專利名稱：功率模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率模塊(power module)。
背景技術(shù)：
在功率模塊中，通過軟釬料將載置有作為功率器件的半導(dǎo)體芯片的電路基板的 上部電極與電極端子之間、及電路基板的下部電極與金屬基底之間接合在一起，并且 在電路基板和外殼之間的空隙部填充有有機(jī)硅凝膠等。在IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管)模塊等功率模塊中，考慮到熱傳導(dǎo)性，電路基板例如 采用A1N(氮化鋁)等陶瓷基板，金屬基底采用熱傳導(dǎo)系數(shù)優(yōu)良的Cu(銅)等(例如參照 日本特開2005-311019號公報(bào))。在專利文獻(xiàn)1等所記載的功率模塊中，用軟釬料接合的電極端子例如在安裝使 用上被垂直折彎。在采用專用夾具等折彎時(shí)，存在的問題是不能彎成直角而使電極端子 的高度尺寸精度不能滿足規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)。另外，在折彎時(shí)，存在的問題是應(yīng)力作用于軟釬 料接合部，從而使可靠性降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種功率模塊，其特征在于，具備金屬基底；電極端子，其具有折彎成“二”型形狀的折彎部；螺母及螺母夾，其被收納在所述電極端子的折彎部的內(nèi)側(cè)；電路基板，其在第1主面上搭載著半導(dǎo)體芯片，所述電極端子的一端與所述半 導(dǎo)體芯片電連接，且與所述折彎部分離，通過軟釬料接合在所述電極端子的一端上的上 部電極設(shè)在第1主面上，設(shè)在與第1主面對置的第2主面上的下部電極通過軟釬料與所述 金屬基底接合；外殼，其被設(shè)置成下端部與所述金屬基底的端部相接，上部與所述電極端子的 折彎部的外側(cè)面相接，并與所述電路基板分離，且覆蓋所述電路基板。



圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的功率模塊的俯視圖。圖2是沿著圖1的A-A線的功率模塊的剖視圖。圖3是沿著圖1的B-B線的功率模塊的剖視圖。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的比較例的功率模塊的剖視圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的比較例的功率模塊的將電極端子剛折彎后的形狀的剖視圖。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的電極端子的高度尺寸公差的偏差的圖示。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的功率模塊的制造工序的剖視圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的 功率模塊的制造工序的剖視圖。圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的功率模塊的剖視圖。圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的功率模塊的制造工序的剖視圖。圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的功率模塊的制造工序的剖視圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施方式的功率模塊具有金屬基底、陶瓷基板、半導(dǎo)體芯片、內(nèi)包螺 母的螺母夾、電極端子和外殼。陶瓷基板具有第1主面和與其對置的第2主面，且在第2 主面經(jīng)由下部電極連接在金屬基底的上表面。半導(dǎo)體芯片被配置在陶瓷基板的第1主面 上。電極端子具備從一端朝另一端圍住螺母夾的外周、且內(nèi)部具備螺母夾的折彎部，并 具有從折彎部的所述一端向與折彎部垂直的方向延伸的第1連接部。該第1連接部經(jīng)由 上部電極而配置在陶瓷基板的第1主面上，且與半導(dǎo)體芯片電連接。