專利名稱：新型集成電路框架結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型公開(kāi)一種集成電路框架結(jié)構(gòu)，按國(guó)際專利分類表(IPC)劃分屬于半導(dǎo) 體引線框架制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種QFN集成電路框架構(gòu)造。
背景技術(shù)：
集成電路弓I線框架是制造集成電路半導(dǎo)體元件的基本部件，在實(shí)際應(yīng)用中還需要 在封裝區(qū)表面電鍍銀層，再利用塑封進(jìn)行封裝固定成半導(dǎo)體原件，集成電路引線框架包括 通用型號(hào)QFN和QFP等，其中QFN是表面貼裝型封裝之一，封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于 無(wú)引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低?，F(xiàn)有QFN集成電路框架的電鍍方法一般是是通過(guò)以下工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)的化學(xué)除油一 電解除油一水洗一水洗一酸洗一水洗一酸洗一水洗一水洗一水洗一鍍銅一水洗一水洗一 水洗一防置換一水洗一水洗一選擇鍍銀一銀回收一水洗一水洗一退鍍一水洗一水洗一中 和一水洗一水洗一防銅氧化一水洗一水洗一水洗一烘干，這種工藝流程電鍍的框架存在銀 層容易氧化、發(fā)黃、長(zhǎng)黃斑問(wèn)題，影響客戶的焊線、塑封，同時(shí)該電鍍工藝流程電鍍的銀層厚 度相對(duì)厚，一般銀層厚度為3um— 7um，生產(chǎn)成本高。本發(fā)明經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐并結(jié)合從事框架電鍍多年的經(jīng)驗(yàn)，創(chuàng)作一新型引線框構(gòu)造， 故才有本實(shí)用新型提出。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種結(jié)構(gòu)合理、提高引線框架銀層抗氧 化能力的新型集成電路框架結(jié)構(gòu)，有效改善銀層發(fā)黃、長(zhǎng)黃斑問(wèn)題，同時(shí)不影響框架使用前 提下，降低生產(chǎn)成本。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的—種新型集成電路框架結(jié)構(gòu)，包括框架主體，其上有復(fù)數(shù)個(gè)鍍銀區(qū)域，各鍍銀區(qū)位 于框架主體的對(duì)應(yīng)封裝區(qū)內(nèi)，其中所述的各鍍銀區(qū)的銀層上設(shè)有銀層保護(hù)膜。進(jìn)一步，所述的銀層保護(hù)膜為納米膜層，以提高引線框架銀層的抗氧化能力。進(jìn)一步，所述的納米膜層厚度為3 — 10nm。進(jìn)一步，所述的鍍銀區(qū)域內(nèi)銀層厚度為1. 5um-5um,由于納米粒子對(duì)電鍍形成的 空隙進(jìn)行填充使銀層更加致密增強(qiáng)銀層的抗氧化能力銀層致密性提高能在不影響的條件 下降低銀層的厚度，銀層厚度從3-7um降低至1. 5-5um,降低生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型銀層上的納米保護(hù)膜層是浸泡納米電鍍藥水后，銀層表面會(huì)形成銀 層保護(hù)膜，該保護(hù)膜能提高引線框架銀層的抗氧化能力，同時(shí)銀層厚度從3-7um降低至 1. 5-5um，降低生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型具有如下有益的效果1、本實(shí)用新型由于在銀層上設(shè)置納米保護(hù)膜層，以增強(qiáng)銀層的抗氧化能力，從而 有效改善銀層發(fā)黃、長(zhǎng)黃斑問(wèn)題；[0014]2、本實(shí)用新型銀層致密性提高的前提下，銀層厚度從3_7um降低至1. 5_5um，降低 生產(chǎn)成本該銀層能達(dá)到引線框架的電性能要求。

