專利名稱：工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)分析技術(shù)，特別是涉及一種工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
目前，各種工藝具有數(shù)據(jù)采集功能。以半導(dǎo)體制程為例，數(shù)據(jù)采集(DC，Data Capture)系統(tǒng)會實時采集各種工藝數(shù)據(jù)，具體而言，該DC系統(tǒng)通常會隨著時間的遞增記錄下各個工藝過程參數(shù)值，如壓力，溫度，射頻電壓等。通過分析采集到的工藝數(shù)據(jù)，操作人員不但可以監(jiān)控分析設(shè)備的狀況，還可以分析尋找工藝改進的方向，提高工藝的結(jié)果。因此，如何能夠方便、快捷地分析工藝數(shù)據(jù)，以便工藝工程師或設(shè)備工程師通過工藝數(shù)據(jù)對機臺設(shè)備及工藝現(xiàn)狀進行監(jiān)控和改進，在工藝發(fā)展中有著不可忽視的作用。一般情況下，操作人員在對工藝數(shù)據(jù)進行分析時，除了針對某個chamber (腔室) 下某個工藝過程中的個別工藝過程參數(shù)進行單獨查看分析外，大多數(shù)時候更需要通過針對不同情況下的工藝過程參數(shù)的對比來分析，通常的分析對象包括以下幾類A類、同一 wafer (硅片)不同工藝過程參數(shù)之間；B類、同一 chamber不同wafer的同一工藝過程參數(shù)之間；C類、不同chamber同一工藝過程參數(shù)之間。現(xiàn)有工藝數(shù)據(jù)分析方法能夠依據(jù)chamber的不同或者工藝過程參數(shù)的不同，設(shè)置所述分析對象的曲線屬性；例如，可以為兩個A類分析對象或者兩個C類分析對象設(shè)置不同的曲線屬性，這里的曲線屬性可以包括顏色、線型、線寬等；因此，操作人員可直觀的分辨出各曲線分別對應(yīng)哪個分析對象，方便快捷的對比該兩條曲線所分別代表的工藝數(shù)據(jù)，從而能夠為進一步的分析提供直觀便捷的平臺。但是，由于只能根據(jù)chamber的不同或者工藝過程參數(shù)的不同分別設(shè)置曲線屬性，B類分析對象也即同一 chamber下的不同wafer并無單獨的屬于每個wafer的曲線屬性設(shè)置方式，因此，若用戶選擇了同一 chamber下的不同wafer，只能通過一套曲線屬性設(shè)置方式設(shè)置該chamber下的所有的wafer的參數(shù)。這樣，在分析B類分析對象時，繪圖區(qū)同樣會顯示兩條曲線，不過所述兩條曲線的顏色、線型、線寬等屬性都是一樣的，讓用戶無法區(qū)分哪條曲線是哪個wafer的數(shù)據(jù)。而針對對比對象B的分析又是檢測工藝數(shù)據(jù)的一個重要依據(jù)，要進行該對比分析，只能通過DC系統(tǒng)將工藝數(shù)據(jù)導(dǎo)出到excel文件，然后針對數(shù)據(jù)文件進行手動分析，過程繁瑣復(fù)雜而且耗時?？傊枰绢I(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的一個技術(shù)問題就是如何能夠提供一種便捷、高效的工藝數(shù)據(jù)分析方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)，用以便捷、高效地進行工藝數(shù)據(jù)的分析。
為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種工藝數(shù)據(jù)分析方法，包括針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進行自頂向下的逐級篩選，定位到分析對象；設(shè)置所述分析對象的曲線屬性；依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對象的曲線；依據(jù)所述曲線，對相應(yīng)分析對象進行分析。優(yōu)選的，所述定位到分析對象的步驟為，針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對象。優(yōu)選的，所述定位到分析對象的步驟包括腔室定位步驟識別當前分析對象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位步驟識別當前分析對象所屬的硅片，并依據(jù)所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位步驟識別當前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述方法還包括如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室不同，則返回所述腔室定位步驟；或者，如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室相同，則返回所述硅片定位步驟；或者，如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位步驟。優(yōu)選的，所述方法還包括添加參數(shù)類型，其中，一個參數(shù)類型對應(yīng)一個或多個工藝過程參數(shù)；所述參數(shù)定位步驟包括識別當前分析對象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；識別前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述曲線屬性包括顏色、線寬、線型和/或曲線放大比例。依據(jù)另一實施例，本發(fā)明還公開了一種工藝數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，包括定位模塊，用于針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進行自頂向下的逐級篩選，定位到分析對象；設(shè)置模塊，用于設(shè)置所述分析對象的曲線屬性；繪制模塊，用于依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對象的曲線；分析模塊，用于依據(jù)所述曲線，對相應(yīng)分析對象進行分析。