專利名稱：阻抗匹配元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電磁通訊領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種利用超材料制成的阻抗匹配元件。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，電磁波技術(shù)逐漸深入到我們生活的各個(gè)方面。電磁波的一個(gè)重要的特性是它可以在任何的介質(zhì)或真空中傳播。在電磁波從發(fā)射端傳播至接收端過程中，能量的損耗直接影響電磁信號傳播的距離以及傳輸信號的質(zhì)量。當(dāng)電磁波經(jīng)過同一介質(zhì)時(shí)，基本沒有能量的損失；而當(dāng)電磁波經(jīng)過不同介質(zhì)的分界面時(shí)，會發(fā)生部分反射現(xiàn)象。通常兩邊介質(zhì)的電磁參數(shù)(介電常數(shù)或者磁導(dǎo)率)差距越大反射就會越大。由于部分電磁波的反射，沿傳播方向的電磁能量就會相應(yīng)損耗，嚴(yán)重影響電磁信號傳播的距離和傳輸信號的質(zhì)量。研究阻抗匹配就是為了減少電磁波在經(jīng)過不同介質(zhì)邊界時(shí)的信號發(fā)射問題。但目前關(guān)于電磁波傳輸過程中的阻抗匹配問題的研究還僅限于電路中，對于空間傳播時(shí)的阻抗匹配問題還沒有較成熟的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種阻抗匹配元件，可減少電磁波在經(jīng)過不同介質(zhì)邊界時(shí)能量的損耗。為解決上述技術(shù)問題，提供了一種阻抗匹配元件，設(shè)置于第一介質(zhì)與第二介質(zhì)之間，所述元件由多個(gè)超材料片層沿垂直于所述片層表面方向堆疊成為一體，所述超材料片層包括基材和多個(gè)附著在所述基材上的人造微結(jié)構(gòu)，所述基材分成若干晶格，所述人造微結(jié)構(gòu)置于所述晶格中，所述元件的若干晶格的阻抗沿片層堆疊方向呈連續(xù)變化，組成首位片層\末尾片層的各晶格的阻抗與片層相接觸的第一介質(zhì)\第二介質(zhì)對應(yīng)位置的阻抗相同。進(jìn)一步地，當(dāng)所述第一介質(zhì)和第二介質(zhì)都為均勻介質(zhì)時(shí)所述元件由多個(gè)均勻的超材料片層構(gòu)成，每個(gè)超材料片層包括基材和陣列在所述基材上的多個(gè)相同的人造微結(jié)構(gòu)， 各片層所附著的人造微結(jié)構(gòu)具有相同的幾何形狀且各片層的人造微結(jié)構(gòu)的尺寸沿片層的堆疊方向連續(xù)變化。進(jìn)一步地，所述人造微結(jié)構(gòu)呈“工”形，包括第一金屬絲和分別連接在第一金屬絲兩端且垂直于所述第一金屬絲的第二金屬絲。進(jìn)一步地，所述人造微結(jié)構(gòu)還包括分別連接在所述第二金屬絲兩端且垂直于所述第二金屬絲的第三金屬絲、分別連接在所述第三金屬絲兩端且垂直于所述第三金屬絲的第四金屬絲，依此類推。進(jìn)一步地，所述第二金屬絲的長度小于第一金屬絲，所述第三金屬絲的長度小于第二金屬絲，所述第四金屬絲的長度小于第三金屬絲，依此類推。
