專(zhuān)利名稱(chēng)：一種電泳顯示器組件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電泳顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電泳顯示器組件及其制造方法。
背景技術(shù)：
電泳顯示是ー種新型的顯示技木，它同時(shí)具備紙張和電子器件特性，既符合人們的視覺(jué)習(xí)慣，又方便、快捷。電泳顯示的關(guān)鍵技術(shù)之ー的電子墨水技木，是將帶電的電泳粒子懸浮在分散介質(zhì)溶劑中形成懸浮體系，在電場(chǎng)的作用下，電泳粒子能夠感應(yīng)電荷朝不同的方向運(yùn)動(dòng)，井根據(jù)人們的設(shè)定不斷改變所顯示的圖案和文字。電子墨水電泳顯示器是ー種反射型顯示裝置，一般包括具有透明電極的前蓋板，電子墨水層以及薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板。其中，TFT陣列基板中的半導(dǎo)體有源層一般為非晶娃層材料，基本上，非晶娃材料本身就是ー種具有光導(dǎo)電物質(zhì)，主要的缺陷，就是在光的照射之下，容易產(chǎn)生衰退現(xiàn)象，若經(jīng)由電子電洞的大量產(chǎn)生下，使它的暗導(dǎo)電度及光導(dǎo)電度均下降，容易造成的薄膜晶體管漏電流提高，使得儲(chǔ)存電容中的畫(huà)素因?yàn)殡姾勺饔枚兴魇В瑢?dǎo)致畫(huà)面質(zhì)量不佳等缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電泳顯示器組件及其制造方法，以解決因光漏電流的產(chǎn)生所導(dǎo)致的顯示效果不佳的問(wèn)題。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一方面，提供ー種電泳顯示器組件，包括基板；含有柵極的柵線金屬層，形成于所述基板之上；柵絕緣層，覆蓋在所述柵線金屬層之上；半導(dǎo)體有源層，形成于所述柵絕緣層之上，且對(duì)應(yīng)的位于所述柵極的上方；含有源極、漏極的數(shù)據(jù)線金屬層，形成于所述柵絕緣層之上，其中，所述源極、漏極相距一定間隔地位于所述半導(dǎo)體有源層之上；光阻樹(shù)脂層，覆蓋在所述數(shù)據(jù)線金屬層之上，且在所述漏極上方形成有過(guò)孔；像素電極層，形成于所述光阻樹(shù)脂層之上，并通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接。在所述數(shù)據(jù)線金屬層和所述光阻樹(shù)脂層之間還包括一鈍化層，所述鈍化層覆蓋在所述數(shù)據(jù)線金屬層之上，且在所述漏極上方、與所述光阻樹(shù)脂層的過(guò)孔相對(duì)應(yīng)的設(shè)有ー過(guò)孔。覆蓋在所述數(shù)據(jù)線金屬層之上的所述光阻樹(shù)脂層的上表面水平。所述光阻樹(shù)脂層為不透光的光阻樹(shù)脂層。所述光阻樹(shù)脂層為黑矩陣和/或彩色光阻構(gòu)成的樹(shù)脂層。
另ー方面，提供一種電泳顯示器組件的制造方法，包括在基板上形成含有柵極的柵線金屬層；
在所述柵線金屬層上形成柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層，所述半導(dǎo)體有源層位于所述柵極的上方；在所述柵絕緣層上形成含有源極、漏極的數(shù)據(jù)線金屬層，其中，所述源極、漏極相距一定間隔地位于所述半導(dǎo)體有源層之上；在所述數(shù)據(jù)線金屬層上，涂覆光阻樹(shù)脂層，通過(guò)構(gòu)圖エ藝在所述光阻樹(shù)脂層上形成與所述漏極相通的過(guò)孔；在所述光阻 樹(shù)脂層上，形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接。在形成所述數(shù)據(jù)線金屬層之后，涂覆所述光阻樹(shù)脂層之前，所述方法還包括在所述數(shù)據(jù)線金屬層上形成鈍化層，通過(guò)構(gòu)圖エ藝在所述鈍化層上形成與所述漏極相通的過(guò)孔，該過(guò)孔與所述光阻樹(shù)脂層的過(guò)孔相對(duì)應(yīng)。涂覆的所述光阻樹(shù)脂層的上表面水平。涂覆的所述光阻樹(shù)脂層為不透光的光阻樹(shù)脂層。涂覆的所述光阻樹(shù)脂層為黑矩陣和/或彩色光阻構(gòu)成的樹(shù)脂層。本發(fā)明提供的電泳顯示器組件及其制造方法，在形成數(shù)據(jù)線金屬層之后，涂覆了ー層光阻樹(shù)脂。