專利名稱：發(fā)光裝置以及投影儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置以及投影儀。
背景技術(shù)：
現(xiàn)已知有如下的發(fā)光裝置在基板上形成由III族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光層， 從外部注入電流，在發(fā)光層內(nèi)使電子與空穴復(fù)合而發(fā)光。在這樣的發(fā)光裝置中，有時(shí)會(huì)在發(fā)光層與基板之間產(chǎn)生應(yīng)變。特別是，在使用了 InGaN作為發(fā)光層且使用了與^iGaN不同的材料(例如GaN)作為基板的情況下，會(huì)在兩者之間產(chǎn)生晶格不匹配，因該晶格不匹配而使應(yīng)變變大。一旦產(chǎn)生這樣的應(yīng)變，就會(huì)對發(fā)光層施加由壓電效應(yīng)造成的電場(壓電電場)， 從而使電子與空穴的發(fā)光復(fù)合概率顯著地降低。作為解決上述的問題的方法，例如有如下的方法，S卩，如專利文獻(xiàn)1中記載的那樣，將III族氮化物半導(dǎo)體制成微細(xì)柱狀晶體結(jié)構(gòu)，以緩解在發(fā)光層與基板之間產(chǎn)生的應(yīng)變。專利文獻(xiàn)1日本特開2008-169060號公報(bào)但是，在專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)中，由于微細(xì)柱狀晶體結(jié)構(gòu)的側(cè)面是露出的，因此有時(shí)會(huì)產(chǎn)生與側(cè)面附近的缺陷或雜質(zhì)相伴的非發(fā)光復(fù)合，使發(fā)光效率降低的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明幾個(gè)方式的目的之一在于提供一種發(fā)光效率高的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明幾個(gè)方式目的之一在于提供一種具有上述發(fā)光裝置的投影儀。本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置，包含第一層，其具有第一面；第二層，其具有與所述第一面對置的第二面；及結(jié)構(gòu)體，其被所述第一面和所述第二面夾持，所述結(jié)構(gòu)體具有第一微細(xì)壁狀構(gòu)件、第二微細(xì)壁狀構(gòu)件和半導(dǎo)體構(gòu)件，所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件具有第三層，其與所述第一面鄰接；第四層，其與所述第二面鄰接；及第五層，其被所述第三層和所述第四層夾持，所述半導(dǎo)體構(gòu)件被所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件和所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件夾持，所述第一層及所述第二層的材質(zhì)為GaN，所述第三層、所述第四層、所述第五層及所述半導(dǎo)體構(gòu)件的材質(zhì)為hxGai_xN(0 < χ < 1)，所述第五層的χ值比所述第三層的χ的值、所述第四層的χ的值及所述半導(dǎo)體構(gòu)件的X的值大，所述第五層是產(chǎn)生光并且傳導(dǎo)光的層，
所述第三層及所述第四層是傳導(dǎo)在所述第五層中產(chǎn)生的光的層，所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產(chǎn)生的光的泄漏的層，從所述第一面的垂線方向俯視用于傳播在所述第五層中產(chǎn)生的光的波導(dǎo)路徑時(shí)， 用于傳播在所述第五層中產(chǎn)生的光的波導(dǎo)路徑與所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件交叉，所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的在所述波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度為λ/2ηι;所述半導(dǎo)體構(gòu)件的在所述波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度為λ/2η2。其中，λ是在所述第五層中產(chǎn)生的光的波長，Ii1是所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的有效折射率，η2是所述半導(dǎo)體構(gòu)件的有效折射率。根據(jù)這種發(fā)光裝置，在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件之間形成有半導(dǎo)體構(gòu)件。因此，能夠抑制第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的側(cè)面中的非發(fā)光復(fù)合。由此，在這樣的發(fā)光裝置中，能夠緩和基板與結(jié)構(gòu)體之間產(chǎn)生的應(yīng)變，并且得到較高的發(fā)光效率。相反地，當(dāng)不形成這種半導(dǎo)體構(gòu)件而露出微細(xì)壁狀構(gòu)件的側(cè)面時(shí)，存在產(chǎn)生伴隨著該側(cè)面附近的缺陷、雜質(zhì)的非發(fā)光復(fù)合，而使發(fā)光效率降低的情況。并且，根據(jù)這種發(fā)光裝置，半導(dǎo)體構(gòu)件的材質(zhì)是InGaN，第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的材質(zhì)例如也是InGaN。因此，與在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件之間形成例如由氧化硅、聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣部件的情況相比，能夠使第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件與半導(dǎo)體構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)接近。由此，在這樣的發(fā)光裝置中，即使例如由于電流的注入而發(fā)熱，也能夠減小由于熱膨脹而施加到結(jié)構(gòu)體的壓力，能夠抑制壓力所導(dǎo)致的發(fā)光效率降低、壽命降低。并且，根據(jù)這種發(fā)光裝置，第一微細(xì)壁狀構(gòu)件的在波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度是 λ /2ηι，第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的在波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度是λ /2ηι，半導(dǎo)體構(gòu)件的在波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度是λ/2η2。由此，在波導(dǎo)路徑的延伸方向傳播的光中，當(dāng)從微細(xì)壁狀構(gòu)件入射到半導(dǎo)體構(gòu)件時(shí)被界面反射的光與從半導(dǎo)體構(gòu)件入射到微細(xì)壁狀構(gòu)件時(shí)被界面反射的光抵消。例如，在半導(dǎo)體構(gòu)件折射率大于微細(xì)壁狀構(gòu)件折射率的情況下，當(dāng)從微細(xì)壁狀構(gòu)件入射到半導(dǎo)體構(gòu)件時(shí)被界面反射的光的相位反轉(zhuǎn)180度(錯(cuò)開半波長大小的相位)。 此時(shí)，從半導(dǎo)體構(gòu)件入射到微細(xì)壁狀構(gòu)件時(shí)被界面反射的光的相位不發(fā)生變化。在微細(xì)壁狀構(gòu)件的在波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度是λ/2ηι，并且半導(dǎo)體構(gòu)件的在波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度是λ/2 的情況下，該兩個(gè)界面間的距離往返是λ/n2，因此當(dāng)僅被一方界面反射的光的相位發(fā)生180度的反轉(zhuǎn)(錯(cuò)開半波長大小的相位)時(shí)，兩個(gè)反射光的相位變成相互相反的相位而抵消。在折射率的大小相反的情況下，也同樣地僅與上述相反的反射光的相位發(fā)生反轉(zhuǎn)，仍然是兩個(gè)反射光的相位成為相互相反的相位而抵消。另外，在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的折射率相等的情況下，從微細(xì)壁狀構(gòu)件入射到半導(dǎo)體構(gòu)件時(shí)的反射率與從半導(dǎo)體構(gòu)件入射到微細(xì)壁狀構(gòu)件時(shí)的反射率相等。由此，反射光完全被抵消，實(shí)際上未完全被反射，而是向波導(dǎo)路徑的延伸方向傳播。即，能夠使第一微細(xì)壁狀構(gòu)件和半導(dǎo)體構(gòu)件界面與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件和半導(dǎo)體構(gòu)件界面之間不產(chǎn)生多重反射。其結(jié)果，能夠抑制元件內(nèi)部的界面間的局部反射、反饋所導(dǎo)致的激光振蕩。本發(fā)明的發(fā)光裝置，包含
