專利名稱：陣列基板及其制造方法和電子紙顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和電子紙顯示
O
背景技術(shù)：
電子紙顯示器是一種兼具顯示器和紙兩者優(yōu)點(diǎn)的新的顯示裝置，其顯示效果與紙張接近，具有柔性顯示、攜帶輕便、可擦寫、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。有源電子紙顯示器主要包括上基板、電子墨水層(顯示介質(zhì))和下基板(陣列基板)，通常采用底柵反交疊結(jié)構(gòu)，由涂覆電泳粒子的上基板與陣列基板直接粘接構(gòu)成，主要通過(guò)電子墨水層中反射能力佳的白色顏料粒子來(lái)顯示亮態(tài)，通過(guò)電子墨水層中吸收能力佳的黑色粒子來(lái)顯示暗態(tài)來(lái)完成圖像的顯示。由于有源電子紙顯示器不需要背光源，驅(qū)動(dòng)有源電子紙顯示器的陣列基板可以采用反射型設(shè)計(jì)?，F(xiàn)有陣列基板的典型結(jié)構(gòu)包括襯底基板；襯底基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線；數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor ；簡(jiǎn)稱為TFT)開(kāi)關(guān)和像素電極；其中，TFT開(kāi)關(guān)包括柵電極、源電極、漏電極和有源層；柵電極連接?xùn)啪€，源電極連接數(shù)據(jù)線，漏電極連接像素電極，有源層形成在源電極和漏電極與柵電極之間。襯底基板上一般還形成有公共電極線，用于向公共電極輸入公共電壓。在陣列基板的該經(jīng)典結(jié)構(gòu)中， TFT區(qū)域位于較頂層因此直接暴露于外面。而在采用底柵反交疊結(jié)構(gòu)的電子紙顯示器中，與陣列基板對(duì)盒的上基板中無(wú)法設(shè)置黑矩陣，因此，陣列基板上的TFT區(qū)域內(nèi)的溝道無(wú)法被遮擋，會(huì)受到透過(guò)電泳粒子層的外界環(huán)境光的照射，進(jìn)而產(chǎn)生漏電流，造成顯示時(shí)的交叉串?dāng)_和電子紙顯示器對(duì)比度的降低。為解決上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)提出一種陣列基板的結(jié)構(gòu)，如圖1所示，該陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成有柵線(未示出)、柵電極3、柵絕緣層4、半導(dǎo)體層61、摻雜半導(dǎo)體層62、源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線(未示出)、鈍化層9、擋光層12、過(guò)孔10和像素電極11。其中，擋光層12是在形成鈍化層9之后，在襯底基板1上涂覆黑色有機(jī)感光材料， 并通過(guò)曝光刻蝕工藝在黑色有機(jī)感光材料上刻蝕形成過(guò)孔10后形成的；像素電極11通過(guò)過(guò)孔10與漏電極8連接。上述技術(shù)方案是通過(guò)在陣列基板中增設(shè)擋光層來(lái)遮擋TFT區(qū)域的溝道，避免溝道受到環(huán)境光的照射。但是該技術(shù)方案必須利用特殊的黑色有機(jī)感光材料來(lái)做擋光層，且在制造過(guò)程中對(duì)制作工藝的條件要求較高，例如要求要能保證黑色有機(jī)感光材料具有一定的平整度和硬度，且要求制造溫度既要滿足濺射像素電極薄膜時(shí)的需求， 又要控制在黑色有機(jī)感光材料所能承受的范圍，因此，上述技術(shù)方案在實(shí)際應(yīng)用中可行性較差，不能很好的解決底柵式反交疊結(jié)構(gòu)下出現(xiàn)的漏電流的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和電子紙顯示器，以降低漏電流對(duì)陣列基板顯示性能的影響，提高陣列基板的顯示質(zhì)量。
本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括在第一襯底基板上沉積源漏金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案；在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括半導(dǎo)體層的圖案；在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層和過(guò)孔的圖案，所述過(guò)孔形成于所述柵絕緣層上對(duì)應(yīng)所述漏電極的位置，所述過(guò)孔露出部分漏電極；在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和像素電極的圖案，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極連接；在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵極保護(hù)層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵極保護(hù)層的圖案。本發(fā)明提供一種陣列基板，包括第一襯底基板，所述第一襯底基板上形成有縱橫交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素單元；每個(gè)像素單元包括TFT 開(kāi)關(guān)和像素電極；所述TFT開(kāi)關(guān)包括柵電極、源電極、漏電極和半導(dǎo)體層；所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線形成于所述第一襯底基板上；所述半導(dǎo)體層形成于所述源電極和所述漏電極之間，并與所述源電極和所述漏電極連接；所述半導(dǎo)體層上方形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述第一襯底基板；所述柵電極和柵線形成于所述柵絕緣層之上；所述像素電極與所述柵電極同層設(shè)置且同步形成；所述像素電極通過(guò)貫穿所述柵絕緣層的過(guò)孔與所述漏電極連接；所述柵電極上方形成有柵極保護(hù)層。本發(fā)明提供一種電子紙顯示器，包括本發(fā)明提供的任一陣列基板和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的上基板，所述上基板和陣列基板中夾設(shè)有顯示介質(zhì)。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法和電子紙顯示器，采用柵電極形成于TFT溝道之上的頂柵式結(jié)構(gòu)，利用柵電極可以擋住環(huán)境光對(duì)TFT溝道的光照，避免了 TFT溝道出現(xiàn)漏電流，降低了漏電流對(duì)陣列基板顯示性能的影響，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量；同時(shí)像素電極與柵電極通過(guò)同一構(gòu)圖工藝形成，即同步形成，簡(jiǎn)化了陣列基板的制造工藝，節(jié)約了制造成本。


