專利名稱：用于制造帶有承載襯底上的結(jié)構(gòu)元件的布置的方法和布置以及用于制造半成品的方法和 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造帶有承載襯底上的結(jié)構(gòu)元件的布置的方法和布置，以及用于制造半成品的方法和半成品。
背景技術(shù)：
特別是與電子結(jié)構(gòu)元件相關(guān)聯(lián)的如下布置是公知的，在這些布置中電子結(jié)構(gòu)元件施加在承載襯底、例如半導(dǎo)體材料上。對(duì)布置做出了各種不同的建議，在所述布置中將結(jié)構(gòu)元件布置在空腔中，這也標(biāo)稱為施加封裝或者封裝。因此由文獻(xiàn)US 6，932，519B2公知了如下布置，在該布置中在形成在承載襯底上的凹陷部中布置有光學(xué)結(jié)構(gòu)元件。借助凹陷部側(cè)面地布置在承載襯底的頂面上的間隔元件，為了構(gòu)造空腔，頂襯底與承載襯底間隔地布置。承載襯底中的凹陷部形成有傾面地或者傾斜地分布的邊緣面。在文獻(xiàn)US 6，969，639B2中公知如下布置，在該布置中在承載襯底的頂面上并且在借助間隔元件和頂襯底形成的空腔中布置有電子結(jié)構(gòu)元件。由該空腔出來(lái)地引導(dǎo)用于電子結(jié)構(gòu)元件的電接觸裝置。由文獻(xiàn)DE 102007039291A1公知了一種光電半導(dǎo)體模塊和用于制造這樣的光電半導(dǎo)體模塊的方法。該光電半導(dǎo)體模塊具備芯片承載件、在該芯片承載件上安裝的發(fā)光的半導(dǎo)體芯片和覆蓋元件，該覆蓋元件具有至少部分地透光的、在半導(dǎo)體芯片的背離芯片承載件的側(cè)面上布置的覆蓋板和框架部件，其中，該框架部件在側(cè)面包圍半導(dǎo)體芯片。該框架部件沒有接合層地與覆蓋板連接，并且在其遠(yuǎn)離覆蓋板的側(cè)面上與芯片承載件連接。借助框架部件形成了間隔保持件，這些間隔保持件界定了用于容納結(jié)構(gòu)元件的空腔。為了制造框架部件，所謂的框架晶片設(shè)有蒙片層，該蒙片層在單側(cè)地結(jié)構(gòu)化。借助貫穿通過(guò)框架晶片的蝕刻，然后在該框架晶片中產(chǎn)生開口。接下來(lái)除去蒙片層并且在覆蓋板晶片上施加框架部件，從而形成用于容納結(jié)構(gòu)元件的空腔。當(dāng)要制造薄的間隔保持件或者要以低的成本大量制造時(shí)，公知的方法具有缺點(diǎn)。 根據(jù)公知的方法必須的薄的框架晶片是易碎的，并且在施加到覆蓋板晶片上時(shí)隱藏有高的斷裂風(fēng)險(xiǎn)，此外，該框架晶片有貫通的開口，該貫通的開口排除了借助工業(yè)上常見的真空處理機(jī)的自動(dòng)處理。雖然對(duì)一些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，可以將此問(wèn)題借助臨時(shí)接合的載運(yùn)晶片繞開，但是這導(dǎo)致額外的材料使用和額外地工藝步驟進(jìn)而導(dǎo)致提高的成本。文獻(xiàn)DE 102004025735A1公開了一種用于光學(xué)的接收器的殼體，在該殼體中接收
器布置在空腔中。文獻(xiàn)DE 102004025775A1公開了如下的表面發(fā)射激光殼體，這些表面發(fā)射激光殼體具有整合的光學(xué)元件和整合的取向柱。在文獻(xiàn)EP 1729350A2中公開了一種所謂的LED封裝。文獻(xiàn)US 2002/0018911A1也涉及一種光電元件，在該光電元件中封裝有結(jié)構(gòu)元件。在文獻(xiàn)EP 0305112B1中介紹了一種用于聯(lián)接光學(xué)過(guò)濾器到光電設(shè)備上的設(shè)備。在文獻(xiàn)DE 19963550A1中公開了一種由單側(cè)接觸的自動(dòng)綁定的半導(dǎo)體本體制成的雙極型照明源。在文獻(xiàn)DE 102004045947A1中介紹了一種發(fā)光二級(jí)管布置，在該布置中，發(fā)光二
級(jí)管布置在空腔中。文獻(xiàn)EP 0731509A1公開了一種光電轉(zhuǎn)換器以及一種制造方法，其中在底板上布置有承載透鏡系統(tǒng)的間隔保持件。文獻(xiàn)US 209/0001405A1也涉及一種發(fā)光的結(jié)構(gòu)元件，在該結(jié)構(gòu)元件中，框架部件形成用于結(jié)構(gòu)元件的容納空間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是，建立用于帶有在承載襯底上的結(jié)構(gòu)元件、特別是電子結(jié)構(gòu)元件的布置的經(jīng)改善的技術(shù)，借助所述技術(shù)，與經(jīng)封裝的結(jié)構(gòu)元件相關(guān)聯(lián)的應(yīng)用可能性得到最佳化，并且實(shí)現(xiàn)了成本低廉的、具有高產(chǎn)量的制造。優(yōu)選地，封裝應(yīng)該特別是對(duì)環(huán)境濕氣氣密地或幾乎氣密地實(shí)施。此任務(wù)依據(jù)本發(fā)明通過(guò)根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求1用于制造帶有在承載襯底上的結(jié)構(gòu)元件的布置的方法以及通過(guò)根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求13的布置解決。此外建立了根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求15用于制造帶有經(jīng)封裝的結(jié)構(gòu)元件的結(jié)構(gòu)元件布置的半成品的方法以及根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求16用于結(jié)構(gòu)元件布置的半成品。本發(fā)明的有利的設(shè)計(jì)方案是從屬權(quán)利要求的主題。