專利名稱：壓電元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電元件的制造方法。
背景技術(shù)：
近幾年，MEMS(Micro Electro Mechanical Systems (微機(jī)電系統(tǒng)))技術(shù)日益發(fā)展，噴墨式記錄頭的墨水吐出驅(qū)動源、蜂鳴器或加速度傳感器、數(shù)碼相機(jī)等的手抖動修正機(jī)構(gòu)等，從產(chǎn)業(yè)設(shè)備至小型電子設(shè)備等，壓電元件在其應(yīng)用范圍呈現(xiàn)出擴(kuò)大。作為對壓電元件的機(jī)械應(yīng)力和電性變化進(jìn)行搭橋的材料，較多地研究了具有優(yōu)異的壓電特性的鈦鋯酸鉛αη3(ζΓ，τυο3、ρζτ)等氧化物強(qiáng)電介質(zhì)。以往，在將強(qiáng)電介質(zhì)膜沿膜厚方向蝕刻幾μ m時，將由有機(jī)物構(gòu)成的抗蝕劑用于掩模而進(jìn)行蝕刻，但蝕刻導(dǎo)致抗蝕劑后退，所以難以控制強(qiáng)電介質(zhì)膜的尺寸、形狀角度。另夕卜，如果幾μ m的蝕刻甚至都未充分地進(jìn)行基板冷卻，則產(chǎn)生抗蝕劑燒傷(抗蝕劑圖案的變形)，所以關(guān)于沿膜厚方向進(jìn)行幾十μ m的蝕刻，難以進(jìn)行能夠經(jīng)受長時間的蝕刻的膜厚的抗蝕劑作成。另外，PZT等強(qiáng)電介質(zhì)被稱為難蝕刻材料，缺乏與鹵素氣體的反應(yīng)性，另外，其鹵化物蒸氣壓低，所以蝕刻生成物容易附著在圖案側(cè)壁。圖4的標(biāo)號110示出具有通過現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行蝕刻的強(qiáng)電介質(zhì)膜113的處理對象物。在強(qiáng)電介質(zhì)膜113下配置有下部電極膜112，在強(qiáng)電介質(zhì)膜113上配置有抗蝕劑115。 在下部電極膜112下配置有基板111。由強(qiáng)電介質(zhì)的鹵化物構(gòu)成的蝕刻生成物116以圍墻 (fence)狀附著在抗蝕劑115的側(cè)面。在抗蝕劑115的剝離工序中不能除去蝕刻生成物116，存在著有必要新追加除去工序或在下一工序以后的形成布線的工序中成為斷線或絕緣不良的原因等不合適狀況。專利文獻(xiàn)1 國際公開W02007/U9732號

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不合適狀況而創(chuàng)作的，其目的在于，提供通過等離子體蝕刻將電介質(zhì)膜加工成良好的形狀的壓電元件的制造方法。為了解決上述課題，本發(fā)明是一種壓電元件的制造方法，所述壓電元件具有基板；由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的下部電極膜；由氧化物強(qiáng)電介質(zhì)構(gòu)成的強(qiáng)電介質(zhì)膜；以及由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的上部電極膜，所述下部電極膜、所述強(qiáng)電介質(zhì)膜以及所述上部電極膜以該順序配置于所述基板上，向所述上部電極膜與所述下部電極膜之間施加電壓時，所述強(qiáng)電介質(zhì)膜的形狀變形，停止電壓的施加時，變形復(fù)原，其中，所述壓電元件的制造方法具有金屬掩模配置工序，在所述上部電極膜和所述強(qiáng)電介質(zhì)膜以該順序?qū)盈B于所述基板上的處理對象物的表面的所述強(qiáng)電介質(zhì)膜上，形成由圖案化的金屬薄膜構(gòu)成的金屬掩模，使所述強(qiáng)電介質(zhì)膜的表面部分地露出，而覆蓋其他部分；以及蝕刻工序，向配置于所述處理對象物的背面?zhèn)鹊碾姌O施加交流電壓，并且在所述成膜對象物的表面?zhèn)刃纬珊醒鯕夂驮诨瘜W(xué)結(jié)構(gòu)中含有氟的反應(yīng)氣體的混合氣體的蝕刻氣體的等離子體，使所述等離子體與所述金屬掩模和所述強(qiáng)電介質(zhì)膜接觸，并且使所述等離子體中的離子入射，除去露出在所述金屬掩模的開口底面的所述強(qiáng)電介質(zhì)膜，使所述下部電極膜露出。