圖1為現(xiàn)有陣列基板增加了擋光層的陣列基板的剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖3A為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖;3B為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成包括摻雜半導(dǎo)體層、 源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案的陣列基板側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3C為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成包括半導(dǎo)體層的圖案的陣列基板的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3D為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成包括柵絕緣層和過(guò)孔的圖案的陣列基板的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3E為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成包括柵電極、柵線和像素電極的圖案的陣列基板的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3F為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成包括柵極保護(hù)層的圖案的陣列基板的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3G為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法形成的陣列基板的局部俯視示意圖。圖4A為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖4B為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法中形成包括摻雜半導(dǎo)體層、 源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容的圖案的陣列基板的局部俯視示意圖；圖4C為沿圖4B中A-A線的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4D為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法形成的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A為本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板的一種制造方法的流程圖；圖5B為本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板的又一種制造方法的流程圖；圖5C為本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板的制造方法形成的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5D為沿圖5C中A-A線的一種側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。主要附圖標(biāo)記1-襯底基板；4-柵絕緣層；61-半導(dǎo)體層；8-漏電極；11-像素電極；14-存儲(chǔ)電容；
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法的流程圖，如圖2所示，該陣列基板的制造方法包括
步驟201、在第一襯底基板上沉積源漏金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源電極、 漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案；具體的，可以采用濺射工藝在第一襯底基板上沉積源漏金屬薄膜，其中，源漏金屬薄膜可以采用鋁(Al)、鉬(Mo)、釹(Nd)等金屬元素；接著，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線等圖案。其中，源電極和漏電極之間為形成TFT溝道的區(qū)域。步驟202、在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括半導(dǎo)體層的圖案；
2-柵線； 5-數(shù)據(jù)線； 62-摻雜半導(dǎo)體層； 9-鈍化層； 12-擋光層； 15-補(bǔ)充公共電極。
3-柵電極；
6-有源層；
7-源電極； 10-過(guò)孔；
13-柵極保護(hù)層；
7
該半導(dǎo)體層形成于源電極和漏電極之間，并分別與源電極和漏電極電連接，以形成TFT溝道；其中，該半導(dǎo)體層即為有源層。步驟203、在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層和過(guò)孔的圖案，所述過(guò)孔形成于所述柵絕緣層上對(duì)應(yīng)所述漏電極的位置， 所述過(guò)孔露出部分漏電極；具體的，可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Chemical Vapor Deposition ；簡(jiǎn)稱為PECVD)方法在形成有有源層圖案的第一襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜；接著，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層和過(guò)孔。其中，柵絕緣層除過(guò)孔區(qū)域外覆蓋于整個(gè)第一襯底基板上，同時(shí)覆蓋其下層除過(guò)孔位置露出的漏電極之外的各種圖案；而過(guò)孔貫穿柵絕緣層，并露出部分漏電極，以使漏電極與下一步驟形成的像素電極相接觸。其中，為了使像素電極和漏電極充分接觸，可以對(duì)對(duì)應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜進(jìn)行適當(dāng)過(guò)刻。步驟204、在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和像素電極的圖案，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極連接；具體的，可以采用濺射工藝沉積柵金屬薄膜，例如Mo ；接著，對(duì)上述薄膜進(jìn)行構(gòu)圖形成柵電極、柵線和像素電極等圖案。其中，柵電極形成于柵絕緣層上方對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層的位置，即對(duì)應(yīng)于TFT溝道。本實(shí)施例中，柵電極遮擋TFT溝道。進(jìn)一步，在本實(shí)施例中，像素電極與柵電極、柵線采用相同材料同層且同步形成；像素電極與柵電極和柵線間隔設(shè)置，以實(shí)現(xiàn)絕緣；且像素電極通過(guò)過(guò)孔與漏電極連接。步驟205、在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵極保護(hù)層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵極保護(hù)層的圖案。其中，柵極保護(hù)層主要用于使柵電極與柵電極上層的其他圖案相絕緣，以保護(hù)柵電極。其中，在本實(shí)施例中涉及的構(gòu)圖工藝通常包括涂覆光刻膠、曝光顯影、刻蝕和去除光刻膠等操作。