優(yōu)選的，所述定位模塊，具體用于針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對象。優(yōu)選的，所述定位模塊包括腔室定位單元，用于識別當前分析對象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位單元，用于識別當前分析對象所屬的硅片，并依據(jù)所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位單元，用于識別當前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述定位模塊還包括判斷單元，用于針對下一個分析對象，如果其與當前分析對象所屬的腔室不同，則通知所述腔室定位單元；或者，如果其與當前分析對象所屬的腔室相同，則通知所述硅片定位單元；或者，如果其與當前分析對象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位單兀。優(yōu)選的，所述系統(tǒng)還包括添加模塊，用于添加參數(shù)類型，其中，一個參數(shù)類型對應(yīng)一個或多個工藝過程參數(shù)；所述參數(shù)定位單元包括類型定位子單元，用于識別當前分析對象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位子單元，用于識別前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述曲線屬性包括顏色、線寬、線型和/或曲線放大比例。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明通過對工藝數(shù)據(jù)采用自頂向下的逐級篩選方法，定位到分析對象；由于不同逐級篩選能夠定位到不同的分析對象，使得可以準確、唯一地定位到每個分析對象，這樣，可以針對不同分析對象設(shè)置不同的曲線屬性，而只要針對各分析對象設(shè)置的曲線屬性不同，用戶即可直觀、便捷、高效地通過繪圖區(qū)的曲線走勢及具體數(shù)據(jù)進行對比分析，從而進行工藝分析及設(shè)備監(jiān)控。以半導(dǎo)體制程中的工藝數(shù)據(jù)分析為例，所述逐級篩選可以針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，或者，按照腔室到硅片到參數(shù)類型到工藝過程參數(shù)，定位到各分析對象。


圖1是本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析方法實施例1的流程圖；圖2是本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析方法實施例2的流程圖；圖3是本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析的界面示例；圖4是本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)實施例的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明。本發(fā)明可以應(yīng)用于各種工藝數(shù)據(jù)的分析，其中，所述分析可以是個別工藝過程參數(shù)的單獨查看分析，也可以是不同情況下的工藝過程參數(shù)的對比分析。為了簡便起見，在本發(fā)明的具體實施例中均采用半導(dǎo)體制程為具體應(yīng)用環(huán)境進行介紹，但其并不應(yīng)作為本發(fā)明的應(yīng)用限制，實際上，本發(fā)明可以應(yīng)用在各種復(fù)雜工藝的工藝數(shù)據(jù)分析中，例如，大型化工產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝等等。參照圖1，示出了本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析方法實施例1的流程圖，具體可以包括步驟101、針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進行自頂向下的逐級篩選，定位到分析對象；本發(fā)明實施例的核心構(gòu)思之一在于，對工藝數(shù)據(jù)采用自頂向下的逐級篩選方法， 定位到分析對象；其中，所述逐級篩選可以包括頂級-一級-二級..底級，由于不同逐級篩選能夠定位到不同的分析對象，使得可以準確、唯一地定位到每個分析對象，這樣，可以針對不同分析對象設(shè)置不同的曲線屬性，因此，相對于現(xiàn)有技術(shù)，多個分析對象的曲線屬性重復(fù)導(dǎo)致無法對比區(qū)分的情形，本發(fā)明能夠較好地避免上述情形。以半導(dǎo)體制程中的工藝數(shù)據(jù)分析為例，所述逐級篩選是一個逐步細化的過程，具體而言，可以針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù) (chamber-wafer-Parameter)的篩選順序，定位到分析對象。此時，所述步驟101具體可以包括腔室定位步驟識別當前分析對象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)；假設(shè)操作人員欲分析PMl下waferlDl的I^ress參數(shù)，也即，當前分析對象為 “PMl-waferlDl-Press”，這里，PMl為某個具體的chamber，而通過DC系統(tǒng)的查詢功能，獲取了所有chamber的工藝數(shù)據(jù)；那么，所述腔室定位步驟則針對“PMl-waferlDl-Press”識別出其所屬的腔室PM1，然后獲取PMl的工藝數(shù)據(jù)。