專利名稱：高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)線架組成結(jié)構(gòu)，尤指一種能明顯提高散熱功率及降低制造成本 的導(dǎo)線架組成結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖1至圖5所示，一般現(xiàn)有金氧半場效晶體管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，簡稱 M0SFET)以雷射二極管完 成封裝(Laser Diode To Package)的導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)概分有三，第一種是將具有雙層厚度的銅 板以先施予滾壓，后施予沖壓的方式使其產(chǎn)生具有導(dǎo)線部1及芯片墊片部2兩部份，其中芯 片墊片部2的厚度大于導(dǎo)線部1的厚度的異形材導(dǎo)線架(如圖1所示)，當芯片被焊設(shè)于芯 片墊片部2的適當位置時，通過芯片墊片部的厚度來達到有效散熱的目的，然此種異形材 導(dǎo)線架除了所需使用的銅板原料較厚，使原料成本較高外，其兩段式制造方式，亦造成加工 成本的增加，而形成產(chǎn)業(yè)界的困擾；有鑒于異形材導(dǎo)線架高成本所造成的困擾，業(yè)界便研制出僅以單層厚度的銅板單 純用滾壓方式制成導(dǎo)線部3與芯片墊片部4為相同厚度的平板材導(dǎo)線架(如圖2所示)，以 求有效節(jié)省原料成本及加工成本，然此種平板材導(dǎo)線架在散熱功率上卻遠低于異形材導(dǎo)線 架，間接造成晶體管成品良率大幅下滑；而為有效解決成本與功效上的問題，便有第三種導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，第三種組合 式導(dǎo)線架便是將平板材導(dǎo)線架的導(dǎo)線部3部份予以截取，而供芯片焊設(shè)的部份則以鋁質(zhì)散 熱墊片5替換，并以共晶方式將該鋁質(zhì)散熱墊片5與該導(dǎo)線部3的一端相互接合(如圖3 所示)，有效解決成本上的問題，然而鋁質(zhì)散熱墊片在散熱功率上仍較銅質(zhì)為低，對于一些 高功率的芯片6而言是無法有效達到散熱功能，造成無法普遍使用的缺失；

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，主要利用在銅質(zhì)導(dǎo) 線架上適當位置接合鋁質(zhì)散熱墊片，以此降低制造成本、增加散熱功率及擴大其適用性。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案—種高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，包含至少一個導(dǎo)線架，以單層銅板通過滾壓方式形成有導(dǎo)線部及芯片墊片部兩大部 份，其中，導(dǎo)線部及芯片墊片部的厚度相等；至少一個散熱墊片，接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的適當位置處?；蛞环N高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，包含至少一個導(dǎo)線架，以單層銅板通過滾壓方式形成有導(dǎo)線部及芯片墊片部兩大部 份，其中，導(dǎo)線部及芯片墊片部的厚度相等；至少一個散熱墊片，接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的適當位置處；芯片，通過焊料焊設(shè)于導(dǎo)線架的芯片墊片部或散熱墊片的適當位置上；
連接體，兩端分別焊設(shè)于芯片及導(dǎo)線部上，以達到芯片與導(dǎo)線部部的電訊連通?；蛞环N高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，包含至少一個導(dǎo)線架，以單層銅板通過滾壓方式形成有導(dǎo)線部及芯片墊片部兩大部 份，其中，導(dǎo)線部及芯片墊片部的厚度相等；至少一個散熱墊片，接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的適當位置處；芯片，芯片與芯片焊墊部或散熱墊片接合部設(shè)有金屬鍍層于其表面，以利共晶接 合，并通過共晶接合方式焊設(shè)于導(dǎo)線架的芯片墊片部或散熱墊片的適當位置上；連接體，兩端分別焊設(shè)于芯片及導(dǎo)線部上，以達到芯片與導(dǎo)線部部的電訊連通。


圖1為現(xiàn)有異形材導(dǎo)線架的剖面組合示圖；圖2為現(xiàn)有平板材導(dǎo)線架的剖面組合示圖；圖3為現(xiàn)有組合式導(dǎo)線架的剖面組合示圖；圖4為現(xiàn)有平板材導(dǎo)線架與芯片組合封裝后的剖面組合示圖；圖5為現(xiàn)有另一平板材導(dǎo)線架與芯片組合封裝后的剖面組合示圖；圖6為本發(fā)明組合式導(dǎo)線架的剖面組合示圖；圖7為本發(fā)明組合式導(dǎo)線架較佳實施例的剖面組合示圖；圖8為本發(fā)明組合式導(dǎo)線架與芯片組合封裝后的剖面示圖；圖9為本發(fā)明另一組合式導(dǎo)線架與芯片組合封裝后的另一實施例示圖；附圖標記1、導(dǎo)線部；2、芯片墊片部；3、導(dǎo)線部；4、芯片墊片部；5、鋁質(zhì)散熱墊片； 6、芯片；11、導(dǎo)線架；111、導(dǎo)線部；112、芯片墊片部；14、芯片；12、散熱墊片；121、接合面； 122、粗糙面；13、焊料；14、芯片；15、連接體；151、152、連接體兩端；1121、內(nèi)凹部。