以步驟203為例，該構(gòu)圖工藝包括在柵絕緣層薄膜上涂覆光刻膠；然后，采用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠圖案，其中光刻膠完全去除區(qū)域即為形成過(guò)孔的位置；接著，采用干法刻蝕工藝，對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的柵絕緣層薄膜進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔；由于柵絕緣層用于覆蓋整個(gè)第一襯底基板，以使柵電極與其下層的圖案絕緣，即除了刻蝕出過(guò)孔外其余區(qū)域的柵絕緣層薄膜均無(wú)須刻蝕，因此，在刻蝕出過(guò)孔的同時(shí)即形成了柵絕緣層。以上為本發(fā)明各實(shí)施例中所述構(gòu)圖工藝的具體示例。本實(shí)施例的陣列基板的制造方法，通過(guò)上述沉積和構(gòu)圖工藝形成了具有頂柵式結(jié)構(gòu)的陣列基板，柵電極位于TFT溝道之上，可以遮擋環(huán)境光對(duì)TFT溝道的照射，避免了 TFT 溝道中因受到光照產(chǎn)生漏電流，降低了漏電流對(duì)陣列基板顯示性能的影響，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量；同時(shí)，在本實(shí)施例中，像素電極與柵電極和柵線通過(guò)同一構(gòu)圖工藝，即同步形成，可以簡(jiǎn)化陣列基板的制造工藝，節(jié)約制造成本。實(shí)施例二圖3A為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，該陣列基板的制造方法形成的陣列基板可以為反射型的有源顯示器(例如電子紙顯示器)中的陣列基板，其主要區(qū)別在于，本實(shí)施例的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上方包括摻雜半導(dǎo)體層。如圖3A所示，本實(shí)施例的制造方法包括
步驟301、在第一襯底基板沉積源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜；具體的，可以采用濺射工藝在第一襯底基板上沉積源漏金屬薄膜，然后采用PECVD方法在源漏金屬薄膜上沉積摻雜半導(dǎo)體層薄膜。其中，摻雜半導(dǎo)體層薄膜的材料優(yōu)選采用N+-a-Si。步驟3021、在摻雜半導(dǎo)體層薄膜上涂覆光刻膠；步驟3022、采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線圖案，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于其他區(qū)域。步驟3023、采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層薄膜， 形成包括摻雜半導(dǎo)體層的圖案；步驟30 、采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜，形成包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案；其中，源電極和漏電極之間為形成TFT溝道的區(qū)域。 其中，數(shù)據(jù)線上方形成有摻雜半導(dǎo)體層薄膜。其中，通過(guò)上述步驟在形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的同時(shí)在源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上方形成了摻雜半導(dǎo)體層。通過(guò)上述步驟形成的包括摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案的陣列基板的側(cè)視結(jié)構(gòu)如圖3B所示，具體包括第一襯底基板1、源電極7、漏電極8和摻雜半導(dǎo)體層62。步驟303、在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜；步驟3041、在半導(dǎo)體層薄膜上涂覆光刻膠；步驟3042、采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于TFT溝道，即對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層圖案；光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于其他區(qū)域。步驟3043、對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體層薄膜進(jìn)行刻蝕，形成包括半導(dǎo)體層的圖案；即通過(guò)刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體層薄膜，形成位于源電極和漏電極之間并與摻雜半導(dǎo)體層連接的半導(dǎo)體層。其中，上述步驟3041-步驟3043為實(shí)施例一中步驟202中通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括半導(dǎo)體層的圖案的一種具體實(shí)施方式
。通過(guò)上述步驟形成的包括半導(dǎo)體層的圖案的陣列基板側(cè)視結(jié)構(gòu)如圖3C所示，具體包括第一襯底基板1、源電極7、漏電極8、摻雜半導(dǎo)體層62， 形成于源電極7和漏電極8之間并與摻雜半導(dǎo)體層62連接的半導(dǎo)體層61 ；其中半導(dǎo)體層 61和摻雜半導(dǎo)體層62共同作為有源層6(如圖3G所示)。其中，摻雜半導(dǎo)體層62可以提高半導(dǎo)體層61與源電極7和漏電極8之間的接觸電導(dǎo)。其中，當(dāng)半導(dǎo)體層61與源電極7 和漏電極8之間的接觸電導(dǎo)足夠時(shí)，例如半導(dǎo)體層61采用氧化物半導(dǎo)體材料，此時(shí)可以不設(shè)置摻雜半導(dǎo)體層62，此時(shí)半導(dǎo)體層61直接與源電極7和漏電極8連接。步驟305、在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜；具體的，可以通過(guò)PECVD方法在形成有源層圖案的第一襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜。其中，在現(xiàn)有底柵式陣列基板的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)使柵電極與其上層圖案(即有源層) 相互絕緣而保護(hù)柵電極的膜層為柵絕緣層，該柵絕緣層覆蓋于柵電極上方；其中，由于在陣列基板的各圖案中，柵電極的厚度相對(duì)較厚，而為了不影響后續(xù)圖案，對(duì)覆蓋于柵電極上方的柵絕緣層的厚度具有較為嚴(yán)格的要求，通常柵絕緣層的厚度在4000 A左右。因此，在現(xiàn)有底柵式陣列基板中，無(wú)法通過(guò)減小柵絕緣層的厚度來(lái)增加?xùn)沤^緣層的電容以提高TFT的充電能力。與現(xiàn)有技術(shù)不同，本實(shí)施例的陣列基板為頂柵式結(jié)構(gòu)，通過(guò)使柵電極與有源層絕緣以保護(hù)柵電極的柵絕緣層薄膜沉積于有源層之上，使柵絕緣層覆蓋于有源層上方。由于在陣列基板的各圖案中，有源層的厚度相對(duì)小于柵電極的厚度，因此，在本實(shí)施例中柵絕緣層的厚度可以適當(dāng)減小，以增大單位面積柵絕緣層的電容，進(jìn)而增強(qiáng)TFT的充電能力，提高陣列基板的顯示性能?