根據(jù)本發(fā)明的觀點(diǎn)，建立了用于制造帶有在承載襯底上的結(jié)構(gòu)元件的布置的方法，其中將間隔元件在頂襯底的背側(cè)上制造。在間隔元件的制造中，設(shè)置有下列步驟準(zhǔn)備襯底；在襯底的所選擇的表面的區(qū)域中制造一個(gè)或多個(gè)凹陷部；在襯底的所選擇的表面上布置頂襯底，以如下方式，即，形成至少一個(gè)凹陷部空腔；并且，從與所選擇的表面方向相反的襯底表面開始地進(jìn)行襯底的背部去薄(Ruckdunnen)，以如下方式，即，將至少一個(gè)凹陷部空腔敞開并且形成如下因此經(jīng)分開的間隔元件，這些間隔元件連同頂襯底一起界定了至少一個(gè)空腔，該空腔在所述方向相反的襯底表面的區(qū)域中敞開。此外，然后還設(shè)置，在承載襯底的頂面上布置結(jié)構(gòu)元件，并且在在承載襯底上布置在頂襯底上形成的間隔元件，以如下方式，即，在至少一個(gè)空腔中布置結(jié)構(gòu)元件并且將該空腔閉合。根據(jù)本發(fā)明的其它觀點(diǎn)建立了如下布置，該布置根據(jù)前文中的方法制造并且具有下列特征承載襯底、在承載襯底的頂面上在空腔中布置的經(jīng)封裝的結(jié)構(gòu)元件和結(jié)構(gòu)元件的電接觸裝置，其中，該空腔借助在承載襯底的頂面上布置的間隔元件并且借助在間隔元件上支承的頂襯底形成，并且其中，這些間隔元件具有從約10 μ m至約300 μ m的高度、優(yōu)選地具有從約30 μ m至約300 μ m的高度、并且進(jìn)一步優(yōu)選地具有從約30 μ m至約100 μ m的高度。令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，前文中所介紹的方法實(shí)現(xiàn)了可靠地并且可復(fù)現(xiàn)地制造具有這樣的相對(duì)小的結(jié)構(gòu)高度的間隔元件。根據(jù)本發(fā)明的另外的觀點(diǎn)，建立了用于制造結(jié)構(gòu)元件布置的、特別是帶有經(jīng)封裝的結(jié)構(gòu)元件的結(jié)構(gòu)元件布置的半成品的方法，其中，該方法包括下列步驟準(zhǔn)備頂襯底；并且制造間隔元件；并且制造多個(gè)間隔元件之間形成的在頂襯底背側(cè)上的容納空間，其中，在將頂襯底布置在承載襯底上時(shí)，該容納空間配置用于封裝地容納至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件。間隔元件的制造包括下列步驟準(zhǔn)備襯底；在襯底的所選擇的表面的區(qū)域中制造一個(gè)或多個(gè)凹陷部；在襯底的所述所選擇的表面上布置頂襯底，以如下方式，即，形成至少一個(gè)凹陷部空腔；并且從襯底的與所選擇的表面方向相反的表面開始進(jìn)行襯底的背部去薄，以如下方式， 即，將所述至少一個(gè)凹陷部空腔敞開，并且因此形成經(jīng)分開的間隔元件，這些間隔元件連同頂襯底一起界定了容納空間，該容納空間在襯底的所述方向相反的表面的區(qū)域中敞開。此外，本發(fā)明的觀點(diǎn)設(shè)置了根據(jù)前面提到的方法制造的用于結(jié)構(gòu)元件布置的半成品，其中在頂襯底上、在背側(cè)上形成有結(jié)構(gòu)化的間隔元件，并且在結(jié)構(gòu)化的間隔元件之間形成有至少一個(gè)凹陷部空腔，該凹陷部空腔配置用于容納結(jié)構(gòu)元件，其中，間隔元件具有從約 10 μ m至約300 μ m的高度、優(yōu)選地具有從約30 μ m至約300 μ m的高度、并且進(jìn)一步優(yōu)選地具有從約30 μ m至約100 μ m的高度。借助所建議的方法建立了如下可能性，即，將間隔元件以結(jié)構(gòu)化的形式(結(jié)構(gòu)化的間隔元件)首先不依賴于承載襯底地并且不依賴于在承載襯底上布置的結(jié)構(gòu)元件地在頂襯底的背側(cè)上制造，所述結(jié)構(gòu)元件尤其為電的或電子的結(jié)構(gòu)元件，以便此后以這兩個(gè)半成品、也就是一方面帶有在其上布置的結(jié)構(gòu)元件的承載襯底和另一方面帶有在背側(cè)上形成的間隔元件的頂襯底來(lái)制造布置。由此，間隔元件在頂襯底的背側(cè)上的構(gòu)造可以不顧及所述制造步驟對(duì)承載襯底的或?qū)Y(jié)構(gòu)元件的可能的影響地進(jìn)行，這是因?yàn)橹患庸ろ斠r底和間隔元件。以近似的方式，結(jié)構(gòu)元件在承載襯底的頂面上的布置不依賴于間隔元件地進(jìn)行。背部去薄以特別的方式使如下成為可能，即，制造具有所希望的高度的間隔元件。根據(jù)情況的不同可以產(chǎn)生與應(yīng)用情況相應(yīng)的高度，尤其也用于構(gòu)造帶有相比公知的布置縮小的結(jié)構(gòu)高度的間隔保持件。在本發(fā)明的有利的設(shè)計(jì)方案中可以如下地設(shè)置，S卩，在頂襯底上形成的間隔元件的布置包括如下步驟，該步驟用于構(gòu)造其他的、帶有其他結(jié)構(gòu)元件的空腔/容納空間。與其他的空腔/容納空間相關(guān)聯(lián)地，與空腔相聯(lián)系的在前文中和隨后所做的闡釋相應(yīng)地適用。襯底是例如半導(dǎo)體襯底、例如Si，在該半導(dǎo)體襯底中例如借助干蝕刻或者濕蝕刻制造所述一個(gè)或所述多個(gè)凹陷部?？梢匀缦碌卦O(shè)置，即，可能形成的金屬化部或者電介質(zhì)層還在頂襯底的布置之前或之后在襯底的表面上制造。在該實(shí)施方式中或在另外的實(shí)施方式中，金屬化部可以由鋁(有利地在寬的、包括紫外線的頻譜范圍中作為鏡面)或者由銀(有利地在可見的頻譜范圍中作為鏡面)制成。在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，頂襯底被粘接，該頂襯底是例如非結(jié)構(gòu)化的玻璃晶片。襯底的背部去薄例如借助蝕刻和/或機(jī)械加工實(shí)施。在背部去薄之前，可以將襯底與頂襯底的結(jié)合借助粘接結(jié)合(粘附的接合)實(shí)現(xiàn)。