第一層，其具有第一面；第二層，其具有與所述第一面對置的第二面；及結(jié)構(gòu)體，其被所述第一面和所述第二面夾持，所述結(jié)構(gòu)體具有第一微細(xì)壁狀構(gòu)件、第二微細(xì)壁狀構(gòu)件以及半導(dǎo)體構(gòu)件，所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件具有第三層，其與所述第一面鄰接；第四層，其與所述第二面鄰接；及第五層，其被所述第三層和所述第四層夾持，所述半導(dǎo)體構(gòu)件被所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件和所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件夾持，所述第一層及所述第二層的材質(zhì)為AWaN，所述第三層及所述第四層的材質(zhì)為GaN，所述第五層及所述半導(dǎo)體構(gòu)件的材質(zhì)為MxGi^xN(0 < χ < 1)，所述第五層的χ值大于所述半導(dǎo)體構(gòu)件的χ值，所述第五層是產(chǎn)生光并且傳導(dǎo)光的層，所述第三層及所述第四層是傳導(dǎo)在所述第五層中產(chǎn)生的光的層，所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產(chǎn)生的光的泄漏的層，從所述第一面的垂線方向俯視用于傳播在所述第五層中產(chǎn)生的光的波導(dǎo)路徑時(shí)， 用于傳播在所述第五層中產(chǎn)生的光的波導(dǎo)路徑與所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件交叉，所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的在所述波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度為λ/2ηι;所述半導(dǎo)體構(gòu)件的在所述波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度為λ/2 ，其中，λ是在所述第五層中產(chǎn)生的光的波長，H1是所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的有效折射率，η2是所述半導(dǎo)體構(gòu)件的有效折射率。根據(jù)這種發(fā)光裝置，同樣地能夠得到高的發(fā)光效率。在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，所述半導(dǎo)體構(gòu)件還可以形成在所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件的與所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件側(cè)相反的一側(cè)，以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的與所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件側(cè)相反的一側(cè)。根據(jù)這種發(fā)光裝置，能夠更加抑制第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的側(cè)面中的非發(fā)光復(fù)合，從而能夠得到更高的發(fā)光效率。本發(fā)明的發(fā)光裝置可以是超發(fā)光二極管。根據(jù)這種發(fā)光裝置，能夠抑制激光振蕩，在作為投影儀等圖像投影裝置、圖像顯示裝置的光源而使用的情況下，能夠減少散斑噪聲。在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，可以是還包含覆蓋所述結(jié)構(gòu)體的出射面而形成的第六層，所述第六層是抑制在所述第五層中產(chǎn)生的光的反射的層。根據(jù)這種發(fā)光裝置，能夠減小出射面的反射率。在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，可以是所述第五層的χ值是0. 4以上0. 6以下。根據(jù)這種發(fā)光裝置，能夠射出綠色光。
在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，可以是所述第三層被摻雜成第一導(dǎo)電型，所述第四層被摻雜成第二導(dǎo)電型，所述半導(dǎo)體構(gòu)件未被摻雜。根據(jù)這種發(fā)光裝置，注入載流子(電子以及空穴)能夠避開半導(dǎo)體構(gòu)件而流入到微細(xì)壁狀構(gòu)件中。在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，還包含第一電極，其與所述第一層電連接；第二電極，其與所述第二層電連接；及第七層，其被形成于所述第二層與所述第二電極之間，所述第七層與所述第二電極進(jìn)行歐姆接觸，所述結(jié)構(gòu)體具有第三面，其與所述第一面及所述第二面連接；及第四面，其與所述第一面以及所述第二面連接，并與所述第三面對置，所述第七層與所述第二電極的接觸面從所述第三面延伸到所述第四面，從所述第一面的垂線方向俯視所述接觸面時(shí)，所述接觸面與所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件交叉，所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的在所述接觸面的延伸方向的長度是λ/2ηι;所述半導(dǎo)體構(gòu)件的在所述接觸面的延伸方向的長度是λ/2η2。根據(jù)這種發(fā)光裝置，能夠通過第七層來減少第二電極接觸電阻。本發(fā)明的投影儀包含本發(fā)明的發(fā)光裝置；根據(jù)圖像信息對從所述發(fā)光裝置射出的光進(jìn)行調(diào)制的光調(diào)制裝置；以及投射通過所述光調(diào)制裝置形成的圖像的投射裝置。根據(jù)這種投影儀，能夠得到高的發(fā)光效率。


圖1是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的立體圖。圖2是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。圖3是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的剖面圖。圖4是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造工序的立體圖。圖5是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造工序的立體圖。圖6是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造工序的立體圖。圖7是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造工序的立體圖。圖8是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造工序的立體圖。圖9是示意性地表示本實(shí)施方式變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖10是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀的圖。附圖標(biāo)記說明100…發(fā)光裝置，102...基板，104…第一包層，10 …第一包層的上面，106…第二包層，10 …第二包層的下面，107…接觸層，107a…接觸面，108…柱狀部，109…絕緣部件，110…結(jié)構(gòu)體，IlOa…第一側(cè)面，IlOb…第二側(cè)面，IlOc…第三側(cè)面，IlOd…第四側(cè)面， 111···微細(xì)壁狀構(gòu)件，112…第一微細(xì)壁狀構(gòu)件，113…第二微細(xì)壁狀構(gòu)件，114…第一引導(dǎo)層，115···活性層，116…第二引導(dǎo)層，118…半導(dǎo)體構(gòu)件，119…波導(dǎo)路徑，119a…第一端面， 119b…第二端面，120…第一電極，122…第二電極，130…防反射層，200…發(fā)光裝置，700… 投影儀，702…均勻化光學(xué)系統(tǒng)，70 …全息透鏡，702b…場透鏡，704…液晶光閥，706…正交二向色棱鏡，708…投射透鏡，710···屏幕。