外殼具有帶開口部 的上板和從該上板的邊緣向下方延伸的環(huán)狀的側(cè)板。在該側(cè)板的與上板相反側(cè)的端部， 接合在金屬基底的第1主面的外周端部，內(nèi)部內(nèi)包所述半導(dǎo)體芯片和所述電極端子。電 極端子的折彎部的上端部經(jīng)由開口部向外殼的外部露出。以下參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。[實(shí)施例1]首先，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例1的功率模塊進(jìn)行說明。圖1是表示功率模塊 的俯視圖，圖2是沿著圖1的A-A線的功率模塊的剖視圖，圖3是沿著圖1的B-B線的 功率模塊的剖視圖，圖4是表示比較例的功率模塊的剖視圖，圖5是表示比較例的功率模 塊的將電極端子剛折彎后的形狀的剖視圖。圖6是表示電極端子的高度尺寸公差的偏差 的圖示。在本實(shí)施例中，在將具有預(yù)先折彎成“二”型形狀的電極端子折彎部的電極端 子連接在電路基板的上部電極上之后，將螺母及螺母夾收納在電極端子折彎部的內(nèi)側(cè)。如圖1所示，在功率模塊80中，在底部設(shè)有散熱基板即金屬基底1，在上表面設(shè) 有集電極端子5C、發(fā)射極端子5E、信號端子5G等多個(gè)電極端子、及螺母11。集電極端 子5C、發(fā)射極端子5E、信號端子5G從圖上部看具有矩形形狀。集電極端子5C、發(fā)射 極端子5E、信號端子5G與半導(dǎo)體芯片電連接。樹脂外殼6覆蓋功率模塊80。螺母11設(shè)有多個(gè)，分別配置在集電極端子5C、 發(fā)射極端子5E及信號端子5G的區(qū)域內(nèi)。功率模塊80是搭載的半導(dǎo)體芯片采用IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) 的、作為IPM (Intelligent Power Module 智能功率模塊)的IGBT模塊。功率模塊80例
如被用于倒相器領(lǐng)域。此外，IGBT功率模塊、功率MOS模塊、二極管模塊等功率模塊 適用于電鐵應(yīng)用領(lǐng)域、電動(dòng)汽車、倒相器領(lǐng)域、感應(yīng)加熱領(lǐng)域等多種領(lǐng)域。如圖2所示，功率模塊80在金屬基底1的第1主面(表面)上，將具有陶瓷基 板20、上部電極21及下部電極22的多個(gè)電路基板2載置在金屬基底1上。上部電極21 被設(shè)在陶瓷基板20的第1主面(表面)上。下部電極22被設(shè)在陶瓷基板20的與第1主面(表面)相對置的第2主面(背面)上。在電路基板2的第1主面(表面)上載置有 IGBT即半導(dǎo)體芯片3。設(shè)置有與電路基板2的第1主面(表面)上所設(shè)置的半導(dǎo)體芯片 3電連接的發(fā)射極端子5E。金屬基底1通過軟釬料與電路基板2的下部電極22接合。發(fā)射極端子5E通過 軟釬料與電路基板2的上部電極21接合，延伸到樹脂外殼6的上表面(第1主面)。在 發(fā)射極端子5E的上部側(cè)設(shè)有折彎成“二”型形狀的電極端子折彎部31。在電極端子折 彎部31的內(nèi)側(cè)收納著螺母11和螺母夾9。同樣，未圖示的集電極端子5C及信號端子5G也延伸到樹脂外殼6的上表面(第 1主面)。在集電極端子5C及信號端子5G的上部側(cè)，設(shè)有折彎成“二”型形狀的電極 端子折彎部31。在該電極端子折彎部31的內(nèi)側(cè)，收納螺母11和螺母夾9。半導(dǎo)體芯片3經(jīng)由壓焊絲4而與發(fā)射極端子5E、集電極端子5C及信號端子5G 等電連接。發(fā)射極端子5E、集電極端子5C及信號端子5G各自通過軟釬料接合在電路基 板2上。這里，軟釬料可使用無鉛軟釬料。壓焊絲4例如可使用直徑比較大、且比金 (Au)廉價(jià)的Al(鋁)。用于電路基板2的陶瓷基板20例如可采用熱傳導(dǎo)系數(shù)優(yōu)良的 A1N(氮化鋁)，但也可以取而代之而使用Al2O3 (氧化鋁)、Si3N4 (氮化硅)、SiC (碳化 硅)等。AlN(氮化鋁)的熱傳導(dǎo)系數(shù)的值比其它陶瓷基板大，為170 200W/mk。