專利名稱：氮化鎵晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化鎵晶體管的制作方法，特別是涉及一種增強(qiáng)式(Enhancement mode, E-mode)氮化鎵晶體管的制作方法。
背景技術(shù)：
參閱圖1是一以往氮化鎵晶體管結(jié)構(gòu)，包含一基板11、一具有依序由該基板11表面形成的一第一氮化鎵多晶膜121、一氮化鋁鎵多晶膜122，與一第二氮化鎵多晶膜123的半導(dǎo)體層12、一形成在該半導(dǎo)體層12頂面的介電層13、一形成在該介電層13頂面的柵極 14，及分別形成在該介電層13兩側(cè)的一源極15及一漏極16。而該氮化鎵晶體管由于半導(dǎo)體層12結(jié)構(gòu)中的該第一氮化鎵多晶膜121與該氮化鋁鎵多晶膜122會(huì)產(chǎn)生大量的極化電荷以形成二維電子氣(2DEG)，使得晶體管需在空泛模式(Deletion mode)操作，在此空泛模式操作的晶體管一般稱為常開(kāi)式(normal on)晶體管，由于常開(kāi)式晶體管的臨界電壓(threshold voltage)為負(fù)值，因此，在柵極零偏壓時(shí)晶體管仍會(huì)導(dǎo)通電流，而會(huì)形成額外的功率耗損；此外，當(dāng)前述的氮化鎵晶體管應(yīng)用于高功率電路系統(tǒng)時(shí)，由于高功率電路系統(tǒng)需在極高的偏壓環(huán)境下操作，容易產(chǎn)生瞬間脈沖電壓，如晶體管的臨界電壓不夠高，也會(huì)導(dǎo)致高功率元件不正常導(dǎo)通，造成元件誤動(dòng)作而影響系統(tǒng)的穩(wěn)定度。為了改善以往氮化鎵晶體管，使其具有高臨界電壓、耐高壓、高輸出功率及增強(qiáng)式操作的特性，美國(guó)專利第US7655962號(hào)專利揭露一種在AlGaN通道下方加入阻障層，利用阻障層的極化電荷空乏通道的電荷，并同時(shí)利用深凹陷式柵極結(jié)構(gòu)(de印recessed gate), 使得晶體管在零偏壓時(shí)不導(dǎo)通，而成為增強(qiáng)式晶體管；此外，在美國(guó)第2007/(^95993公開(kāi)號(hào)專利，則揭露一種CF4等離子體處理方式，使氟離子進(jìn)入AKiaN通道中空乏通道的電荷， 使得晶體管在零偏壓時(shí)不導(dǎo)通，而成為增強(qiáng)式晶體管；然而，前述的深凹陷式柵極結(jié)構(gòu)須導(dǎo)入表面蝕刻，此方式容易造成晶體管的表面狀態(tài)(surface state)密度增加，容易影響晶體管的電流特性及可靠度；而利用CF4等離子體處理方式，雖然可借由將氟離子導(dǎo)入元件中而提高臨界電壓，然而受限于氟離子的擴(kuò)散能力，利用CF4等離子體處理方式提升的臨界電壓范圍最多為+0. 9V，仍無(wú)法滿足需求。因此，如何在維持氮化鎵晶體管元件可靠度的條件下，提供一具有高臨界電壓、耐高壓、高輸出功率及增強(qiáng)式操作特性的氮化鎵晶體管則為本技術(shù)領(lǐng)域者不斷發(fā)展的方向之
ο由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的氮化鎵晶體管在方法及使用上，顯然仍存在有不便與缺陷， 而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的氮化鎵晶體管的制作方法，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的氮化鎵晶體管存在的缺陷，而提供一種新的氮化鎵晶體管的制作方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其提供一種制備具有高臨界電壓的增強(qiáng)式氮化鎵晶體管的方法，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種氮化鎵晶體管的制作方法，其中包含一準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備一發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有一基板，及一形成在該基板上的半導(dǎo)體多晶層，且該半導(dǎo)體多晶層含有N型氮化鎵系半導(dǎo)體材料；一開(kāi)口形成步驟，先于該半導(dǎo)體多晶層表面形成一由絕緣材料構(gòu)成的第一遮覆層， 