；诔Ｒ?jiàn)有源層和柵電極厚度的大小關(guān)系，采用本實(shí)施例技術(shù)方案形成陣列基板中的柵絕緣層的厚度可以比現(xiàn)有技術(shù)(例如4000A)小20-50%。其中，若比4000 A小20%，則本實(shí)施例中的柵絕緣層厚度為3600 A;若比4000 A小50%，則本實(shí)施例的柵絕緣層厚度約為2000人;柵絕緣層減小以上厚度將會(huì)極大的增加其電容，明顯提高陣列基板的性能。步驟3061、在柵絕緣層薄膜上涂覆光刻膠；步驟3062、采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；其中，光刻膠完全去除區(qū)域即為形成過(guò)孔的位置，其余區(qū)域均為光刻膠完全保留區(qū)域。步驟3063、采用干法刻蝕工藝，對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的柵絕緣層薄膜進(jìn)行刻蝕；步驟3064、采用濕法刻蝕工藝，對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕， 同時(shí)形成過(guò)孔和柵絕緣層。其中，在刻蝕摻雜半導(dǎo)體層時(shí)，可進(jìn)行適當(dāng)過(guò)刻，以使漏電極與下一步形成的像素電極能夠充分接觸。當(dāng)不包括摻雜半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)時(shí)，則直接刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域的柵絕緣層薄膜即可形成過(guò)孔和柵絕緣層。其中，上述步驟3061-步驟3064為實(shí)施例一中步驟203中通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層和過(guò)孔的圖案的一種具體實(shí)施方式
。通過(guò)上述步驟形成的包括柵絕緣層和過(guò)孔的圖案的陣列基板側(cè)視結(jié)構(gòu)如圖3D所示，具體包括第一襯底基板1、源電極7、漏電極8、摻雜半導(dǎo)體層62、形成于源電極7和漏電極8之間并與摻雜半導(dǎo)體層62連接的半導(dǎo)體層61、柵絕緣層4和過(guò)孔10 ；其中，柵絕緣層4覆蓋整個(gè)第一襯底基板1，過(guò)孔10貫穿柵絕緣層4和摻雜半導(dǎo)體層62，露出部分漏電極8。步驟307、在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵金屬薄膜；具體可以采用濺射工藝沉積柵金屬薄膜。步驟3081、在柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；步驟3082、采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠圖案；其中，光刻膠完全保留區(qū)域主要對(duì)應(yīng)于形成柵電極 (即對(duì)應(yīng)于有源層圖案的位置)、柵線和像素電極圖案，光刻膠完全去除區(qū)域主要對(duì)應(yīng)于使像素電極和柵電極、柵線間隔的區(qū)域等。步驟3083、對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，形成包括柵電極、柵線和像素電極的圖案；其中，上述步驟3081-步驟3083為實(shí)施例一中步驟204中通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和像素電極的圖案的一種具體實(shí)施方式
。通過(guò)上述步驟形成的包括柵電極、柵線和像素電極的圖案的陣列基板側(cè)視結(jié)構(gòu)如圖3E所示，具體包括第一襯底基板1、源電極 7、漏電極8、摻雜半導(dǎo)體層62、形成于源電極7和漏電極8之間并與摻雜半導(dǎo)體層62連接的半導(dǎo)體層61、柵絕緣層4、過(guò)孔10、柵電極3和像素電極11 ；其中，柵電極3形成于柵絕緣層4之上對(duì)應(yīng)于TFT溝道。其中，在現(xiàn)有底柵式陣列基板的結(jié)構(gòu)中，由于柵電極形成于陣列基板的其他圖案之下，而柵電極的厚度還相對(duì)較厚，因此為避免對(duì)其上層圖案造成影響，對(duì)柵電極的厚度具有嚴(yán)格要求，不能隨意增加?xùn)烹姌O的厚度，因此，通過(guò)增加?xùn)烹姌O的厚度以降低柵電極信號(hào)的延遲對(duì)底柵式陣列基板來(lái)說(shuō)是一種難度較大的技術(shù)方案。而本實(shí)施例的柵金屬薄膜沉積于其他圖案之上，形成的柵電極幾乎位于陣列基板上所有圖案(除像素電極)的上方，柵電極對(duì)其下方各圖案的影響遠(yuǎn)小于現(xiàn)有底柵式結(jié)構(gòu)，因此，采用本實(shí)施例技術(shù)方案可以適當(dāng)增加?xùn)烹姌O的厚度，以減小柵電極的電阻，降低柵電極信號(hào)的延遲，進(jìn)一步提高陣列基板的顯示質(zhì)量。其中，本實(shí)施例的柵電極的厚度可以大于2200 A (現(xiàn)有技術(shù)通常為2200 A )，或者可比現(xiàn)有技術(shù)常用厚度值增大10 % -30 %。由于柵電極厚度具體增大多少與制造工藝以及所用材料等因素均有較大關(guān)系，因此，本實(shí)施例提供的柵電極厚度僅用于供本領(lǐng)域技術(shù)人員參考，并不做限定。步驟309、在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵極保護(hù)層薄膜；步驟3101、在柵極保護(hù)層薄膜上涂覆光刻膠；步驟3102、采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；其中，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極圖案，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域。步驟3103、采用干法刻蝕工藝，依次刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的柵極保護(hù)層薄膜，形成包括柵極保護(hù)層的圖案。其中，上述步驟3101-步驟3103為實(shí)施例一中步驟205中通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵極保護(hù)層圖案的一種具體實(shí)施方式
。通過(guò)上述步驟形成的包括柵極保護(hù)層的圖案的陣列基板的側(cè)視結(jié)構(gòu)如圖3F所示，具體包括第一襯底基板1、源電極7、漏電極8、摻雜半導(dǎo)體層 62、形成于源電極7和漏電極8之間并與摻雜半導(dǎo)體層62連接的半導(dǎo)體層61、柵絕緣層4、 過(guò)孔10、柵電極3、柵極保護(hù)層13 ；其中，柵極保護(hù)層13主要用于保護(hù)柵電極3。至此形成本實(shí)施例的陣列基板，其局部俯視結(jié)構(gòu)如圖3G所示。在此需要說(shuō)明，在本實(shí)施例中形成各圖案后還包括去除殘留光刻膠(即光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠)的步驟，由于該步驟屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)，故在本實(shí)施例中未一一示出，以簡(jiǎn)化描述。其中，由于本實(shí)施例形成的陣列基板為反射式有源顯示器中的陣列基板，像素電極通過(guò)反射環(huán)境光進(jìn)行顯示，因此像素電極的材料可以為透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫 (ITO)，也可以為非透明導(dǎo)電材料，例如電阻率較小的金屬材料，減小對(duì)公共電極信號(hào)的延遲。本實(shí)施例的陣列基板的制造方法形成了具有柵電極位于TFT溝道上方的頂柵式結(jié)構(gòu)的陣列基板，柵電極可以遮擋環(huán)境光對(duì)TFT溝道的照射，避免了 TFT溝道因受到光照產(chǎn)生的漏電流，降低了漏電流對(duì)陣列基板顯示性能的影響，提高了陣列基板的顯示性能；同時(shí)，由于采用頂柵式結(jié)構(gòu)，柵絕緣層的厚度可以減小，提高了 TFT的充電能力，而柵電極的厚度可以增加，降低了柵電極的電阻，降低了柵電極信號(hào)的延遲，進(jìn)一步提高了陣列基板的性能。