上 部電極21及下部電極22例如使用Cu (銅)，但也可以取而代之而使用Ni (鎳)。關(guān)于樹脂外殼6，其下端部與金屬基底1的端部相接，上部與電極端子折彎部31 的外端部相接。關(guān)于有機(jī)硅凝膠7，其端部與樹脂外殼6的端部相接，并以覆蓋金屬基 底1的上表面(第1主面)和電路基板2的側(cè)面及上表面(第1主面)的方式進(jìn)行設(shè)置。 在樹脂外殼6與有機(jī)硅凝膠7之間設(shè)有空隙部8，例如填充有空氣。如圖3所示，在功率模塊80中，發(fā)射極端子5E、集電極端子5C及信號端子5G 的上端部露出。這里，發(fā)射極端子5E、集電極端子5C及信號端子5G例如可使用熱傳導(dǎo)系 數(shù)優(yōu)良的Cu(銅)。金屬基底1例如使用通過壓力加工等形成的、熱傳導(dǎo)系數(shù)優(yōu)良的 Cu(銅)，也可以取而代之而使用銅合金、Al(鋁)、Ni(鎳)、AlSiC(碳化鋁硅)、或 Mo(鉬)等。Cu(銅)的熱傳導(dǎo)系數(shù)的值比其它金屬大，為393W/mk。外殼6例如使用具有難燃性、耐熱性的PPS (聚苯硫醚)樹脂，但也可以取而代 之而使用不飽和聚酯系樹脂等。
在本實(shí)施例的功率模塊80中，由于不對折彎的電極端子的軟釬料接合部施加應(yīng) 力，因而能夠抑制軟釬料接合部的脆弱化的進(jìn)行。因此，能夠抑制TFT(Thermal Fatigue Test熱疲勞試驗(yàn))試驗(yàn)或TCT試驗(yàn)中的不良情況的發(fā)生。如圖4所示，在比較例的功率模塊90中，在通過軟釬料將發(fā)射極端子5Ea接合 在上部電極21上后，采用專用夾具等，將發(fā)射極端子5Ea與樹脂外殼6的上表面平行地 折彎成直角。在比較例的功率模塊90中，沒有設(shè)置本實(shí)施例的電極端子折彎部31。在發(fā)射極端子5Ea的折彎時(shí)，如圖5所示，端子折彎角度R沒有達(dá)到直角，例如 在90° 92°的范圍波動(dòng)。其結(jié)果是，折彎周圍的端子高度HI、折彎頂端的端子高度 H2的關(guān)系可表示為
Hl < H2 式(1)從而電極端子的高度尺寸公差發(fā)生偏差。如圖6所示， 在比較例的功率模塊90中，電極端子的高度尺寸發(fā)生偏差， 平均值為38.95mm，標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.32，不能滿足規(guī)格要求(例如用戶要求規(guī)格為 38 士0.5mm)。另一方面，在本實(shí)施例的功率模塊80中，由于在軟釬料接合后不折彎電極端 子，因而平均值為37.8mm，標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.11，能夠滿足規(guī)格要求(例如用戶要求規(guī)格為 38 士0.5mm)。接著，參照圖7及圖8對功率模塊的制造方法進(jìn)行說明。圖7及圖8是表示功 率模塊的制造工序的剖視圖。如圖7所示，首先，通過未圖示的軟釬料將電路基板2載置在金屬基底1上，將 半導(dǎo)體芯片3安裝在電路基板2上。用壓焊絲4將電路基板2的上部電極21與半導(dǎo)體芯 片3之間電連接。通過軟釬料將具有折彎成“二”型形狀的電極端子折彎部31的發(fā)射 極端子5E載置在電路基板2的上部電極21上。這里，對于具有電極端子折彎部31的發(fā) 射極端子5E，預(yù)先測定電極端子的高度尺寸，檢查是否滿足規(guī)格要求。未滿足規(guī)格要求 的則不使用。在載置了發(fā)射極端子5E后，進(jìn)行軟釬料回流處理，從而將電路基板2釬焊在金 屬基底1上，將發(fā)射極端子5E釬焊在電路基板2的上部電極21上。接著，如圖8所示，在將螺母11插入螺母夾9中后，從發(fā)射極端子5E的電極端 子折彎部31的側(cè)面，插入螺母及螺母夾9，將螺母及螺母夾9收納在電極端子折彎部31 的內(nèi)部。接著，通過未圖示的硅樹脂將樹脂外殼6粘接在金屬基底1上。將有機(jī)硅凝膠7 注入到電路基板2的側(cè)面及上表面，在有機(jī)硅凝膠7上形成空隙部8。安裝未圖示的蓋， 用未圖示的澆注劑固定金屬基底1及電路基板2和樹脂外殼6。通過用澆注劑進(jìn)行固定， 可防止振動(dòng)。