圖1是本實(shí)用新型正視圖。圖2是本實(shí)用新型側(cè)視圖。圖3是本實(shí)用新型局部正視圖。圖4是圖3中鍍銀區(qū)放大圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明實(shí)施例請(qǐng)參閱圖1、圖2、圖3及圖4，一種新型集成電路框架結(jié)構(gòu)，包括框架主 體1，其上有復(fù)數(shù)個(gè)鍍銀區(qū)域21，各鍍銀區(qū)位于框架主體的對(duì)應(yīng)封裝區(qū)2內(nèi)，封裝區(qū)的邊緣 為封裝線20，所述的鍍銀區(qū)域21內(nèi)的銀層上設(shè)有銀層保護(hù)膜，該銀層保護(hù)膜為納米膜層， 以提高引線框架銀層的抗氧化能力，所述的納米膜層厚度為3—lOnm，優(yōu)選為納米膜層厚度 為5nm左右。本實(shí)用新型由于納米粒子對(duì)電鍍形成的空隙進(jìn)行填充使銀層更加致密增強(qiáng)銀層 的抗氧化能力銀層致密性提高能在不影響的條件下降低銀層的厚度，銀層厚度從3-7um 降低至1. 5-5um,降低生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型集成電路引線框架實(shí)現(xiàn)方式是通過(guò)以下工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)的化學(xué)除油一電 解除油一水洗一水洗一酸洗一水洗一酸洗一水洗一水洗一水洗一鍍銅一水洗一水洗一水 洗一防置換一水洗一水洗一選擇鍍銀一銀回收一水洗一水洗一退鍍一水洗一水洗一中和 —水洗一水洗一防銅氧化一水洗一水洗一浸泡納米電鍍藥水一水洗一熱水洗一水洗一烘 干形成框架，上述的防銅氧化可以替換為水洗工藝，而進(jìn)一步節(jié)約成本。浸泡納米電鍍藥水 后，銀層表面會(huì)形成銀層保護(hù)膜，提高引線框架銀層的抗氧化能力，同時(shí)納米粒子對(duì)電鍍形 成的空隙進(jìn)行填充使銀層更加致密增強(qiáng)銀層的抗氧化能力銀層致密性提高能在不影響的 條件下降低銀層的厚度，銀層厚度從3-7um降低至1. 5-5um,降低生產(chǎn)成本。上述工藝中用到的納米電鍍藥水是發(fā)明人在市場(chǎng)購(gòu)買所得。以上所記載，僅為利用本創(chuàng)作技術(shù)內(nèi)容的實(shí)施例，任何熟悉本項(xiàng)技藝者運(yùn)用本創(chuàng) 作所做的修飾、變化，皆屬本創(chuàng)作主張的專利范圍，而不限于實(shí)施例所揭示者。
權(quán)利要求1.一種新型集成電路框架結(jié)構(gòu)，包括框架主體，其上有復(fù)數(shù)個(gè)鍍銀區(qū)域，其特征在于 所述的各鍍銀區(qū)的銀層上設(shè)有銀層保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型集成電路框架結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的銀層保護(hù)膜為 納米膜層以提高引線框架銀層的抗氧化能力。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型集成電路框架結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的納米膜層厚度 為 3—IOnm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型集成電路框架結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的鍍銀區(qū)域內(nèi)銀 層厚度為1. 5um一5um。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種集成電路框架結(jié)構(gòu)，包括框主體，其上電鍍銀層，其中，所述的電鍍銀層上設(shè)有銀層保護(hù)膜，該銀層保護(hù)膜為納米膜層，以提高引線框架銀層的抗氧化能力。由于納米粒子對(duì)電鍍形成的空隙進(jìn)行填充使銀層更加致密增強(qiáng)銀層的抗氧化能力銀層致密性提高能在不影響的條件下降低銀層的厚度，銀層厚度從3-7um降低至1.5-5um，降低生產(chǎn)成本但能達(dá)到引線框架的電性能要求。
文檔編號(hào)H01L23/495GK201893333SQ201020636210
公開(kāi)日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者彭霞, 林桂賢, 王峰濤, 陳仲賢, 龍海榮 申請(qǐng)人:廈門永紅科技有限公司