實(shí)施例三圖4A為本發(fā)明實(shí)施例三案提供的陣列基板的制造方法的流程圖，本實(shí)施例可基于實(shí)施例一或?qū)嵤├?shí)現(xiàn)，以基于實(shí)施例二為例，其區(qū)別在于本實(shí)施例在形成包括摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案的同時(shí)還包括形成存儲(chǔ)電容。如圖4A所示，形成包括摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容的圖案的步驟包括步驟2011、在摻雜半導(dǎo)體層薄膜上涂覆光刻膠；步驟2012、采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；步驟2013、采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層薄膜， 形成包括摻雜半導(dǎo)體層的圖案；步驟2014、采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜，形成包括源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容的圖案。即在本實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容是與源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線同步形成且同層設(shè)置的。當(dāng)基于實(shí)施例一時(shí)，上述技術(shù)方案要求在步驟201中同時(shí)刻蝕出存儲(chǔ)電容。其中， 圖4B為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法中形成包括摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容的圖案的陣列基板的局部俯視示意圖，圖4C為沿圖4B中A-A線的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；其中圖4B和圖4C所示為存儲(chǔ)電容14的一種實(shí)施結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)電容14的引線與數(shù)據(jù)線平行。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)施例的啟示對(duì)存儲(chǔ)電容14的形狀進(jìn)行適應(yīng)性改變。在此說(shuō)明，由于摻雜半導(dǎo)體層與源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容是在同一構(gòu)圖工藝中形成的，其圖案相互重合，在圖4B中僅給出源電極和漏電極的標(biāo)號(hào)，而未示出摻雜半導(dǎo)體層，摻雜半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)圖4C所示。在本實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容與源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且同步形成在第一襯底基板上，省略了單獨(dú)形成存儲(chǔ)電容的制造工藝，因此，簡(jiǎn)化了陣列基板的制造工藝，節(jié)約了制造成本；另外，當(dāng)所形成的陣列基板為采用反射式結(jié)構(gòu)的陣列基板時(shí)，由于存儲(chǔ)電容設(shè)置于像素電極下方，不會(huì)遮擋像素電極，因此，存儲(chǔ)電容不會(huì)影響陣列基板的開(kāi)口率。基于此，在充分考慮源電極和漏電極等導(dǎo)電圖案的基礎(chǔ)上，可以適當(dāng)增大存儲(chǔ)電容的面積，以增大存儲(chǔ)電容。而根據(jù)TFT的電學(xué)特性可知，增大存儲(chǔ)電容可減弱數(shù)據(jù)線、柵線與像素電極之間的耦合電容效應(yīng)，可有效降低像素電極的跳變電壓，增強(qiáng)像素電極電壓的保持率，并可進(jìn)一步提高陣列基板的顯示效果。即本實(shí)施例技術(shù)方案還具有通過(guò)增大存儲(chǔ)電容以進(jìn)一步提高陣列基板的顯示質(zhì)量的優(yōu)勢(shì)。其他步驟可參見(jiàn)實(shí)施例二的描述，圖4D為本實(shí)施例最終形成的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。實(shí)施例四圖5A為本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板的一種制造方法的流程圖。本實(shí)施例可基于上述實(shí)施例實(shí)現(xiàn)，且本實(shí)施例技術(shù)方案適用于制造反射型設(shè)計(jì)的陣列基板。以實(shí)施例二為基礎(chǔ)，如圖5A所示，本實(shí)施例的制造方法還包括步驟311、在柵極保護(hù)層上方形成補(bǔ)充公共電極。在電子紙顯示器中，顯示介質(zhì)主要受控于像素電極和公共電極。其中，顯示介質(zhì)中與像素電極對(duì)應(yīng)的部分為正常控制區(qū)域，而其他區(qū)域?yàn)榉钦？刂茀^(qū)域，主要是指TFT開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)的區(qū)域。在非正?？刂茀^(qū)域內(nèi)，顯示介質(zhì)會(huì)因受到數(shù)據(jù)線和柵線的干擾，而嚴(yán)重影響顯示品質(zhì)。而本發(fā)明通過(guò)在顯示介質(zhì)的非正?？刂茀^(qū)域?qū)?yīng)的陣列基板上形成補(bǔ)充公共電極，并在該補(bǔ)充公共電極上提供公共電壓，這樣補(bǔ)充公共電極上具有與上層公共電極上相同的公共電壓，這將使得該非正?？刂茀^(qū)域的顯示介質(zhì)處于零電場(chǎng)狀態(tài)，進(jìn)而使得原本非正?？刂茀^(qū)域的顯示介質(zhì)不再受其他導(dǎo)電圖案的(數(shù)據(jù)線和柵線)的干擾，具有優(yōu)化顯示性能和畫面品質(zhì)的優(yōu)勢(shì)。其中，本實(shí)施例可以通過(guò)單獨(dú)的構(gòu)圖工藝形成補(bǔ)充公共電極，例如可以在形成柵極保護(hù)層圖案的第一襯底基板上沉積補(bǔ)充公共電極薄膜，然后通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括補(bǔ)充公共電極的圖案。另外，為了簡(jiǎn)化制造工藝，節(jié)約制造成本，本實(shí)施例提供一種形成補(bǔ)充公共電極的具體實(shí)施方式