如上所述，在本實(shí)施例的功率模塊中，在金屬基底1的表面上載置多個(gè)電路基 板2。在電路基板2的表面上載置IGBT即半導(dǎo)體芯片3。設(shè)置分別與設(shè)在電路基板2的 表面上的半導(dǎo)體芯片3電連接的發(fā)射極端子5E、集電極端子5C及信號端子5G。發(fā)射極 端子5E、集電極端子5C及信號端子5G在上部側(cè)具有折彎成“二”型形狀的電極端子折 彎部31。發(fā)射極端子5E、集電極端子5C及信號端子5G通過軟釬料分別與電路基板2 的上部電極21接合，并延伸到樹脂外殼6的上表面。在電極端子折彎部31的內(nèi)側(cè)收納 著螺母11和螺母夾9。因此，能夠改善電極端子的平坦度，能夠改善高度尺寸精度。另外，能夠降低 螺栓緊固時(shí)的釬焊部的拉伸應(yīng)力，從而能夠提高釬焊部的可靠性。此外，在本實(shí)施例中，搭載在功率模塊上的半導(dǎo)體芯片采用IGBT，但也可以取 而代之而采用功率MOSFET、GTO或SIT等。另外，也可以采用器件種類不同的半導(dǎo)體 芯片，例如IGBT和功率MOS晶體管。另外，也可以取代無鉛軟釬料而使用Pb-Sn共晶 軟釬料。[實(shí)施例2]
接著，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例2的功率模塊進(jìn)行說明。圖9是表示功率模 塊的剖視圖。在本實(shí)施例中，對電極端子的形狀進(jìn)行了變更。以下，對于與實(shí)施例1相同的構(gòu)成部分，附加相同的符號，并省略該部分的說 明，只說明不同的部分。如圖9所示，在功率模塊81中形成發(fā)射極端子5EE，其中發(fā)射極端子5EE設(shè)有 折彎成“二”型形狀的電極端子折彎部31，電極端子折彎部31的頂端的一端及另一端 (第1連接部及第2連接部)設(shè)置在與電極端子折彎部31垂直的方向上。發(fā)射極端子5EE在兩處(一端及另一端或第1連接部及第2連 接部)通過軟釬料 與電路基板2的上部電極21接合，并延伸到樹脂外殼6的上表面(第1主面)。在電極 端子折彎部31的內(nèi)側(cè)收納著螺母11和螺母夾9。同樣，未圖示的集電極端子及信號端子也延伸到樹脂外殼6的上表面(第1主 面)。集電極端子及信號端子的上部側(cè)設(shè)有折彎成“二”型形狀的電極端子折彎部31， 在其電極端子折彎部31的內(nèi)側(cè)收納著螺母11和螺母夾9。接著，參照圖10及圖11對功率模塊的制造方法進(jìn)行說明。圖10及圖11是表 示功率模塊的制造工序的剖視圖。如圖10所示，通過軟釬料將具有折彎成“ 二，，型形狀的電極端子折彎部31的 發(fā)射極端子5EE載置在電路基板2的上部電極21上。這里，對于具有電極端子折彎部 31的發(fā)射極端子5EE，預(yù)先測定了電極端子的高度尺寸，檢查了是否滿足規(guī)格要求。未 滿足規(guī)格要求的則不使用。在將發(fā)射極端子5EE載置后，進(jìn)行軟釬料回流處理，將電路基板2釬焊在金屬基 底1上，將發(fā)射極端子5EE釬焊在電路基板2的上部電極21上。接著，如圖11所示，在將螺母11插入螺母夾9中后，從發(fā)射極端子5EE的電極 端子折彎部31的側(cè)面，插入螺母11及螺母夾9，將螺母11及螺母夾9收納在電極端子折 彎部31的內(nèi)部。此外，由于其后的工序與實(shí)施例1相同，因此省略說明。如上所述，在本實(shí)施例的功率模塊中，在金屬基底1的表面上載置多個(gè)電路基 板2。在電路基板2的表面上載置IGBT即半導(dǎo)體芯片3。設(shè)置各自與設(shè)在電路基板2的 表面上的半導(dǎo)體芯片3電連接的發(fā)射極端子5EE。發(fā)射極端子5EE在上部側(cè)設(shè)有折彎成
