專利名稱：具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片排阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶片電阻及晶片排阻，特別是涉及一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的 晶片電阻及晶片排阻。
背景技術(shù)：
既有晶片電阻主要是于陶瓷基板兩側(cè)印上電極，各電極皆延伸至基板的上、下表 面，并接著在基板上表面印刷一電阻分別連接兩側(cè)的電極，最后再于電阻上覆蓋一保護(hù)層 而構(gòu)成晶片電阻，其中電極一般采用銀電極，主要原因在于銀的電阻率最低，是常溫下導(dǎo)電 性最佳的金屬材料。然而由于銀的金屬特性使其易與外在環(huán)境的硫化物化合變成硫化銀而逐漸延伸 至與電阻的接觸部分，銀電極容易受到硫化侵蝕將造成其與電阻的交界面接觸不良或產(chǎn)生 斷路，從而影響晶片電阻在可靠度測試的產(chǎn)品穩(wěn)定性。由此可見，上述現(xiàn)有的晶片電阻及晶片排阻在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便 與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求 解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切結(jié)構(gòu)能夠 解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的具抗硫化 電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片排阻，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn) 的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的晶片電阻及晶片排阻存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品 設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng) 設(shè)一種新型的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片排阻，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的晶片電阻及 晶片排阻，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于 創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于，克服現(xiàn)有的晶片電阻及晶片排阻存在的缺陷，而提 供一種新型的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片排阻，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由 一抗硫化金屬層達(dá)到保護(hù)銀電極不會與外界硫化物產(chǎn)生化合反應(yīng)，非常適于實(shí)用。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí) 用新型提出的一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其包含一基板；兩銀電極，分別形成于該基板兩側(cè)，各銀電極包含位于基板上表面的上部、位于基 板側(cè)面的側(cè)部以及位于基板下表面的下部；一電阻，形成于該基板上表面，該電阻兩端分別延伸疊接于基板兩側(cè)的銀電極上 部；一保護(hù)層，形成于基板上而覆蓋該電阻；及[0012]兩抗硫化材，分別形成于基板兩側(cè)而覆蓋各銀電極上部的裸露部分。本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí) 現(xiàn)。前述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其中所述的電阻為抗硫化電阻，該兩抗硫 化材為該電阻兩端的延伸部分。前述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其中所述的兩抗硫化材為抗硫化電極。前述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其中所述的兩抗硫化材為抗硫化電阻。前述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其進(jìn)一步包含兩第一金屬分別覆蓋基板兩 側(cè)的抗硫化材及銀電極，以及兩第二金屬分別覆蓋該兩第一金屬。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本實(shí)用新 型提出的一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其包含一基板；多個(gè)電阻，形成于該基板上表面，該些電阻兩端分別延伸至基板兩側(cè)；多個(gè)銀電極，形成于該基板兩側(cè)而分別連接各電阻的一端，各銀電極包含位于基 板上表面而與電阻疊接的上部、位于基板側(cè)面的側(cè)部以及位于基板下表面的下部；一保護(hù)層，形成于基板上而覆蓋于該些電阻上；及多個(gè)抗硫化材，形成于基板上而覆蓋各銀電極上部的裸露部分。本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí) 現(xiàn)。前述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其中所述的該些電阻為抗硫化電阻，該些 抗硫化材分別為該些電阻兩端的延伸部分。前述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其中所述的該些抗硫化材為抗硫化電極。前述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其中所述的該些抗硫化材為抗硫化電阻。