專(zhuān)利名稱(chēng)：氣體分配器和包括氣體分配器的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用等離子的設(shè)備，且更明確地說(shuō)，涉及用于具有支撐構(gòu)件的設(shè)備的 氣體分配器。
背景技術(shù)：
具有便攜性和低功率消耗的平板顯示(FPD)裝置已成為當(dāng)前信息時(shí)代中日益增 加的研究中的一個(gè)課題。在各種類(lèi)型的FPD裝置中，因?yàn)橐壕э@示(LCD)裝置的高分辨率、 顯示有色圖像的能力和高質(zhì)量圖像顯示，所以其一般用于筆記本和臺(tái)式計(jì)算機(jī)。一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體裝置或LCD裝置是通過(guò)重復(fù)在晶圓或玻璃襯底上形成薄膜的沉 積步驟、暴露使用光敏材料的薄膜的某些部分的光刻步驟、移除暴露薄膜的圖案化步驟、和 消除殘留材料的清潔步驟而制造的。制造過(guò)程的每個(gè)步驟在設(shè)備中、在每個(gè)步驟的最優(yōu)條 件下執(zhí)行。圖1為顯示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于半導(dǎo)體裝置或LCD裝置的等離子設(shè)備的示意性橫 截面圖。在圖1中，等離子設(shè)備100包括定義一反應(yīng)空間的腔室110、上面具有襯底“S”的 基座120和在基座120之上的氣體分配器140。可稱(chēng)作噴頭的氣體分配器140包括復(fù)數(shù)個(gè) 注入孔142。背襯板150安置在氣體分配器140之上且充當(dāng)射頻(RF)電極。氣體分配器 140的邊緣部分固定于背襯板150以定義一緩沖空間180。所述緩沖空間用于反應(yīng)氣體的 均勻注入，使得所述反應(yīng)氣體從外部氣體箱(未圖示)經(jīng)由氣體注入管170被供應(yīng)到緩沖 空間180，且接著主要擴(kuò)散于緩沖空間中。因?yàn)闅怏w注入管170 —般穿透背襯板150的中心，所以氣體注入管170可連接到 RF電源160。當(dāng)RF電源160連接到氣體注入管170時(shí)，RF功率被施加到背襯板150的中 心，且因此獲得對(duì)稱(chēng)等離子體(symmetric plasma)?；?20可通過(guò)一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件(未圖示) 而上下移動(dòng)且其中包括一加熱器(未圖示)以用于加熱所述襯底“S”?；?20可接地且 充當(dāng)氣體分配器140的相對(duì)電極，其中RF功率從RF電源160施加穿過(guò)背襯板150。用于移 除殘留氣體的排氣口 130形成穿過(guò)腔室110的底部，并連接到一真空泵，例如，渦輪分子泵。下文中說(shuō)明等離子設(shè)備100中的制造過(guò)程。具有襯底“S”的機(jī)械臂(未圖示)移 動(dòng)到腔室110中，穿過(guò)槽閥(未圖示)，且接著將襯底“S”裝載到基座120上。然后，機(jī)械 臂移出腔室110且槽閥關(guān)閉。接著，基座120向上移動(dòng)使得襯底“S”被安置在反應(yīng)區(qū)域中。 下一步，經(jīng)由氣體注入管170注入且主要擴(kuò)散于緩沖空間180中的反應(yīng)氣體經(jīng)由氣體分配 器140的復(fù)數(shù)個(gè)注入孔142噴射于在襯底“S”之上的反應(yīng)區(qū)域上。當(dāng)將RF電源160的RF 功率施加到背襯板150時(shí)，氣體分配器140與基座120之間的反應(yīng)區(qū)域中的反應(yīng)氣體被解離且被激勵(lì)以形成具有強(qiáng)氧化力的等離子基。所述等離子基接觸襯底“S”以形成一薄膜或 蝕刻一薄膜。可將額外RF功率施加到基座120以控制等離子基的入射能量。下一步，基座 120向下移動(dòng)，且機(jī)械臂移動(dòng)到腔室110中，穿過(guò)槽閥。制造過(guò)程通過(guò)從腔室110轉(zhuǎn)移機(jī)械 臂上的襯底“S”完成。氣體分配器140具有矩形形狀且由鋁制成。復(fù)數(shù)個(gè)注入孔142可具有圓錐形狀以 擴(kuò)散反應(yīng)氣體。圓錐形狀的上部部分具有小于所述圓錐形狀的下部部分的直徑。固定終端 146形成于氣體分配器140的外圍處。固定終端146使用螺釘192固定于背襯板150的底 部表面。為更穩(wěn)定的固定，夾桿190可插入于固定終端146與螺釘192之間。另外，氣體分 配器140和夾桿190的邊緣部分可由從腔室110的側(cè)壁延伸的支撐構(gòu)件194支撐。支撐構(gòu) 件194包括絕緣材料以防止RF功率泄漏。