及一形成于該第一遮覆層表面的第二遮覆層，且該第二遮覆層定義出一使該第一遮覆層部分表面裸露的開(kāi)口 ；一離子布值步驟，以離子布值方式自該開(kāi)口向下對(duì)該半導(dǎo)體多晶層進(jìn)行P型離子布值，于該半導(dǎo)體多晶層形成一摻雜區(qū)，之后將該第一、二遮覆層移除，使該半導(dǎo)體多晶層露出；一介電層形成步驟，于該半導(dǎo)體多晶層上沉積一層由高介電常數(shù)材料構(gòu)成的介電層；一源/漏極沉積步驟，以微影蝕刻方式將該介電層對(duì)應(yīng)該摻雜區(qū)兩側(cè)的結(jié)構(gòu)移除至該半導(dǎo)體多晶層裸露出，接著于該裸露出的半導(dǎo)體多晶層沉積金屬，于該摻雜區(qū)兩側(cè)形成一源極及一漏極；及一柵極沉積步驟，于該介電層的預(yù)定表面沉積金屬形成一柵極， 即可完成該氮化鎵晶體管的制作。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的氮化鎵晶體管的制作方法，其中所述的半導(dǎo)體多晶層具有由該基板依序向上形成的一第一氮化鎵多晶膜、一氮化鋁鎵多晶膜，及一第二氮化鎵多晶膜。前述的氮化鎵晶體管的制作方法，其中所述的離子布值步驟形成的摻雜區(qū)的深度不大于該第二氮化鎵多晶膜厚度的二分之一。前述的氮化鎵晶體管的制作方法，其中所述的還包含一實(shí)施在所述離子布值步驟之前的等離子體處理步驟，是先以等離子體處理方式使氟離子經(jīng)由該開(kāi)口進(jìn)入該氮化鋁鎵多晶膜中。前述的氮化鎵晶體管的制作方法，其中所述的第一遮覆層選自二氧化硅、氮化硅， 且厚度介于50-150nm之間。前述的氮化鎵晶體管的制作方法，其中所述的介電層是選自A1203、Hf02, La203、 Ce02, HfAlO, Ti02, Zr02 為材料。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種氮化鎵晶體管的制作方法，包含一準(zhǔn)備步驟、一開(kāi)口形成步驟、一離子布值步驟、一介電層形成步驟、一源/漏極沉積步驟，及一柵極沉積步驟。該準(zhǔn)備步驟是先準(zhǔn)備一發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有一基板，及一形成在該基板上的半導(dǎo)體多晶層，且該半導(dǎo)體多晶層含有N型氮化鎵系半導(dǎo)體材料。該開(kāi)口形成步驟是先于該半導(dǎo)體多晶層表面形成一由絕緣材料構(gòu)成的第一遮覆層，及一形成于該第一遮覆層表面的第二遮覆層，且該第二遮覆層定義出一使將該第一遮覆層部分表面裸露的開(kāi)口。該離子布值步驟，是以離子布值方式自該開(kāi)口向下對(duì)該半導(dǎo)體多晶層進(jìn)行P型離子布值，于該半導(dǎo)體多晶層形成一摻雜區(qū)，之后將該第一、二遮覆層移除，使該半導(dǎo)體多晶層露出。該介電層形成步驟是于該半導(dǎo)體多晶層上沉積一層由高介電常數(shù)材料構(gòu)成的介電層。該源/漏極沉積步驟是以微影蝕刻方式將該介電層對(duì)應(yīng)該摻雜區(qū)兩側(cè)的結(jié)構(gòu)移除至該半導(dǎo)體多晶層裸露出，接著于該裸露出的半導(dǎo)體多晶層沉積金屬，于該摻雜區(qū)兩側(cè)形成一源極及一漏極。該柵極沉積步驟是于該介電層的預(yù)定表面沉積金屬形成一柵極，即可完成該氮化鎵晶體管的制作。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明氮化鎵晶體管的制作方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果利用離子布值方式直接于該半導(dǎo)體多晶層中形成一 P型摻雜區(qū)，得到一 P-N接面，而得以提高臨界電壓，并再于該半導(dǎo)體多晶層的摻雜區(qū)上形成介電層，即可得到一同時(shí)具有高臨界電壓及低漏電流的增強(qiáng)式氮化鎵晶體管。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是一種以往氮化鎵晶體管的示意圖；圖2是說(shuō)明由本發(fā)明的較佳實(shí)施例制得的氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是一說(shuō)明本發(fā)明該較佳實(shí)施例的流程圖；圖4是一流程示意圖，輔助說(shuō)明圖3的步驟31-33 ；圖5是一流程示意圖，輔助說(shuō)明圖3的步驟34-35 ；圖6是一流程示意圖，輔助說(shuō)明圖3的步驟36。