具體實(shí)施例方式以下，一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式。1.發(fā)光裝置首先，邊參照附圖邊對本實(shí)施方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖1是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的立體圖。圖2是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的俯視圖。圖3是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的圖2的III-III線剖面圖。而且， 在圖1中，為了方便起見，省略了第二電極122及第六層130的圖示。另外，為了方便起見， 在圖2中，省略了第二層106、絕緣部109及第二電極122的圖示。在以下，作為一個(gè)例子，說明發(fā)光裝置100是超發(fā)光二極管(Super Luminescent Diode，以下稱為“SLD”)的情況。SLD與半導(dǎo)體激光不同，通過抑制諧振器的形成，能夠抑制激光振蕩。因此，在作為投影儀等圖像投影裝置、圖像顯示裝置的光源而使用的情況下， 能夠減少散斑噪聲。發(fā)光裝置100如圖1 圖3所示，包括第一層104(以下也稱作“第一包層104”)、 第二層106(以下也稱作“第二包層106”)、結(jié)構(gòu)體110。此外，發(fā)光裝置100還可以包括基板102、第六層130(以下也稱作“防反射層130”)、第七層107(以下也稱作“接觸層107”)、 絕緣構(gòu)件109、第一電極120、第二電極122。作為基板102，例如可以使用第一導(dǎo)電型(例如η型)的GaN基板、或在藍(lán)寶石基板上形成了 η型的GaN層的GaN模板基板。第一包層104形成于基板102上。作為第一包層104，例如可以使用η型的GaN 層。而且，雖然未圖示，然而也可以在基板102與第一包層104之間形成緩沖層。作為緩沖層，例如可以使用η型的GaN層。緩沖層可以提高形成于其上方的層的結(jié)晶性。結(jié)構(gòu)體110形成在第一包層104上。在結(jié)構(gòu)體110上形成有第二包層106。因此， 也可以說結(jié)構(gòu)體110被第一包層104的第一面l(Ma(以下，稱為“上面l(Ma”)和與上面 10 對置的第二包層106的第二面106a(以下，稱為“下面106a”)夾持。結(jié)構(gòu)體110的形狀例如是長方體(包含是立方體的情況)。結(jié)構(gòu)體110如圖2所示那樣，可以具有相互對置的第三面(以下，稱為“第一側(cè)面110a”)以及第四面(以下，稱為“第二側(cè)面110b”)、連接第一側(cè)面IlOa與第二側(cè)面IlOb的第三側(cè)面IlOc以及第四側(cè)面 110d。也可以說第一側(cè)面IlOa如圖1所示那樣，是連接上面10 與下面106a的面。同樣地，也可以說結(jié)構(gòu)體110的側(cè)面110b、110c、IlOd是連接第一包層104的上面10 與第二包層106的下面106a的面。此外，也可以說結(jié)構(gòu)體110的第一側(cè)面IlOa的垂線P與第一包層104的上面10 的垂線(未圖示)交叉(例如正交)。同樣地，也可以說結(jié)構(gòu)體Iio的側(cè)面110b、110c、110d 的各個(gè)垂線(未圖示)與第一包層104的上面10 的垂線交叉(例如正交)。結(jié)構(gòu)體110具有微細(xì)壁狀構(gòu)件111和半導(dǎo)體構(gòu)件118。細(xì)微壁狀部材111形成在第一包層104上。微細(xì)壁狀構(gòu)件111可以形成多個(gè)，其數(shù)量沒有特別限定。在圖1所示的例子中，微細(xì)壁狀構(gòu)件111具有相對于第一包層104的上面10 直立的壁狀的形狀(板狀的形狀)。微細(xì)壁狀構(gòu)件111如圖2所示那樣，從上面10 的垂線方向看發(fā)光裝置100(俯視)時(shí)，從第三側(cè)面IlOc設(shè)置到第四側(cè)面IlOd為止。在圖2所示的例子中，微細(xì)壁狀構(gòu)件 111的平面形狀是長方形，微細(xì)壁狀構(gòu)件111從第三側(cè)面IlOc到第四側(cè)面IlOd為止，被設(shè)置成與第三側(cè)面1 IOc垂線Q平行。雖然未圖示，但是微細(xì)壁狀構(gòu)件111的平面形狀也可以是平行四邊形，也可以從第三側(cè)面IlOc到第四側(cè)面IlOd為止相對于垂線Q傾斜地設(shè)置。在圖2所示的例子中，多個(gè)微細(xì)壁狀構(gòu)件111的平面形狀彼此相同。對于微細(xì)壁狀構(gòu)件111，如果短邊方向的邊的長度(例如垂線P方向的邊的長度) 是數(shù)百nm以下，則長度方向的邊的長度(例如垂線Q方向的邊的長度)、高度(例如，與垂線P以及垂線Q正交的方向的長度)沒有特別限定。但是，短邊方向以及長度方向的邊越短，緩和結(jié)構(gòu)體110所受的應(yīng)變的效果越大。尤其是優(yōu)選短邊方向的邊的長度是250nm以下。這樣，因?yàn)槲⒓?xì)壁狀構(gòu)件111短邊方向的邊的長度是納米單位，所以也可以將微細(xì)壁狀構(gòu)件111稱為“納米墻111”。在微細(xì)壁狀構(gòu)件111的結(jié)晶系是六方晶系的情況下，微細(xì)壁狀構(gòu)件111的長度方向也可以是六方晶系的a軸方向。微細(xì)壁狀構(gòu)件111如圖1以及圖3所示那樣，具有第三層114(以下，稱為“第一引導(dǎo)層114”)、第四層116(以下，稱為“第二引導(dǎo)層116”)、包含第五層(以下，稱為“阱層”) 的活性層115。第一引導(dǎo)層114形成在第一包層104上。也可以說第一引導(dǎo)層114與第一包層 104的上面10 鄰接。作為第一引導(dǎo)層114，例如可以使用η型InGaN層?；钚詫?15形成在第一引導(dǎo)層114上。也可以說活性層115被第一引導(dǎo)層114和第二引導(dǎo)層116夾持?；钚詫?15例如具有重疊三層由阱層和阻擋層構(gòu)成的量子阱構(gòu)造的多量子阱(MQW)構(gòu)造。阱層的材質(zhì)是例如Ina5Giia5N,阻擋層的材質(zhì)是例如Inai5Giia85Ntj阱層以及阻擋層厚度例如是數(shù)nm到IOnm左右。第二引導(dǎo)層116形成在活性層115上。也可以說第二引導(dǎo)層116與第二包層106 的下面106a鄰接。作為第二引導(dǎo)層116例如可以使用第二導(dǎo)電型(例如ρ型HnGaN層。 第一引導(dǎo)層114以及第二引導(dǎo)層116厚度大于阱層以及阻擋層的厚度，例如是數(shù)十nm到數(shù)百nm左右。半導(dǎo)體構(gòu)件118形成在第一包層104上。在圖2所示的例子中，半導(dǎo)體構(gòu)件118 的平面形狀與微細(xì)壁狀構(gòu)件111的平面形狀相同，是長方形，但是沒有特別限定，例如也可以平行四邊形。在圖2所示的例子中，多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件118的平面形狀彼此相同。微細(xì)壁狀構(gòu)件111的半導(dǎo)體構(gòu)件118如圖2所示那樣，從第一側(cè)面IlOa向第二側(cè)面IlOb交替地配置。即，在多個(gè)細(xì)微壁狀部材111中的相鄰的第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113之間，形成有半導(dǎo)體構(gòu)件118。