圖2為根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于等離子設(shè)備的氣體分配器140的示意性橫截面圖。在 圖2中，氣體分配器140包括具有矩形板形狀的機(jī)體144和從機(jī)體144的側(cè)面橫向延伸的 固定終端146。機(jī)體144包括復(fù)數(shù)個(gè)注入孔142。固定終端146包括第一水平部分146a、垂 直部分146b和第二水平部分146c。固定終端146具有從機(jī)體144的側(cè)壁延伸的薄板形狀 且在三維視圖中彎曲兩次。圖2的氣體分配器140由于其質(zhì)量和熱轉(zhuǎn)換可在中心部分下陷。圖3為顯示根據(jù) 相關(guān)技術(shù)的用于等離子設(shè)備的氣體分配器的彎曲動(dòng)量的示意性橫截面圖。在圖3中，氣體 分配器140因?yàn)闊徂D(zhuǎn)換而在機(jī)體144的中心部分具有向下的彎曲動(dòng)量。熱轉(zhuǎn)換由由于高溫 等離子體和/或從基座102 (圖1)中的加熱器發(fā)射的熱導(dǎo)致的熱膨脹所引起。即使機(jī)體 144可垂直膨脹，機(jī)體144的熱轉(zhuǎn)換仍主要由水平熱膨脹產(chǎn)生。因?yàn)楦邷氐入x子體和加熱器 安置于氣體分配器140之下，所以相對(duì)于機(jī)體144的質(zhì)量中心表面，機(jī)體144的下部部分水 平膨脹大于上部部分。因此，在機(jī)體144的中心部分產(chǎn)生向下的彎曲動(dòng)量(朝向基座120)。 另外，機(jī)體可通過(guò)萬(wàn)有引力向下曲折。因此，由于向下的彎曲動(dòng)量，氣體分配器140可在中 心部分下陷。結(jié)果，在機(jī)體144的中心部分的氣體分配器140與基座120之間的距離大于 在機(jī)體144的外圍處的。反應(yīng)空間中的反應(yīng)氣體具有不均勻濃度，借此降低處理均勻度。圖4為根據(jù)相關(guān)技術(shù)的另一個(gè)氣體分配器的示意性橫截面圖。在圖4中，氣體分 配器140具有柔性固定終端146以釋放彎曲動(dòng)量。當(dāng)機(jī)體144水平膨脹時(shí)，固定終端146 的垂直部分146b。被向外推動(dòng)，且部分接收水平熱膨脹。因此，由于機(jī)體144的質(zhì)量和熱膨 脹所引起的向下的彎曲動(dòng)量減緩。然而，柔性固定終端146僅部分減緩向下的彎曲動(dòng)量，且 不可移除機(jī)體144的下陷。因?yàn)楣潭ńK端146從相對(duì)于質(zhì)量中心表面的機(jī)體144的上部部 分延伸，所以機(jī)體144的下部部分中的膨脹不受限制，且氣體分配器140具有一下陷。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對(duì)氣體分配器和使用氣體分配器的等離子設(shè)備，其基本上排除了 由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所引起的一個(gè)或一個(gè)以上的問(wèn)題。本發(fā)明的一目標(biāo)在于提供一氣體分配器和一使用氣體分配器的等離子設(shè)備，其中 所述氣體分配器通過(guò)從機(jī)體的下部部分延伸的剛性固定終端來(lái)防止機(jī)體的下陷。本發(fā)明的額外特征和優(yōu)點(diǎn)將闡述于下列描述中，且將部分地從描述中變得顯而易 見(jiàn)，或可通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而得到了解。本發(fā)明的目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在書(shū)面描述和由此的權(quán)利要求書(shū)以及附加圖式中特定指出的結(jié)構(gòu)而得以實(shí)現(xiàn)和達(dá)到。為達(dá)成這些和其它優(yōu)點(diǎn)且根據(jù)本發(fā)明的目的，如所體現(xiàn)并廣泛描述，用于等離子 設(shè)備的氣體分配器包括具有復(fù)數(shù)個(gè)注入孔的機(jī)體，所述機(jī)體相對(duì)于中心表面被劃分成一 下部部分和一上部部分；和連接到所述下部部分的機(jī)體支撐單元。另一方面，等離子設(shè)備包括處理襯底的處理腔室；上面具有襯底的基座；和在襯 底之上的氣體分配器，所述氣體分配器包括具有復(fù)數(shù)個(gè)注入孔的機(jī)體，所述機(jī)體相對(duì)于中 心表面被劃分成一下部部分和一上部部分；和連接到所述下部部分的機(jī)體支撐單元。應(yīng)理解，前述一般性描述和下列詳細(xì)描述為示范性和解釋性的，且意在如所主張 的提供本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