在硅間隔保持件和由含堿玻璃制成的頂襯底情況下，該接合也可以通過(guò)陽(yáng)極結(jié)合 (anodischen Bond)。在陽(yáng)極結(jié)合的情況下兩個(gè)襯底之間的邊界層是完全氣密的；在普通粘接的情況下只是幾乎氣密的。也可以如下地設(shè)置，即，又通過(guò)陽(yáng)極結(jié)合施加由含堿熏蒸玻璃制成的結(jié)構(gòu)化的層到由硅制成的頂襯底上并且接下來(lái)接合硅間隔元件和頂襯底?？梢栽O(shè)置結(jié)構(gòu)化的間隔元件與頂襯底的、通過(guò)直接結(jié)合(選擇性地在等離子體預(yù)處理或者熱力的后處理的條件下的剖光面的彼此接合)進(jìn)行的連接。借助相應(yīng)的金屬化部在間隔元件表面上和頂襯底表面上的施加，在相應(yīng)的溫度中，通過(guò)所謂的共晶結(jié)合的接合也是可能的，其中， 例如銅和錫可以用作金屬化部伙伴。也能使用焊接結(jié)合。在此情況下是焊膏或者玻璃焊料的結(jié)構(gòu)化施加，例如通過(guò)借助篩網(wǎng)的網(wǎng)印并且接下來(lái)焊料的再熔化或熔融。為了制造間隔元件，可以使用蝕刻工藝?？捎玫氖?00晶向的Si通過(guò)KOH水溶液進(jìn)行的濕蝕刻。出現(xiàn)沿具有典型的54. 7°的角度的111晶向的蝕刻界定平面。在另外的表面取向中可以相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)另外的邊沿角度。借助干蝕刻工藝，制造和有目的地調(diào)整有異于此的邊沿角度是可能的。因此可以根據(jù)用途的不同制造明顯更平緩的角度例如30°至 45°、或者更陡峭的角度例如60°至90°。對(duì)確定的用途可以優(yōu)選適配的入口角度或出口角度。借助干蝕刻工藝(Bosch工藝)，幾乎豎直的壁的蝕刻同樣是可能的。同樣地，借助干蝕刻工藝，不單調(diào)上升的分布、也就是蝕刻邊沿的彎曲面的構(gòu)造是可能的。這可以應(yīng)用于例如微拋物面鏡。本發(fā)明的優(yōu)選地改進(jìn)方案如下地設(shè)置，S卩，所述一個(gè)或者所述多個(gè)凹陷部在多級(jí)工藝中形成，在該多級(jí)工藝中在一個(gè)存在的凹陷部中選擇性地形成其它凹陷部。在此情況下，在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，幾乎是在凹陷部中形成凹陷部。例如可以在此前產(chǎn)生的凹陷部的底部上形成其他凹陷部，從而總體上構(gòu)造更大的深度。將多級(jí)的工藝在一個(gè)實(shí)施方式中利用蒙片裝置執(zhí)行，該蒙片裝置實(shí)現(xiàn)了在第一凹陷部的構(gòu)造之后由其的遮擋，以便產(chǎn)生在存在的凹陷部中的其它凹陷部。作為蒙片技術(shù)，可以例如出現(xiàn)(獨(dú)立的)金屬蒙片(可以穿過(guò)該金屬蒙片貫通地熏蒸)的利用和/或出現(xiàn)在襯底上的光漆蒙片的使用。也可以設(shè)置如下地構(gòu)造多級(jí)工藝，即，備選地或者補(bǔ)充地為了在存在的凹陷部中一個(gè)接一個(gè)地在多個(gè)工藝步驟中制造其他凹陷部產(chǎn)生了不同鑄模的凹陷部。對(duì)此也可以使用如下遮擋蒙片技術(shù)，該遮擋蒙片技術(shù)使得如下成為可能，即，在單個(gè)工藝步驟中對(duì)區(qū)域進(jìn)行遮擋。在本發(fā)明的適宜的設(shè)計(jì)方案中，可以如下地設(shè)置，S卩，形成多個(gè)凹陷部，這些凹陷部在一個(gè)或多個(gè)以下的凹陷部參數(shù)方面進(jìn)行區(qū)別橫截面大小、橫截面形狀和高度。在這個(gè)或另外的實(shí)施方式中可以如下地設(shè)置，即，多級(jí)地、也就是借助多個(gè)彼此相繼的工藝步驟實(shí)施背部去薄。在該情況下可以在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中使用遮擋蒙片技術(shù)，以便在背部去薄的工藝步驟中遮擋如下區(qū)域，這些區(qū)域在另外的工藝步驟中去薄或者根本不進(jìn)行背部去薄。本發(fā)明的有利地實(shí)施方式如下地設(shè)置，S卩，在襯底的背部去薄中，將襯底的一個(gè)區(qū)段相比襯底的另一個(gè)區(qū)段以更大范圍進(jìn)行背部去薄，這可以借助例如對(duì)襯底的區(qū)段的遮擋實(shí)施或者借助選擇性的機(jī)械的研磨加工實(shí)施。以更大范圍經(jīng)背部去薄的區(qū)段可以包括多個(gè)分區(qū)段，這些分區(qū)段相聯(lián)系地或者單個(gè)地形成。本發(fā)明的改進(jìn)方案優(yōu)選如下地設(shè)置，S卩，將間隔保持件的面朝空腔的輪廓借助如下方式形成，即，不僅在構(gòu)造所述一個(gè)或所述多個(gè)凹陷部時(shí)而且在襯底背部去薄時(shí)實(shí)施部分輪廓化。在此實(shí)施方式中，不僅在制造凹陷部時(shí)而且在襯底背部去薄時(shí)，發(fā)生間隔保持件的、在面朝空腔的側(cè)面上的輪廓的構(gòu)造。以此方式可以制造任意輪廓，這些輪廓例如也可以包括梯級(jí)或者在直的壁區(qū)段與斜面的壁區(qū)段之間的過(guò)渡部。本發(fā)明的優(yōu)選的改進(jìn)方案如下地設(shè)置，即，間隔元件的制造包括如下步驟，該步驟用于在間隔元件的、面朝頂襯底的側(cè)面上構(gòu)造下部切割(Unterschnitt)。在本發(fā)明的適宜的設(shè)計(jì)方案中可以如下地設(shè)置，即，間隔元件帶有一個(gè)或多個(gè)斜面分布的面地形成。在一個(gè)實(shí)施方式中斜面在下部切割的區(qū)域中形成。斜面地或者傾斜地分布的、可以在內(nèi)側(cè)和/或在外側(cè)地在結(jié)構(gòu)化的間隔元件上形成的表面，以相對(duì)于布置的幾何形狀的豎直軸線的一個(gè)傾斜角制造。