并且，半導(dǎo)體構(gòu)件118也形成在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112的與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113相反的一側(cè)(第一側(cè)面IlOa側(cè))，以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113的與第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112相反的一側(cè)(第二側(cè)面IlOb側(cè))。相鄰的微細(xì)壁狀構(gòu)件111以及半導(dǎo)體構(gòu)件118例如相互相接。也可以說半導(dǎo)體構(gòu)件118形成為埋入到多個(gè)微細(xì)壁狀構(gòu)件111之間。也可以說結(jié)構(gòu)體110中的微細(xì)壁狀構(gòu)件111以外部分是半導(dǎo)體構(gòu)件118。半導(dǎo)體構(gòu)件118的材質(zhì)例如可以是未被摻雜的InGaN。由于半導(dǎo)體構(gòu)件118未被摻雜，而構(gòu)成微細(xì)壁狀構(gòu)件111的第一引導(dǎo)層114和第二引導(dǎo)層116如上所述被摻雜，所以注入載流子(電子以及空穴)能夠避開半導(dǎo)體構(gòu)件118而流入微細(xì)壁狀構(gòu)件111?；钚詫?15的一部分、引導(dǎo)層114、116的一部分以及半導(dǎo)體構(gòu)件118的一部分如圖2以及圖3所示那樣，能夠構(gòu)成波導(dǎo)路徑119?；钚詫?15(阱層)能夠產(chǎn)生光，該光能夠在波導(dǎo)路徑119內(nèi)傳播。如圖2所示那樣俯視，波導(dǎo)路徑119從第一側(cè)面IlOa到第二側(cè)面 IlOb向方向A延伸。方向A是指例如從在第一側(cè)面IlOa中設(shè)置的波導(dǎo)路徑119的第一端面119a的中心朝向在第二側(cè)面IlOb中設(shè)置的波導(dǎo)路徑119的第二端面119b的中心的方向。波導(dǎo)路徑119與第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113交叉地設(shè)置。 即，也可以說連接第一端面119a中心和第二端面119b中心的虛擬直線R與第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113交叉。微細(xì)壁狀構(gòu)件111的波導(dǎo)路徑119的延伸方向A的長度(沿著方向A的長度)是 λ/2ηι。即，第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112的方向A的長度D112是λ/2ηι，第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113 的延伸方向A的長度D113是λ/2ηι。另外，半導(dǎo)體構(gòu)件118的方向A的長度Dn8是λ/2η2。 其中，λ是在活性層115中產(chǎn)生的光的波長，H1是第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113中的有效折射率(形成了微細(xì)壁狀構(gòu)件112、113的部分的垂直剖面中的有效折射率)， 是半導(dǎo)體構(gòu)件118中的有效折射率(形成了半導(dǎo)體構(gòu)件118的部分的垂直剖面中的有效折射率)。此外，當(dāng)將電場設(shè)為Ε、將活性層115厚度方向(第一包層104的垂線方向)設(shè)為 Z時(shí)，有效折射率η可以由下述式(1)表示數(shù)1例如，在波導(dǎo)路徑119內(nèi)向A方向行進(jìn)的光的一部分能夠在微細(xì)壁狀構(gòu)件111和半導(dǎo)體構(gòu)件118的界面被反射，但是如上述那樣，通過進(jìn)行D112、D113以及D118的設(shè)計(jì)，在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112和半導(dǎo)體構(gòu)件118的界面被反射的光與在第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113和半導(dǎo)體構(gòu)件118的界面被反射的光相互抵消。更加具體地說，在半導(dǎo)體構(gòu)件118的折射率大于微細(xì)壁狀構(gòu)件112、113的折射率的情況下，在波導(dǎo)路徑119內(nèi)向A方向進(jìn)行的光中的在從第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112入射到半導(dǎo)體構(gòu)件118時(shí)在界面被反射的光的相位發(fā)生180度反轉(zhuǎn)(錯(cuò)開半波長大小的相位)。此時(shí)，在從半導(dǎo)體構(gòu)件118入射到第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113時(shí)在界面被反射的光的相位不會(huì)發(fā)生變化。在微細(xì)壁狀構(gòu)件112、113的波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度是λ/2ηι，并且半導(dǎo)體構(gòu)件118的波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度是λ/2η2的情況下，該兩個(gè)界面間的距離往返是λ/ η2，所以當(dāng)僅有在一方界面被反射的光相位發(fā)生180度反轉(zhuǎn)(錯(cuò)開半波長大小的相位)時(shí)， 兩個(gè)反射光的相位變成相互相反的相位從而抵消。在折射率大小相反情況(即，半導(dǎo)體構(gòu)件118的折射率小于微細(xì)壁狀構(gòu)件112、113的折射率的情況下)，也同樣地僅與上述相反的反射光的相位發(fā)生反轉(zhuǎn)，仍然是兩個(gè)反射光的相位變成相反相位從而抵消。另外，在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113的折射率相等的情況下，從第一微細(xì)壁狀構(gòu)件 112入射到半導(dǎo)體構(gòu)件118時(shí)的反射率與從半導(dǎo)體構(gòu)件118入射到第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113 時(shí)的反射率相等。由此，反射光完全抵消，實(shí)際沒有完全被反射，而是向波導(dǎo)路徑119的延伸方向A傳播。即，能夠抑制光返回(反饋)。由此，能夠在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112和半導(dǎo)體構(gòu)件118的界面與第二細(xì)微壁狀部材113和半導(dǎo)體構(gòu)件118界面之間不發(fā)生重疊反射。其結(jié)果，能夠抑制微細(xì)壁狀構(gòu)件112、 113與半導(dǎo)體構(gòu)件118之間的界面間的激光振蕩。能夠抑制激光振蕩的有效折射率差(nl 與n2之差絕對值)沒有特別限定，例如是0. 04左右。假如將D112以及D113設(shè)為λ /4ηι，將D118設(shè)為λ /4η2，則在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112 和半導(dǎo)體構(gòu)件118的界面被反射的光與在半導(dǎo)體構(gòu)件118和第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113的界面被反射的光相互疊加，這種反射光會(huì)產(chǎn)生激光振蕩(在局部區(qū)域的法布里-珀羅振蕩、 DFB (distributed feedback)振蕩)。波導(dǎo)路徑119如圖2所示那樣，例如從第一側(cè)面IlOa到第二側(cè)面IlOb為止相對于垂線P傾斜地設(shè)置。除此之外，通過進(jìn)行上述的D112、D113以及Dn8設(shè)計(jì)，能夠在第一端面 119a與第二端面119b之間，不使光產(chǎn)生多重反射。其結(jié)果，能夠抑制第一端面119a與第二端面11%之間的激光振蕩。此外，雖然未圖示，但是波導(dǎo)路徑119也可以設(shè)置多個(gè)。通過利用如后所述柱狀部 108的平面形狀來使平面方向(例如與活性層115的厚度方向正交的方向)具有有效折射率差，能夠形成波導(dǎo)路徑119。另外，也能夠通過如后所述利用接觸層107和第二電極122 接觸面107a的平面形狀，并通過決定電流路線來形成波導(dǎo)路徑119。