fā)出紅外線光,且所述相機(jī)00)包括一紅外線相機(jī),以拍攝晶片(W)紅外線影像。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述紅外線光的波長(zhǎng)為800至 2000nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述棱鏡片00)與照明單元 (30)分開預(yù)定距離。
全文摘要
本發(fā)明在此揭示一種檢測(cè)裝置,晶片表面在一方向中連續(xù)形成擁有延伸條紋狀的多個(gè)鋸痕。該裝置包括一傳輸單元,其于一方向?yàn)檫B續(xù)及水平傳送晶片;一相機(jī),其配置在晶片的傳送路徑,及拍攝由該傳輸單元傳送的晶片;一照明單元,其配置相對(duì)于該相機(jī),且提供光給晶片以拍攝晶片;及一棱鏡片,其位于該相機(jī)與該照明單元之間。在此,該棱鏡片是于一方向擁有延伸條紋狀的多個(gè)不平坦圖案的表面上形成。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102331428SQ20111019514
公開日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2011年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月13日
發(fā)明者具昶根 申請(qǐng)人:韓美半導(dǎo)體株式會(huì)社
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