在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，斜面基本上在間隔元件的整個(gè)高度上、也就是從承載襯底直到頂襯底地延伸。在此情況下，可以形成連續(xù)分布的一致的斜面。備選的可以如下地設(shè)置，即，制造多個(gè)相對(duì)彼此錯(cuò)開的斜面的面區(qū)段，這些面區(qū)段在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中選擇性地具有不同的傾斜角。在這些斜面上，可以在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中借助一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層設(shè)置涂層，例如借助具有交替的折射率的多個(gè)電介質(zhì)層的施加來(lái)實(shí)現(xiàn)電介質(zhì)鏡面。電介質(zhì)層可以例如借助等離子體支持的電子射束熏蒸來(lái)施加。備選地或者補(bǔ)充地，可以將斜面借助彎曲的面形成，其中，可以使用凸的或者凹的構(gòu)造方式?？梢栽谛泵嫔闲纬蛇B續(xù)的彎曲部。備選地，該彎曲部只在間隔元件的斜面的側(cè)面的分區(qū)域上延伸。斜面的側(cè)面的分區(qū)域也可以具有如下不同的彎曲部，這些彎曲部尤其通過(guò)不同的彎曲角度來(lái)表征。帶有彎曲部的設(shè)計(jì)方案也能設(shè)置與間隔元件的非斜面地分布的側(cè)面相聯(lián)系。本發(fā)明的有利地實(shí)施方式如下地設(shè)置，即，間隔元件的制造包括如下的步驟，該步驟用于在間隔元件上、以金屬化部和/或光學(xué)反射裝置的方式構(gòu)造涂層。在一個(gè)實(shí)施方式中，在間隔元件的、面朝空腔的表面區(qū)段上形成有金屬化部。這些表面可以完全地或者部分地設(shè)有金屬化部。在一個(gè)實(shí)施方式中，彼此對(duì)置的側(cè)面或者面被金屬化。該金屬化部可以是微結(jié)構(gòu)化的。優(yōu)選地，本發(fā)明的改進(jìn)方案如下地設(shè)置，即，間隔元件的制造包括如下步驟，該步驟用于在間隔元件上構(gòu)造光學(xué)功能性層?！肮鈱W(xué)功能性”的定義在這里所用的含義中涉及電磁射束、特別是光的確定特性的影響。借助該光學(xué)功能性層，可以形成光學(xué)反射裝置或光學(xué)防反射裝置、電介質(zhì)鏡面、抗反射層、過(guò)濾層、吸收層、衍射光學(xué)元件和/或光柵結(jié)構(gòu)。因此可以例如借助光學(xué)反射裝置提高反射面上的光反射。在一個(gè)實(shí)施方式中，金屬化部是反射裝置的部分。也可以如下地設(shè)置，即，反射裝置只借助金屬化部制造。優(yōu)選地，光學(xué)反射裝置在結(jié)構(gòu)化間隔元件的處在內(nèi)側(cè)的表面上形成，就是說(shuō)在面朝空腔的表面區(qū)域中形成。這個(gè)或者另外的表面區(qū)域可以部分地或完全地設(shè)有光學(xué)反射裝置。本發(fā)明的優(yōu)選的改進(jìn)方案如下地設(shè)置，S卩，為結(jié)構(gòu)元件的電接觸裝置制造一個(gè)或多個(gè)連接件。用于優(yōu)選地是電結(jié)構(gòu)元件或電子結(jié)構(gòu)元件的結(jié)構(gòu)元件的電接觸裝置例如可以借助如下方式制造，即，將空腔與外側(cè)之間的電連接穿過(guò)間隔元件與承載襯底之間的區(qū)域地貫穿引導(dǎo)。在一個(gè)實(shí)施方式中，電接觸裝置包括穿過(guò)承載襯底的所謂的穿孔的構(gòu)造，從而使得在承載襯底的背側(cè)上的、也就是在背離空腔的側(cè)面上的電聯(lián)接能夠進(jìn)行。于是例如可以在那里制造用于結(jié)構(gòu)元件安裝的焊點(diǎn)。也能在斜面上向上引導(dǎo)導(dǎo)體軌道，以便實(shí)現(xiàn)在空腔中封閉的構(gòu)件的電接觸裝置。在本發(fā)明的適宜的設(shè)計(jì)方案中可以如下地設(shè)置，即，在頂襯底上布置的間隔元件在承載襯底的頂面上的布置實(shí)施為在晶片復(fù)合(Wafer-Verbimd)中的封裝。在此設(shè)計(jì)方案中，將結(jié)構(gòu)元件布置在晶片上，并且接下來(lái)借助具有一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)化的間隔元件和頂襯底的未分離的半成品封裝，也就是布置在空腔中。也可以如下地設(shè)置，即，由結(jié)構(gòu)化的間隔元件與頂襯底組成的半成品直接接合到未分離的器件晶片上(晶片級(jí)封頂)。在此實(shí)施方式中，所述一個(gè)或者所述多個(gè)待封裝的結(jié)構(gòu)元件形成在器件晶片中。本發(fā)明的有利地實(shí)施方式如下地設(shè)置，S卩，作為結(jié)構(gòu)元件將光電結(jié)構(gòu)元件布置在承載襯底的頂面上。光電結(jié)構(gòu)元件可以是發(fā)光的或者接收光的結(jié)構(gòu)元件。發(fā)光的結(jié)構(gòu)元件例如是發(fā)光二級(jí)管，它以有機(jī)的或無(wú)機(jī)的實(shí)施方式。用于接收光的結(jié)構(gòu)元件的實(shí)例是光電池，該光電池也可以以有機(jī)的或無(wú)機(jī)的結(jié)構(gòu)形式存在。