防反射層130是覆蓋波導(dǎo)路徑119的第一端面119a以及第二端面119b而形成的。 防反射層130也可以覆蓋結(jié)構(gòu)體110的第一側(cè)面IlOa以及第二側(cè)面IlOb整個(gè)面而形成。 防反射層130能夠抑制在活性層115中產(chǎn)生的光發(fā)生反射。即，通過防反射層130，能夠使端面119a、119b反射率成為0%或者近似0的值。由此，能夠從端面119a、119b (也可以說出射面119a、119b)高效地射出光。在圖2所示的示例子中，防反射層130覆蓋第一端面119a以及第二端面119b兩方，但是也可以僅覆蓋第一端面119a，而第二端面119b被反射層覆蓋。由此，在活性層115 中產(chǎn)生的光一部分在第二端面11%中被反射后，能夠從第一端面119a射出。作為防反射層130以及反射層，例如可以使用Al2O3層、TiN層、TW2層、SiON層、SiN層、SiO2層、Ta2O3 層或它們的多層膜等。第二包層106形成在結(jié)構(gòu)體110上。作為第二包層106例如可以使用ρ型GaN層。例如，通過ρ型第二包層106、未摻雜雜質(zhì)的活性層115以及η型第一包層104來構(gòu)成pin 二極管。如上所述，包層104、106的材質(zhì)可以采用GaN，活性層115、引導(dǎo)層114、116以及半導(dǎo)體構(gòu)件118的材質(zhì)可以采用InxGai_xN(0 < χ < 1)。由此，能夠使包層104、106成為禁帶寬度比活性層115、引導(dǎo)層114、116以及半導(dǎo)體構(gòu)件118大而折射率小的層。并且，能夠使構(gòu)成活性層115的阱層的χ值(In相對于Ga的值)大于引導(dǎo)層114、116的χ值。由此，能夠使引導(dǎo)層114、116成為禁帶寬度比阱層大而折射率小的層。并且，優(yōu)選半導(dǎo)體構(gòu)件118的χ值大于引導(dǎo)層114、116的χ值，而小于阱層115的χ值。由此，能夠抑制在活性層115 中產(chǎn)生的光被半導(dǎo)體構(gòu)件118吸收。此外，通過使阱層的材質(zhì)采用LxGi^xN(0. 4 ^ χ ^ 0. 6)，活性層115能夠產(chǎn)生綠色光。由此，發(fā)光裝置100能夠出射綠色光。如果保持上述各層折射率的大小關(guān)系，在以上述的材質(zhì)為主成分的各層104、106、 114、116中，也可以混入Al等作為副成分。即，包層104、106的材質(zhì)也可以采用AlGaN，而引導(dǎo)層114、116的材質(zhì)采用InAKiaN。另外，如果保持上述各層折射率的大小關(guān)系，包層104、 106的材質(zhì)也可以采用AKkiN，而引導(dǎo)層114、116的材質(zhì)采用GaN。另外，例如也可以是包層 104、106采用由AKkiN層和feiN層構(gòu)成的超晶格構(gòu)造，而引導(dǎo)層114、116的材質(zhì)采用GaN或 InGaN0利用如上所述各層的材質(zhì)，活性層115(阱層)能夠產(chǎn)生光，具有使光增強(qiáng)的功能。 并且，活性層115具有對光進(jìn)行波導(dǎo)的功能。引導(dǎo)層114、116具有對在活性層115中產(chǎn)生的光進(jìn)行波導(dǎo)的功能。包層104、106具有封住注入載流子(電子以及空穴)以及光并抑制泄漏的功能。半導(dǎo)體構(gòu)件118具有對光進(jìn)行波導(dǎo)的功能，但是在注入載流子避開半導(dǎo)體構(gòu)件118而流過的方面，與引導(dǎo)層114、116功能不同。 更具體地說，在發(fā)光裝置100中，當(dāng)對第一電極120與第二電極122之間，施加pin 二極管的正向偏置電壓時(shí)，電子以及空穴避開半導(dǎo)體構(gòu)件118，從引導(dǎo)層114、116注入活性層115，在活性層115中構(gòu)成波導(dǎo)路徑119的部分引起電子和空穴復(fù)合。通過該復(fù)合來發(fā)光。以該產(chǎn)生的光為起點(diǎn)，連鎖地引起誘導(dǎo)輻射，在波導(dǎo)路徑119的活性層115內(nèi)光強(qiáng)度被增強(qiáng)。例如，在波導(dǎo)路徑119的活性層115中產(chǎn)生的光一部分能夠交替地通過構(gòu)成波導(dǎo)路徑119的微細(xì)壁狀構(gòu)件111以及半導(dǎo)體構(gòu)件118，從端面119a、119b作為出射光而射出。此外，在圖1以及圖2所示的例子中，端面119a、119b設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件118中， 但是也可以設(shè)置在微細(xì)壁狀構(gòu)件111中。即，側(cè)面IlOaUlOb也可以由微細(xì)壁狀構(gòu)件111 形成。接觸層107如圖1以及圖3所示那樣，形成在第二包層106上。作為接觸層107， 例如可以使用P型GaN層。接觸層107與第二電極122可以進(jìn)行歐姆接觸。由此，能夠減少第二電極122的接觸電阻。此外，雖然未圖示，但是也可以在第二包層106接觸層107之間形成蝕刻阻擋層、 載流子阻擋層。蝕刻阻擋層能夠提高形成后述的柱狀部108時(shí)的蝕刻深度的精度。載流子阻擋層能夠減小由于電子與空穴的移動(dòng)度之差而導(dǎo)致的影響。接觸層107與第二包層106 —部分能夠構(gòu)成柱狀部108。形成有柱狀部108的部分如后所述，與未形成柱狀部108的部分相比，能夠增大有效折射率。由此，通過在平面方向封住光，能夠構(gòu)成波導(dǎo)路徑119。即，能夠利用柱狀部108平面形狀，來決定波導(dǎo)路徑119 平面形狀。另外，通過柱狀部108，如后所述能夠防止電流在平面方向擴(kuò)散(通過在平面方向封住電流)，也能夠決定電極120、122間的電流路線。此外，雖然未圖示，但是也能夠使柱狀部108側(cè)面傾斜。接觸層107與第二電極122的接觸面107a的平面形狀也可以與柱狀部108的平面形狀，即波導(dǎo)路徑119的平面形狀相同。換句話說，接觸面107a也可以與波導(dǎo)路徑119同樣地，如圖2所示那樣從第一側(cè)面1 IOa到第二側(cè)面1 IOb向A方向延伸，并且也可以與第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113交叉。即，圖2所示的D112也可以是第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112的接觸面107a延伸方向A的長度。這方面關(guān)于D113以及D118也是同樣的。絕緣部件109如圖1以及圖3所示那樣，設(shè)置在第二包層106上，并且在柱狀部 108的側(cè)方。絕緣部件109能夠與柱狀部108側(cè)面相接。絕緣部件109的上面如圖3所示那樣，例如與接觸層107的上面連接。作為絕緣部件109的材質(zhì)，例如可舉出SiN、SiO2、聚酰亞胺等。在使用這些材料作為絕緣部件109的情況下，電極120、122間的電流能夠避開絕緣部件109而流過被絕緣部件109夾持的柱狀部108。絕緣部件109能夠具有小于活性層115以及引導(dǎo)層114、116的折射率的折射率。該情況下，形成有絕緣部材109的部分的垂直剖面的有效折射率小于未形成絕緣部件109的部分，即形成有柱狀部108的部分垂直剖面有效折射率。由此，在平面方向，能夠高效地將光封閉在波導(dǎo)路徑119內(nèi)。此外，雖然未圖示，但是也可以不設(shè)置絕緣部件109。絕緣部件109也可以解釋為空氣。第一電極120形成在基板102下的整個(gè)面上。第一電極120能夠與和該第一電極 120歐姆接觸的層(在圖示例子中是基板10 相接。第一電極120經(jīng)由基板102與第一包層104電連接。第一電極120是用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光裝置100的一方電極。作為第一電極120，例如可以使用從基板102兩側(cè)按照Ti層、Al層、Au層的順序?qū)盈B而成的電極等。此外，也可以在第一包層104與基板102之間，設(shè)置第二接觸層(未圖示)，通過干式蝕刻等露出該第二接觸層，將第一電極120設(shè)置在第二接觸層上。由此，能夠得到單面電極構(gòu)造。該方式在藍(lán)寶石基板上生長了 GaN層的、如GaN模板基板那樣的基板102的一部分是絕緣性的情況下尤其有效。第二電極122形成在接觸層107上。并且，第二電極122也可以如圖3所示那樣， 設(shè)置在絕緣部件109上。第二電極122經(jīng)由接觸層107，與第二包層106電連接。