本發(fā)明是這樣的壓電元件的制造方法所述強(qiáng)電介質(zhì)膜含有從由鈦酸鋇 (BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、鈦酸鉍鑭((Bi5La)4Ti3O12 =BLT)、鈦鋯酸鉛(Pb (Zr5Ti)O3 =PZT)、 鈦鋯酸鑭鉛((PbLa) (ZrTi)O3 =PLZT)以及鉭酸鉍鍶(SrBi2Ta2O3 =SBT)構(gòu)成的組中選擇的任一種氧化物強(qiáng)電介質(zhì)。本發(fā)明是這樣的壓電元件的制造方法所述掩模含有從由Ni、Al以及Cr構(gòu)成的組中選擇的任一種金屬。本發(fā)明是這樣的壓電元件的制造方法所述反應(yīng)氣體由從由CF4、C2F6, C3F8, C4F8, CHF3、SF6, C4F6以及C5F8構(gòu)成的組中選擇的任一種氣體或兩種以上的混合氣體構(gòu)成。本發(fā)明是這樣的壓電元件的制造方法關(guān)于所述蝕刻氣體，所述反應(yīng)氣體的流量相對于氧氣的流量和所述反應(yīng)氣體的流量的合計的比例是50%以上。由于金屬掩模的膜厚薄，能抑制蝕刻生成物向金屬掩模側(cè)壁的附著，所以能抑制斷線等的發(fā)生，且提高強(qiáng)電介質(zhì)膜的加工精度。由于金屬掩模的耐熱溫度范圍比以往更廣，所以能夠在比以往更廣的范圍控制蝕刻時的溫度。由于能夠沿強(qiáng)電介質(zhì)膜的膜厚方向進(jìn)行幾十μ m的蝕刻，所以能夠應(yīng)用到以往不能實施的領(lǐng)域的MEMS。由于不使用氯類氣體作為蝕刻氣體，所以能夠在不能使用氯類氣體的環(huán)境下進(jìn)行處理。


圖1(a) (e)是用于說明本發(fā)明的壓電元件的制造方法的圖。圖2是用于說明本發(fā)明所使用的蝕刻裝置的構(gòu)造的圖。圖3是示出相對于CF4比例的Ni掩模及PZT膜的蝕刻速度及蝕刻選擇比的關(guān)系的圖表。圖4是用于說明通過現(xiàn)有技術(shù)蝕刻強(qiáng)電介質(zhì)膜后的處理對象物的圖。附圖標(biāo)記說明IOe壓電元件；11基板；12下部電極膜；13強(qiáng)電介質(zhì)膜；14上部電極膜；15金屬掩模；96電極；98冷卻管。
具體實施例方式〈壓電元件的構(gòu)造〉首先，說明通過本發(fā)明的制造方法形成的壓電元件的構(gòu)造。圖1(e)示出壓電元件 IOe的截面圖。壓電元件IOe具有強(qiáng)電介質(zhì)膜13、上部電極膜14以及下部電極膜12。強(qiáng)電介質(zhì)膜13配置于下部電極膜12上，上部電極膜14配置于強(qiáng)電介質(zhì)膜13上。 基板11配置于下部電極膜12下。
上部電極膜14和下部電極膜12與未圖示的控制電路電連接。這樣的壓電元件IOe具有壓電效應(yīng)，從外部向強(qiáng)電介質(zhì)膜13施加壓力而使其形狀變形時，在強(qiáng)電介質(zhì)膜13感應(yīng)電極化，在上部電極膜14與下部電極膜12之間產(chǎn)生電壓。相反，從未圖示的控制電路向上部電極膜14與下部電極膜12之間施加電壓時，強(qiáng)電介質(zhì)膜13 的形狀變形；停止電壓的施加時，形狀復(fù)原。強(qiáng)電介質(zhì)膜13由氧化物強(qiáng)電介質(zhì)構(gòu)成，在此，使用鈦鋯酸鉛(Pbar，Ti)03:PZT)。