型形狀的電極端子折彎部31，電極端子折彎部31的頂端的一端及另一端設(shè)置在與 電極端子折彎部31垂直的方向上。發(fā)射極端子5EEG通過軟釬料與電路基板2的上部電 極21接合，延伸到樹脂外殼6的上表面。在電極端子折彎部31的內(nèi)側(cè)收納著螺母11和 螺母夾9。因此，能夠改善電極端子的平坦度，能夠改善高度尺寸精度。另外，能夠降低 螺栓緊固時(shí)的釬焊部的拉伸應(yīng)力，從而能夠提高釬焊部的可靠性。再者，由于電極端子 和上部電極的釬焊點(diǎn)增加，因此與實(shí)施例1相比能夠提高釬焊強(qiáng)度。本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施例，也可以在不脫離發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行多種變更。在實(shí)施例中，在有機(jī)硅凝膠7與樹脂外殼6之間設(shè)有空隙部8，但也可以代替空 隙部8而填充環(huán)氧樹脂等樹脂。
權(quán)利要求
1.一種功率模塊，其特征在于，具備 金屬基底；電極端子，其具有折彎成“二”型形狀的折彎部； 螺母及螺母夾，其被收納在所述電極端子的折彎部的內(nèi)側(cè)；電路基板，其在第1主面上搭載著半導(dǎo)體芯片，所述電極端子的一端與所述半導(dǎo)體 芯片電連接，且與所述折彎部分離，通過軟釬料接合在所述電極端子的一端上的上部電 極設(shè)在第1主面上，設(shè)在與第1主面對置的第2主面上的下部電極通過軟釬料與所述金屬 基底接合；外殼，其被設(shè)置成下端部與所述金屬基底的端部相接，上部與所述電極端子的折彎 部的外側(cè)面相接，并與所述電路基板分離，且覆蓋所述電路基板。
2.—種功率模塊，其特征在于，具備 金屬基底；電極端子，具有折彎成“二”型形狀的折彎部； 螺母及螺母夾，其被收納在所述電極端子的折彎部的內(nèi)側(cè)；電路基板，其具有上部電極、陶瓷基板及下部電極，半導(dǎo)體芯片搭載在第1主面 上，與所述折彎部分離的所述電極端子的一端通過軟釬料與所述上部電極接合，與所述 折彎部分離的所述電極端子的一端與所述半導(dǎo)體芯片電連接，設(shè)在與第1主面對置的第2 主面上的下部電極通過軟釬料與所述金屬基底接合；有機(jī)硅凝膠，其被設(shè)置為覆蓋所述金屬基底的第1主面和所述電路基板的第1主面及 側(cè)面；樹脂外殼，其被設(shè)置成下端部與所述金屬基底的端部及所述有機(jī)硅凝膠的端部相 接，上部與所述電極端子的折彎部的外側(cè)面相接，并覆蓋所述有機(jī)硅凝膠； 空隙部，其被設(shè)置在所述樹脂外殼與所述有機(jī)硅凝膠之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率模塊，其特征在于所述陶瓷基板含有氮化鋁、氧化 鋁、氮化硅或碳化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的功率模塊，其中，所述金屬基底含有銅、 鋁、鎳、碳化鋁硅或鉬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的功率模塊，其中，與所述折彎部分離的所述 電極端子的一端及另一端通過軟釬料與所述上部電極接合。
6.—種功率模塊，其特征在于，具備 金屬基底；陶瓷基板，其具有第1主面和與所述第1主面對置的第2主面，在所述第2主面經(jīng)由 下部 電極連接在所述金屬基底的上表面上；半導(dǎo)體芯片，其被配置在所述陶瓷基板的所述第1主面上； 內(nèi)包螺母的螺母夾；電極端子，其具有從一端朝另一端圍住所述螺母夾的外周、且內(nèi)部具備所述螺母 夾的折彎部，具有從所述折彎部的所述一端向與所述折彎部垂直的方向延伸的第1連接 部，所述第1連接部經(jīng)由上部電極被配置在所述陶瓷基板的所述第1主面上，且與所述半 導(dǎo)體芯片電連接；外殼，其具有帶開口部的上板和從所述上板的邊緣向下方延伸的環(huán)狀的側(cè)板，在所 述側(cè)板的與上板相反側(cè)的端部接合在所述金屬基底的第1主面的外周端部，內(nèi)部內(nèi)包所 述半導(dǎo)體芯片和所述電極端子；其中，所述電極端子的所述折彎部的上端部經(jīng)由所述開口部在外殼的外部露出。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率模塊，其特征在于在所述外殼的所述上板的所述開 口部中插入有所述電極端子的折彎部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片和所述電極端子 通過用壓焊絲接合所述上部電極和所述半導(dǎo)體芯片而進(jìn)行電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊，其特征在于所述電極端子的所述第1連接部和 所述上部電極通過軟釬料被接合在一起。