第二電極122是用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光裝置100的另一方電極。作為第二電極122，例如可以使用從接觸層 107側(cè)按照Ni層、Pd層、Au層的順序?qū)盈B而成的電極等。如上所述的發(fā)光裝置100能夠用于例如投影儀、顯示器、照明裝置、計(jì)測裝置等的光源。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100例如具有以下特征。根據(jù)發(fā)光裝置100，在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113之間形成有半導(dǎo)體構(gòu)件118。因此，能夠抑制構(gòu)成波導(dǎo)路徑119的第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113側(cè)面中的非發(fā)光復(fù)合。由此，在發(fā)光裝置100中，能夠緩和基板102與結(jié)構(gòu)體 110之間產(chǎn)生的應(yīng)變并且得到高的發(fā)光效率。例如，當(dāng)微細(xì)壁狀構(gòu)件的側(cè)面露出時(shí)，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生伴隨著該側(cè)面附近缺陷、雜質(zhì)的非發(fā)光復(fù)合，從而降低發(fā)光效率。并且，在發(fā)光裝置100中，半導(dǎo)體構(gòu)件118的材質(zhì)是InGaN，微細(xì)壁狀構(gòu)件112、113 的材質(zhì)例如是hGaN。因此，與在微細(xì)壁狀構(gòu)件112、113之間形成由例如氧化硅、聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣部件的情況相比，能夠使微細(xì)壁狀構(gòu)件112、113與半導(dǎo)體構(gòu)件118的熱膨脹系數(shù)接近。由此，在發(fā)光裝置100中，即使由于例如電流注入而產(chǎn)生了發(fā)熱，也能夠減小由于熱膨脹而施加給結(jié)構(gòu)體110的壓力，能夠抑制由于壓力而導(dǎo)致的發(fā)光效率降低、壽命降低。 這關(guān)于活性層115的材質(zhì)是InGaN，引導(dǎo)層114、116的材質(zhì)是GaN也是同樣的。并且，在發(fā)光裝置100中，第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112的方向A的長度D112是λ /2ηι，第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113的方向A的長度D113是λ/2ηι。另外，半導(dǎo)體構(gòu)件118的方向A的長度Dn8是λ/2η2。由此，如上所述，在A方向傳播的光中的在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112和半導(dǎo)體構(gòu)件118界面被反射的光與在半導(dǎo)體構(gòu)件118和第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113界面被反射的光相互抵消。由此，能夠在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112和半導(dǎo)體構(gòu)件118界面與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113和半導(dǎo)體構(gòu)件118界面之間不產(chǎn)生多重反射。其結(jié)果，能夠抑制微細(xì)壁狀構(gòu)件112、 113與半導(dǎo)體構(gòu)件118界面間的激光振蕩。根據(jù)發(fā)光裝置100，半導(dǎo)體構(gòu)件118也能夠形成在第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112的與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113相反的一側(cè)(第一側(cè)面IlOa側(cè))以及第二微細(xì)壁狀構(gòu)件113的與第一微細(xì)壁狀構(gòu)件112相反的一側(cè)(第二側(cè)面IlOb側(cè))。因此，能夠更加抑制微細(xì)壁狀構(gòu)件 112,113的側(cè)面的非發(fā)光復(fù)合。根據(jù)發(fā)光裝置100，防反射層130能夠覆蓋波導(dǎo)路徑119的第一端面119a以及第二端面11%而形成。由此，能夠減小成為出射面的端面119a、119b的反射率。因此，在端面119a、119b之間，能夠使光不產(chǎn)生多重反射。其結(jié)果，能夠抑制在端面119a、119b之間的使元件整體作為諧振器的激光振蕩。并且，如上所述那樣，上述發(fā)光裝置100也能夠抑制元件內(nèi)部界面間的局部的反射、反饋而導(dǎo)致的激光振蕩。因此，發(fā)光裝置100可以是超級發(fā)光二極管。由此，發(fā)光裝置100能夠抑制激光振蕩，在作為投影儀等圖像投影裝置、圖像顯示裝置的光源而使用情況下，能夠減少散斑噪聲。根據(jù)發(fā)光裝置100，構(gòu)成活性層115的阱層的材質(zhì)可以是 InxGa1^xN(0. 4彡χ彡0. 6)。由此，發(fā)光裝置100能夠射出綠色光。根據(jù)發(fā)光裝置100，能夠是半導(dǎo)體構(gòu)件118未被摻雜，而構(gòu)成微細(xì)壁狀構(gòu)件111的第一引導(dǎo)層114第二引導(dǎo)層116被摻雜。由此，注入載流子能夠避開半導(dǎo)體構(gòu)件118而流入微細(xì)壁狀構(gòu)件111。2.發(fā)光裝置的制造方法接下來，一邊參照附圖一邊說明本實(shí)施方式的發(fā)光裝置制造方法。圖4 圖8是示意性地表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100制造工序的立體圖。圖4所示那樣，在基板102上，使第一包層104、第一引導(dǎo)層114、活性層115以及第二引導(dǎo)層116按照該順序外延生長。作為外延生長方法，例如可以使用MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、MBE (Molecular Beam Epitaxy)法。圖5所示那樣，對第二引導(dǎo)層116、活性層115以及第一引導(dǎo)層114進(jìn)行圖案化，形成微細(xì)壁狀構(gòu)件111。圖案化是例如使用光刻技術(shù)以及蝕刻技術(shù)來進(jìn)行的。在圖示的例子中，圖案化按照露出第一包層104的上面10 的一部分的方式進(jìn)行。圖6所示那樣，在已露出的第一包層104的上面10 上并且在微細(xì)壁狀構(gòu)件111 側(cè)方形成半導(dǎo)體構(gòu)件118。由此，能夠形成結(jié)構(gòu)體110。半導(dǎo)體構(gòu)件118例如按照半導(dǎo)體構(gòu)件118的上面微細(xì)壁狀構(gòu)件111的上面連續(xù)的方式形成。半導(dǎo)體構(gòu)件118是利用例如MOCVD 法在橫方向生長(Epitaxial Lateral Overgrowth ；EL0)而形成的。對于作為半導(dǎo)體構(gòu)件 118的材質(zhì)的InGaN，橫方向(例如與活性層115的厚度方向正交的方向)生長與層疊方向 (例如活性層115的厚度方向)生長相比極快，能夠比較容易地埋在微細(xì)壁狀構(gòu)件111之間。具體地說，即使鄰接的微細(xì)壁狀構(gòu)件111之間距離的是數(shù)十nm 數(shù)百nm，由于是通過橫方向生長來形成半導(dǎo)體構(gòu)件118，與CVD (Chemical Vapor Deposition)法、濺射法等相比，能夠更加容易并且無間隙地埋入半導(dǎo)體構(gòu)件118。并且，通過利用橫方向生長來形成半導(dǎo)體構(gòu)件118，能夠提高半導(dǎo)體構(gòu)件118的結(jié)晶性。圖7所示那樣，在結(jié)構(gòu)體110上，使第二包層106以及接觸層107以該順序外延生長。作為使其外延生長的方法，例可以使用MOCVD法、MBE法。如圖8所示那樣，至少對接觸層107以及第二包層106進(jìn)行圖案化，來形成柱狀部 108。圖案化是例如使用光刻技術(shù)以及蝕刻技術(shù)來進(jìn)行的。在圖示的例子中，圖案化按照不露出結(jié)構(gòu)體110的上面的方式進(jìn)行。如圖1所示那樣，按照覆蓋柱狀部108側(cè)面的方式來形成絕緣部件109。