進(jìn)一步地，每個(gè)所述人造微結(jié)構(gòu)包括相互垂直而連接成“十”字形的兩個(gè)第一金屬絲、分別連接在每個(gè)第一金屬絲兩端且垂直于第一金屬絲的第二金屬絲、分別連接在每個(gè)第二金屬絲兩端且垂直于第二金屬絲的第三金屬絲，依此類推。進(jìn)一步地，每個(gè)所述人造微結(jié)構(gòu)包括在三維空間內(nèi)兩兩垂直且共一交點(diǎn)的三個(gè)第一金屬絲、分別連接在每個(gè)第一金屬絲兩端且垂直于第一金屬絲的第二金屬絲、分別連接在每個(gè)第二金屬絲兩端且垂直于第二金屬絲的第三金屬絲，依此類推。進(jìn)一步地，所述人造微結(jié)構(gòu)為非軸對稱結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述人造微結(jié)構(gòu)為不等腰三角形、平行四邊形或不規(guī)則閉合曲線。上述技術(shù)方案至少具有如下有益效果本發(fā)明實(shí)施例的阻抗匹配元件由多個(gè)超材料片層堆疊成為一體，超材料片層分成若干晶格，人造微結(jié)構(gòu)置于所述晶格中，通過設(shè)計(jì)晶格上的人造微結(jié)構(gòu)的圖案和尺寸，可實(shí)現(xiàn)使用超材料制成一個(gè)阻抗?jié)u變的阻抗匹配元件， 使其一側(cè)的阻抗與第一介質(zhì)的阻抗相同，另一側(cè)與第二介質(zhì)的阻抗相同，中間連續(xù)變化消除第一介質(zhì)和第二介質(zhì)間的阻抗突變，進(jìn)而消除電磁波經(jīng)過不同介質(zhì)分界面時(shí)的部分反射現(xiàn)象以及電磁波能量損耗問題。


圖1是本發(fā)明的由多個(gè)非均勻的超材料片層堆疊而成的阻抗匹配元件一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2a是本發(fā)明的由多個(gè)均勻的超材料片層堆疊而成的阻抗匹配元件一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2b是圖2a所示的阻抗匹配元件的主視圖，其人造微結(jié)構(gòu)為“工”字形。圖2c是圖2a所示的阻抗匹配元件的側(cè)視圖。圖2d是圖2c所示的阻抗匹配元件的A-A剖視圖，各超材料片層的阻抗沿堆疊方向平穩(wěn)增加或減小。圖3a是由圖2b所示人造微結(jié)構(gòu)衍生的第二實(shí)施例的示意圖。圖3b是由圖3a所示人造微結(jié)構(gòu)衍生的第三實(shí)施例的示意圖。圖4a是本發(fā)明的阻抗匹配元件的第四實(shí)施例的剖視圖。圖4b是由圖4a所示人造微結(jié)構(gòu)衍生的第五實(shí)施例的示意圖。圖4c是由圖4b所示人造微結(jié)構(gòu)衍生的第六實(shí)施例的示意圖。圖5是本發(fā)明的阻抗匹配元件第七實(shí)施例的主視圖。圖6是本發(fā)明的阻抗匹配元件第八實(shí)施例的主視圖。圖7是本發(fā)明的阻抗匹配元件第九實(shí)施例的主視圖。圖8是人造微結(jié)構(gòu)為三維結(jié)構(gòu)的超材料片層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖9是本發(fā)明的阻抗匹配元件的應(yīng)用示意圖。
具體實(shí)施例方式當(dāng)電磁波在同一介質(zhì)傳播時(shí)，基本沒有能量的損失；而當(dāng)電磁波經(jīng)過不同介質(zhì)的分界面時(shí)，會發(fā)生部分反射現(xiàn)象。通常兩邊介質(zhì)的電磁參數(shù)(介電常數(shù)或者磁導(dǎo)率)差距越大反射就會越大。由于部分電磁波的反射，沿傳播方向的電磁能量就會相應(yīng)損耗，嚴(yán)重影響電磁信號傳播的距離和傳輸信號的質(zhì)量。本發(fā)明涉及一種采用超材料制成的阻抗匹配元件，用以解決電磁波在空間傳播過程中經(jīng)過不同介質(zhì)分界面時(shí)發(fā)生部分反射而導(dǎo)致電磁波能量損耗的問題。超材料是一種以人造微結(jié)構(gòu)2為基本單元并以特定方式進(jìn)行空間排布、具有特殊電磁響應(yīng)的新型材料，包括由具有一定圖案形狀的金屬絲構(gòu)成的人造微結(jié)構(gòu)2和供人造微結(jié)構(gòu)附著的基材1。