所包括的用以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解且被并入并組成本說(shuō)明書(shū)的一部分的

了本發(fā)明的實(shí)施例，且連同所述描述以用于解釋本發(fā)明的原理。在所述圖式中圖1為顯示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于半導(dǎo)體裝置或LCD裝置的等離子設(shè)備的示意性橫 截面圖；圖2為根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于等離子設(shè)備的氣體分配器140的示意性橫截面圖；圖3為顯示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于等離子設(shè)備的氣體分配器的彎曲動(dòng)量的示意性 橫截面；圖4為根據(jù)相關(guān)技術(shù)的另一個(gè)氣體分配器的示意性橫截面圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于等離子設(shè)備的氣體分配器的示意性橫截面圖；圖6為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于等離子設(shè)備的氣體分配器的彎曲動(dòng)量的 示意性橫截面圖；圖7和圖8為顯示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的用于等離子設(shè)備的氣體分配器的 示意性橫截面圖；和圖9為顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的用于半導(dǎo)體裝置或LCD裝置的等離子設(shè)備的 示意性橫截面圖。
具體實(shí)施例方式詳細(xì)參考優(yōu)選實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中說(shuō)明。因?yàn)楸景l(fā)明涉及等離子設(shè)備(例如，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備)和 蝕刻器，其中處理氣體在腔室中被激勵(lì)到等離子狀態(tài)并接觸襯底，所以所述等離子設(shè)備可 為用于液晶顯示(LCD)裝置或半導(dǎo)體裝置的制造設(shè)備。另外，所述襯底可為用于LCD裝置 的玻璃襯底或用于半導(dǎo)體裝置的晶圓。圖5為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于等離子設(shè)備的氣體分配器的示意性橫截面圖。
在圖5中，等離子設(shè)備中的氣體分配器200包括具有復(fù)數(shù)個(gè)注入孔202的機(jī)體210 和剛性材料的機(jī)體支撐單元220。所述機(jī)體210可相對(duì)于質(zhì)量中心表面210c被劃分成一下 部部分210a和一上部部分210b。機(jī)體支撐單元220連接到在下部部分210a中的機(jī)體210 的側(cè)壁。另外，機(jī)體支撐單元220包括連接到下部部分210a中的機(jī)體210的側(cè)壁的第一支 撐部分220a、垂直于第一支撐部分220a的第二支撐部分220b和平行于第一支撐部分220a的第三支撐部分220c。當(dāng)機(jī)體具有總質(zhì)量時(shí)，可獲得單元質(zhì)量乘以機(jī)體的單元元件的位置矢量的總數(shù)， 且質(zhì)量中心可定義為所得總數(shù)除以總質(zhì)量。質(zhì)量中心可為機(jī)體的一點(diǎn)。在設(shè)計(jì)圖式中，質(zhì) 量中心線可被定義成連接橫截面圖中垂直質(zhì)量中心的線。在本發(fā)明中，質(zhì)量中心表面被定 義為連接橫截面圖中垂直單元元件的垂直質(zhì)量中心的表面。盡管質(zhì)量中心表面210c在圖 5中顯示為一條線，但是質(zhì)量中心表面基本上是在三維視圖中將機(jī)體210劃分成下部部分 210a和上部部分210b的一表面。當(dāng)機(jī)體210具有一恒定密度時(shí)，質(zhì)量中心表面210c基本 上與機(jī)體210的立方體中心表面相符，且形成一水平表面。當(dāng)復(fù)數(shù)個(gè)注入孔202具有圓錐 形狀而不是圓柱形狀時(shí)，質(zhì)量中心表面210c并不與機(jī)體210的立方體中心表面精確相符， 但是形成在復(fù)數(shù)個(gè)注入孔202處的包括復(fù)數(shù)個(gè)不平坦部分的表面。然而，因?yàn)樗鰪?fù)數(shù)個(gè) 不平坦部分的影響可以忽略，所以質(zhì)量中心表面基本上可與機(jī)體210的立方體中心表面相 符。