優(yōu)選地，本發(fā)明的改進(jìn)方案如下地設(shè)置，S卩，與SMD技術(shù)(SMD- “表面貼裝器件”) 相應(yīng)地制造該布置。這在一個(gè)實(shí)施方案中尤其意味著，能夠?qū)⒔?jīng)封裝的結(jié)構(gòu)元件借助傳統(tǒng)的所謂“拾起和放置”技術(shù)、焊膏或者類似物進(jìn)一步加工。在使用此技術(shù)或另外的技術(shù)時(shí)， 承載襯底可以由從下列材料組中所選則的至少一種材料制成如硅那樣的半導(dǎo)體、陶瓷、玻璃、金屬襯底和如電路板或者柔性襯底那樣的塑料，其優(yōu)選設(shè)有相應(yīng)的導(dǎo)體軌道結(jié)構(gòu)和/ 或貫通式接觸裝置(穿孔)。在特別的情況下，承載襯底可以是器件晶片本身。作為對(duì)晶片級(jí)工藝(wafer level process)的備選方案可以設(shè)置如下，S卩，預(yù)先分離的罩蓋直接粘接到電路板上。預(yù)先分離的罩蓋也可以直接粘接到分離的芯片上。頂襯底可以由玻璃、例如硼硅玻璃、石英玻璃、藍(lán)寶石玻璃、硅、陶瓷、金屬、或者塑料制成。在本發(fā)明的有利的設(shè)計(jì)方案中可以如下地設(shè)置，S卩，頂襯底在背側(cè)上至少在不由間隔元件覆蓋的區(qū)域中至少區(qū)段地設(shè)有襯底涂層。該背側(cè)上的襯底涂層也可以標(biāo)稱為內(nèi)涂層。涂層可以備選地或者補(bǔ)充地形成在頂襯底的前側(cè)上，該涂層也可以標(biāo)稱為外涂層。涂層可以一層地或者多層地制造。在頂襯底的前面和/或背側(cè)上的襯底涂層可以實(shí)施為結(jié)構(gòu)化的涂層、也就是不連續(xù)的或者部分中斷地形成的涂層，或者實(shí)施為平面地連續(xù)的涂層。如果空腔中的結(jié)構(gòu)元件是光電結(jié)構(gòu)元件，那么可以形成所述涂層，以便利用涂層例如借助吸收和/或光轉(zhuǎn)化影響貫穿通過(guò)頂襯底的、由空腔中出來(lái)或者進(jìn)入到空腔中的光。因此可以在一個(gè)實(shí)施方式中如下地設(shè)置，即，在前側(cè)和/或背側(cè)上的涂層中加入發(fā)光材料(“磷”)， 該發(fā)光材料吸收一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)的光，并且又以一個(gè)或多個(gè)另外的波長(zhǎng)發(fā)出光。在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，背側(cè)的涂層制造為所謂的磷層。對(duì)作為用于LED應(yīng)用(LED-發(fā)光二級(jí)管)的罩蓋的應(yīng)用而言，可以為了向白光的轉(zhuǎn)換在罩蓋中置入發(fā)光材料。這借助將與發(fā)光材料混合的硅樹脂或者環(huán)氧樹脂置入到罩蓋中在間隔元件與頂襯底連接之后成為可能。在粘合劑硬化之后，然后接下來(lái)將此半成品通過(guò)粘接結(jié)合方式粘接到構(gòu)件承載件上。發(fā)光材料也可以置入光漆中，并且以照相術(shù)式結(jié)構(gòu)化的方式涂覆到頂襯底上。間隔元件與頂襯底的接合以及帶有構(gòu)件承載件的半成品的接合然后同樣通過(guò)粘接結(jié)合進(jìn)行。發(fā)光材料也可以置入膠中，并且借助旋涂施加到頂襯底上。于是，膠層一方面用作發(fā)光材料基質(zhì)(Leuchtstoffmatrix)，并且另一方面用作用于結(jié)構(gòu)化間隔元件與頂襯底的接合的膠層。備選地，可以將發(fā)光材料植入覆膜到頂襯底上的薄膜的膠層中。也可以通過(guò)所謂的溶膠-凝膠法使到頂襯底上的發(fā)光材料的施加成為可能。發(fā)光材料為此置入相應(yīng)的溶膠-凝膠-析出物的混合物中。在相應(yīng)的溫度處理之后，形成其中包含發(fā)光物質(zhì)的呈玻璃狀的層。發(fā)光物質(zhì)的選擇例如在文獻(xiàn)WO 2008/058619A1中公開。在頂襯底的前面和/或背側(cè)上的電介質(zhì)涂層的制造優(yōu)選作為熏蒸層進(jìn)行，為此在一個(gè)實(shí)施方式中使用了等離子體支持的熱力蒸發(fā)、尤其是等離子體支持的電子射束蒸發(fā)。 但是也能根據(jù)應(yīng)用情況的不同利用另外的層沉淀工藝。在頂襯底的前面和/或背側(cè)上的涂層的構(gòu)造可以在頂襯底的背側(cè)上制造結(jié)構(gòu)化間隔元件之前或之后進(jìn)行。借助涂層，可以在一個(gè)實(shí)施方式中制造分防反射裝置或者分反射裝置。在頂襯底的前面和/或背側(cè)上的涂層可以實(shí)施為金屬層，該金屬層結(jié)構(gòu)化地或者非結(jié)構(gòu)化地形成。結(jié)構(gòu)化的金屬層可以例如用于光學(xué)地遮擋在構(gòu)件芯片上的確定的區(qū)域， 或者直接作為孔口處在活性的射束通道(aktiven Strahlengang)中。在前側(cè)和/或背側(cè)上的涂層可以在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中除了抗反射層，也滿足另外的光學(xué)功能?？梢栽O(shè)置光學(xué)衍射元件的、過(guò)濾器的、或者吸收層的構(gòu)造方案。以特別的方式，在光學(xué)應(yīng)用中，將以凸的、凹的或者衍射的結(jié)構(gòu)方式的透鏡整合在頂襯底的前面和/或背側(cè)上是有利的?？梢詫⑼哥R在由玻璃制成的頂襯底上借助由光漆組成的相應(yīng)結(jié)構(gòu)的施加實(shí)現(xiàn)。因此可以設(shè)置對(duì)光漆組成的徑向結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)化，和接下來(lái)的向由光漆組成的透鏡的結(jié)構(gòu)的再熔化。借助反應(yīng)的離子蝕刻可以將透鏡結(jié)構(gòu)傳遞到玻璃中。 透鏡也可以直接在聚合物中借助利用相應(yīng)的基礎(chǔ)工具的模制/復(fù)制或者通過(guò)離子交換來(lái)制造。因此，例如與設(shè)有透鏡的頂襯底接合的多個(gè)間隔元件的連接允許了多透鏡的構(gòu)件的構(gòu)造。以此方式，會(huì)出現(xiàn)例如帶有多個(gè)頂襯底的并且?guī)в卸鄠€(gè)間隔元件的元件的堆疊，其中，頂襯底借助間隔元件間隔。在適宜的設(shè)計(jì)方案中，以從約10 μ m至約300 μ m的高度、優(yōu)選地以從約30 μ m至約300 μ m的高度、并且進(jìn)一步優(yōu)選地以從約30 μ m至約100 μ m的高度制造間隔元件。