具體實施例方式以下將根據(jù)附圖和具體實施例將本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及其它的作用、目的詳細說明 如下請參閱圖6及圖8所示，包括至少一個導(dǎo)線架11，該導(dǎo)線架11為單層銅質(zhì)板體以 滾壓方式形成具有導(dǎo)線部111及芯片墊片部112兩大部份，而該導(dǎo)線部111的厚度相等于 芯片墊片部112的厚度，亦為業(yè)界所稱“平板材導(dǎo)線架”，所述芯片墊片部112可供芯片14 焊設(shè)之用；至少有一個散熱墊片12，其主要材質(zhì)以鋁片為最佳，通過滾壓的方式形成，該散熱 墊片12至少包括有接合面121與粗糙面122，該接合面121與導(dǎo)線架11的芯片墊片部112 的一面以共晶方式相接合，而散熱墊片12的另一面則施以粗糙化而形成粗糙面122，通過 其粗糙性質(zhì)增加該散熱墊片12的散熱面積，以提升該散熱墊片12的散熱功率；在將金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField Effect Transistor，簡稱M0SFET)進行雷射二極管封裝(Laser Diode To Package)的過程中，首 先先將以單層銅板滾壓而成的平板材導(dǎo)線架11的芯片墊片部112的一面，以共晶方式與散 熱墊片12的接合面121相接合，而形成此組合式導(dǎo)線架，隨后于該組合式導(dǎo)線架的芯片墊 片部112的非與散熱墊片12接合的一面以焊料13將芯片14焊設(shè)于其上，然后再以連接體15的兩端151、152分別接合芯片14及導(dǎo)線部111，以達到芯片14與導(dǎo)線部111的電訊連 接，最后，再施以雷射二極管封裝(Laser Diode To Package)，如此便完成此一高散熱功率 且低成本的晶體管，其特征在于，所述連接體15的材質(zhì)可為金、銅或鋁等具有導(dǎo)通功能的 金屬，且該連接體15的形態(tài)可為線狀、帶狀或片狀；請再參閱圖7，其為本發(fā)明的另一較佳實施例結(jié)構(gòu)，其相異處則是將該單層銅板以 滾壓方式形成“凹”狀平板材導(dǎo)線架11，而該“凹”狀平板材導(dǎo)線架11的芯片墊片部112部 份則位于最低凹處，再將該鋁質(zhì)散熱墊片12的接合面121與導(dǎo)線架11的內(nèi)凹部1121相接 合而形成另一種組合式導(dǎo)線架，隨后再用焊料13將芯片14焊設(shè)于該散熱墊片12的適當位 置處，如此亦能達到相對的高散熱功能；請再參閱圖9，其為本發(fā)明的再一較佳實施例結(jié)構(gòu)，其相異處則是將該單層銅板以 滾壓方式分別形成導(dǎo)線部111及芯片墊片部112，其中該導(dǎo)線部111與芯片墊片部112相互 分開，再于該芯片墊片部112的上端依序共晶接合有鋁質(zhì)散熱墊片12及焊設(shè)有芯片14，隨 后以連接體15形成芯片14與導(dǎo)線部111的電訊連通，最后再施以雷射二極管封裝(Laser Diode To Package)以形成該高散熱功率且低成本的晶體管，而此種實施例的組合方式亦 可將芯片墊片部112與散熱墊片12的位置相置換，然后將散熱墊片12非與芯片墊片部112 共晶接合的一面施以粗糙化，以增加散熱面積而有效提高散熱功率；上述所列舉的實施例僅為本發(fā)明內(nèi)容可供變化設(shè)計組合的部份，其平板材導(dǎo)線架 11與散熱墊片12的形狀及材質(zhì)亦可隨產(chǎn)業(yè)成本需求及芯片功率需求加以變化。
權(quán)利要求
1.一種高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含至少一個導(dǎo)線架，以單層銅板通過滾壓方式形成有導(dǎo)線部及芯片墊片部兩大部份，其 中，導(dǎo)線部及芯片墊片部的厚度相等；至少一個散熱墊片，接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的適當位置處。
2.如權(quán)利要求1所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊片 不與芯片墊片部接合的一面被施以粗糙化。
3.如權(quán)利要求1所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線架與 散熱墊片的接合為共晶方式。
4.如權(quán)利要求1所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊片 的材質(zhì)為鋁質(zhì)。
5.如權(quán)利要求1所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線部及 芯片墊片部為一體成型狀或切割分開狀。
6.如權(quán)利要求1所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊片 接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的上方或下方。
