專(zhuān)利名稱(chēng)：天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光檢測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的 制造方法。
背景技術(shù)：
天燃?xì)鈾z測(cè)，比如煤礦生產(chǎn)中的瓦斯監(jiān)測(cè)、城市天燃?xì)夤艿罊z漏、天燃?xì)廨斶\(yùn)檢漏 以及LNG(Liquefied Natural feis，液化天然氣)船檢漏等，均對(duì)安全生產(chǎn)和運(yùn)輸具有重要 意義。眾所周知，瓦斯爆炸是煤業(yè)生產(chǎn)中危害極大的一類(lèi)事故，給煤礦的安全生產(chǎn)造成了極 大的威脅，煤礦企業(yè)急需具備高可靠性的甲烷氣體檢測(cè)儀來(lái)滿(mǎn)足復(fù)雜的現(xiàn)場(chǎng)需求。另外，根 據(jù)MHIDAS(Major Hazard Incident Data krbice，重大安全事故數(shù)據(jù)庫(kù))數(shù)據(jù)庫(kù)的數(shù)據(jù)資 料整理顯示，天燃?xì)廨斶\(yùn)事故占燃?xì)饪偸鹿蚀螖?shù)的70. 8% ；同時(shí)，從以往發(fā)生的燃?xì)馐鹿蕘?lái) 看，絕大多數(shù)都是由泄漏引起的，如果及時(shí)控制和降低天燃?xì)馐鹿剩瑒t將會(huì)大大降低天然氣 的使用危險(xiǎn)性。由此可見(jiàn)，對(duì)天燃?xì)夤艿?、輸運(yùn)過(guò)程、LNG船進(jìn)行及時(shí)準(zhǔn)確地檢漏，對(duì)于提高 安全管理水平，避免和防止天燃?xì)馐鹿实陌l(fā)生具有重要作用?？烧{(diào)諧激光吸收光譜技術(shù)(Tunable Diode Laser AbsorptionSpectroscopy, TDLAS)是用來(lái)測(cè)量氣體吸收的光量技術(shù)，通過(guò)分析測(cè)量光束被氣體的選擇吸收情況來(lái)獲得 氣體濃度。隨著TDLAS技術(shù)的不斷成長(zhǎng)，開(kāi)發(fā)與之對(duì)應(yīng)的窄線(xiàn)寬、高效率、高壽命的氣體檢 測(cè)用激光芯片在國(guó)內(nèi)外受到了極大重視。德國(guó)Nanoplus GmbH公司開(kāi)發(fā)了用于天燃?xì)鈾z測(cè) 的1653nm DFB-LD，但是這些激光器科技含量高，只有發(fā)達(dá)國(guó)家的少數(shù)公司生產(chǎn)，價(jià)格昂貴， 無(wú)法在國(guó)內(nèi)推廣。國(guó)內(nèi)有武漢郵科院、清華大學(xué)研究了半導(dǎo)體分布反饋激光器，但他們研究 的激光器主要服務(wù)于光通訊領(lǐng)域，波長(zhǎng)分布在1. 3-1. 55微米波段，而在氣體檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域 中，對(duì)激光器的光波長(zhǎng)要求在1. 65-1. 66微米的范圍內(nèi)，線(xiàn)寬小于10MHz，因此，目前國(guó)內(nèi)生 產(chǎn)的半導(dǎo)體激光器不適用于天然氣檢測(cè)過(guò)程中。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何提供穩(wěn)定的用于天然氣傳感應(yīng)用的激光束，以實(shí) 現(xiàn)高精度的天然氣檢測(cè)；并且，還需盡量減低技術(shù)成本，以適應(yīng)大規(guī)模投入生產(chǎn)。( 二 )技術(shù)方案為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，所述方 法包括步驟Sl 在n-InP襯底上進(jìn)行一次外延，生長(zhǎng)出InP緩沖層、下波導(dǎo)層、多量子阱 結(jié)構(gòu)、上波導(dǎo)層以及p-n反型層；步驟S2 在所述p-n反型層與所述上波導(dǎo)層上制作出復(fù)耦合型光柵；步驟S3 從所述復(fù)耦合型光柵上方進(jìn)行二次外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)出P-InP蓋層、刻蝕停 止層和P-接觸層；
3