該光阻樹(shù)脂一方面可以起到保護(hù)TFT的作用，另ー方面由于其不透光，能夠防止TFT有源層的非晶硅受到光照，從而可以減少非晶硅產(chǎn)生的光漏電流，達(dá)到增強(qiáng)顯示效果的作用。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的電泳顯示器組件的制造方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造示意圖ー；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造示意圖ニ ；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造示意圖三；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造示意圖四；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造示意圖五；圖7為本發(fā)明另ー實(shí)施例提供的電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造示意圖ー；圖8為本發(fā)明另ー實(shí)施例提供的電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造示意圖ニ ；圖9為本發(fā)明另ー實(shí)施例提供的電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造示意圖三。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
參照?qǐng)DI-圖6，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的電泳顯示器組件的制造方法。其中，圖I為電泳顯示器組件的制造方法的流程示意圖；圖2-圖6為電泳顯示器組件制造過(guò)程中的構(gòu)造不意圖。S101、在基板上形成含有柵極的柵線金屬層。具體的，如圖2所示，可以使用磁控濺射方法，在基板20上制備ー層厚度在1000人至7000人的金屬薄膜。金屬材料通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模版通過(guò)曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖エ藝處理，在基板20的一定區(qū)域上形成多條橫向的柵線和與柵線相連的柵極21。S102、在柵線金屬層上形成柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層，該半導(dǎo)體有源層位于柵極的上方。具體的，如圖3所示，可以利用化學(xué)汽相沉積法在基板上連續(xù)沉積厚度為1000人 至6OOO人的柵絕緣層22和厚度為1000人至6OOO人的非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜。柵絕緣層22的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。用有源層的掩模版對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行曝光，之后對(duì)該非晶硅薄膜進(jìn)行干法刻蝕，在柵極21的上方形成半導(dǎo)體有源層23。S103、在柵絕緣層上形成含有源極、漏極的數(shù)據(jù)線金屬層，其中，該源極、漏極相距一定間隔地位于半導(dǎo)體有源層之上。具體的，如圖4所示，可以采用和制備柵線類(lèi)似的方法，在基板20上沉積ー層類(lèi)似于柵金屬的厚度在1000入到7000人金屬薄膜。通過(guò)構(gòu)圖エ藝處理在一定區(qū)域形成數(shù)據(jù)線
和源極24、漏極25。源極24、漏極25通過(guò)半導(dǎo)體有源層23形成溝道，且和柵極21 —起構(gòu)