但是，本發(fā)明不限于PZT作為強(qiáng)電介質(zhì)膜13的材料，也可以使用鈦酸鋇(BaTiO3)、 鈦酸鉛(PbTiO3)、鈦酸鉍鑭((Bi5La)4Ti3O12 :BLT)、鈦鋯酸鑭鉛((PbLa) (ZrTi)O3 :PLZT)、鉭酸鉍鍶(SrBi2Ta2O3=SBT)等能夠利用化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氟的氣體來蝕刻的氧化物強(qiáng)電介質(zhì)。上部電極膜14和下部電極膜12由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，在此，任一個都使用Pt膜。 但是，本發(fā)明不限于Pt作為上部電極膜14和下部電極膜12的材料，也可以分別使用Ir、 IrO2^SRO(Strontium Ruthenium Oxide(氧化鍶釕))等難以與氧化物強(qiáng)電介質(zhì)反應(yīng)的導(dǎo)電性材料。基板11在此使用帶有熱氧化膜(SiO2)的Si基板，作為絕緣層的熱氧化膜配置成與下部電極膜12接觸。<壓電元件的制造裝置>圖2的標(biāo)號80示出搭載有本發(fā)明所使用的感應(yīng)耦合等離子體(ICP)源的蝕刻裝置。蝕刻裝置80具有真空槽89、等離子體生成部92、氣體供給部81、真空排氣部82以及溫度控制部88。在真空槽89的內(nèi)部，設(shè)有用于承載處理對象物的臺部86。溫度控制部88連接至臺部86，通過使經(jīng)溫度控制的熱介質(zhì)流入例如設(shè)于臺部86 的冷卻管98，能夠控制承載于臺部86上的處理對象物的溫度。等離子體生成部92具有RF天線83、匹配箱87a以及等離子體用交流電源84。在真空槽89的上方形成有開口，在該開口配置有石英等的陶瓷板97。在陶瓷板 97的真空槽89外部側(cè)的表面上，配置有RF天線83。該RF天線83經(jīng)由匹配箱87a電連接至等離子體用交流電源84，能夠使供給至真空槽89內(nèi)的蝕刻氣體等離子體化。另外，在臺部86的內(nèi)部配置有電極96，在將處理對象物配置于臺部86上時，電極 96位于處理對象物的背面?zhèn)?。濺射用交流電源85經(jīng)由匹配箱87b電連接至電極96，能夠?qū)Φ入x子體中的離子進(jìn)行加速使其與處理對象物碰撞而進(jìn)行蝕刻。氣體供給部81和真空排氣部82的任一個都配置于真空槽89的外部。真空排氣部82連接至真空槽89內(nèi)部，能將真空槽89內(nèi)排氣，氣體供給部81連接至真空槽89內(nèi)部， 能夠向真空槽89內(nèi)供給蝕刻氣體?！磯弘娫闹圃旆椒ā到又?，參照圖1(a) (e)，說明作為本發(fā)明的壓電元件的制造方法。圖1 (a)的標(biāo)號IOa示出在基板11上通過濺射法等將下部電極膜12和強(qiáng)電介質(zhì)膜13以該順序成膜的狀態(tài)的處理對象物。首先，作為金屬掩模配置工序，在強(qiáng)電介質(zhì)膜13上配置圖案化的抗蝕劑膜后，將處理對象物浸漬于非電解鍍鎳液，使鎳在抗蝕劑膜的表面和露出于抗蝕劑膜的開口底面的強(qiáng)電介質(zhì)膜13的表面析出、形成鎳的金屬薄膜后，除去抗蝕劑時，抗蝕劑上的金屬薄膜與抗蝕劑一起除去，強(qiáng)電介質(zhì)膜13上的金屬薄膜殘留，得到圖1(b)的處理對象物10b。在該處理對象物IOb的表面，設(shè)有由圖案化的金屬薄膜(鎳薄膜)構(gòu)成的金屬掩模15。該金屬掩模15與強(qiáng)電介質(zhì)膜13密合，利用金屬掩模15，強(qiáng)電介質(zhì)膜13的表面的一部分露出，而其他部分被覆蓋。此外，也可以在使強(qiáng)電介質(zhì)膜13的表面全部露出的狀態(tài)下，將處理對象物浸漬于非電解鍍鎳液、在強(qiáng)電介質(zhì)膜13的表面形成由鎳構(gòu)成的金屬薄膜后，在所形成的金屬薄膜表面形成圖案化的抗蝕劑膜，將露出于抗蝕劑膜的開口下的金屬薄膜蝕刻除去，將金屬薄膜圖案化為既定形狀。