多個(gè)人造微結(jié)構(gòu)2在基材1上陣列排布，基材1分成若干晶格，每個(gè)人造微結(jié)構(gòu)2以及其所附著的晶格即為一個(gè)單元格?；?可為任何與人造微結(jié)構(gòu)2不同的材料，這兩種材料的疊加使每個(gè)單元格產(chǎn)生一個(gè)等效介電常數(shù)與磁導(dǎo)率，這兩個(gè)物理參數(shù)分別對應(yīng)了單元格的電場響應(yīng)與磁場響應(yīng)。超材料對電磁響應(yīng)的特征是由人造微結(jié)構(gòu)2的特征所決定，而人造微結(jié)構(gòu)2的電磁響應(yīng)很大程度上取決于其金屬絲的圖案所具有的拓?fù)涮卣骱推鋷缀纬叽?。根?jù)上述原理設(shè)計(jì)超材料空間中排列的每個(gè)人造微結(jié)構(gòu)2的圖案和幾何尺寸，就可對超材料中每一點(diǎn)的電磁參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，由于阻抗與成正比關(guān)系，所以只要改變介電常數(shù)與磁導(dǎo)率中的至少一個(gè)，就可以改變阻抗。實(shí)驗(yàn)證明，相同圖案的人造微結(jié)構(gòu)2，其幾何尺寸與介電常數(shù)成正比，通過合理設(shè)計(jì)人造微結(jié)構(gòu)2的圖案和不同尺寸的人造微結(jié)構(gòu) 2在超材料片層上的排布，就可以使用超材料形成一個(gè)阻抗?jié)u變層，使其一側(cè)的阻抗與第一介質(zhì)的阻抗相同，另一側(cè)的阻抗與第二介質(zhì)的阻抗相同，中間連續(xù)變化消除第一介質(zhì)和第二介質(zhì)間的阻抗突變，進(jìn)而消除電磁波經(jīng)過不同介質(zhì)分界面時(shí)的反射現(xiàn)象以及電磁波能量損耗問題。圖1所示實(shí)施例為用于兩非均勻介質(zhì)間的阻抗匹配元件的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中的阻抗匹配元件10由多個(gè)相互平行的超材料片層3沿垂直于其表面方向堆疊形成，每個(gè)超材料片層3分為若干單元格，沿超材料片層3的堆疊方向單元格的阻抗呈連續(xù)變化，組成首\末兩片超材料片層3的各單元格的阻抗與其相接觸的第一介質(zhì)\第二介質(zhì)對應(yīng)位置的阻抗相同。本發(fā)明的阻抗匹配元件10應(yīng)用于非均勻介質(zhì)阻抗匹配時(shí)，首\末兩片超材料片層3呈非均勻性，通過設(shè)計(jì)組成首\末兩超材料片層3中各單元格上的人造微結(jié)構(gòu)2的圖案和尺寸，中間各超材料片層3的單元格的阻抗連續(xù)變化即可消除第一介質(zhì)和第二介質(zhì)間的阻抗突變，實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。具體實(shí)施時(shí)可根據(jù)第一介質(zhì)\第二介質(zhì)對應(yīng)位置的阻抗設(shè)計(jì)組成首\末兩片超材料片層3的各單元格所附著的人造微結(jié)構(gòu)2的圖案和尺寸，可采用圖 1中的“工”字形結(jié)構(gòu)、三角形結(jié)構(gòu)以及任何滿足阻抗要求的人造微結(jié)構(gòu)2。下面為本發(fā)明的阻抗匹配元件應(yīng)用于兩均勻介質(zhì)的具體實(shí)施例。圖2a 圖2d分別是本發(fā)明的阻抗匹配元件10 —實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖、主視圖、 側(cè)視圖以及A-A剖視圖。本實(shí)施例中第一介質(zhì)和第二介質(zhì)都為均勻介質(zhì)，阻抗匹配元件10 由多個(gè)阻抗均勻分布的超材料片層3構(gòu)成，每個(gè)超材料片層3包括片狀的基材1和附著在基材1上的多個(gè)人造微結(jié)構(gòu)2。