另外，機(jī)體支撐單元220連接到機(jī)體210的下部部分210a。具體地說(shuō)，第一支撐 部分220a水平連接到下部部分210a的側(cè)壁。因此，支撐單元220具有從機(jī)體210的下部 部分210a中的側(cè)壁延伸的薄板形狀，且在三維視圖中彎曲兩次。機(jī)體支撐單元220連接到 質(zhì)量中心表面210c之下的下部部分210a以減緩由于水平熱膨脹引起的熱應(yīng)力。氣體分配 器200安置于腔室中，且基座安置于氣體分配器200之下。加熱器可安置于腔室中以在過(guò) 程其間保持最優(yōu)溫度。圖6為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于等離子設(shè)備的氣體分配器的彎曲動(dòng)量的 示意性橫截面圖。在圖6中，機(jī)體210的下部部分210a的熱應(yīng)力大于機(jī)體210的上部部分210b的熱 應(yīng)力。因?yàn)閯傂圆牧系臋C(jī)體支撐單元220連接到質(zhì)量中心表面210c之下的下部部分210a 的側(cè)壁，所以由于熱應(yīng)力引起的下部部分210a的水平膨脹受剛性機(jī)體支撐單元220的限 制，且上部部分210b水平膨脹。因此，在機(jī)體210的中心部分產(chǎn)生向上的彎曲動(dòng)量。當(dāng)機(jī) 體支撐單元220具有柔性時(shí)，機(jī)體支撐單元220可吸收熱應(yīng)力。然而，因?yàn)橄蛏系膹澢鷦?dòng)量 減少，所以機(jī)體支撐單元220可包括剛性材料以獲得足夠的向上彎曲動(dòng)量。此外，第一與第 二支撐部分220a和220b之間的角度和第二與第三支撐部分220b和220c之間的角度可保 持恒定，以獲得足夠的向上的彎曲動(dòng)量。第一、第二和第三支撐部分220a、220b和220c可 彼此具有相同厚度。在相關(guān)技術(shù)中，連接到機(jī)體114(圖2)的上部部分的固定終端146(圖2)吸收由 于固定終端146的轉(zhuǎn)換和/或收縮所引起的機(jī)體144(圖2)的水平熱膨脹，且向下的彎曲 動(dòng)量減緩。然而，在本發(fā)明中，機(jī)體210的下部部分210a的水平熱膨脹受剛性機(jī)體支撐單 元220的限制，且向上的彎曲動(dòng)量產(chǎn)生。圖7和圖8為顯示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的用于等離子設(shè)備的氣體分配器的 示意性橫截面圖。在圖7和圖8中，機(jī)體支撐單元220連接到質(zhì)量中心表面210c之下的機(jī) 體210的下部部分210a。如圖7中所示，第一支撐部分220a具有與機(jī)體210的下部部分210a相同的厚度。 另外，第一支撐部分220a的厚度大于第二支撐部分220b的厚度。因此，第一支撐部分220a 充當(dāng)用于機(jī)體210的熱應(yīng)力的機(jī)體210與第二支撐部分220b之間的減緩單元。
在圖8中，機(jī)體支撐單元220進(jìn)一步包括機(jī)體210與第一支撐部分220a之間的第 四支撐部分220d。第四支撐部分220d平行于第一支撐部分220a并連接到機(jī)體210的下部 部分210a。另外，第四支撐部分220d的厚度大于第一支撐部分220a的厚度。第四支撐部 分220d進(jìn)一步減緩由于機(jī)體210的熱膨脹所引起的熱應(yīng)力。因此，第四支撐部分220d充 當(dāng)用于機(jī)體210的熱應(yīng)力的機(jī)體210與第一支撐部分220a之間的減緩單元。圖9為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于半導(dǎo)體裝置或LCD裝置的等離子設(shè)備的示 意性橫截面圖。在圖9中，等離子設(shè)備300包括定義一反應(yīng)空間的腔室110、上面具有襯底301的 基座302和在基座302之上的氣體分配器340?？煞Q(chēng)作噴頭的氣體分配器200包括復(fù)數(shù)個(gè) 注入孔202。背襯板303安置于氣體分配器200之上，且充當(dāng)射頻(RF)電極。氣體分配器 200的邊緣部分固定于背襯板303以定義一緩沖空間304。緩沖空間304用于反應(yīng)氣體的 均勻注入，使得反應(yīng)氣體從外部氣體箱(未圖示)經(jīng)由氣體注入管305被供應(yīng)到緩沖空間 304，且接著主要擴(kuò)散于緩沖空間304中。因?yàn)闅怏w注入管305 —般穿透背襯板303的中心，所以氣體注入管305可連接到 RF電源160。當(dāng)RF電源160連接到氣體注入管305時(shí)，RF功率被施加到背襯板303的中 心，且因此獲得對(duì)稱(chēng)等離子體。