除去抗蝕劑時，得到由圖案化的金屬薄膜(鎳薄膜)構(gòu)成的金屬掩模15。本發(fā)明的金屬掩模配置方法不限于非電解鍍法，能夠通過濺射法或真空蒸鍍法等形成金屬掩模?？傊?，與強(qiáng)電介質(zhì)膜13密合、形成圖案化的厚度薄的金屬薄膜即可，而尤其優(yōu)選非電解鍍法。這是因為，優(yōu)選金屬掩模15具有4 μ m以上10 μ m以下的膜厚，從而即使其較薄，也能經(jīng)受后述的蝕刻工序中的蝕刻，非電解鍍法能夠比其他方法更容易地實現(xiàn)該膜厚。本發(fā)明的金屬掩模15的材料不限于Ni金屬，只要是相對于蝕刻強(qiáng)電介質(zhì)膜13的蝕刻氣體具有比強(qiáng)電介質(zhì)膜13的蝕刻速度更慢的蝕刻速度的材料、且能夠圖案化為期望形狀即可，除Ni以外，也可以由Al、Cr、Ti、Ta等難以被氧氣蝕刻的金屬或這些的合金形成金屬掩模15。接下來，作為蝕刻工序，首先，預(yù)先在蝕刻裝置80的真空槽89內(nèi)由真空排氣部82 進(jìn)行真空排氣。維持真空槽89內(nèi)的真空氣氛，并且將金屬掩模配置工序后的處理對象物IOb從未圖示的搬入裝置搬入真空槽89內(nèi)。處理對象物10b，以與形成有金屬掩模15的面相反的面向著臺部86、使形成有金屬掩模15的一側(cè)的面露出的方式，承載于臺部86上。將真空槽89內(nèi)進(jìn)行真空排氣，并且從氣體供給部81向真空槽89內(nèi)供給蝕刻氣體。蝕刻氣體含有氧氣和在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氟的反應(yīng)氣體的混合氣體。具體而言，反應(yīng)氣體由從由CF4、C2F6、C3F8、C4F8、CHF3、SF6、C4F6以及C5F8構(gòu)成的組中選擇的任一種氣體構(gòu)成或由兩種以上的混合氣體構(gòu)成。蝕刻氣體也可以含有由Ar等稀有氣體構(gòu)成的輔助氣體。氣體供給部81連接至未圖示的控制裝置而控制流量，優(yōu)選反應(yīng)氣體的流量相對于氧氣的流量和反應(yīng)氣體的流量的合計的比例(以下，稱為反應(yīng)氣體比例)為50%以上。 這是因為如果氧氣比例變大，則蝕刻處理速度下降。成膜對象物的形成有金屬掩模15的面經(jīng)由陶瓷板97與RF天線83對置，在真空槽89處于接地電位的狀態(tài)下，啟動等離子體用交流電源84，使交流電流流入RF天線83而從RF天線83發(fā)射電波時，電波通過陶瓷板97進(jìn)入真空槽89的內(nèi)部。在陶瓷板97與處理對象物的形成有金屬掩模15的面之間，成為蝕刻氣體氣氛，電波照射至蝕刻氣體，在處理對象物的金屬掩模15上形成蝕刻氣體的等離子體。等離子體也可以通過其他方法形成。在等離子體中，含有蝕刻氣體的離子或自由基等活性源。另外，在生成等離子體而進(jìn)行蝕刻時，預(yù)先啟動濺射用交流電源85而向電極96施加交流電壓，不使處理對象物帶電，將等離子體中的蝕刻氣體的離子、輔助氣體的離子引入處理對象物IOb側(cè)。強(qiáng)電介質(zhì)膜13的從金屬掩模15露出的部分與等離子體接觸時，與等離子體反應(yīng)而生成強(qiáng)電介質(zhì)膜13的蝕刻生成物。蝕刻生成物中的氣體狀的生成物通過真空排氣除去，附著在處理對象物的生成物通過引入到電極96的離子的濺射，從處理對象物的表面除去。金屬掩模15的膜厚是ΙΟμπι以下，所以能抑制蝕刻生成物向金屬掩模15的側(cè)面的附著。由于由金屬薄膜構(gòu)成的金屬掩模15具有耐熱性，所以也可以在利用溫度控制部 88冷卻處理對象物時，以臺部86上的處理對象物IOb的溫度為室溫以上的方式進(jìn)行控制， 促進(jìn)蝕刻生成物的氣化。如圖1(c)的處理對象物IOc所示，如果下部電極膜12露出，則分別停止等離子體用交流電源84和濺射用交流電源85的動作，且停止來自氣體供給部81的蝕刻氣體的供