多個(gè)超材料片層3沿垂直于超材料片層3表面方向堆疊成為一體且各超材料片層3的阻抗沿片層的堆疊方向逐漸增大或減小，首位的超材料片層3 和末尾的超材料片層3的阻抗分別與第一介質(zhì)和第二介質(zhì)的阻抗相同，這里的均勻是指構(gòu)成超材料片層3的每個(gè)單元格具有相同的電磁參數(shù)。本實(shí)施例中的阻抗匹配元件由多個(gè)超材料片層3堆疊而成，同一超材料片層3的基材1上的陣列設(shè)置有多個(gè)相同的人造微結(jié)構(gòu)2。不同超材料片層3所附著的人造微結(jié)構(gòu)2具有相同的幾何形狀且人造微結(jié)構(gòu)2的尺寸沿超材料片層3的堆疊方向逐漸增大或減小， 具體實(shí)施時(shí)可根據(jù)第一介質(zhì)和第二介質(zhì)的阻抗設(shè)計(jì)阻抗匹配元件10兩側(cè)的超材料片層3 的電磁參數(shù)，中間的超材料片層3的阻抗連續(xù)變化，進(jìn)而形成一個(gè)阻抗?jié)u變層。在本實(shí)施例中人造微結(jié)構(gòu)2呈“工”字形，包括豎直的第一金屬絲201和分別連接在第一金屬絲201兩端且垂直于第一金屬絲201的第二金屬絲202。圖3a所示實(shí)施例是圖2b所示實(shí)施例的衍生，其人造微結(jié)構(gòu)2不僅包括構(gòu)成“工” 字形的第一金屬絲201和第二金屬絲202，還包括分別連接在第二金屬絲202兩端且垂直于第二金屬絲202的第三金屬絲203。圖3b所示實(shí)施例則是圖3a的人造微結(jié)構(gòu)2的進(jìn)一步衍生，其人造微結(jié)構(gòu)2在圖 3a的基礎(chǔ)上還包括分別連接在第三金屬絲203兩端且垂直于第三金屬絲203的第四金屬絲 204。依此類推，本發(fā)明的對電場響應(yīng)的人造微結(jié)構(gòu)2還有無窮多個(gè)。第二金屬絲202的長度小于第一金屬絲201，第三金屬絲203的長度小于第二金屬絲202，第四金屬絲204的長度小于第三金屬絲203，依此類推。其中，每個(gè)第一金屬絲201只與第二金屬絲202相連接，不與其他任何金屬絲相交；任意第N金屬絲只與第(N-I)金屬絲和第(N+1)金屬絲相交連接，不予其他任何金屬絲相交，這里N大于等于2。圖4a所示實(shí)施例中每個(gè)人造微結(jié)構(gòu)2的金屬絲包括相互垂直而連接成“十”字形的兩個(gè)第一金屬絲201、分別連接在每個(gè)第一金屬絲201兩端且垂直于第一金屬絲201的第二金屬絲202。同一超材料片層3中陣列設(shè)置有多個(gè)相同的人造微結(jié)構(gòu)2 ；不同超材料片層 3所附著的人造微結(jié)構(gòu)2具有相同的幾何形狀且人造微結(jié)構(gòu)2的尺寸沿超材料片層3的堆疊方向逐漸增大或減小。圖4b和圖4c是圖4a的人造微結(jié)構(gòu)2的衍生。圖4b所示的金屬絲除具有圖4a所示的第一金屬絲201和第二金屬絲202外，還包括分別連接在每個(gè)第二金屬絲202兩端且垂直于第二金屬絲202的第三金屬絲203。圖4c所示的金屬絲除具有圖4b所示的第一金屬絲201、第二金屬絲202以及第三金屬絲203外，還包括分別連接在每個(gè)第三金屬絲203 兩端且垂直于第三金屬絲203的第四金屬絲204。本發(fā)明的人造微結(jié)構(gòu)2還可包括分別連接在每個(gè)第四金屬絲204兩端且垂直于第四金屬絲204的第五金屬絲，依此類推。圖5 圖7所示的實(shí)施例中阻抗匹配元件10的人造微結(jié)構(gòu)2為不等腰三角形、平行四邊形以及不規(guī)則閉合曲線。同樣也可采用其他圖案為軸對稱或非軸對稱結(jié)構(gòu)的人造微結(jié)構(gòu)2。