，即與柵極保護(hù)層通過(guò)同一構(gòu)圖工藝形成。如圖5B所示，本實(shí)施例基于實(shí)施例二形成補(bǔ)充公共電極的步驟包括步驟5101、在第一襯底基板上依次沉積柵極保護(hù)層薄膜和補(bǔ)充公共電極薄膜；步驟5102、在補(bǔ)充公共電極薄膜上涂覆光刻膠；步驟5103、采用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠圖案；其中，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極圖案，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于其他區(qū)域，包括補(bǔ)充公共電極圖案。步驟5104、采用濕法刻蝕工藝，對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的補(bǔ)充公共電極薄膜進(jìn)行刻蝕，形成補(bǔ)充公共電極；步驟5105、采用干法刻蝕工藝，對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域的柵極保護(hù)層薄膜進(jìn)行刻蝕，形成柵極保護(hù)層。其他步驟可參見(jiàn)上述實(shí)施例的描述，最終本實(shí)施例形成的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)如圖5C，圖5D所示為沿圖5C中A-A線的陣列基板的一種側(cè)視結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的陣列基板具體包括第一襯底基板1、源電極7、漏電極8、摻雜半導(dǎo)體層62、形成于源電極7 和漏電極8之間并與摻雜半導(dǎo)體層62連接的半導(dǎo)體層61、柵絕緣層4、過(guò)孔10、柵電極3、 通過(guò)過(guò)孔10與漏電極8連接的像素電極11、柵極保護(hù)層13和補(bǔ)充公共電極15。本實(shí)施例通過(guò)形成補(bǔ)充公共電極，以向上層的顯示介質(zhì)提供公共電壓，使上層顯示介質(zhì)處于零電場(chǎng)中，進(jìn)而克服了現(xiàn)有技術(shù)中因缺少黑矩陣的遮擋而使顯示介質(zhì)受到數(shù)據(jù)線和柵線的干擾的問(wèn)題，進(jìn)而提高了顯示器的顯示質(zhì)量和畫面品質(zhì)。進(jìn)一步，在上述技術(shù)方案中，可以通過(guò)增大柵極保護(hù)層的厚度，以減小補(bǔ)充公共電極對(duì)下層數(shù)據(jù)線和柵線造成干擾，以盡量降低對(duì)數(shù)據(jù)線和柵線上信號(hào)造成的延遲。本實(shí)施例提供的柵極保護(hù)層的厚度大于1500 A，優(yōu)選大于2500 A。其中，若柵極保護(hù)層以氮化硅為材料，則柵極保護(hù)層的厚度優(yōu)選為大于2500 A而小于5000 A。其中，由于柵極保護(hù)層的厚度與制造工藝以及所采用的材料等因素有關(guān)，因此，本實(shí)施例提供的柵極保護(hù)層的厚度僅供本領(lǐng)域技術(shù)人員參考，并不做限定。本實(shí)施例通過(guò)增大柵極保護(hù)層的厚度，可以減小補(bǔ)充公共電極對(duì)下層數(shù)據(jù)線和柵線造成干擾，以降低對(duì)數(shù)據(jù)線和柵線上信號(hào)造成的延遲。實(shí)施例五本發(fā)明實(shí)施例五提供一種陣列基板，參見(jiàn)圖3F和圖3G，該陣列基板包括第一襯底基板1，所述第一襯底基板1上形成橫縱交叉的柵線2和數(shù)據(jù)線5，柵線2和數(shù)據(jù)線5圍設(shè)形成多個(gè)像素單元；每個(gè)像素單元中包括像素電極11、和TFT開(kāi)關(guān)；TFT開(kāi)關(guān)包括柵電極3、 源電極7、漏電極8和有源層6 ；有源層6位于柵電極3、源電極7和漏電極8之間；柵電極 3與柵線2連接，源電極7與數(shù)據(jù)線5連接，像素電極11與漏電極8連接；柵電極3和有源層6之間形成有柵絕緣層4 ；其中源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5形成于第一襯底基板1上；有源層6包括半導(dǎo)體層 61,半導(dǎo)體層61形成于源電極7和漏電極8之間，并與源電極7和漏電極8連接；半導(dǎo)體層 61上方形成有柵絕緣層4，柵絕緣層4覆蓋第一襯底基板1 ；柵電極3和柵線2形成于柵絕緣層4之上；像素電極11與柵電極3同層設(shè)置且同步形成，且圖案相互間隔；像素電極11 通過(guò)貫穿柵絕緣層4的過(guò)孔10與漏電極8連接；柵電極3上方形成有柵極保護(hù)層13。本實(shí)施例的陣列基板具有頂柵式結(jié)構(gòu)，其中柵電極位于有源層或TFT溝道上方， 可以遮擋環(huán)境光對(duì)TFT溝道的照射，避免了 TFT溝道中因受到光照產(chǎn)生漏電流，降低了漏電流對(duì)陣列基板顯示性能的影響，因此，本實(shí)施例的陣列基板具有較佳的顯示質(zhì)量。另外，本實(shí)施例中的像素電極和柵電極、柵線對(duì)同層的薄膜通過(guò)同一構(gòu)圖工藝形成，即像素電極和柵電極、柵線采用相同材料、同層設(shè)置且同步形成，簡(jiǎn)化了陣列基板的制造工藝，節(jié)約了制造成本。其中，在本實(shí)施例提供的陣列基板中有源層6還包括摻雜半導(dǎo)體層62，摻雜半導(dǎo)體層62形成于源電極7和漏電極8之上，半導(dǎo)體層61形成于摻雜半導(dǎo)體層62之上，并通過(guò)摻雜半導(dǎo)體層62分別與源電極7和漏電極8連接。摻雜半導(dǎo)體層62用于提高半導(dǎo)體層 61與源電極7和漏電極8之間的接觸電導(dǎo)。當(dāng)所選用材料滿足源電極7、漏電極8與半導(dǎo)體層61的導(dǎo)電要求時(shí)，也可以采用沒(méi)有摻雜半導(dǎo)體層62的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的圖示以同時(shí)存在半導(dǎo)體層61和摻雜半導(dǎo)體層62為例。其中，在本實(shí)施例提供的陣列基板中，柵絕緣層薄膜沉積于有源層之上，不同于現(xiàn)有底柵式結(jié)構(gòu)中柵絕緣層薄膜沉積于柵電極上方。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于有源層的厚度比柵電極的厚度小，因此，在本實(shí)施例中柵絕緣層薄膜的厚度可以適當(dāng)減?。灰虼?，本實(shí)施例提供的陣列基板可以增大單位面積柵絕緣層的電容，進(jìn)而增強(qiáng)TFT的充電能力，具有較佳的顯示性能。另外，與現(xiàn)有底柵式結(jié)構(gòu)不同，本實(shí)施例陣列基板的柵金屬薄膜沉積于其他圖案之上，可以適當(dāng)增加?xùn)沤饘俦∧さ暮穸龋粫?huì)對(duì)TFT制造工藝中其他圖案造成影響；因此本實(shí)施例的陣列基板可以通過(guò)增加?xùn)烹姌O的厚度來(lái)減小柵電極的電阻，進(jìn)而降低柵電極信號(hào)的延遲，以提高顯示質(zhì)量。在此需要說(shuō)明，本實(shí)施例的陣列基板可以采用本發(fā)明上述實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法來(lái)制造，但并不限于此，還可以采用其他制造工藝來(lái)制造本實(shí)施例的陣列基板。實(shí)施例六本發(fā)明實(shí)施例六提供一種陣列基板，參見(jiàn)圖4B-圖4D，在實(shí)施例五的基礎(chǔ)上，該陣列基板可以作為反射型有源顯示器的陣列基板。其中，本實(shí)施例的陣列基板還包括存儲(chǔ)電容14，且該存儲(chǔ)電容14可以在形成源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5的同時(shí)采用與之相同的材料形成，本實(shí)施例陣列基板中的存儲(chǔ)電容與源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5同層設(shè)置同步形成。該陣列基板的存儲(chǔ)電容的具體形成方法可以參照上述實(shí)施例三中的相關(guān)描述。本實(shí)施例六提供的陣列基板可以應(yīng)用于電子紙顯示器。