步驟S4 從所述P-接觸層及所述刻蝕停止層上方制作出脊臺(tái)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；步驟S5 在脊態(tài)結(jié)構(gòu)上大面積淀積二氧化硅層；步驟S6 刻制出脊臺(tái)波導(dǎo)窗口 ；步驟S7 制作P面電極及N面電極。所述步驟Sl中的所述InP緩沖層的生長(zhǎng)過(guò)程中，進(jìn)行IOs的生長(zhǎng)中斷并加入有 6nm的應(yīng)變量為0. 9%的Ina66Giia44As應(yīng)變緩沖層。所述步驟Sl中，所述一次外延利用低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行外延生 長(zhǎng)，其所采用的生長(zhǎng)溫度設(shè)置為655°C，生長(zhǎng)壓力設(shè)置為22毫巴。所述步驟Sl中，所述下波導(dǎo)層以及上波導(dǎo)層所采用的材料為激射波長(zhǎng)為1.3μπι 的與所述η-ΙηΡ襯底晶格相匹配的InGaAsP材料；所述ρ-η反型層依次從下至上包括有在所述上波導(dǎo)層上外延生長(zhǎng)的12nm WpHnP 層、9nm的η-ΙηΡ層以及9nm的激射波長(zhǎng)為1. 3 μ m的與所述η-ΙηΡ襯底晶格相匹配的 MGaAsP材料層。所述步驟Sl中，所述多量子阱結(jié)構(gòu)使用InGaAs/lnGaAsP材料，其包括四個(gè)壓應(yīng)變
量子阱；每個(gè)所述壓應(yīng)變量子阱的阱材料采用應(yīng)變量為1. 2%的La67Giia33As材料，其厚度 范圍為5 7nm ；壘采用激射波長(zhǎng)為1. 3 μ m的InGaAsP材料，其厚度范圍為16 18nm。所述壘材料的禁帶寬度大于其兩側(cè)的波導(dǎo)層。所述步驟S3中，所述刻蝕停止層采用激射波長(zhǎng)為1.2μπι的與所述η-ΙηΡ襯底晶 格相匹配的InGaAsP材料。所述步驟S3中，所述ρ-接觸層采用InGaAs材料。所述步驟S4中，依次利用溴基非選擇性腐蝕液和9 1的稀鹽酸腐蝕出寬3 μ m， 高1. 8μπι的脊臺(tái)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，刻蝕操作停止在所述刻蝕停止層上。所述復(fù)耦合型光柵的深度大于所述ρ-η反型層的厚度。(三)有益效果本發(fā)明技術(shù)方案通過(guò)采用生長(zhǎng)中斷和應(yīng)變緩沖層技術(shù)在InP緩沖層中加入IOs 生長(zhǎng)中斷和一個(gè)6nm應(yīng)變量為0.9%的^ia66Giia44As應(yīng)變緩沖層優(yōu)化了材料質(zhì)量，從而提 高了激光器的效率；在量子阱結(jié)構(gòu)中，壘同時(shí)設(shè)計(jì)為載流子阻擋層，提高激光器的溫度穩(wěn)定 性(特征溫度達(dá)到57K)；采用ρ-η反型層結(jié)構(gòu)，引入復(fù)增益耦合，從而減小了激光器的線(xiàn)寬 (10ΜΗΖ以?xún)?nèi))，提高了單模成品率。


圖1本發(fā)明具體實(shí)施方式
中制造天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的流程圖；圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式
中進(jìn)行一次外延后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明具體實(shí)施方式
中制備光柵后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明具體實(shí)施方式
中進(jìn)行二次外延后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明具體實(shí)施方式
中刻蝕脊臺(tái)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明具體實(shí)施方式
中生長(zhǎng)二氧化硅后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明具體實(shí)施方式
中刻制出脊臺(tái)波導(dǎo)窗口后的結(jié)構(gòu)示意圖8為本發(fā)明具體實(shí)施方式
中濺射P面電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明具體實(shí)施方式
中蒸發(fā)N面電極后結(jié)構(gòu)示意圖；其中，1 :n-InP襯底；2 =InP緩沖層；3 生長(zhǎng)中斷；4 :In0.66Ga0.44As 應(yīng)變緩沖層；5 =InGaAsP 下波導(dǎo)層；6 :InGaAs/lnGaAsP 多量子阱結(jié)構(gòu)；7 =InGaAsP上波導(dǎo)層；8 :p-n反型層；9 復(fù)耦合型光柵；10 φ-InP蓋層；11 刻蝕停止層；12 :p_InGaAs接觸層；13-1 脊臺(tái)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；14 脊臺(tái)波導(dǎo)窗口 ；15 :P面電極；16 :N面電極。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、內(nèi)容、和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。