具體地， 首先例如利用CVD法、涂敷法等，在第二包層106的上方(包含接觸層107上)使絕緣層 (未圖示)成膜。接下來，例如使用蝕刻技術(shù)等，使接觸層107的上面露出。通過以上工序， 能夠形成絕緣部件109。如圖3所示那樣，在接觸層107以及絕緣部件109上形成第二電極122。第二電極 122是例如通過真空蒸鍍法而形成的。接下來，在基板102的下面下形成第一電極120。第一電極120是例如通過真空蒸鍍法而形成的。此外，第一電極120以及第二電極122形成順序沒有特別限定。如圖2所示那樣，在結(jié)構(gòu)體110第一側(cè)面1 IOa以及第二側(cè)面1 IOb上形成防反射層 130。防反射層130是例如通過CVD法、濺射法、離子輔助沉積(Ion Assisted Deposition) 法等而成的。通過以上工序，能夠制造發(fā)光裝置100。根據(jù)發(fā)光裝置100的制造方法，能夠制造發(fā)光效率高的發(fā)光裝置100。3.發(fā)光裝置的變形例接下來，一邊參照附圖一邊說明本實(shí)施方式變形例的發(fā)光裝置。圖9是示意性地表示本實(shí)施方式的變形例的發(fā)光裝置200的剖面圖，并且與圖3對應(yīng)。以下，在本實(shí)施方式的變形例的發(fā)光裝置200中，關(guān)于與本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的構(gòu)成部件具有同樣功能的部件標(biāo)注相同附圖標(biāo)記，并省略其詳細(xì)的說明。在發(fā)光裝置100例子中，如圖3所示那樣，對設(shè)置了絕緣部件109、對未形成絕緣部件109的區(qū)域，即形成柱狀部108的區(qū)域設(shè)置折射率差，來封住光的折射率波導(dǎo)型進(jìn)行說明。與此相對，發(fā)光裝置200是未形成柱狀部108，在平面方向未設(shè)置折射率差的增益波導(dǎo)型。S卩，在發(fā)光裝置200中，如圖9所示那樣，接觸層107以及第二包層106不構(gòu)成柱狀部，由此也不會(huì)在柱狀部側(cè)方形成絕緣部件109。在發(fā)光裝置200中，絕緣部件109形成在成為波導(dǎo)路徑119的部分上方以外的接觸層107上。換而言之，絕緣部件109在成為波導(dǎo)路徑119的部分上方具有開口部，在該開口部中露出接觸層107的上面。第二電極122 形成在該露出的接觸層107上以及絕緣部件109上。在圖示的例子中，通過第二電極122與接觸層107的接觸面107a的平面形狀，來決定電極120、122之間的電流路線，其結(jié)果來決定波導(dǎo)路徑119的平面形狀。由此，接觸面 107a的平面形狀成為與波導(dǎo)路徑119相同的平面形狀。此外雖然未圖示，但是第二電極122 也可以是未形成在絕緣部件109上，而是僅形成在波導(dǎo)路徑119的上方的接觸層107上。根據(jù)發(fā)光裝置200，能夠與發(fā)光裝置100同樣地得到高的發(fā)光效率。
4.投影儀接下來，說明本實(shí)施方式的投影儀。圖10是示意性地表示本實(shí)施方式的投影儀 700示的圖。此外，在圖10中，為了方便省略了構(gòu)成投影儀700的殼體。投影儀700具有本發(fā)明的發(fā)光裝置。以下說明使用發(fā)光裝置100作為本發(fā)明的發(fā)光裝置的例子。投影儀700圖10所示那樣，可以具有分別射出紅色光、綠色光、藍(lán)色光的紅色光源 (發(fā)光裝置)100R、綠色光源(發(fā)光裝置)100G、藍(lán)色光源(發(fā)光裝置)100B。這些中的至少 100G是上述發(fā)光裝置100。投影儀700具備根據(jù)圖像信息來分別調(diào)制從光源100R、100G、100B射出的光的透射式液晶光閥(光調(diào)制裝置)704R、704G、704B和使通過液晶光閥704R、704G、704B形成的圖像放大并投射在屏幕(顯示面)710上的投射透鏡(投射裝置)708。另外，投影儀700能夠具備對從液晶光閥704R、704G、704B射出的光進(jìn)行合成并導(dǎo)入投射透鏡708的正交二向色棱鏡(色光合成單元)706。并且，投影儀700是從光源100R、100G、100B射出的光的照度分布均勻化，因此在比各光源100R、100G、100B更靠光路下游側(cè)設(shè)置均勻化光學(xué)系統(tǒng)702R、702G、702B，通過照度分布由于它們而被均勻化的光，對液晶光閥704R、704G、704B進(jìn)行照明。均勻化光學(xué)系統(tǒng) 702R、702G、702B例如由全息透鏡70 以及場透鏡702b構(gòu)成。被各液晶光閥704R、704G、704B調(diào)制后的三種顏色的光入射到正交二向色棱鏡 706。該棱鏡是使四個(gè)直角棱鏡貼合而形成的，在其內(nèi)面反射紅色光的電介質(zhì)多層膜與反射藍(lán)光的電介質(zhì)多層膜十字狀地配置。三種顏色的光被這些電介質(zhì)多層膜合成，從而形成表示彩色圖像的光。然后，合成后的光被作為投射光學(xué)系統(tǒng)的投射透鏡706投射到屏幕710 上，從而顯示放大后的圖像。根據(jù)投影儀700，可以具有發(fā)光效率高綠色光源100G。由此，作為投影儀700的整體，能夠具有高的發(fā)光效率。此外，在上述例子中，使用透射式液晶光閥作為光調(diào)制裝置，但是也可以使用液晶以外光閥，也可以使用反射型光閥。作為這種光閥，例如可舉出反射型液晶光閥、數(shù)字微鏡器件(Digital Micromirror Device) 0另外，投射光學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)成能夠根據(jù)所使用的光閥種類而適當(dāng)?shù)刈兏?。另外，作為通過在屏幕上掃描來自光源的光，在顯示面上顯示想要的大小的圖像的圖像形成裝置、即掃描式圖像顯示裝置(投影儀)的光源裝置，也可以使用光源100R、 100G、100B。此外，上述的實(shí)施方式以及變形例是一個(gè)例子，不限于此。例如能夠適當(dāng)?shù)亟M合各實(shí)施方式以及各變形例。如上述那樣，詳細(xì)地說明了本發(fā)明實(shí)施方式，但是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明要點(diǎn)以及效果能夠進(jìn)行實(shí)際上不脫離的更多應(yīng)變，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是容易理解的。因此，這種變形例也全部包含在本發(fā)明范圍中。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括第一層，其具有第一面；第二層，其具有與所述第一面對置的第二面；及結(jié)構(gòu)體，其被所述第一面和所述第二面夾持，所述結(jié)構(gòu)體具有第一微細(xì)壁狀構(gòu)件、第二微細(xì)壁狀構(gòu)件和半導(dǎo)體構(gòu)件， 所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件具有 第三層，其與所述第一面鄰接； 第四層，其與所述第二面鄰接；及第五層，其被所述第三層和所述第四層夾持，所述半導(dǎo)體構(gòu)件被所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件和所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件夾持， 所述第一層及所述第二層的材質(zhì)為GaN，所述第三層、所述第四層、所述第五層及所述半導(dǎo)體構(gòu)件的材質(zhì)為Inx(iai_xN，其中，0 < χ < 1，所述第五層的χ值比所述第三層的χ的值、所述第四層的χ的值及所述半導(dǎo)體構(gòu)件的 χ的值大，所述第五層是產(chǎn)生光并且傳導(dǎo)光的層，所述第三層及所述第四層是傳導(dǎo)在所述第五層中產(chǎn)生的光的層， 所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產(chǎn)生的光的泄漏的層， 從所述第一面的垂線方向俯視用于傳播在所述第五層中產(chǎn)生的光的波導(dǎo)路徑時(shí)，用于傳播在所述第五層中產(chǎn)生的光的波導(dǎo)路徑與所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件交叉，所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的在所述波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度為λ/2ηι;所述半導(dǎo)體構(gòu)件的在所述波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度為λ /2 ， 其中，λ是在所述第五層中產(chǎn)生的光的波長， H1是所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的有效折射率， η2是所述半導(dǎo)體構(gòu)件的有效折射率。