在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，由從下列材料組中選出的材料制造間隔元件玻璃、陶瓷和塑料。這些材料可以替代半導(dǎo)體材料、尤其是硅進(jìn)行使用。在與布置的有利的設(shè)計(jì)方案的關(guān)聯(lián)中，與方法的所屬的實(shí)施方式相聯(lián)系地做出的闡釋相應(yīng)地適用。選擇性地，間隔元件可以在偏離的實(shí)施方式中結(jié)合到帶有構(gòu)件地經(jīng)預(yù)安裝的承載件上，并且然后通過(guò)背部去薄敞開。頂襯底的安裝然后在最后的工藝步驟中進(jìn)行。在此實(shí)施方式中，首先在用于間隔保持件的襯底中形成一個(gè)或多個(gè)凹陷部。此后將該襯底以如下方式結(jié)合到經(jīng)預(yù)安裝的承載件上，即，構(gòu)件布置在凹陷部中。借助背部去薄敞開凹陷部，以便最終施加頂襯底。備選地可以如下地設(shè)置，即，在敞開之后置入如下的結(jié)構(gòu)元件，也就是， 不是已經(jīng)預(yù)安裝了的結(jié)構(gòu)元件。與用于制造用于帶有經(jīng)封裝的結(jié)構(gòu)元件的結(jié)構(gòu)元件布置的半成品的方法以及用于結(jié)構(gòu)元件布置的半成品相關(guān)聯(lián)地，前文中所做的、與有利的設(shè)計(jì)方案相應(yīng)的、例如在帶有或不帶有傾面的側(cè)面的間隔元件的設(shè)計(jì)方案方面的闡釋適用。


本發(fā)明隨后借助優(yōu)選實(shí)施例參考附圖的圖形詳細(xì)闡釋，在此情況下示出圖1用于闡釋間隔元件的制造中的多個(gè)方法步驟的示意圖；圖2布置的示意圖，在該布置中結(jié)構(gòu)元件布置在承載襯底上的各一個(gè)空腔中；圖3用于闡釋在根據(jù)另外的實(shí)施方式的間隔元件制造中的多個(gè)方法步驟的示意圖，其中以不同的構(gòu)造方式制造凹陷部；圖4用于闡釋在根據(jù)其它的實(shí)施方式的間隔元件制造中的多個(gè)方法步驟的示意圖，其中在使用蒙片技術(shù)的條件下實(shí)施背部去薄；圖5布置的示意圖，其中，在承載襯底上的結(jié)構(gòu)元件布置在空腔中，其中，間隔元件具有在空腔中的斜面地分布的側(cè)面；圖6布置的示意圖，其中，在承載襯底上結(jié)構(gòu)元件布置在空腔中，其中，間隔元件具有平行分布的側(cè)壁；圖7布置的示意圖，其中，在承載襯底上并且在空腔中布置的結(jié)構(gòu)元件經(jīng)由貫通式接觸裝置與承載襯底上的背側(cè)觸點(diǎn)連接；圖8其它布置的示意圖，其中，如在圖7中那樣，在承載襯底上并且在空腔中布置的結(jié)構(gòu)元件經(jīng)由貫通式接觸裝置與承載襯底上的背側(cè)觸點(diǎn)連接，其中，間隔元件具有平行分布的側(cè)壁；以及圖9其它布置的示意圖，其中，如在圖7中那樣，在承載襯底上并且在空腔中布置的結(jié)構(gòu)元件經(jīng)由貫通式接觸裝置與承載襯底上的背側(cè)觸點(diǎn)連接，其中，與圖7相比，間隔元件的斜面的側(cè)壁具有相反方向傾斜角地形成。
具體實(shí)施例方式圖1示出示意圖，用于闡釋具有多個(gè)步驟a)至d)的、用于以結(jié)構(gòu)化的形式在頂襯底3的背側(cè)2上構(gòu)造間隔元件1的方法。在此情況下，首先在依據(jù)圖1的步驟a)中在例如是半導(dǎo)體晶片的襯底4中例如借助蝕刻制造出凹陷部或者凹坑5。為此目的在一個(gè)實(shí)施方式中加工硅襯底。在所示出的實(shí)施例中接下來(lái)在步驟b)中，凹陷部5的傾面地分布的側(cè)面 6至少部分地設(shè)有例如由鋁或者銀制成的金屬化部7。接下來(lái)在依據(jù)圖1的步驟c)中將頂襯底3施加到襯底4的頂面8上，該頂襯底例如是未經(jīng)結(jié)構(gòu)化的玻璃晶片。頂襯底3的布置例如借助結(jié)合(Aufbonden)進(jìn)行。在隨后的步驟d)中依據(jù)圖1將襯底4尤其借助蝕刻和/或機(jī)械加工背部去薄，由此將凹座9敞開，該凹座由間隔元件1界定。依據(jù)圖2，然后將由圖1的如此地制造的、帶有在頂襯底3的背側(cè)上布置的間隔元件1的布置施加到承載襯底20上，確切地說(shuō)是在承載襯底20的如下頂面21上，即，該頂面那里已經(jīng)有結(jié)構(gòu)元件22。以此方式，將多個(gè)結(jié)構(gòu)元件22布置在空腔23中并且被封裝。依據(jù)圖2的布置可以是例如一種所謂的光封裝，其中結(jié)構(gòu)元件22實(shí)施為發(fā)出或者接收光的光電結(jié)構(gòu)元件。在此情況下，金屬化部7在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中用作一種光學(xué)的反射裝置或者光學(xué)的防反射裝置。結(jié)構(gòu)化的間隔元件1的側(cè)壁在承載襯底20與頂襯底3之間傾面地分布。圖3可對(duì)照?qǐng)D1地示出一種多級(jí)的、用于以結(jié)構(gòu)化的形式在頂襯底3的背側(cè)2上制造間隔元件1的工藝。與根據(jù)圖1的實(shí)施方式不同地，步驟a)中的凹陷部或者凹坑5的制造在襯底4中多級(jí)地進(jìn)行。在第一凹陷部fe被制造之后，在下一個(gè)步驟中進(jìn)行現(xiàn)有的凹陷部如中的其他的凹陷部恥的制造。以此方式，將凹陷部5借助不同的設(shè)計(jì)方案產(chǎn)生。然后在其他的相應(yīng)于由圖1的步驟c)和d)的步驟b)和c)中，進(jìn)行頂襯底3的施加，并且進(jìn)行襯底4的背部去薄，直到借助凹陷部5形成的空腔在背離頂襯底3的側(cè)上敞開。圖4示出以其他的實(shí)施方式的如下示意圖，該示意圖用于闡釋在頂襯底3的背側(cè) 2上的間隔元件1的制造中的多個(gè)方法步驟。圖4中示出的步驟a)和b)相應(yīng)于圖1中的步驟a)和c)。與根據(jù)圖1的實(shí)施方式不同地，現(xiàn)在在根據(jù)圖4的設(shè)計(jì)方案中多級(jí)地進(jìn)行背部去薄，其中，在步驟c)中，在襯底4的所示出的整個(gè)面上進(jìn)行背部去薄。