本發(fā)明所提供的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，如圖1所示，具體包括步驟Sl 如圖2所示，利用低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法在η-ΙηΡ(η型磷化銦)襯底1 上進(jìn)行一次外延，其所采用的生長(zhǎng)溫度設(shè)置為655°C，生長(zhǎng)壓力設(shè)置為22毫巴，該方法成本 低，適于大規(guī)模生產(chǎn)；生長(zhǎng)出厚度為1 μ m，摻雜濃度為2 X IOw的InP緩沖層2、厚度為IOOnm 的InGaAsP (銦鎵砷磷)下波導(dǎo)層5、InGaAs (銦鎵砷)AnGaAsP多量子阱結(jié)構(gòu)6、厚度為 IOOnm的InGaAsP上波導(dǎo)層7以及厚度為30nm的p_n反型層8，得到含有半導(dǎo)體波導(dǎo)結(jié)構(gòu) 的芯片。其中，在所述InP緩沖層2的生長(zhǎng)過(guò)程中，進(jìn)行IOs的生長(zhǎng)中斷3，中斷TMh，但 是通過(guò)磷化氫來(lái)保護(hù)表面，此處，生長(zhǎng)InP是通過(guò)三族TMh源和五族InP源化學(xué)反應(yīng)生成 InP,中斷TMh就是關(guān)掉TMh源，只剩下InP來(lái)保護(hù)表面；并加入有6nm的應(yīng)變量為0. 9% 的h。.66G~44AS應(yīng)變緩沖層4，從而可以改善InP表面的質(zhì)量，提高器件效率。光熒光測(cè)試 表明，有生長(zhǎng)中斷和應(yīng)變緩沖層的量子阱比沒(méi)有生長(zhǎng)中斷和應(yīng)變緩沖層的量子阱發(fā)光強(qiáng)度 更強(qiáng)。其中，所述InGaAsP下波導(dǎo)層5以及InGaAsP上波導(dǎo)層7所應(yīng)用的材料為激射波 長(zhǎng)為1. 3 μ m的與所述η-ΙηΡ襯底1晶格相匹配的InGaAsP材料，即1. 3Q材料。其中，所述p-n反型層8依次包括有在所述hGaAsP上波導(dǎo)層7上外延生長(zhǎng)的12nm 的P-InP層、9nm的n_InP層以及9nm的1. 3Q材料。所述InGaAs/lnGaAsP多量子阱結(jié)構(gòu)6包括四個(gè)壓應(yīng)變量子阱，每個(gè)所述壓應(yīng)變量 子阱的阱材料采用應(yīng)變量為1. 2%的Ina67Giia33As材料，其厚度范圍為5 7nm，壘采用激 射波長(zhǎng)為1. 3μπι的InGaAsP材料張應(yīng)變補(bǔ)償，其厚度為范圍為16 18nm。所述壘的材料 的禁帶寬度大于其兩側(cè)的波導(dǎo)層，使其作為載流子阻擋層，限制載流子從量子阱中的泄露， 從而提高器件的溫度穩(wěn)定性。步驟S2 如圖3所示，依次采用全息曝光方法以及RIE (Reactive Ior^tching，反應(yīng)離子刻 蝕)干法刻蝕與濕法腐蝕相結(jié)合的方法在所述p-n反型層8與所述InGaAsP上波導(dǎo)層7上制作出深度為70nm左右的復(fù)耦合型光柵9 ；該復(fù)耦合型光柵9的有源區(qū)折射率為3. 232， 光柵周期為255. 3nm。此外，用于RIE刻蝕的氣體比例為Ar2 7sccm、CH4 12sccm, H2 45sccm，刻蝕速率為47nm/min，刻蝕時(shí)間90秒。由于在上波導(dǎo)層7上面生長(zhǎng)了 p-n反型層8，然后制作復(fù)耦合型光柵9，再掩埋生 長(zhǎng)p-hP，反向p-n結(jié)阻止了部分電流，使有源區(qū)中的電流分布呈周期狀，可減小激光器的 線(xiàn)寬(小于10MHZ)，提高芯片的單模成品率。步驟S3 如圖4所示，外延片清洗處理后，從上方進(jìn)行二次外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)出厚度為1.8μπι 的P-InP蓋層10、厚度為20nm的1. 2Q刻蝕停止層11和厚度為200nm且摻雜濃度為8 X IO18 WpHnGaAs 接觸層 12。步驟S4 如圖5所示，用光刻膠進(jìn)行掩蔽，然后依次用溴基非選擇性腐蝕液腐蝕6-8秒、用 9 1的稀鹽酸腐蝕3分鐘，制備寬3μπι，高1.8μπι的脊臺(tái)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)13-1，刻蝕操作停止在 所述刻蝕停止層11上。步驟S5 如圖6所示，利用熱氧化法在脊態(tài)結(jié)構(gòu)13-1上大面積淀積二氧化硅層14，生長(zhǎng)溫 度為350°C，生長(zhǎng)厚度為400nm。步驟S6 如圖7所示，利用自對(duì)準(zhǔn)工藝刻制出脊臺(tái)波導(dǎo)窗口 13-2。