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的氮化鎵晶體管的制作方法其具體實(shí)施方式
、方法、 步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。參閱圖2，本發(fā)明一種氮化鎵晶體管的制作方法的較佳實(shí)施例，是可用以制作如圖 2所示的氮化鎵晶體管。該氮化鎵晶體管包含一基板21、一半導(dǎo)體多晶層22、一介電層23，及一電極單元 24。該基板21可選自透明或不透明的絕緣材料構(gòu)成，例如藍(lán)寶石(sapphire)、硅 (silicon)，或碳化硅(silicon carbide)，由于該基板21及該半導(dǎo)體多晶層22的材料選擇為此技術(shù)領(lǐng)域者所周知，且非為本發(fā)明的重點(diǎn)，因此不再多加敘述。于本實(shí)施例中，該基板21是以藍(lán)寶石構(gòu)成，該半導(dǎo)體多晶層22是由N-型氮化鎵半導(dǎo)體材料構(gòu)成，具有一由該基板21表面依序向上形成的一第一氮化鎵(GaN)多晶膜221、 一氮化鋁鎵(AKiaN)多晶膜222、一第二氮化鎵多(GaN)晶膜223，及一自該第二氮化鎵多晶膜223頂面的預(yù)定區(qū)域向下形成的ρ型摻雜區(qū)224。該介電層23形成在該第二氮化鎵多晶膜223頂面的預(yù)定區(qū)域并遮覆該ρ型摻雜區(qū)224，由高介電常數(shù)材料構(gòu)成，可使該氮化鋁鎵多晶膜222的載子及電荷增加，而提升柵極243偏壓(正值)，適用于本發(fā)明該較佳實(shí)施例的高介電常數(shù)材料為A1203、Hf02、La203、 Ce02, HfAlO, Ti02, Zr02。該電極單元M由導(dǎo)電材料構(gòu)成，具有形成在該氮化鎵多晶膜223頂面，并位于該介電層23兩側(cè)的一源極Ml、一漏極M2，及一形成在該介電層23遠(yuǎn)離該摻雜區(qū)224的表面的柵極對(duì)3。
由于氮化鎵材料本身即具有以電子為多個(gè)載子的η型特性，因此通過(guò)該P(yáng)-型摻雜區(qū)224與該第二氮化鎵多晶膜223的ρ-η接面(p_n junction)所形成的內(nèi)建電壓即可用以提升該氮化鎵晶體管的臨界電壓，并再利用形成于該摻雜區(qū)2M上的介電層23，可再進(jìn)一步提升該氮化鎵晶體管的臨界電壓并降低其漏電流，而得到一具有高臨界電壓，并可同時(shí)改善晶體管的漏極輸出電流(drain output current)，及轉(zhuǎn)移電導(dǎo)(transconductance) 等特性，而可更適用于次世代高效能高壓驅(qū)動(dòng)及控制電路系統(tǒng)的增強(qiáng)式氮化鎵晶體管。上述的氮化鎵晶體管，在配合以下本發(fā)明氮化鎵晶體管的制作方法的較佳實(shí)施例說(shuō)明，當(dāng)可更清楚明白。參閱圖3，本發(fā)明氮化鎵晶體管的制作方法的較佳實(shí)施例，是包含以下六個(gè)步驟。配合參閱圖4，首先，進(jìn)行一準(zhǔn)備步驟31，準(zhǔn)備一發(fā)光元件加。該準(zhǔn)備步驟31是先準(zhǔn)備一具有一基板21，及一形成在該基板21上的半導(dǎo)體多晶層22的發(fā)光元件加。詳細(xì)地說(shuō)，該發(fā)光元件加即為一般的氮化鎵晶體管，于本實(shí)施例中，該基板21是以藍(lán)寶石構(gòu)成，該半導(dǎo)體多晶層22是具有自該基板21表面依序形成的一第一氮化鎵多晶膜221、一氮化鋁鎵多晶膜222，及一第二氮化鎵多晶膜223的三膜層結(jié)構(gòu)。接著進(jìn)行一開(kāi)口形成步驟32，于該半導(dǎo)體多晶層22上形成一被定義出一開(kāi)口 2 的第一遮覆層225。該步驟32是先于該第二氮化鎵多晶膜223的表面以等離子體輔助化學(xué)氣相沉積 (PECVD)方式于該第二氮化鎵多晶膜223的表面形成一由二氧化硅、氮化硅、氧化鋁等絕緣材料構(gòu)成的第一遮覆層225，接著于該第一遮覆層225表面涂布一由光阻材料構(gòu)成的第二遮覆層225a，該光阻材料可選自正型光阻或負(fù)型光阻，由于該光阻材料的種類選擇為本技術(shù)領(lǐng)域所周知且非為本技術(shù)重點(diǎn)，因此不再多加敘述，接著，以微影方式將該第二遮覆層 225a的預(yù)定結(jié)構(gòu)移除，使該第一遮覆層225部份表面露出，定義出一開(kāi)口 226。