2.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包含 第一層，其具有第一面；第二層，其具有與所述第一面對置的第二面；及結(jié)構(gòu)體，其被所述第一面和所述第二面夾持，所述結(jié)構(gòu)體具有第一微細(xì)壁狀構(gòu)件、第二微細(xì)壁狀構(gòu)件以及半導(dǎo)體構(gòu)件， 所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件具有 第三層，其與所述第一面鄰接； 第四層，其與所述第二面鄰接；及第五層，其被所述第三層和所述第四層夾持，所述半導(dǎo)體構(gòu)件被所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件和所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件夾持， 所述第一層及所述第二層的材質(zhì)為AWaN， 所述第三層及所述第四層的材質(zhì)為GaN，所述第五層及所述半導(dǎo)體構(gòu)件的材質(zhì)為hxGai_xN，其中0 < χ < 1， 所述第五層的χ值大于所述半導(dǎo)體構(gòu)件的χ值， 所述第五層是產(chǎn)生光并且傳導(dǎo)光的層，所述第三層及所述第四層是傳導(dǎo)在所述第五層中產(chǎn)生的光的層， 所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產(chǎn)生的光的泄漏的層， 從所述第一面的垂線方向俯視用于傳播在所述第五層中產(chǎn)生的光的波導(dǎo)路徑時(shí)，用于傳播在所述第五層中產(chǎn)生的光的波導(dǎo)路徑與所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件交叉，所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的在所述波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度為λ/2ηι;所述半導(dǎo)體構(gòu)件的在所述波導(dǎo)路徑的延伸方向的長度為λ /2 ， 其中，λ是在所述第五層中產(chǎn)生的光的波長， H1是所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的有效折射率， η2是所述半導(dǎo)體構(gòu)件的有效折射率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體構(gòu)件還形成于所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件的與所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件側(cè)相反的一側(cè)以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的與所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件側(cè)相反的一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于還包含第六層，該第六層以覆蓋所述結(jié)構(gòu)體的出射面的方式形成， 所述第六層是抑制在所述第五層中產(chǎn)生的光的反射的層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于 所述第五層的χ的值是0. 4以上0. 6以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于 所述第三層被摻雜為第一導(dǎo)電型，所述第四層被摻雜為第二導(dǎo)電型， 所述半導(dǎo)體構(gòu)件未被摻雜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于 還包含第一電極，其與所述第一層電連接；第二電極，其與所述第二層電連接；及第七層，其被形成于所述第二層與所述第二電極之間，所述第七層與所述第二電極進(jìn)行歐姆接觸，所述結(jié)構(gòu)體具有第三面，其與所述第一面及所述第二面連接；及第四面，其與所述第一面以及所述第二面連接，并與所述第三面對置， 所述第七層與所述第二電極的接觸面從所述第三面延伸到所述第四面， 從所述第一面的垂線方向俯視所述接觸面時(shí)，所述接觸面與所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件交叉，所述第一微細(xì)壁狀構(gòu)件及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件的在所述接觸面的延伸方向的長度是入An1,所述半導(dǎo)體構(gòu)件的在所述接觸面的延伸方向的長度是λ /2η2。
8.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具有第一層；多個(gè)壁狀構(gòu)件，其具有沿著所述第一層的面內(nèi)方向伸長的長方形形狀，并且在所述第一層上沿著與所述長方形形狀的長度方向垂直的方向排列；半導(dǎo)體構(gòu)件，其由InxGai_xN構(gòu)成，被設(shè)于所述多個(gè)壁狀構(gòu)件之間，其中，0 < χ < 1 ；及第二層，其位于所述多個(gè)壁狀構(gòu)件與所述半導(dǎo)體構(gòu)件之上，所述壁狀構(gòu)件是通過在與所述第一層的面內(nèi)方向垂直的方向上層疊第一波導(dǎo)層、發(fā)光層和第二波導(dǎo)層而構(gòu)成的，所述發(fā)光層是產(chǎn)生波長λ的光的層，由InyGi^yN構(gòu)成，其中0 < χ < y < 1， 所述第一波導(dǎo)層及第二波導(dǎo)層是在沿著所述第一層的面內(nèi)方向的第一方向傳導(dǎo)在所述發(fā)光層中產(chǎn)生的光的層，所述第一層及所述第二層是抑制在所述發(fā)光層中產(chǎn)生的光的泄漏的層，所述第一方向是與所述多個(gè)壁狀構(gòu)件的長度方向交叉的方向，當(dāng)將上述壁狀構(gòu)件的有效折射率設(shè)為Ill時(shí)，該壁狀構(gòu)件的在所述第一方向的長度為λ/an1，在將上述半導(dǎo)體構(gòu)件的有效折射率設(shè)為n2時(shí)，該半導(dǎo)體構(gòu)件的在所述第一方向的長度為入/2n2。
9.一種投影儀，其特征在于，包含 權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置；光調(diào)制裝置，其根據(jù)圖像信息調(diào)制從所述發(fā)光裝置中射出的光；及投射裝置，其投射由所述光調(diào)制裝置形成的圖像。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置以及投影儀。該發(fā)光裝置包含第一層；第二層；以及被所述第一層與所述第二層夾持的結(jié)構(gòu)體，所述結(jié)構(gòu)體具有第一微細(xì)壁狀構(gòu)件、第二微細(xì)壁狀構(gòu)件以及被該第一微細(xì)壁狀構(gòu)件與第二微細(xì)壁狀構(gòu)件夾持的半導(dǎo)體構(gòu)件，所述第一以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件具有第三層、第四層以及被該第三層與所述第四層夾持的第五層，所述第五層是產(chǎn)生光并且對光進(jìn)行波導(dǎo)的層，所述第三層以及所述第四層是對在所述第五層中產(chǎn)生的光進(jìn)行波導(dǎo)的層，所述第一層以及所述第二層是抑制在所述第五層中產(chǎn)生的光發(fā)生泄漏的層，在所述第五層中產(chǎn)生的光的傳播方向與所述第一以及所述第二微細(xì)壁狀構(gòu)件交叉。
文檔編號H01L33/32GK102315338SQ20111018061
公開日2012年1月11日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者望月理光 申請人:精工愛普生株式會(huì)社