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率模塊，其特征在于具備有機(jī)硅凝膠，所述有機(jī)硅 凝膠覆蓋所述金屬基底的上表面、所述陶瓷基板的所述第1主面和所述半導(dǎo)體芯片的表 面，包括所述電極端子的所述第1連接部在內(nèi)，與所述外殼的側(cè)板的內(nèi)側(cè)接合在一起。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率模塊，其特征在于在所述外殼的所述上板的下表 面與所述有機(jī)硅凝膠之間存在空隙。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率模塊，其特征在于所述空隙中填充有環(huán)氧樹脂。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊，其特征在于所述金屬基底以銅、銅合金、 鋁、鎳、碳化鋁硅、鉬中的任一種作為材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊，其特征在于所述外殼含有聚苯硫醚或不飽和 聚酯系樹脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片為IGBT、功率 MOSFET> GTO或SIT中的任一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊，其特征在于所述功率模塊還具備第2連接 部，所述第2連接部從所述電極端子的所述折彎部的所述另一端向與所述折彎部垂直的 方向延伸，經(jīng)由所述上部電極配置在所述陶瓷基板的所述第1主面上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率模塊，其特征在于所述第1連接部和所述第2連接 部以對置的方式進(jìn)行配置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的功率模塊，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片和所述電極端 子通過用壓焊絲接合所述上部電極和所述半導(dǎo)體芯片而進(jìn)行電連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的功率模塊，其特征在于所述電極端子的所述第1連接部 及所述第2連接部與所述上部電極通過軟釬料而接合在一起。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的功率模塊，其特征在于具備有機(jī)硅凝膠，所述有機(jī)硅 凝膠覆蓋所述金屬基底的上表面、所述陶瓷基板的所述第1主面和所述半導(dǎo)體芯片的表 面，包括所述電極端子的所述第1連接部及所述第2連接部在內(nèi)，與所述外殼的側(cè)板的內(nèi) 側(cè)接合在一起。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施方式的功率模塊具有金屬基底、陶瓷基板、半導(dǎo)體芯片、內(nèi)包螺母的螺母夾、電極端子和外殼。陶瓷基板經(jīng)由下部電極連接在金屬基底上。半導(dǎo)體芯片被配置在陶瓷基板上。電極端子具有從一端朝另一端圍住螺母夾的外周、且內(nèi)部具備螺母夾的折彎部，而且具有從折彎部的所述一端向與折彎部垂直的方向延伸的第1連接部。該第1連接部經(jīng)由上部電極而被配置在陶瓷基板的第1主面上，且與半導(dǎo)體芯片電連接。外殼以內(nèi)包所述半導(dǎo)體芯片和所述電極端子的方式與金屬基底接合。電極端子的折彎部的上端部經(jīng)由開口部而在外殼的外部露出。
文檔編號H01L23/498GK102024803SQ20101028775
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月18日
發(fā)明者中尾淳一, 福吉寬 申請人:株式會(huì)社東芝