成薄膜晶體管。由于柵絕緣層22之上形成的是非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，則在本步驟S103中，需對(duì)溝道上方的n+非晶硅薄膜進(jìn)行刻蝕，形成溝道。S104、在數(shù)據(jù)線金屬層上，涂覆光阻樹(shù)脂層，通過(guò)構(gòu)圖エ藝在該光阻樹(shù)脂層上形成與漏極相通的過(guò)孔。具體的，如圖5所示，可以以中央滴下加旋轉(zhuǎn)涂布的方法涂覆光阻樹(shù)脂，得到光阻樹(shù)脂層26。然后通過(guò)掩模版，利用曝光顯影等構(gòu)圖エ藝處理，在漏極25位置處形成連接過(guò)孔27。此外，如圖5所示，覆蓋在數(shù)據(jù)線金屬層之上的光阻樹(shù)脂層26的上表面水平。這樣能夠増大后續(xù)涂覆的像素電極層和源極、漏極之間的距離，從而増大像素電極層面積，提高開(kāi)ロ率。再有，該光阻樹(shù)脂層26可以為不透光的光阻樹(shù)脂層，例如用彩膜基板制造過(guò)程中的黑矩陣和/或彩色光阻等構(gòu)成。這樣ー來(lái)就可以利用現(xiàn)有的彩膜基板的制造設(shè)備來(lái)進(jìn)行光阻樹(shù)脂層的涂覆，無(wú)需另外增添設(shè)備、原料等，能夠減少制造成本。S105、在光阻樹(shù)脂層上，形成像素電極層，該像素電極層通過(guò)過(guò)孔與漏極連接。具體的，如圖6所示，采用與源、漏電極相類(lèi)似的方法，在整個(gè)基板的光阻樹(shù)脂層26上沉積ー層像素電極層28。常用的像素電極為ITO(Indium Tin Oxides，銦錫氧化物)^IZOdndium Zinc Oxide，銦鋅氧化物)，厚度在100人至1000人之間。該像素電極層28通過(guò)過(guò)孔27與漏極25連接。 本發(fā)明提供的電泳顯示器組件的制造方法，在形成數(shù)據(jù)線金屬層之后，涂覆了一層光阻樹(shù)脂。該光阻樹(shù)脂一方面可以起到保護(hù)TFT的作用，這樣則省略了鈍化層的形成エ序；另ー方面由于其不透光，還能夠防止TFT半導(dǎo)體有源層的非晶硅受到光照，從而可以減少非晶硅產(chǎn)生的光漏電流，達(dá)到增強(qiáng)顯示效果的作用。本法明另ー實(shí)施例提供的電泳顯示器組件的制造方法，包括S201、在基板上形成含有柵極的柵線金屬層。S202、在柵線金屬層上形成柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層，該半導(dǎo)體有源層位于柵極的上方。S203、在柵絕緣層上形成含有源極、漏極的數(shù)據(jù)線金屬層，其中，該源極、漏極相距一定間隔地位于半導(dǎo)體有源層之上。步驟S201 S203與上述實(shí)施例中的步驟SlOl S103完全相同。S204、在數(shù)據(jù)線金屬層上形成鈍化層，通過(guò)構(gòu)圖エ藝在鈍化層上形成與漏極相通的過(guò)孔。具體的，如圖7所示，采用與柵絕緣層以及半導(dǎo)體有源層相類(lèi)似的方法，在數(shù)據(jù)線金屬層上涂覆一層厚度在1000人到6OOO人的鈍化層29，其材料通常是氮化硅或透明的有機(jī)樹(shù)脂材料等。此時(shí)柵線、數(shù)據(jù)線上面覆蓋有鈍化層29。通過(guò)掩模版，利用曝光和刻蝕等構(gòu)圖エ藝處理，在漏極25位置處形成連接過(guò)孔27'。S205、如圖8所示，在鈍化層29上涂覆光阻樹(shù)脂層26，并通過(guò)構(gòu)圖エ藝在該光阻樹(shù)脂層26上形成與鈍化層29上過(guò)孔27'相對(duì)應(yīng)、與漏極25相通的過(guò)孔27。此外，如圖8所示，覆蓋在鈍化層29之上的光阻樹(shù)脂層26的上表面水平。這樣能夠增大后續(xù)涂覆的像素電極層和源極、漏極之間的距離，從而増大像素電極層面積，提高開(kāi)ロ率。再有，該光阻樹(shù)脂層26可以為不透光的光阻樹(shù)脂層，例如用彩膜基板制造過(guò)程中的黑矩陣和/或彩色光阻等構(gòu)成。這樣ー來(lái)就可以利用現(xiàn)有的彩膜基板的制造設(shè)備來(lái)進(jìn)行光阻樹(shù)脂層的涂覆，無(wú)需另外增添設(shè)備、原料等，能夠減少制造成本。在此，由于光阻樹(shù)脂層26上的過(guò)孔27與鈍化層29上的過(guò)孔27'相對(duì)應(yīng)，因此在使用同一性的光刻膠的情況下，可以使用同一塊掩膜板進(jìn)行曝光處理。S206、如圖9所示，在光阻樹(shù)脂層26上，形成像素電極層28，該像素電極層28通過(guò)過(guò)孔27與漏極25連接。本發(fā)明提供的電泳顯示器組件的制造方法，在形成數(shù)據(jù)線金屬層、鈍化層之后，涂覆了ー層光阻樹(shù)脂。由于該光阻樹(shù)脂不透光，因此能夠防止TFT半導(dǎo)體有源層的非晶硅受到光照，從而可以減少非晶硅產(chǎn)生的光漏電流，達(dá)到增強(qiáng)顯示效果的作用。另外，現(xiàn)有技術(shù)中，形成完鈍化層后，由于氮化硅是親水界面，因此需要對(duì)鈍化層進(jìn)行表面改性處理，以更好地與填平樹(shù)脂層附著，這不僅増加了制造エ序，也増加了相關(guān)設(shè)置的購(gòu)置成本。而在本實(shí)施例中，采用彩膜產(chǎn)線エ藝，用光阻形成樹(shù)脂層進(jìn)行涂布，無(wú)需對(duì)鈍化層表面進(jìn)行改性處理，節(jié)約了エ序，較少了成本。本發(fā)明實(shí)施例提供的電泳顯示器組件，如圖6所示，包括基板20 ；