接下來(lái)依據(jù)步驟 d)施加蒙片(遮擋蒙片)10，以便在步驟e)中將襯底4的沒有用蒙片10覆蓋的面進(jìn)一步背部去薄，直到凹陷部5在背離頂襯底3的側(cè)上敞開。在背部去薄時(shí)，同時(shí)進(jìn)行側(cè)面11的進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)化，將該側(cè)面在其輪廓方面進(jìn)一步構(gòu)造。側(cè)面11的下區(qū)段12垂直地分布，而側(cè)面11的與頂襯底4相鄰地形成的上區(qū)段13 斜面地實(shí)施?？梢匀缦碌卦O(shè)置，即，側(cè)面11的下區(qū)段12和上區(qū)段13設(shè)有不同的涂層和/或表面結(jié)構(gòu)化部。例如，上區(qū)段13具有如下涂層，借助該涂層形成濾色器、鏡面、吸收器、漫射器、透鏡、光柵、導(dǎo)體軌道或者結(jié)合面。由該組中選則地，于是下區(qū)段12可以完全地或部分地以不同方式地涂層。隨后參照?qǐng)D5至圖9描述其他實(shí)施方式。在此情況下，為相同的特征使用如圖1 至圖4中那樣的相同的附圖標(biāo)記。圖5示出一種布置的示意圖，其中可對(duì)比圖2中的布置地在空腔23中布置有結(jié)構(gòu)元件22，該空腔帶有傾面分布的側(cè)壁地形成。承載襯底20施加在其它的襯底31上。結(jié)構(gòu)元件22經(jīng)由電接觸裝置32與連接件33連接。圖6示出一種布置的示意圖，其中間隔元件1特別是也在面朝空腔23的內(nèi)側(cè)上帶有平行分布的側(cè)面或者側(cè)壁40地形成，間隔元件1的直的側(cè)壁40例如可以借助干蝕刻法、 在使用Si的情況下例如借助Bosch工藝實(shí)現(xiàn)。此外，圖6中的布置的實(shí)施可對(duì)比圖5中的實(shí)施方式。圖7示出一種布置的示意圖，其中在相鄰的空腔23中布置有兩個(gè)結(jié)構(gòu)元件22，其中，結(jié)構(gòu)元件22與背側(cè)的焊點(diǎn)51經(jīng)由貫通式接觸裝置50連接。背側(cè)的焊點(diǎn)51借助所配屬的實(shí)施為扇入或者扇出的再布線52與貫通式接觸裝置51連接。圖5中的實(shí)施方式相應(yīng)于所謂的SMD技術(shù)(SMD-Mervice Monted Device”)。SMD技術(shù)實(shí)現(xiàn)了例如在電路板上直接地安裝結(jié)構(gòu)元件。例如經(jīng)由焊點(diǎn)或者經(jīng)由能導(dǎo)電的膠進(jìn)行接觸。由圖7的布置也能借助結(jié)構(gòu)化的、具有平行分布的側(cè)壁40的間隔元件被制造，這在圖8中示出。圖9示出其它布置的示意圖，其中如在圖7中那樣布置在承載襯底上并且布置在空腔23中的結(jié)構(gòu)元件22經(jīng)由貫通式接觸裝置50與承載襯底20上的背側(cè)的焊點(diǎn)51連接。 不同于圖7地，傾斜的側(cè)壁6在內(nèi)側(cè)具有相反方向的傾斜。頂襯底3在表面上設(shè)有微結(jié)構(gòu)化的透鏡70。在一種實(shí)施方式中，將間隔元件1的斜面的側(cè)面6事先例如借助等離子體預(yù)處理或者噴砂進(jìn)行打磨。這在透鏡/孔口結(jié)構(gòu)的情況下有如下優(yōu)點(diǎn)，即，可以避免罩中的散射光的干擾影響。異于前文所描述的方法，在此實(shí)施方式中也可以使用另外的制造工藝。例如將借助KOH蝕刻的由硅制成的間隔元件1首先粘接到構(gòu)件承載件上。之后，進(jìn)行頂襯底3的接合。間隔元件1的狹窄的開口然后貼靠在頂襯底3上，并且形成光學(xué)孔口。備選地，在頂襯底上制造由一個(gè)或多個(gè)完全經(jīng)貫通結(jié)構(gòu)化的、帶有斜面的間隔元件組成的半成品也是可能的，將該頂襯底接下來(lái)與裝備有構(gòu)件的承載件連接。在此制造方式中，一個(gè)或多個(gè)間隔元件的構(gòu)造以不帶有用于背部去薄的方法步驟的方式進(jìn)行。本發(fā)明的在前文中的說(shuō)明、權(quán)利要求和附圖中公布的特征既能單獨(dú)地也能以任意組合地對(duì)于本發(fā)明的以其各種實(shí)施方式的實(shí)現(xiàn)是有意義的。
權(quán)利要求
1.用于制造帶有在承載襯底上的結(jié)構(gòu)元件的布置的方法，其中，所述方法包括下列步驟-在頂襯底的背側(cè)上制造間隔元件，其中在此情況下，設(shè)置有下列步驟-準(zhǔn)備襯底；-在所述襯底的所選擇的表面的區(qū)域中制造一個(gè)或多個(gè)凹陷部；-在所述襯底的所述所選擇的表面上布置所述頂襯底，以如下方式，即，形成至少一個(gè)凹陷部空腔；和-從所述襯底的與所述所選擇的表面方向相反的表面開始進(jìn)行所述襯底的背部去薄， 以如下方式，即，將至少一個(gè)所述凹陷部空腔敞開，并且因此形成分開的間隔元件，所述間隔元件連同所述頂襯底一起界定了至少一個(gè)空腔，所述至少一個(gè)空腔在所述襯底的所述方向相反的表面的區(qū)域中敞開；-在承載襯底的頂面上布置結(jié)構(gòu)元件；并且-在所述承載襯底上布置在所述頂襯底上形成的所述間隔元件，以如下方式，即，將所述結(jié)構(gòu)元件布置在所述至少一個(gè)空腔中，并且將所述至少一個(gè)空腔封閉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將一個(gè)或多個(gè)所述凹陷部在多級(jí)的工藝中形成，其中選擇性地在存在的凹陷部中形成其他凹陷部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成多個(gè)凹陷部，多個(gè)所述凹陷部在下列凹陷部參數(shù)中的一個(gè)或多個(gè)方面不同橫截面大小、橫截面形狀、和高度。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，在所述襯底的背部去薄中將所述襯底的一個(gè)區(qū)段比所述襯底的另一個(gè)區(qū)段以更大的范圍/程度進(jìn)行背部去薄。