前述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其進(jìn)一步包含多個(gè)第一金屬分別覆蓋基板 兩側(cè)的抗硫化材及銀電極，以及包含多個(gè)第二金屬分別覆蓋該些第一金屬。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。經(jīng)由以上可知，為了達(dá) 到上述目的，本實(shí)用新型提供了一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其藉由一抗硫化金屬 層達(dá)到保護(hù)銀電極不會與外界硫化物產(chǎn)生化合反應(yīng)。令該具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻包 含一基板；兩銀電極，分別形成于該基板兩側(cè)，各銀電極包含位于基板上表面的上部、位 于基板側(cè)面的側(cè)部以及位于基板下表面的下部；一電阻，形成于該基板上表面，該電阻兩端 分別延伸疊接于基板兩側(cè)的銀電極上部；一保護(hù)層，形成于基板上而覆蓋該電阻；及兩抗 硫化材，分別形成于基板兩側(cè)而覆蓋各銀電極上部的裸露部分。由于銀電極上部覆蓋了一 層抗硫化材作為隔絕作用，可確保銀電極不會與外在環(huán)境的硫化物產(chǎn)生化合反應(yīng)而變成硫 化銀，避免了銀電極與電阻交界面接觸不良的情形發(fā)生，進(jìn)而可提升晶片電阻在高硫化可 靠度測試的產(chǎn)品穩(wěn)定性。本實(shí)用新型提供一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其包含一基板；多個(gè)電阻， 形成于該基板上表面，該些電阻兩端分別延伸至基板兩側(cè)；多個(gè)銀電極，形成于該基板兩側(cè) 而分別連接各電阻的一端，各銀電極包含位于基板上表面而與電阻疊接的上部、位于基板 側(cè)面的側(cè)部以及位于基板下表面的下部；一保護(hù)層，形成于基板上而覆蓋于該些電阻上；及多個(gè)抗硫化材，形成于基板上而覆蓋各銀電極上部的裸露部分。借由上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片排阻至少具 有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果本實(shí)用新型提供了一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，本實(shí)用新 型藉由在銀電極上覆蓋一層抗硫化材，可確保與電阻連接的銀電極部分不會與外在環(huán)境的 硫化物化合變成硫化銀，避免與電阻交界面接觸不良的情形發(fā)生，進(jìn)而提升電阻在高硫化 可靠度測試的產(chǎn)品穩(wěn)定性。綜上所述，本實(shí)用新型是有關(guān)于一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片排阻， 該晶片電阻包含一基板、兩形成于基板兩側(cè)的銀電極、一形成于基板上并疊接兩側(cè)銀電極 的電阻，一覆蓋該電阻的保護(hù)層以及一形成于基板上表面而覆蓋銀電極裸露部分的抗硫化 材，藉由抗硫化材可確保銀電極不會與外在環(huán)境的硫化物化合變成硫化銀，避免與電阻交 界面接觸不良的情形發(fā)生，進(jìn)而提升電阻在高硫化可靠度測試的產(chǎn)品穩(wěn)定性。本實(shí)用新型 在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技 術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征 和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。

圖1是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的剖視圖。圖2是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的剖視圖。10:基板11a，11b，Ilc 銀電極12:電阻13:保護(hù)層14 抗硫化材15 第一金屬16 第二金屬
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下 結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本實(shí)用新型提出的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片排 阻其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。有關(guān)本實(shí)用新型的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較 佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。為了方便說明，在以下的實(shí)施例中，相同的元件以 相同的編號表示。請參考圖1所示，為本實(shí)用新型具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻一較佳實(shí)施例的剖 面示意圖，其包含一基板10，本實(shí)施例中為一陶瓷基板；兩銀電極11a，11b，11c，是分別形成于該基板10兩側(cè)，通常是透過印刷手段形成 于基板10兩側(cè)；各銀電極11a，lib, lie包含位于基板10上表面的上部11a、位于基板10側(cè) 面的側(cè)部lib以及位于基板10下表面的下部Ilc ；一電阻12，是形成于該基板10上表面，一般是透過印刷手段形成于基板10上表 面，該電阻12兩端分別延伸疊接在基板10兩側(cè)的銀電極上部Ila上，其可為抗硫化電阻；[0046]一保護(hù)層13，形成于基板10上而覆蓋該電阻12，一般經(jīng)過印刷、干燥、燒結(jié)等制程 步驟而形成在電阻12上；兩抗硫化材14，分別形成于基板10兩側(cè)而覆蓋各銀電極上部Ila的裸露部分，即 覆蓋未被前述電阻12疊接的部分，以作為防硫化的隔絕保護(hù)；該抗硫化材14可為抗硫化電 極或抗硫化電阻；兩第一金屬15，分別覆蓋基板10兩側(cè)的抗硫化材14及銀電極11a，lib, 11c，本實(shí) 施例中，該第一金屬15為一鎳層；及兩第二金屬16，分別覆蓋該兩第一金屬15，本實(shí)施例中，該第二金屬16為一錫層。