在本實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容與源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線同步形成在第一襯底基板上， 省略了單獨(dú)形成存儲(chǔ)電容的制造工藝，因此，簡(jiǎn)化了陣列基板的制造工藝，節(jié)約了制造成本；另外，由于在該反射式結(jié)構(gòu)的陣列基板中，存儲(chǔ)電容設(shè)置于像素電極下方，不會(huì)遮擋像素電極，因此，存儲(chǔ)電容不會(huì)影響陣列基板的開(kāi)口率?；诖耍诔浞挚紤]源電極和漏電極等導(dǎo)電圖案的基礎(chǔ)上，可以適當(dāng)增大存儲(chǔ)電容的面積，以增大存儲(chǔ)電容。而根據(jù)TFT的電學(xué)特性可知，增大存儲(chǔ)電容可減弱數(shù)據(jù)線、柵線與像素電極之間的耦合電容效應(yīng)，可有效降低像素電極的跳變電壓，增強(qiáng)像素電極電壓的保持率，并可進(jìn)一步提高陣列基板的顯示效果。 因此，本實(shí)施例的陣列基板具有較佳的顯示性能。實(shí)施例七本發(fā)明實(shí)施例七提供一種陣列基板，參見(jiàn)圖5C和圖5D，本實(shí)施例提供的陣列基板可基于前述實(shí)施例，其與前述實(shí)施例提供的陣列基板的區(qū)別在于，柵極保護(hù)層13上方形成有補(bǔ)充公共電極15，且補(bǔ)充公共電極15和顯示介質(zhì)上方的公共電極保持等電位，用于向陣列基板上方的顯示介質(zhì)提供另一方向的公共電壓，使顯示介質(zhì)處于零電場(chǎng)條件下。該陣列基板的補(bǔ)充公共電極的具體形成方法可以參照上述實(shí)施例四中的相關(guān)描述。本實(shí)施例的陣列基板，通過(guò)形成補(bǔ)充公共電極，以向陣列基板上方的顯示介質(zhì)提供另一方向公共電壓，使上層顯示介質(zhì)處于零電場(chǎng)中，進(jìn)而克服了現(xiàn)有技術(shù)中因缺少黑矩陣的遮擋而使顯示介質(zhì)受到數(shù)據(jù)線和柵線的干擾的問(wèn)題，進(jìn)而提高了顯示器的顯示質(zhì)量和畫面品質(zhì)。進(jìn)一步，在上述技術(shù)方案中，可以通過(guò)增大柵極保護(hù)層的厚度，以減小補(bǔ)充公共電極對(duì)下層數(shù)據(jù)線和柵線造成干擾，以盡量降低對(duì)數(shù)據(jù)線和柵線上信號(hào)造成的延遲。本實(shí)施例提供的柵極保護(hù)層的厚度大于1500 A,優(yōu)選大于2500 A。其中，若柵極保護(hù)層以氮化硅
為材料，則柵極保護(hù)層的厚度優(yōu)選為大于2500 A而小于5CK)() A。其中，由于柵極保護(hù)層的
厚度與制造工藝以及所采用的材料等因素有關(guān)，因此，本實(shí)施例提供的柵極保護(hù)層的厚度僅供本領(lǐng)域技術(shù)人員參考，并不做限定。本實(shí)施例通過(guò)增大柵極保護(hù)層的厚度，可以減小補(bǔ)充公共電極對(duì)下層數(shù)據(jù)線和柵線造成干擾，以降低對(duì)數(shù)據(jù)線和柵線上信號(hào)造成的延遲。在此說(shuō)明，本發(fā)明上述各實(shí)施例提供的陣列基板均可作為反射型有源顯示器的陣列基板；此時(shí)，由于像素電極通過(guò)反射環(huán)境光進(jìn)行顯示，因此像素電極的材料可以為透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)，也可以為非透明導(dǎo)電材料，例如電阻率較小的金屬材料，減小對(duì)公共電極信號(hào)的延遲。實(shí)施例八本發(fā)明實(shí)施例八提供一種電子紙顯示器，包括本發(fā)明上述實(shí)施例提供的任意一種陣列基板和與該陣列基板對(duì)盒設(shè)置的上基板，上基板和陣列基板中夾設(shè)有顯示介質(zhì)。進(jìn)一步地，所述上基板包括第二襯底基板；其中，該上基板可以為彩膜基板，這種情況下，上基板的第二襯底基板上可以形成有公共電極、彩色樹(shù)脂和黑矩陣；或，該上基板也可以不是彩膜基板，這種情況下，上基板的第二襯底基板上可以僅形成有公共電極，而不包括彩色樹(shù)脂和黑矩陣。其中，陣列基板的第一襯底基板和上基板的第二襯底基板的材料可以為柔性材料。本實(shí)施例電子紙顯示器中的陣列基板具有頂柵式結(jié)構(gòu)，柵電極形成于TFT溝道之上，利用柵電極可以擋住環(huán)境光對(duì)TFT溝道的光照，可以避免TFT溝道出現(xiàn)漏電流，降低漏電流對(duì)陣列基板顯示性能的影響，進(jìn)而可以提高有源顯示器例如電子紙顯示器的顯示性能。本發(fā)明各實(shí)施例提供的陣列基板可以采用本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法來(lái)制備，形成相應(yīng)的圖案結(jié)構(gòu)。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括在第一襯底基板上沉積源漏金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案；在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括半導(dǎo)體層的圖案；在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層和過(guò)孔的圖案，所述過(guò)孔形成于所述柵絕緣層上對(duì)應(yīng)所述漏電極的位置，所述過(guò)孔露出部分漏電極；在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、 