含有柵極21的柵線金屬層，形成于基板20之上；柵絕緣層22，覆蓋在柵線金屬層之上；半導(dǎo)體有源層23，形成于柵絕緣層之上，且對(duì)應(yīng)的位于柵極21的上方；含有源極24、漏極25的數(shù)據(jù)線金屬層，形成于柵絕緣層22之上，其中，源極24、漏極25相距一定間隔地位于半導(dǎo)體有源層23之上；光阻樹(shù)脂層26，覆蓋在數(shù)據(jù)線金屬層之上，且在漏極25上方形成有過(guò)孔27 ；像素電極層28，形成于光阻樹(shù)脂層26之上，并通過(guò)過(guò)孔27與漏極25連接。在本實(shí)施例中，覆蓋在數(shù)據(jù)線金屬層之上的光阻樹(shù)脂層26的上表面水平。這樣能夠增大后續(xù)涂覆的像素電極層和源極、漏極之間的距離，從而増大像素電極層面積，提高開(kāi) ロ率。再有，該光阻樹(shù)脂層26為不透光的光阻樹(shù)脂層，例如用彩膜基板制造過(guò)程中的黑矩陣和/或彩色光阻等構(gòu)成。這樣ー來(lái)就可以利用現(xiàn)有的彩膜基板的制造設(shè)備來(lái)進(jìn)行光阻樹(shù)脂層的涂覆，無(wú)需另外增添設(shè)備、原料等，能夠減少制造成本。本發(fā)明提供的電泳顯示器組件，在形成數(shù)據(jù)線金屬層之后，涂覆了ー層光阻樹(shù)脂。該光阻樹(shù)脂一方面可以起到保護(hù)TFT的作用，這樣則省略了鈍化層的形成エ序；另一方面由于其不透光，能夠防止TFT半導(dǎo)體有源層的非晶硅受到光照，從而可以減少非晶硅產(chǎn)生的光漏電流，達(dá)到增強(qiáng)顯示效果的作用。本發(fā)明另一實(shí)施例提供的電泳顯示器組件，如圖9所示，包括基板20;含有柵極21的柵線金屬層，形成于基板20之上；柵絕緣層22，覆蓋在柵線金屬層之上；半導(dǎo)體有源層23，形成于柵絕緣層之上，且對(duì)應(yīng)的位于柵極21的上方；含有源極24、漏極25的數(shù)據(jù)線金屬層，形成于柵絕緣層22之上，其中，源極24、漏極25相距一定間隔地位于半導(dǎo)體有源層23之上；鈍化層29，形成于數(shù)據(jù)線金屬層之上，在漏極25的上方形成有過(guò)孔27'。光阻樹(shù)脂層26，覆蓋在鈍化層29之上，且在漏極25上方形成有與鈍化層29的過(guò)孔27'相對(duì)應(yīng)的過(guò)孔27;像素電極層28，形成于光阻樹(shù)脂層26之上，并通過(guò)過(guò)孔27與漏極25連接。在本實(shí)施例中，覆蓋在數(shù)據(jù)線金屬層之上的光阻樹(shù)脂層26的上表面水平。這樣能夠增大后續(xù)涂覆的像素電極層和源極、漏極之間的距離，從而増大像素電極層面積，提高開(kāi)ロ率。再有，該光阻樹(shù)脂層26為不透光的光阻樹(shù)脂層，例如用彩膜基板制造過(guò)程中的黑矩陣和/或彩色光阻等構(gòu)成。這樣ー來(lái)就可以利用現(xiàn)有的彩膜基板的制造設(shè)備來(lái)進(jìn)行光阻樹(shù)脂層的涂覆，無(wú)需另外增添設(shè)備、原料等，能夠減少制造成本。本發(fā)明提供的電泳顯示器組件，在數(shù)據(jù)線金屬層、鈍化層之上，還有ー層光阻樹(shù)月旨。由于該光阻樹(shù)脂不透光，因此能夠防止TFT半導(dǎo)體有源層的非晶硅受到光照，從而可以減少非晶硅產(chǎn)生的光漏電流，達(dá)到增強(qiáng)顯示效果的作用。另外，現(xiàn)有技術(shù)中，形成完鈍化層后，由于氮化硅是親水界面，因此需要對(duì)鈍化層進(jìn)行表面改性處理，以更好地與填平樹(shù)脂層附著，這不僅増加了制造エ序，也増加了相關(guān)設(shè)置的購(gòu)置成本。而在本實(shí)施例中，可以采用彩膜產(chǎn)線エ藝，用光阻形成樹(shù)脂層進(jìn)行涂布，這樣無(wú)需對(duì)鈍化層表面進(jìn)行改性處理，節(jié)約了エ序，較少了成本以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.