第一及第二金屬15、16主要用以增加前述銀電極11a，11b，Ilc的焊接強(qiáng)度。在基板10上形成銀電極11a，lib, lie時(shí)，是先在基板10上、下表面印刷前述銀電 極上部Ila與下部11c，待印刷上電阻12、保護(hù)層13跟抗硫化材14之后，再在基板10側(cè)面 形成銀電極側(cè)部11b，完成上、下部11a，lie的電性連接。請進(jìn)一步參考圖2所示，前述抗硫化材14可設(shè)計(jì)其與電阻12同為相同材料所制 成，故可視為前述電阻12 —直延伸覆蓋前述銀電極上部1 la,因此在形成保護(hù)層13之前，可 直接令電阻12完全覆蓋基板10上表面的銀電極上部11a。由于抗硫化材14的隔絕保護(hù)，銀電極上部Ila不會與外界硫化物產(chǎn)生化合反應(yīng)而 逐漸延伸侵蝕到銀電極上部Ila與電阻12的接觸部分。本實(shí)用新型的技術(shù)手段亦可應(yīng)用于晶片排阻的結(jié)構(gòu)，與晶片電阻不同處僅在于從 印刷單一電阻12于基板10上改為印刷多個(gè)電阻12于基板10上，再令多個(gè)銀電極11a，lib, lie形成于該基板10兩側(cè)而分別連接各電阻12的一端；再令保護(hù)層13形成于基板10上而 覆蓋于該些電阻12上；最后再于基板10上形成多個(gè)抗硫化材14來覆蓋各銀電極上部Ila 的裸露部分，之后再視需求進(jìn)一步形成第一及第二金屬15、16。由于晶片排阻的結(jié)構(gòu)剖面示意與前述具單一電阻的晶片電阻的剖視圖相同，故在 此不重復(fù)繪制。綜上所述，本實(shí)用新型藉由在銀電極上覆蓋一層抗硫化材，可確保與電阻連接的 銀電極部分不會與外在環(huán)境的硫化物化合變成硫化銀，避免與電阻交界面接觸不良的情形 發(fā)生，進(jìn)而提升電阻在高硫化可靠度測試的產(chǎn)品穩(wěn)定性。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對本實(shí)用新型作任何形式上 的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟 悉本專業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容 作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi) 容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍 屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其特征在于其包含一基板；兩銀電極，分別形成于該基板兩側(cè)，各銀電極包含位于基板上表面的上部、位于基板側(cè)面的側(cè)部以及位于基板下表面的下部；一電阻，形成于該基板上表面，該電阻兩端分別延伸疊接于基板兩側(cè)的銀電極上部；一保護(hù)層，形成于基板上而覆蓋該電阻；及兩抗硫化材，分別形成于基板兩側(cè)而覆蓋各銀電極上部的裸露部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其特征在于其中所述的電阻 為抗硫化電阻，該兩抗硫化材為該電阻兩端的延伸部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其特征在于其中所述的兩抗 硫化材為抗硫化電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其特征在于其中所述的兩抗 硫化材為抗硫化電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻，其特征 在于其進(jìn)一步包含兩第一金屬分別覆蓋基板兩側(cè)的抗硫化材及銀電極，以及兩第二金屬分 別覆蓋該兩第一金屬。
6.一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其特征在于其包含 一基板；多個(gè)電阻，形成于該基板上表面，該些電阻兩端分別延伸至基板兩側(cè)； 多個(gè)銀電極，形成于該基板兩側(cè)而分別連接各電阻的一端，各銀電極包含位于基板上 表面而與電阻疊接的上部、位于基板側(cè)面的側(cè)部以及位于基板下表面的下部； 一保護(hù)層，形成于基板上而覆蓋于該些電阻上；及 多個(gè)抗硫化材，形成于基板上而覆蓋各銀電極上部的裸露部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其特征在于其中所述的該些 電阻為抗硫化電阻，該些抗硫化材分別為該些電阻兩端的延伸部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其特征在于其中所述的該些 抗硫化材為抗硫化電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片排阻，其特征在于其中所述的該些 抗硫化材為抗硫化電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一權(quán)利要求所述的具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片 排阻，其特征在于其進(jìn)一步包含多個(gè)第一金屬分別覆蓋基板兩側(cè)的抗硫化材及銀電極，以 及包含多個(gè)第二金屬分別覆蓋該些第一金屬。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)于一種具抗硫化電極結(jié)構(gòu)的晶片電阻及晶片排阻，該晶片電阻包含一基板、兩形成于基板兩側(cè)的銀電極、一形成于基板上并疊接兩側(cè)銀電極的電阻，一覆蓋該電阻的保護(hù)層以及一形成于基板上表面而覆蓋銀電極裸露部分的抗硫化材，藉由抗硫化材可確保銀電極不會與外在環(huán)境的硫化物化合變成硫化銀，避免與電阻交界面接觸不良的情形發(fā)生，進(jìn)而提升電阻在高硫化可靠度測試的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
文檔編號H01C7/00GK201663023SQ201020128439
公開日2010年12月1日 申請日期2010年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月3日
發(fā)明者郭俊雄 申請人:華新科技股份有限公司