柵線和像素電極的圖案，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極連接；在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵極保護(hù)層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵極保護(hù)層的圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在第一襯底基板上沉積源漏金屬薄膜之后，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案之前還包括沉積摻雜半導(dǎo)體層薄膜；所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案包括在所述摻雜半導(dǎo)體層薄膜上涂覆光刻膠；采用掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線圖案；刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜，形成包括所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案；去除所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成上述圖案的第一襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層和過(guò)孔的圖案包括沉積所述柵絕緣層薄膜；在所述柵絕緣層薄膜上涂覆光刻膠；采用掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述過(guò)孔；刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域的對(duì)應(yīng)的柵絕緣層薄膜，形成所述過(guò)孔和所述柵絕緣層；去除所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的同時(shí)還包括形成存儲(chǔ)電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和像素電極的圖案包括在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述柵電極、柵線和像素電極圖案；對(duì)所述光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，形成包括所述柵電極、柵線和像素電極的圖案；去除所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵極保護(hù)層的圖案包括在所述柵極保護(hù)層薄膜上涂覆光刻膠；采用掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)像素電極圖案；刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的柵極保護(hù)層薄膜，形成包括所述柵極保護(hù)層的圖案；去除所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括在所述柵極保護(hù)層上方形成補(bǔ)充公共電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述柵極保護(hù)層上方形成補(bǔ)充公共電極的步驟包括在形成上述圖案的第一襯底基板上依次沉積柵極保護(hù)層薄膜和補(bǔ)充公共電極薄膜；在所述補(bǔ)充公共電極薄膜上涂覆光刻膠；采用掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)像素電極圖案；刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域的補(bǔ)充公共電極薄膜和柵極保護(hù)層薄膜，形成所述補(bǔ)充公共電極和所述柵極保護(hù)層；去除所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
9.一種陣列基板，包括第一襯底基板，所述第一襯底基板上形成有縱橫交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素單元；每個(gè)像素單元包括TFT開(kāi)關(guān)和像素電極；所述TFT開(kāi)關(guān)包括柵電極、源電極、漏電極和半導(dǎo)體層；其特征在于所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線形成于所述第一襯底基板上；所述半導(dǎo)體層形成于所述源電極和所述漏電極之間，并與所述源電極和所述漏電極連接；所述半導(dǎo)體層上方形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述第一襯底基板；所述柵電極和柵線形成于所述柵絕緣層之上；所述像素電極與所述柵電極同層設(shè)置且同步形成；所述像素電極通過(guò)貫穿所述柵絕緣層的過(guò)孔與所述漏電極連接；所述柵電極上方形成有柵極保護(hù)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，還包括摻雜半導(dǎo)體層；所述摻雜半導(dǎo)體層形成于所述源電極、所述漏電極和所述數(shù)據(jù)線之上；所述半導(dǎo)體層形成于所述摻雜半導(dǎo)體層之上，并通過(guò)所述摻雜半導(dǎo)體層分別與所述源電極和所述漏電極連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，還包括補(bǔ)充公共電極；所述補(bǔ)充公共電極形成于所述柵極保護(hù)層上方，且和顯示介質(zhì)上方的公共電極保持等電位。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容與所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且同步形成。
13.一種電子紙顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求9-12任一項(xiàng)所述的陣列基板和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的上基板，所述上基板和陣列基板中夾設(shè)有顯示介質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子紙顯示器，其特征在于所述上基板包括第二襯底基板；所述第二襯底基板上形成有公共電極、彩色樹(shù)脂和黑矩陣，或所述第二襯底基板上形成有公共電極。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制造方法和電子紙顯示器，方法包括在第一襯底基板上沉積源漏金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案；沉積半導(dǎo)體層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括半導(dǎo)體層的圖案；沉積柵絕緣層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層和過(guò)孔的圖案，過(guò)孔形成于柵絕緣層上對(duì)應(yīng)漏電極的位置，且露出部分漏電極；沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和像素電極的圖案，像素電極通過(guò)過(guò)孔與漏電極連接；沉積柵極保護(hù)層薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵極保護(hù)層的圖案。本發(fā)明技術(shù)方案采用頂柵式結(jié)構(gòu)以遮擋環(huán)境光對(duì)TFT溝道的照射，降低了漏電流對(duì)陣列基板顯示性能的影響，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102487044SQ201010585779
公開(kāi)日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者張卓, 李文波, 武延兵, 王剛 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司