專利名稱：一種極低阻抗電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電解電容器，特別涉及一種極低阻抗電容器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，電解電容器應(yīng)用在電子電器線路中，起到功率因素糾正、分頻、倍壓 整流濾波、半波電路等的作用?，F(xiàn)有鋁電解電容包括外殼、被包裹在外殼內(nèi)，連有引出線的 芯包和外殼中的電解液，芯包中包括有正負(fù)極性箔層和正負(fù)極性箔層之間的絕緣隔層。傳 統(tǒng)的芯包一般是將成對(duì)的正負(fù)極性箔層和正負(fù)極性箔層之間的絕緣隔層相間疊在一起，然 后卷繞而成。已有技術(shù)的這種電容器存在諸如不耐交流、不耐反向電壓、不耐高溫或是在高 溫下使用壽命短暫等缺陷，且不能適用于極性不明電路或大紋波極性電路中，再者，由于僅 采用電解液導(dǎo)電，會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電路徑窄小，電流的點(diǎn)沖擊大，相對(duì)負(fù)極易被擊穿的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種耐交流、耐反向電壓、耐高溫、使用壽命長(zhǎng)的極低阻 抗電容器。該鋁電解電容能適用于極性不明電路或大紋波極性電路中，導(dǎo)電路徑寬大，電流 的點(diǎn)沖擊小，相對(duì)負(fù)極不易被擊穿。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案為一種極低阻抗電容器，其包括一鋁 殼，所述鋁殼內(nèi)裝有電解液和一浸泡于電解液中的素子，所述鋁殼的頂部設(shè)有密封層，所述 素子由一正極箔片、一負(fù)極箔片和若干電解紙間隔繞卷而成，所述電解紙夾于所述正極箔 片和負(fù)極箔片之間，所述正極箔片上連接有一正極導(dǎo)針，所述負(fù)極箔片上連接有一負(fù)極導(dǎo) 針，所述正極導(dǎo)針和負(fù)極導(dǎo)針穿出所述密封層。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述正極導(dǎo)針和負(fù)極導(dǎo)針是鉚接到所述正極箔片和負(fù) 極箔片上。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述鋁殼上設(shè)有一用于緊固所述密封層的環(huán)型凹槽。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述密封層由環(huán)氧樹脂材料制成。本發(fā)明的有益效果為本發(fā)明結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，耐交流、耐反向電壓、耐高溫、使用壽 命長(zhǎng)，適用于極性不明電路或大紋波極性電路中，導(dǎo)電路徑寬大，電流的點(diǎn)沖擊小，相對(duì)負(fù) 極不易被擊穿。下面結(jié)合附圖與實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例見圖1，本發(fā)明一種極低阻抗電容器，其包括一鋁殼1，所述鋁殼1內(nèi)裝有 電解液4和一浸泡于電解液4中的素子，所述鋁殼1的頂部設(shè)有密封層3，所述素子由一正
3極箔片21、一負(fù)極箔片22和若干電解紙23間隔繞卷而成，所述電解紙23夾于所述正極箔 片21和負(fù)極箔片22之間，所述正極箔片21上連接有一正極導(dǎo)針對(duì)，所述負(fù)極箔片22上連 接有一負(fù)極導(dǎo)針25，所述正極導(dǎo)針M和負(fù)極導(dǎo)針25穿出所述密封層3。所述正極導(dǎo)針M和負(fù)極導(dǎo)針25是鉚接到所述正極箔片21和負(fù)極箔片22上。所述鋁殼1上設(shè)有一用于緊固所述密封層的環(huán)型凹槽11。所述密封層3由環(huán)氧樹脂材料制成。本發(fā)明結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，耐交流、耐反向電壓、耐高溫、使用壽命長(zhǎng)，適用于極性不明 電路或大紋波極性電路中，導(dǎo)電路徑寬大，電流的點(diǎn)沖擊小，相對(duì)負(fù)極不易被擊穿。如本發(fā)明實(shí)施例所述，與本發(fā)明相同或相似結(jié)構(gòu)的其他極低阻抗電容器，均在本 發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種極低阻抗電容器，其特征在于其包括一鋁殼，所述鋁殼內(nèi)裝有電解液和一浸 泡于電解液中的素子，所述鋁殼的頂部設(shè)有密封層，所述素子由一正極箔片、一負(fù)極箔片和 若干電解紙間隔繞卷而成，所述電解紙夾于所述正極箔片和負(fù)極箔片之間，所述正極箔片 上連接有一正極導(dǎo)針，所述負(fù)極箔片上連接有一負(fù)極導(dǎo)針，所述正極導(dǎo)針和負(fù)極導(dǎo)針穿出 所述密封層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低阻抗電容器，其特征在于，所述正極導(dǎo)針為鉚壓在所述 正極箔片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的極低阻抗電容器，其特征在于，所述負(fù)極導(dǎo)針是鉚壓在所述 負(fù)極箔片上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的極低阻抗電容器，其特征在于，所述鋁殼上設(shè)有一用于緊固 所述密封層的環(huán)型凹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的極低阻抗電容器，其特征在于，所述密封層由環(huán)氧樹脂材料 制成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種極低阻抗電容器，其包括一鋁殼，所述鋁殼內(nèi)裝有電解液和一浸泡于電解液中的素子，所述鋁殼的頂部設(shè)有密封層，所述素子由一正極箔片、一負(fù)極箔片和若干電解紙間隔繞卷而成，所述電解紙夾于所述正極箔片和負(fù)極箔片之間，所述正極箔片上連接有一正極導(dǎo)針，所述負(fù)極箔片上連接有一負(fù)極導(dǎo)針，所述正極導(dǎo)針和負(fù)極導(dǎo)針穿出所述密封層，本發(fā)明結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，耐交流、耐反向電壓、耐高溫、使用壽命長(zhǎng)，適用于極性不明電路或大紋波極性電路中，導(dǎo)電路徑寬大，電流的點(diǎn)沖擊小，相對(duì)負(fù)極不易被擊穿。
文檔編號(hào)H01G9/08GK102136368SQ20101062108
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者汪衍, 石木果 申請(qǐng)人:東莞宏強(qiáng)電子有限公司