步驟S7 如圖8所示，在正面濺射出P面TiPtAu(鈦/鉬/金)電極(15)，厚度約為500nm。步驟S8 如圖9所示，芯片減薄到100 μ m左右，并在背面蒸發(fā)出N面AuGeNi (金/鍺/鎳) 電極(16)。步驟S9 解理出單個(gè)天燃?xì)鈾z測(cè)用激光器管芯，完成整個(gè)器件制作。管芯尺寸為長(zhǎng) 300 μ m，寬250 μ m。所制作的多量子阱分布反饋激光器的激射波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)天燃?xì)獾奈兆V線(xiàn) (1.64-1.66 微米)。綜上所述，依據(jù)本發(fā)明技術(shù)方案所制作的激光芯片，能夠輸出穩(wěn)定的單模激光，線(xiàn) 寬在幾兆赫茲，遠(yuǎn)小于氣體分子的吸收線(xiàn)寬(百兆赫茲)，符合吸收光譜技術(shù)對(duì)光源的要 求，非常適合天燃?xì)鈧鞲袘?yīng)用。并且激光器的波長(zhǎng)可以由溫度和電流進(jìn)行調(diào)諧，一般用溫 度調(diào)諧將激光器的波長(zhǎng)穩(wěn)定在氣體吸收峰的附近，再用電流調(diào)諧方法使激光器的波長(zhǎng)掃描 氣體吸收峰，實(shí)現(xiàn)高精度天燃?xì)鈾z測(cè)。因此，該技術(shù)方案所制作的激光器可調(diào)諧性好，波長(zhǎng) 隨電流近似線(xiàn)性變化，變化系數(shù)為0. 012nm/mA ；同樣波長(zhǎng)隨溫度變化也近似線(xiàn)性，系數(shù)為 0. 09nm/°C，可實(shí)現(xiàn)高精度天燃?xì)鈾z測(cè)。以本發(fā)明制作的激光芯片做光源的可調(diào)諧激光吸收光譜技術(shù)方案有著其他傳感 技術(shù)(如傳統(tǒng)非分光紅外法、熱催化法、電化學(xué)法)不可比擬的優(yōu)勢(shì)精度不受其他氣體干 擾、壽命長(zhǎng)、可靠性高；惡劣環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)；克服了背景氣體、粉塵的吸收干擾，測(cè)量精度 大大提高；不需采樣預(yù)處理系統(tǒng)，節(jié)省了樣氣預(yù)處理的時(shí)間和樣氣在管道內(nèi)的傳輸時(shí)間；響應(yīng)速度快，可實(shí)現(xiàn)工業(yè)過(guò)程快速實(shí)時(shí)在線(xiàn)管理。此外，本發(fā)明芯片制造過(guò)程中所涉及到的生長(zhǎng)方法為低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉 積法(Low Pressure Metal-Organic Chemical VaporDePosition, LP-MOCVD),成本低，適 于大規(guī)模生產(chǎn)。對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案所制作的激光器進(jìn)行老化篩選，篩選條件為注入電流150mA， 熱沉溫度IOOoC,持續(xù)72小時(shí)，老化前后閾值和效率幾乎沒(méi)有發(fā)生變化，預(yù)測(cè)激光器的壽命 約為11年。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變形，這些改進(jìn)和變形 也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括步驟Sl 在n-InP襯底(1)上進(jìn)行一次外延，生長(zhǎng)出InP緩沖層O)、下波導(dǎo)層(5)、多 量子阱結(jié)構(gòu)(6)、上波導(dǎo)層(7)以及p-n反型層(8)；步驟S2:在所述p-n反型層(8)與所述上波導(dǎo)層(7)上制作出復(fù)耦合型光柵(9)；步驟S3 從所述復(fù)耦合型光柵(9)上方進(jìn)行二次外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)出P-InP蓋層(10)、刻 蝕停止層(11)和P-接觸層(12)；步驟S4:從所述ρ-接觸層(1 及所述刻蝕停止層(11)上方制作出脊臺(tái)波導(dǎo)結(jié)構(gòu) (13-1)；步驟S5 在脊態(tài)結(jié)構(gòu)(13-1)上大面積淀積二氧化硅層(14)；步驟S6 刻制出脊臺(tái)波導(dǎo)窗口(13-2)；步驟S7 制作P面電極(15)及N面電極(16)。
2.如權(quán)利要求1所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟Sl 中的所述InP緩沖層O)的生長(zhǎng)過(guò)程中，進(jìn)行IOs的生長(zhǎng)中斷(3)，并加入有6nm的應(yīng)變量 為0. 9%的Ina66GEta44As應(yīng)變緩沖層(4)。