硅片定位步驟識別當前分析對象所屬的硅片，并依據(jù)所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)；其次，所述硅片定位步驟針對“PMl-waferIDl-Press”識別出其所屬的硅片 waferlDl，然后進一步在PMl的工藝數(shù)據(jù)中篩選獲取waferlDl的工藝數(shù)據(jù)。參數(shù)定位步驟識別當前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。最后，所述參數(shù)定位步驟針對“PMl-waferIDl-Press”識別出其所屬的參數(shù) ft~eSS，然后進一步在waferlDl的工藝數(shù)據(jù)中篩選獲取I^ress的工藝數(shù)據(jù)。綜上，定位到分析對象的步驟就是按照chamber-wafer-Parameter的順序，篩選出該分析對象的工藝數(shù)據(jù)的過程，這樣，就可以依據(jù)相應(yīng)工藝數(shù)據(jù)進行接下來的曲線屬性設(shè)置和曲線繪制。步驟102、設(shè)置所述分析對象的曲線屬性；所述曲線屬性的設(shè)置，既可以增加分析單個分析對象的方便直觀性，又可以通過對不同分析對象設(shè)置不同的曲線屬性，以區(qū)分開所要對比的多個分析對象，使對比更加醒目直觀。通常地，所述曲線屬性可以包括顏色、線寬、線型等。CN
為了增加分析對比的方便性，在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述曲線屬性還可以包括曲線放大比例(scale)；通常地，曲線的橫軸為時間值，縱軸為參數(shù)值，這樣，在設(shè)置了該scale值后，曲線上各點的縱軸值會變成原始值*(scale/100)，假設(shè)當前設(shè)置scale 為200，曲線上各點的縱軸值會變成原始值的2倍?？梢岳斫猓煌治鰧ο罂梢栽O(shè)置不同的scale，因此，在不同分析對象曲線在某些區(qū)域(也稱接近區(qū)域)的原始值比較接近時，所述scale的設(shè)置能夠更方便比較一些分析對象的相關(guān)性，從而能夠起到比較好的分析對比效果。步驟103、依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對象的曲線；步驟104、依據(jù)所述曲線，對相應(yīng)分析對象進行分析。在分析當前分析對象的同時，如果還想分析其它分析對象，可同樣執(zhí)行步驟 101-步驟104，并設(shè)置與當前分析對象不同的曲線屬性。即可圖形化顯示各分析對象的工藝數(shù)據(jù)。為了增加定位的靈活性，提高分析效率，在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述方法還可以包括如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室不同，則返回所述腔室定位步驟；或者，如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室相同，則返回所述硅片定位步驟；或者，如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位步驟。因此，無論分析對比的多個分析對象屬于如下哪類對比對象A類、同一 wafer (硅片)不同工藝過程參數(shù)之間；B類、同一 chamber不同wafer的同一工藝過程參數(shù)之間；C 類、不同chamber同一工藝過程參數(shù)之間，本發(fā)明均可為所述多個分析對象設(shè)置不同的曲線屬性，而只要針對各分析對象設(shè)置的曲線屬性不同，用戶即可直觀的通過繪圖區(qū)的曲線走勢及具體數(shù)據(jù)進行對比分析，從而進行工藝分析及設(shè)備監(jiān)控。在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實施例中，所述方法還可以包括添加參數(shù)類型，其中，一個參數(shù)類型可對應(yīng)一個或多個工藝過程參數(shù)；相應(yīng)地，所述參數(shù)定位步驟具體可以包括識別當前分析對象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；識別前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。例如，壓力類型可以對應(yīng)多個壓力參數(shù)，以及，溫度類型可以對應(yīng)多個溫度參數(shù)， 以及，功率類型可以對應(yīng)入射功率參數(shù)、反射功率參數(shù)等多個功率參數(shù)，等等。本優(yōu)選實施例按照腔室到硅片到參數(shù)類型到工藝過程參數(shù)(chamber-wafer-Para mType-Parameter)的篩選順序，能夠細化分析對象的定位。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，以下結(jié)合圖2所示的一種工藝數(shù)據(jù)分析方法實施例2的流程圖更進一步說明步驟201、基于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的查詢功能，得到要查看的工藝數(shù)據(jù)；