ー種電泳顯示器組件，其特征在于，包括 基板； 含有柵極的柵線金屬層，形成于所述基板之上； 柵絕緣層，覆蓋在所述柵線金屬層之上； 半導(dǎo)體有源層，形成于所述柵絕緣層之上，且對(duì)應(yīng)的位于所述柵極的上方； 含有源極、漏極的數(shù)據(jù)線金屬層，形成于所述柵絕緣層之上，其中，所述源極、漏極相距一定間隔地位于所述半導(dǎo)體有源層之上； 光阻樹(shù)脂層，覆蓋在所述數(shù)據(jù)線金屬層之上，且在所述漏極上方形成有過(guò)孔； 像素電極層，形成于所述光阻樹(shù)脂層之上，并通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電泳顯示器組件，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線金屬層和所述光阻樹(shù)脂層之間還包括一鈍化層，所述鈍化層覆蓋在所述數(shù)據(jù)線金屬層之上，且在所述漏極上方、與所述光阻樹(shù)脂層的過(guò)孔相對(duì)應(yīng)的設(shè)有ー過(guò)孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電泳顯示器組件，其特征在于，覆蓋在所述數(shù)據(jù)線金屬層之上的所述光阻樹(shù)脂層的上表面水平。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電泳顯示器組件，其特征在于，所述光阻樹(shù)脂層為不透光的光阻樹(shù)脂層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電泳顯示器組件，其特征在于，所述光阻樹(shù)脂層為黑矩陣和/或彩色光阻構(gòu)成的樹(shù)脂層。
6.一種電泳顯示器組件的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成含有柵極的柵線金屬層； 在所述柵線金屬層上形成柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層，所述半導(dǎo)體有源層位于所述柵極的上方； 在所述柵絕緣層上形成含有源極、漏極的數(shù)據(jù)線金屬層，其中，所述源極、漏極相距一定間隔地位于所述半導(dǎo)體有源層之上； 在所述數(shù)據(jù)線金屬層上，涂覆光阻樹(shù)脂層，通過(guò)構(gòu)圖エ藝在所述光阻樹(shù)脂層上形成與所述漏極相通的過(guò)孔； 在所述光阻樹(shù)脂層上，形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述數(shù)據(jù)線金屬層之后，涂覆所述光阻樹(shù)脂層之前，所述方法還包括 在所述數(shù)據(jù)線金屬層上形成鈍化層，通過(guò)構(gòu)圖エ藝在所述鈍化層上形成與所述漏極相通的過(guò)孔，該過(guò)孔與所述光阻樹(shù)脂層的過(guò)孔相對(duì)應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，涂覆的所述光阻樹(shù)脂層的上表面水平。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，涂覆的所述光阻樹(shù)脂層為不透光的光阻樹(shù)脂層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，涂覆的所述光阻樹(shù)脂層為黑矩陣和/或彩色光阻構(gòu)成的樹(shù)脂層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電泳顯示器組件及其制造方法，能夠降低光漏電流的產(chǎn)生，增強(qiáng)顯示效果。其結(jié)構(gòu)包括基板；含有柵極的柵線金屬層，形成于所述基板之上；柵絕緣層，覆蓋在所述柵線金屬層之上；半導(dǎo)體有源層，形成于所述柵絕緣層之上，且對(duì)應(yīng)的位于所述柵極的上方；含有源極、漏極的數(shù)據(jù)線金屬層，形成于所述柵絕緣層之上，其中，所述源極、漏極相距一定間隔地位于所述半導(dǎo)體有源層之上；光阻樹(shù)脂層，覆蓋在所述數(shù)據(jù)線金屬層之上，且在所述漏極上方形成有過(guò)孔；像素電極層，形成于所述光阻樹(shù)脂層之上，并通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接。本發(fā)明用于電泳顯示器制造。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102654705SQ20111007096
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月23日
發(fā)明者張卓, 王剛, 蓋翠麗, 謝春燕 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司