值得一提的是，該第一遮覆層225是用以控制后續(xù)離子布值的深度，當(dāng)該第一遮覆層225厚度太厚，則離子無(wú)法進(jìn)入該半導(dǎo)體多晶層22中，達(dá)成摻雜之效果；反之，當(dāng)該第一遮覆層225厚度不足，則布值離子將穿過(guò)欲布植的區(qū)域，而無(wú)法形成PN接面，較佳地，該第一遮覆層225的厚度不小于50nm，更佳地，該第一遮覆層225的厚度介于50_150nm之間。續(xù)配合參閱圖4，接著進(jìn)行一離子布值步驟33，于該半導(dǎo)體多晶層22形成一 ρ型摻雜區(qū)2Μ。該步驟33是以離子布值方式經(jīng)由該開(kāi)口 226向下對(duì)該第二氮化鎵多晶膜223進(jìn)行P型離子布值，于該第二氮化鎵多晶膜223中形成一 ρ型摻雜區(qū)224，再將該殘留的第二遮覆層22 及該第一遮覆層225移除使該第二氮化鎵多晶膜223露出。具體的說(shuō)，該步驟33的布值離子是選自例如鎂離子、硼離子等可形成P-型氮化鎵接面的離子，自該開(kāi)口 226向下對(duì)該第二氮化鎵多晶膜223進(jìn)行P型離子布值。值得一提的是，當(dāng)該形成的ρ型摻雜區(qū)2M深度過(guò)深時(shí)，會(huì)影響該第二氮化鎵多晶膜223/氮化鋁鎵多晶膜222形成二維電子氣0DEG)通道的能力，而當(dāng)ρ型摻雜區(qū)2M深度過(guò)淺，則其提升導(dǎo)通電壓(turn-on voltage)的效能不足，較佳地，該ρ型摻雜區(qū)224的深度不大于該第二氮化鎵多晶膜223厚度的二分之一。配合參閱圖5，進(jìn)行一介電層形成步驟34，于該半導(dǎo)體多晶層22上形成一介電層23。接著再進(jìn)行一源/漏極沉積步驟35，于該半導(dǎo)體多晶層22上形成一源極241及一漏極對(duì)2。續(xù)參閱圖5，詳細(xì)地說(shuō)，該步驟35是先在該介電層23上形成一由光阻材料構(gòu)成的光阻層100，以微影蝕刻方式將該介電層23對(duì)應(yīng)該ρ型摻雜區(qū)2M兩側(cè)的結(jié)構(gòu)移除至該第二氮化鎵多晶膜223表面裸露出，接著于該裸露出的半導(dǎo)體多晶層22上沉積金屬M(fèi)a，之后再將該殘留的光阻層100及對(duì)應(yīng)沉積在該光阻層上的金屬2 移除，于該ρ型摻雜區(qū)2M 兩側(cè)形成一源極241及一漏極M2。配合參閱圖6，最后進(jìn)行一柵極沉積步驟36，于該介電層23上形成一柵極M3。詳細(xì)地說(shuō)，該步驟36是先于該介電層23及該源極Ml、漏極242表面形成一光阻層200，再以微影方式將該光阻層200對(duì)應(yīng)該ρ型摻雜區(qū)224的預(yù)定結(jié)構(gòu)移除至該介電層 23露出，接著于該露出的介電層23上沉積金屬M(fèi)a，最后再將殘留的該光阻層200及沉積在該光阻層200上的金屬2 移除，于該介電層23形成一柵極M3，即可完成該氮化鎵晶體管2的制作。此外，值得一提的是，本發(fā)明氮化鎵晶體管的制作方法的該較佳實(shí)施例可更包含一實(shí)施在該離子布值步驟33之前的等離子體處理步驟，先利用四氟化碳(CF4)等離子體， 自該開(kāi)口 2 將氟離子導(dǎo)入該氮化鋁鎵多晶膜222中，可更進(jìn)一步提升該氮化鎵晶體管2 的電流輸出，而增加該氮化鎵晶體管2的導(dǎo)通電壓。綜上所述，本發(fā)明利用離子布值方式直接于該具有η型特性的氮化鎵多晶膜中形成一 P型摻雜區(qū)，而得到ρ-η接面，通過(guò)該ρ-η接面形成的內(nèi)建電壓，提升該氮化鎵晶體管的臨界電壓，使其能在增強(qiáng)模式下操作，工藝簡(jiǎn)單、容易控制，不像一般須利用額外形成一 P型多晶層以形成Ρ-η接面，因此不會(huì)有多晶接面缺陷的問(wèn)題產(chǎn)生；也不會(huì)像現(xiàn)有習(xí)知因?yàn)槭褂梦g刻掘深工藝，而對(duì)元件表面造成損害，增加缺陷密度的問(wèn)題，或是以等離子體處理方式無(wú)法調(diào)整至較高位準(zhǔn)的臨界電壓的缺點(diǎn)；同時(shí)，本發(fā)明再輔以高介電常數(shù)材料構(gòu)成的介電層，進(jìn)一步提升臨界電壓，并降低晶體管的漏電流，而有助于減少元件待機(jī)時(shí)的功率耗損、降低元件應(yīng)用至電路的復(fù)雜度，而可得到一更適用于次世代高效能高壓驅(qū)動(dòng)及控制電路系統(tǒng)的增強(qiáng)式氮化鎵晶體管，故確實(shí)能達(dá)成本發(fā)明的目的。