步驟202、識別當前分析對象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)；步驟203、識別當前分析對象所屬的硅片，并依據(jù)所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)；步驟204、識別當前分析對象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；步驟205、識別前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)；步驟206、設(shè)置當前分析對象的曲線屬性；步驟207、依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對象的曲線；步驟208、依據(jù)所述曲線，對相應(yīng)分析對象進行分析；參照圖3，示出了本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析的界面示例，其中，左半部分為繪圖區(qū)， 其頂部標題為“History Graphs (歷史數(shù)據(jù)曲線)”，橫軸為時間值，縱軸為參數(shù)值；右半部分為工藝數(shù)據(jù)區(qū)，進一步，其上半部分的標題為“klect WafeH硅片選擇)”，其中，提供了 Chamber、WaferID (硅片標識)、ParamType、ParamName (參數(shù)名稱)等選項卡，以通過識別來實現(xiàn)當前分析對象的定位；以及，在曲線屬性(Line Attribute)中提供了 Color (顏色)、Width (線寬)、DashMyle (線型)Jcale (線型比例)等選項卡；在Chamber、WaferlD、ParamType、ParamName選擇相應(yīng)的選項后，即代表定位了當前分析數(shù)據(jù)的工藝數(shù)據(jù)，這樣，在設(shè)置曲線屬性后，可點擊<0K>按鈕，此時，會將所選擇的分析對象以記錄的形式列在下方列表中，同時，將所選擇分析對象的曲線繪制到繪圖區(qū)。這里，一條記錄對應(yīng)一個分析對象，一條記錄的屬性可以包括Chamber、 MartTime (工藝數(shù)據(jù)采集的開始時間)、WaferlD、LotID (卡制品標識)、SlotID (卡槽標識)、Recipe (工藝)、ParamName等。這里，所述記錄屬性是用戶所選擇的分析對象的數(shù)據(jù)描述，可用來幫助用戶更準確的分析的所選擇的分析對象。步驟209、若要選擇當前WaferID下的另一個工藝過程參數(shù)，則返回步驟204 ；步驟210、若要選擇當前Chamber下的另一個WaferlD，則返回步驟203 ；步驟211、若要選擇另一個Chamber下的工藝數(shù)據(jù)，則返回步驟202。圖3所示界面不但可以針對不同分析對象設(shè)置不同的曲線屬性，而且具有界面簡潔，易于操作等優(yōu)點。當然，圖3所示界面僅僅用作示例，本領(lǐng)域技術(shù)人員采用任一種界面都是可行的， 本發(fā)明無需對此加以限制。對于前述的各方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因為依據(jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時進行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作并不一定是本發(fā)明所必須的。與前述方法實施例相應(yīng)，本發(fā)明還公開了一種工藝數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，參照圖4，具體可以包括定位模塊401，用于針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進行自頂向下的逐級篩選，定位到分析對象；
設(shè)置模塊402，用于設(shè)置所述分析對象的曲線屬性；繪制模塊403，用于依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對象的曲線；分析模塊404，用于依據(jù)所述曲線，對相應(yīng)分析對象進行分析。以半導(dǎo)體制程中的工藝數(shù)據(jù)分析為例，所述定位模塊401，可具體用于針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對象。在實際中，所述曲線屬性可以包括顏色、線寬、線型等，優(yōu)選的，還可以包括曲線放大比例。在具體實現(xiàn)中，所述定位模塊401具體可以包括腔室定位單元，用于識別當前分析對象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位單元，用于識別當前分析對象所屬的硅片，并依據(jù)所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位單元，用于識別當前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。為了增加定位的靈活性，提高分析效率，在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述定位模塊401還可以包括判斷單元，用于針對下一個分析對象，如果其與當前分析對象所屬的腔室不同，則通知所述腔室定位單元；或者，如果其與當前分析對象所屬的腔室相同，則通知所述硅片定位單元；或者，如果其與當前分析對象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位單兀。在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實施例中，還可以按照chamber-wafer-ParamType-Parame ter的篩選順序，以細化分析對象的定位，相應(yīng)地，所述系統(tǒng)還可以包括添加模塊，用于添加參數(shù)類型，其中，一個參數(shù)類型對應(yīng)一個或多個工藝過程參數(shù)；此時，所述參數(shù)定位單元具體可以包括類型定位子單元，用于識別當前分析對象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位子單元，用于識別前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。以上對本發(fā)明所提供的一種工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)，進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想， 在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種工藝數(shù)據(jù)分析方法，其特征在于，包括針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進行自頂向下的逐級篩選，定位到分析對象； 設(shè)置所述分析對象的曲線屬性； 依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對象的曲線； 依據(jù)所述曲線，對相應(yīng)分析對象進行分析。