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，通過(guò)如下方式形成間隔保持件的面朝所述空腔的輪廓，即，不僅在構(gòu)造一個(gè)或者多個(gè)所述凹陷部時(shí)，而且在所述襯底的背部去薄時(shí)實(shí)施部分輪廓化。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，所述間隔元件的制造包括如下步驟，所述步驟用于在所述間隔元件上構(gòu)造以金屬化部和/或光學(xué)反射部的形式的涂層。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，制造用于所述結(jié)構(gòu)元件的電接觸裝置的一個(gè)或多個(gè)連接件。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，將在所述頂襯底上布置的所述間隔元件在所述承載襯底的頂面上的布置實(shí)施為在晶片復(fù)合中的封裝。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，將光電結(jié)構(gòu)元件作為結(jié)構(gòu)元件布置在所述承載襯底的頂面上。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，相應(yīng)于SMD-技術(shù) (SMD- “表面貼裝器件”)地制造所述布置。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，所述頂襯底在背側(cè)上至少在不被所述間隔元件覆蓋的區(qū)域中至少區(qū)段地被設(shè)有襯底涂層。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)所述的方法，其特征在于，將所述間隔元件以從約 IOym至約300 μ m的高度、優(yōu)選以從約30 μ m至約300 μ m的高度、并且進(jìn)一步優(yōu)選以從約 30 μ m至約100 μ m的高度制造。
13.布置，所述布置借助根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一個(gè)的方法制造，具有-承載襯底；-經(jīng)封裝的結(jié)構(gòu)元件，所述結(jié)構(gòu)元件在空腔中布置在所述承載襯底的頂面上；和-結(jié)構(gòu)元件的電接觸裝置，其中，所述空腔借助在所述承載襯底的頂面上布置的間隔元件并且借助在所述間隔元件上支承的頂襯底形成，并且其中，所述間隔元件具有從約 ο μ m至約300 μ m的高度、優(yōu)選地具有從約30 μ m至約300 μ m的高度、并且進(jìn)一步優(yōu)選地具有從約30 μ m至約100 μ m的尚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的布置，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)元件是光電結(jié)構(gòu)元件。
15.制造用于結(jié)構(gòu)元件布置的半成品的方法，所述結(jié)構(gòu)元件布置帶有經(jīng)封裝的結(jié)構(gòu)元件，其中，所述方法包括下列步驟-準(zhǔn)備頂襯底和-在所述頂襯底的背側(cè)上制造間隔元件和在所述間隔元件之間形成的容納空間，其中， 當(dāng)在承載襯底上布置所述頂襯底時(shí)，所述容納空間配置用于封裝地容納至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件，其中，所述間隔元件的制造包括下列步驟-準(zhǔn)備襯底；-在所述襯底的所選擇的表面的區(qū)域中制造一個(gè)或多個(gè)凹陷部；-在所述襯底的所述所選擇的表面上布置所述頂襯底，以如下方式，即，形成至少一個(gè)凹陷部空腔；并且-從所述襯底的與所述所選擇的表面方向相反的表面開始進(jìn)行所述襯底的背部去薄， 以如下方式，即，將所述至少一個(gè)凹陷部空腔敞開，并且因此形成分開的間隔元件，所述間隔元件連同所述頂襯底一起界定了所述容納空間，所述容納空間在所述襯底的所述方向相反的表面的區(qū)域中敞開。
16.用于結(jié)構(gòu)元件布置的半成品，所述半成品根據(jù)權(quán)利要求15的方法制造，其中，在頂襯底上在背側(cè)上形成間隔元件，并且在所述間隔元件之間形成容納空腔，所述容納空腔配置用于容納結(jié)構(gòu)元件，其中，所述間隔元件具有從約10 μ m至約300 μ m的高度、優(yōu)選地具有從約30 μ m至約300 μ m的高度、并且進(jìn)一步優(yōu)選地具有從約30 μ m至約100 μ m的高度。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于制造帶有在承載襯底(20)上的結(jié)構(gòu)元件(22)的布置的方法，其中，該方法包括下列步驟在頂襯底(3)的背側(cè)上制造間隔元件(1)；在承載襯底(20)的頂面上布置結(jié)構(gòu)元件(22)；并且在承載襯底(20)上布置在頂襯底(3)上形成的間隔元件(1)，以如下方式，即，將結(jié)構(gòu)元件布置在至少一個(gè)空腔(23)中，并且將該空腔封閉。此外，本發(fā)明涉及布置、制造用于結(jié)構(gòu)元件布置的半成品的方法、以及用于結(jié)構(gòu)元件布置的半成品。
文檔編號(hào)H01L33/58GK102598288SQ201080042820
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2010年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月24日
發(fā)明者烏利·漢森, 于爾根·萊布, 西蒙·毛斯 申請(qǐng)人:Msg里松格萊斯股份公司