々Α
口 ο在此，以包圍臺部86的方式設(shè)有屏蔽體91，能防止由蝕刻產(chǎn)生的附著物向真空槽 89的內(nèi)壁的附著。接下來，將蝕刻工序后的處理對象物IOc從蝕刻裝置80取出，使這樣的剝離液與處理對象物IOc的表面接觸，該剝離液選擇性地使金屬掩模15剝離。金屬掩模15溶解于剝離液而除去，得到如圖1(d)所示的金屬掩模除去后的處理對象物10d。接下來，在處理對象物IOd的強(qiáng)電介質(zhì)膜13的向上的面配置上部電極膜14，制造如圖1(e)所示的壓電元件10e。也能夠在成膜強(qiáng)電介質(zhì)膜13后配置上部電極膜14。實施例<實施例1>將這樣的狀態(tài)的處理對象物搬入蝕刻裝置的真空槽內(nèi)，該狀態(tài)為在基板上通過濺射法等成膜由PZT構(gòu)成的PZT膜，接下來，在PZT膜上配置使PZT膜一部分露出的、由Ni 構(gòu)成的m掩模。啟動溫度控制部，以處理對象物的溫度維持20°c的方式進(jìn)行控制。將真空槽內(nèi)進(jìn)行真空排氣，并且作為蝕刻氣體將化氣體以8. 4Χ IO-3Pa · m3/ sec(5sccm)的流量、CF4氣體以7. 6X IO^2Pa · m3/sec (45sccm)的流量向真空槽內(nèi)供給，使真空槽內(nèi)為0. 5Pa的壓力。此時，CF4氣體的流量相對于&氣體的流量和CF4氣體的流量的合計的比例(以下，稱為CF4比例)為0. 9。從等離子體用交流電源向RF天線83施加600W的交流功率，使蝕刻氣體等離子體化并與處理對象物接觸。另外，從濺射用交流電源向處理對象物下的電極施加400W的交流功率，使等離子體中的離子入射至處理對象物，對PZT膜部分地進(jìn)行各向異性蝕刻。此時， 測定PZT膜和M掩模的各蝕刻速度。
接下來，控制氣體供給部，使向真空槽內(nèi)供給的蝕刻氣體的CF4比例向0. 8變化， 測定PZT膜和M掩模的各蝕刻速度。圖3示出CF4比例和作為測定結(jié)果的各蝕刻速度的關(guān)系。另外，在同一圖中還示出CF4比例和PZT膜相對于Ni掩模的蝕刻選擇比(- ^ f > 7選択比)的關(guān)系?？芍笴F4比例減少時，各蝕刻速度分別減少，但PZT膜相對于Ni掩模的蝕刻選擇比增加。<實施例2>由掃描型電子顯微鏡(SEM)對這樣的狀態(tài)的處理對象物進(jìn)行攝影，該狀態(tài)為在基板上通過濺射法等成膜由PZT構(gòu)成的PZT膜，接下來，在PZT膜上配置使PZT膜一部分露出的、由Ni構(gòu)成的Ni掩模。將該處理對象物搬入蝕刻裝置的真空槽內(nèi)，向真空槽內(nèi)供給&氣體和CF4氣體的混合氣體作為蝕刻氣體，使蝕刻氣體等離子體化，進(jìn)行蝕刻處理。接著，在蝕刻處理后，將處理對象物從真空槽取出，由SEM攝影。所蝕刻的側(cè)面的錐形角度形成為70°，蝕刻生成物沒有附著在該側(cè)面。<比較例1>與實施例2同樣地，用SEM對這樣的狀態(tài)的處理對象物進(jìn)行攝影，該狀態(tài)為在 PZT膜上配置使PZT膜一部分露出的、由有機(jī)物構(gòu)成的抗蝕劑。與實施例2同樣地，將該處理對象物搬入蝕刻裝置的真空槽內(nèi)，向真空槽內(nèi)供給& 氣體和CF4氣體的混合氣體作為蝕刻氣體，使蝕刻氣體等離子體化，進(jìn)行蝕刻處理。接著，在蝕刻處理后，將處理對象物從真空槽取出，用SEM攝影。蝕刻生成物附著在抗蝕劑的側(cè)面。
權(quán)利要求