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于包含一準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備一發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有一基板，及一形成在該基板上的半導(dǎo)體多晶層，且該半導(dǎo)體多晶層含有N型氮化鎵半導(dǎo)體材料；一開(kāi)口形成步驟，先于該半導(dǎo)體多晶層表面形成一由絕緣材料構(gòu)成的第一遮覆層，及一形成于該第一遮覆層表面的第二遮覆層，且該第二遮覆層定義出一使該第一遮覆層部分表面裸露的開(kāi)口；一離子布值步驟，以離子布值方式自該開(kāi)口向下對(duì)該半導(dǎo)體多晶層進(jìn)行P型離子布值，于該半導(dǎo)體多晶層形成一摻雜區(qū)，之后將該第一、二遮覆層移除，使該半導(dǎo)體多晶層露出；一介電層形成步驟，于該半導(dǎo)體多晶層上沉積一層由高介電常數(shù)材料構(gòu)成的介電層；一源/漏極沉積步驟，以微影蝕刻方式將該介電層對(duì)應(yīng)該摻雜區(qū)兩側(cè)的結(jié)構(gòu)移除至該半導(dǎo)體多晶層裸露出，接著于該裸露出的半導(dǎo)體多晶層沉積金屬，于該摻雜區(qū)兩側(cè)形成一源極及一漏極；及一柵極沉積步驟，于該介電層的預(yù)定表面沉積金屬形成一柵極，即可完成該氮化鎵晶體管的制作。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于所述半導(dǎo)體多晶層具有由該基板依序向上形成的一第一氮化鎵多晶膜、一氮化鋁鎵多晶膜，及一第二氮化鎵多晶膜。
3.如權(quán)利要求2所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于所述離子布值步驟形成的摻雜區(qū)的深度不大于該第二氮化鎵多晶膜厚度的二分之一。
4.如權(quán)利要求3所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于還包含一實(shí)施在所述離子布值步驟之前的等離子體處理步驟，是先以等離子體處理方式使氟離子經(jīng)由該開(kāi)口進(jìn)入該氮化鋁鎵多晶膜中。
5.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于所述第一遮覆層選自二氧化硅、氮化硅，且厚度介于50-150nm之間。
6.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于所述介電層是選自 A1203、Hf02, La203、Ce02, HfAlO, Ti02, Zr02 為材料。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種氮化鎵晶體管的制作方法，包含一準(zhǔn)備步驟、一開(kāi)口形成步驟、一離子布值步驟、一介電層形成步驟、一源/漏極沉積步驟，及一柵極沉積步驟，首先準(zhǔn)備一含N型氮化鎵半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體多晶層，于該半導(dǎo)體多晶層上形成一定義出一開(kāi)口的遮覆層，接著對(duì)該半導(dǎo)體多晶層進(jìn)行P型離子布值，于該半導(dǎo)體多晶層形成一摻雜區(qū)，再于該半導(dǎo)體多晶層表面沉積一層由高介電常數(shù)材料構(gòu)成的介電層，之后于該半導(dǎo)體多晶層表面對(duì)應(yīng)該摻雜區(qū)兩側(cè)形成一源極及一漏極，再于對(duì)應(yīng)該摻雜區(qū)上方的介電層表面形成一柵極，即可完成該氮化鎵晶體管的制作。
文檔編號(hào)H01L21/265GK102569071SQ201010593719
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者張嘉華, 張翼, 林岳欽 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人交大思源基金會(huì)