7.一種高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含至少一個導(dǎo)線架，以單層銅板通過滾壓方式形成有導(dǎo)線部及芯片墊片部兩大部份，其 中，導(dǎo)線部及芯片墊片部的厚度相等；至少一個散熱墊片，接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的適當位置處；芯片，通過焊料焊設(shè)于導(dǎo)線架的芯片墊片部或散熱墊片的適當位置上；連接體，兩端分別焊設(shè)于芯片及導(dǎo)線部上，以達到芯片與導(dǎo)線部部的電訊連通。
8.如權(quán)利要求7所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊片 不與芯片墊片部接合的一面被施以粗糙化。
9.如權(quán)利要求7所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線架與 散熱墊片的接合為共晶方式。
10.如權(quán)利要求7所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊片 的材質(zhì)為鋁質(zhì)。
11.如權(quán)利要求7所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線部及 芯片墊片部為一體成型狀或切割分開狀。
12.如權(quán)利要求7所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊片 接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的上方或下方。
13.如權(quán)利要求7所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接體的 材質(zhì)為金、銅或鋁。
14.如權(quán)利要求7所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接體的 型態(tài)為線狀、帶狀或片狀。
15.一種高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含至少一個導(dǎo)線架，以單層銅板通過滾壓方式形成有導(dǎo)線部及芯片墊片部兩大部份，其 中，導(dǎo)線部及芯片墊片部的厚度相等；至少一個散熱墊片，接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的適當位置處；芯片，芯片與芯片焊墊部或散熱墊片接合部設(shè)有金屬鍍層于其表面，以利共晶接合，并通過共晶接合方式焊設(shè)于導(dǎo)線架的芯片墊片部或散熱墊片的適當位置上；連接體，兩端分別焊設(shè)于芯片及導(dǎo)線部上，以達到芯片與導(dǎo)線部部的電訊連通。
16.如權(quán)利要求15所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊 片不與芯片墊片部接合的一面被施以粗糙化。
17.如權(quán)利要求15所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線架 與散熱墊片的接合為共晶方式。
18.如權(quán)利要求15所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊 片的材質(zhì)為鋁質(zhì)。
19.如權(quán)利要求15所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線部 及芯片墊片部為一體成型狀或切割分開狀。
20.如權(quán)利要求15所述高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱墊片 接合于導(dǎo)線架的芯片墊片部的上方或下方。
21.如權(quán)利要求15所述高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接體的 材質(zhì)為金、銅或鋁。
22.如權(quán)利要求15所述的高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接體 的型態(tài)為線狀、帶狀或片狀。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高散熱低成本的導(dǎo)線架改良結(jié)構(gòu)，主要包括至少一個平板材導(dǎo)線架及一個鋁質(zhì)散熱墊片，該平板材導(dǎo)線架是通過單層銅板以滾壓方式制成厚度相等，概分有導(dǎo)線部及芯片墊片部的銅質(zhì)導(dǎo)線架，并于其適當位置處接合鋁質(zhì)散熱墊片，且于該鋁質(zhì)散熱墊片非與銅質(zhì)導(dǎo)線架接合的一面施以粗糙化，這樣，在被施以二極管封裝成在金氧半場效晶體管后，能有效提高散熱能力、降低制造成本及適用于各種功率芯片。
文檔編號H01L23/495GK102130086SQ20101053541
公開日2011年7月20日 申請日期2010年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月28日
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