3.如權(quán)利要求1所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟Sl 中，所述一次外延利用低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行外延生長(zhǎng)，其所采用的生長(zhǎng)溫 度設(shè)置為655°C，生長(zhǎng)壓力設(shè)置為22毫巴。
4.如權(quán)利要求1所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟 Sl中，所述下波導(dǎo)層(5)以及上波導(dǎo)層(7)所采用的材料為激射波長(zhǎng)為1.3μπι的與所述 n-InP襯底(1)晶格相匹配的InGaAsP材料；所述P-n反型層(8)依次從下至上包括有在所述上波導(dǎo)層(7)上外延生長(zhǎng)的12nm的 P-InP層、9nm的n-InP層以及9nm的激射波長(zhǎng)為1. 3 μ m的與所述n-InP襯底(1)晶格相 匹配的InGaAsP材料層。
5.如權(quán)利要求1所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟Sl 中，所述多量子阱結(jié)構(gòu)(6)使用InGaAs/lnGaAsP材料，其包括四個(gè)壓應(yīng)變量子阱；每個(gè)所述壓應(yīng)變量子阱的阱材料采用應(yīng)變量為1. 2%的Ina67G^33As材料，其厚度范圍 為5 7nm ；壘采用激射波長(zhǎng)為1. 3 μ m的InGaAsP材料，其厚度范圍為16 18nm。
6.如權(quán)利要求5所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述壘材料 的禁帶寬度大于其兩側(cè)的波導(dǎo)層。
7.如權(quán)利要求1所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S3 中，所述刻蝕停止層(11)采用激射波長(zhǎng)為1.2μπι的與所述n-InP襯底(1)晶格相匹配的 InGaAsP 材料。
8.如權(quán)利要求1所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S3 中，所述P-接觸層(1 采用InGaAs材料。
9.如權(quán)利要求1所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S4 中，依次利用溴基非選擇性腐蝕液和9 1的稀鹽酸腐蝕出寬3μπι，高1.8μπι的脊臺(tái)波導(dǎo) 結(jié)構(gòu)(13-1)，刻蝕操作停止在所述刻蝕停止層(11)上。
10.如權(quán)利要求2所述的天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述復(fù)耦合 型光柵(9)的深度大于所述p-n反型層(8)的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種天燃?xì)鈾z測(cè)用激光芯片的制造方法，屬于半導(dǎo)體激光檢測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。為提供穩(wěn)定的用于天然氣傳感應(yīng)用的激光束，以實(shí)現(xiàn)高精度的天然氣檢測(cè)，本發(fā)明提供的方法首先在n-InP襯底上進(jìn)行一次外延，生長(zhǎng)出InP緩沖層、InGaAsP下波導(dǎo)層、多量子阱結(jié)構(gòu)、InGaAsP上波導(dǎo)層以及p-n反型層；然后制作出復(fù)耦合型光柵，再進(jìn)行二次外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)出p-InP蓋層、刻蝕停止層和p-InGaAs接觸層；然后腐蝕出脊臺(tái)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，并大面積淀積二氧化硅層，再刻制出脊臺(tái)波導(dǎo)窗口，最后濺射出P面電極并蒸發(fā)出N面電極。由該方法制得的芯片具有可調(diào)諧性好、溫度穩(wěn)定性強(qiáng)、效率高、成本低、壽命長(zhǎng)、適應(yīng)于大規(guī)模生產(chǎn)等一系列優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01S5/343GK102142658SQ201110047928
公開(kāi)日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月28日
發(fā)明者于紅艷, 吳哲, 婁瑞, 張揚(yáng), 王選政 申請(qǐng)人:北京航星網(wǎng)訊技術(shù)股份有限公司