除了人造微結(jié)構(gòu)2的幾何形狀與上述實(shí)施例不同之外，其他均與之相同。只要滿足構(gòu)成阻抗匹配元件10的各個(gè)超材料層3形成一個(gè)阻抗?jié)u變層，即可消除不同介質(zhì)間阻抗突變進(jìn)而消除電磁波經(jīng)過不同介質(zhì)分界面時(shí)所產(chǎn)生的能量損耗。圖8所示的超材料片層3的人造微結(jié)構(gòu)2采用三維結(jié)構(gòu)。每個(gè)三維的人造微結(jié)構(gòu) 2均勻、平行地陣列排布在片狀基材1內(nèi)部。在設(shè)計(jì)人造微結(jié)構(gòu)2時(shí)，可通過設(shè)計(jì)各金屬絲之間的長度關(guān)系，從而可實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)阻抗匹配元件10的阻抗?jié)u變性的目的。本實(shí)施例的人造微結(jié)構(gòu)2包括兩兩垂直且共一交點(diǎn)的三個(gè)第一金屬絲201和分別接在每個(gè)第一金屬絲201兩端且與該第一金屬絲201垂直的六根第二金屬絲202，依此類推。本發(fā)明的阻抗匹配元件根據(jù)人造微結(jié)構(gòu)的圖案所具有的拓?fù)涮卣骱推鋷缀纬叽?br> 6影響超材料的電磁參數(shù)的原理，就可對超材料中每一點(diǎn)的電磁參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，由于阻抗與成正比關(guān)系，所以可通過合理的設(shè)置超材料中每一點(diǎn)的電磁特性使用超材料制成一阻抗?jié)u變的阻抗匹配元件以解決電磁波經(jīng)過不同介質(zhì)分界面時(shí)的反射現(xiàn)象以及電磁波能量損耗問題，圖9所示為本發(fā)明的阻抗匹配元件的應(yīng)用示意圖，將本發(fā)明的阻抗匹配元件設(shè)置于量不同介質(zhì)間，可根據(jù)第一介質(zhì)和第二介質(zhì)的電磁參數(shù)設(shè)計(jì)阻抗匹配元件與其相接觸的超材料片層的人造微結(jié)構(gòu)的圖案和尺寸。當(dāng)兩介質(zhì)都為均勻介質(zhì)時(shí)為了便于理解和描述相應(yīng)實(shí)施例中構(gòu)成阻抗匹配元件的同一超材料片層上附著有多個(gè)相同的人造微結(jié)構(gòu)；不同超材料片層所附著的人造微結(jié)構(gòu)具有相同的幾何形狀且人造微結(jié)構(gòu)的尺寸沿超材料片層的堆疊方向逐漸增大或減小，具體設(shè)計(jì)時(shí)不同超材料片層也可采用不同圖案的人造微結(jié)構(gòu)，只要各片層的阻抗沿片層堆疊方向逐漸增大或逐漸減小以形成阻抗?jié)u變層即可實(shí)現(xiàn)均勻介質(zhì)阻抗匹配的目的，均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。 以上所述是本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種阻抗匹配元件，設(shè)置于第一介質(zhì)與第二介質(zhì)之間，其特征在于，所述元件由多個(gè)相互平行的超材料片層沿垂直于所述片層表面的方向堆疊形成，所述超材料片層包括基材和多個(gè)附著在所述基材上的人造微結(jié)構(gòu)，所述基材分成若干晶格，所述人造微結(jié)構(gòu)置于所述晶格中，每一晶格與其上的人造微結(jié)構(gòu)構(gòu)成一個(gè)單元格，所述元件的單元格的阻抗沿片層堆疊方向呈連續(xù)變化，組成首位片層及末尾片層的各單元格的阻抗分別與首位片層及末尾片層各自相接觸的第一介質(zhì)或第二介質(zhì)對應(yīng)位置的阻抗相同。