1.一種壓電元件的制造方法，所述壓電元件具有基板；由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的下部電極膜；由氧化物強(qiáng)電介質(zhì)構(gòu)成的強(qiáng)電介質(zhì)膜；以及由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的上部電極膜，所述下部電極膜、所述強(qiáng)電介質(zhì)膜以及所述上部電極膜以該順序配置于所述基板上，向所述上部電極膜與所述下部電極膜之間施加電壓時，所述強(qiáng)電介質(zhì)膜的形狀變形； 停止電壓的施加時，變形復(fù)原，其中，所述壓電元件的制造方法具有金屬掩模配置工序，在所述上部電極膜和所述強(qiáng)電介質(zhì)膜以該順序?qū)盈B于所述基板上的處理對象物的表面的所述強(qiáng)電介質(zhì)膜上，形成由圖案化的金屬薄膜構(gòu)成的金屬掩模，使所述強(qiáng)電介質(zhì)膜的表面部分地露出，而覆蓋其他部分；以及蝕刻工序，向配置于所述處理對象物的背面?zhèn)鹊碾姌O施加交流電壓，并且在所述成膜對象物的表面?zhèn)刃纬珊醒鯕夂驮诨瘜W(xué)結(jié)構(gòu)中含有氟的反應(yīng)氣體的混合氣體的蝕刻氣體的等離子體，使所述等離子體與所述金屬掩模和所述強(qiáng)電介質(zhì)膜接觸，并且，使所述等離子體中的離子入射，除去露出于所述金屬掩模的開口底面的所述強(qiáng)電介質(zhì)膜，使所述下部電極膜露出ο
2.如權(quán)利要求1所述的壓電元件的制造方法，其中，所述強(qiáng)電介質(zhì)膜含有從由鈦酸鋇 (BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、鈦酸鉍鑭((Bi5La)4Ti3O12 =BLT)、鈦鋯酸鉛(Pb (Zr5Ti)O3 =PZT)、 鈦鋯酸鑭鉛((PbLa) (ZrTi)O3 =PLZT)以及鉭酸鉍鍶(SrBi2Ta2O3 =SBT)構(gòu)成的組中選擇的任一種氧化物強(qiáng)電介質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1或2的任一項所述的壓電元件的制造方法，其中，所述金屬掩模含有從由Ni、Al以及Cr構(gòu)成的組中選擇的任一種金屬。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的壓電元件的制造方法，其中，所述反應(yīng)氣體由從由CF4、C2F6, C3F8、C4F8、CHF3、SF6, C4F6以及C5F8構(gòu)成的組中選擇的任一種氣體或兩種以上的混合氣體構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項所述的壓電元件的制造方法，其特征在于，關(guān)于所述蝕刻氣體，所述反應(yīng)氣體的流量相對于氧氣的流量和所述反應(yīng)氣體的流量的合計的比例是 50%以上。
全文摘要
提供通過等離子體蝕刻將強(qiáng)電介質(zhì)膜加工成良好的形狀的壓電元件的制造方法。在將下部電極層和強(qiáng)電介質(zhì)膜以該順序?qū)盈B于基板上的處理對象物上，配置有由難以被氧氣蝕刻的金屬薄膜構(gòu)成的金屬掩模。使含有氧氣和在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氟的反應(yīng)氣體的混合氣體的蝕刻氣體等離子體化，使金屬掩模與處理對象物接觸，另外，向處理對象物下的電極施加交流電壓，使等離子體中的離子入射，對強(qiáng)電介質(zhì)膜進(jìn)行各向異性蝕刻。能夠進(jìn)行長時間的蝕刻，蝕刻生成物沒有附著在所蝕刻的側(cè)面，得到具有良好的形狀的強(qiáng)電介質(zhì)膜的壓電元件。
文檔編號H01L41/187GK102473840SQ20108003529
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月6日
發(fā)明者吉田善明, 小風(fēng)豐, 植田昌久 申請人:株式會社愛發(fā)科