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位到分析對象的步驟為，針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對象。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述定位到分析對象的步驟包括 腔室定位步驟識別當前分析對象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位步驟識別當前分析對象所屬的硅片，并依據(jù)所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位步驟識別當前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，還包括如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室不同，則返回所述腔室定位步驟； 或者，如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室相同，則返回所述硅片定位步驟；或者，如果下一個分析對象與當前分析對象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位步驟。
5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，還包括添加參數(shù)類型，其中，一個參數(shù)類型對應(yīng)一個或多個工藝過程參數(shù)；所述參數(shù)定位步驟包括識別當前分析對象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；識別前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述曲線屬性包括顏色、線寬、 線型和/或曲線放大比例。
7.—種工藝數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，其特征在于，包括定位模塊，用于針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進行自頂向下的逐級篩選，定位到分析對象；設(shè)置模塊，用于設(shè)置所述分析對象的曲線屬性；繪制模塊，用于依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對象的曲線；分析模塊，用于依據(jù)所述曲線，對相應(yīng)分析對象進行分析。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位模塊，具體用于針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對象。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位模塊包括腔室定位單元，用于識別當前分析對象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位單元，用于識別當前分析對象所屬的硅片，并依據(jù)所識別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位單元，用于識別當前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位模塊還包括判斷單元，用于針對下一個分析對象，如果其與當前分析對象所屬的腔室不同，則通知所述腔室定位單元；或者，如果其與當前分析對象所屬的腔室相同，則通知所述硅片定位單元；或者，如果其與當前分析對象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位單元。
11.如權(quán)利要求9或10所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括添加模塊，用于添加參數(shù)類型，其中，一個參數(shù)類型對應(yīng)一個或多個工藝過程參數(shù)； 所述參數(shù)定位單元包括類型定位子單元，用于識別當前分析對象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位子單元，用于識別前分析對象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。
12.如權(quán)利要求7至10中任一項所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述曲線屬性包括顏色、線寬、線型和/或曲線放大比例。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)，其中的方法具體包括針對查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進行自頂向下的逐級篩選，定位到分析對象；設(shè)置所述分析對象的曲線屬性；依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對象的曲線；依據(jù)所述曲線，對相應(yīng)分析對象進行分析。本發(fā)明用以便捷、高效地進行工藝數(shù)據(jù)的分析。
文檔編號H01L21/00GK102456083SQ201010520658
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月20日
發(fā)明者劉振華 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司