2.如權(quán)利要求1所述的阻抗匹配元件，其特征在于，所述第一介質(zhì)和第二介質(zhì)都為均勻介質(zhì)，所述元件由多個(gè)阻抗均勻分布的超材料片層構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的阻抗匹配元件，其特征在于，所述元件所有超材料片層的人造微結(jié)構(gòu)具有相同的圖案，各片層的人造微結(jié)構(gòu)的尺寸沿片層的堆疊方向連續(xù)變化。
4.如權(quán)利要求3所述的阻抗匹配元件，其特征在于，所述人造微結(jié)構(gòu)呈“工”形，包括第一金屬絲和分別連接在第一金屬絲兩端且垂直于所述第一金屬絲的第二金屬絲。
5.如權(quán)利要求4所述的阻抗匹配元件，其特征在于，所述人造微結(jié)構(gòu)還包括分別連接在所述第二金屬絲兩端且垂直于所述第二金屬絲的第三金屬絲、分別連接在所述第三金屬絲兩端且垂直于所述第三金屬絲的第四金屬絲，依此類推。
6.如權(quán)利要求5所述的阻抗匹配元件，其特征在于，所述第二金屬絲的長度小于第一金屬絲，所述第三金屬絲的長度小于第二金屬絲，所述第四金屬絲的長度小于第三金屬絲， 依此類推。
7.如權(quán)利要求3所述的阻抗匹配元件，其特征在于，每個(gè)所述人造微結(jié)構(gòu)包括相互垂直而連接成“十”字形的兩個(gè)第一金屬絲、分別連接在每個(gè)第一金屬絲兩端且垂直于第一金屬絲的第二金屬絲、分別連接在每個(gè)第二金屬絲兩端且垂直于第二金屬絲的第三金屬絲， 依此類推。
8.如權(quán)利要求3所述的阻抗匹配元件，其特征在于，每個(gè)所述人造微結(jié)構(gòu)包括在三維空間內(nèi)兩兩垂直且共一交點(diǎn)的三個(gè)第一金屬絲、分別連接在每個(gè)第一金屬絲兩端且垂直于第一金屬絲的第二金屬絲、分別連接在每個(gè)第二金屬絲兩端且垂直于第二金屬絲的第三金屬絲，依此類推。
9.如權(quán)利要求3所述的阻抗匹配元件，其特征在于，所述人造微結(jié)構(gòu)為非軸對稱結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的阻抗匹配元件，其特征在于，所述人造微結(jié)構(gòu)為不等腰三角形、平行四邊形或不規(guī)則閉合曲線。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種阻抗匹配元件，設(shè)置于第一介質(zhì)與第二介質(zhì)之間，該元件由多個(gè)超材料片層沿垂直于片層表面方向堆疊形成，超材料片層包括基材和多個(gè)附著在基材上的人造微結(jié)構(gòu)?；姆殖扇舾删Ц?，人造微結(jié)構(gòu)置于晶格中，每一晶格與其上的人造微結(jié)構(gòu)構(gòu)成一個(gè)單元格。該元件的單元格的阻抗沿片層堆疊方向連續(xù)變化，組成首位片層及末尾片層的各單元格的阻抗分別與首位片層及末尾片層各自相接觸的第一介質(zhì)或第二介質(zhì)對應(yīng)位置的阻抗相同。本發(fā)明實(shí)施例的阻抗匹配元件采用多個(gè)超材料片層堆疊形成一阻抗?jié)u變層，該阻抗匹配元件設(shè)置于兩介質(zhì)間可消除介質(zhì)分界面的阻抗突變，進(jìn)而解決了電磁波在經(jīng)過兩介質(zhì)分界面時(shí)發(fā)生反射而導(dǎo)致電磁波能量損耗的問題。
文檔編號H01Q15/00GK102480000SQ201110066479
公開日2012年5月30日 申請日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者劉若鵬, 季春霖, 徐冠雄, 方能輝, 趙治亞 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司, 深圳光啟高等理工研究院