基座302可通過(guò)一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件(未圖示)上下移動(dòng)，且其中包 括一加熱器(未圖示)以用于加熱襯底301?；?02可接地且充當(dāng)氣體分配器200的相 對(duì)電極，其中RF功率從RF電源160施加穿過(guò)背襯板303。用于移除殘留氣體的排氣口形成 穿過(guò)腔室110的底部，且連接到真空泵，例如，渦輪分子泵。氣體分配器200由機(jī)體支撐單元220支撐。當(dāng)氣體分配器200相對(duì)于質(zhì)量中心表 面被劃分成下部部分和上部部分時(shí)，機(jī)體支撐單元220從氣體分配器200的下部部分延伸。 另外，氣體分配器200可具有矩形形狀或圓形形狀，且包括鋁。復(fù)數(shù)個(gè)注入孔202可具有圓 錐形狀以擴(kuò)散反應(yīng)氣體。圓錐形狀的上部部分具有小于所述圓錐形狀的下部部分的直徑。 機(jī)體支撐單元220可使用固定構(gòu)件(例如，螺栓)連接到背襯板303。為更穩(wěn)定的固定，夾 桿可插入于機(jī)體支撐單元220與固定構(gòu)件之間。另外，氣體分配器200和夾桿的邊緣部分 可由從腔室110的側(cè)壁延伸的支撐構(gòu)件支撐。支撐構(gòu)件包括絕緣材料以防止RF功率泄漏。在根據(jù)本發(fā)明的具有氣體分配器的等離子設(shè)備中，可防止由于高溫等離子體和/ 或來(lái)自加熱器的熱放射所引起的氣體分配器的熱轉(zhuǎn)換。因此，可改進(jìn)處理均勻度。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了，可在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對(duì)所述具 有氣體分配器的設(shè)備做出各種修改和改變。因而，本發(fā)明意在涵蓋在附加權(quán)利要求書(shū)和其 等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和改變。
權(quán)利要求
一種用于一等離子設(shè)備的氣體分配器，其包含一具有復(fù)數(shù)個(gè)注入孔的機(jī)體，所述機(jī)體相對(duì)于一中心部分被劃分成一下部部分和一上部部分；和一連接到所述下部部分的機(jī)體支撐單元；其中所述中心部分是從所述機(jī)體的質(zhì)量中心水平地延伸出的，其中所述機(jī)體支撐單元連接至所述機(jī)體的位于所述中心部分以下的所述下部部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配器，進(jìn)一步包含一連接至所述機(jī)體和所述機(jī)體支撐 單元、用于減緩所述機(jī)體的熱應(yīng)力的減緩單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體分配器，其中所述減緩單元具有小于所述機(jī)體的厚度且 大于所述機(jī)體支撐單元的厚度的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體分配器，其中所述機(jī)體支撐單元包括一連接到所述減緩 單元的第一支撐單元和一垂直連接到所述第一支撐單元的第二支撐單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣體分配器，進(jìn)一步包括一垂直連接到所述第二支撐部分并 平行于所述第一支撐部分的第三支撐部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體分配器，其中所述第一支撐部分、所述第二支撐部分和 所述第三支撐部分具有相同的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配器，其中所述減緩單元與所述機(jī)體的所述下部部分 具有相同的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配器，其中所述減緩單元的材料從所述機(jī)體的所述下 部部分沿著與所述機(jī)體的下表面平行的線連續(xù)地延伸至所述機(jī)體支撐單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配器，所述機(jī)體和所述機(jī)體支撐單元組成一單片形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配器，其中所述機(jī)體和所述機(jī)體支撐單元包括鋁。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配器，其中所述機(jī)體支撐單元垂直連接到所述減緩單元。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配器，其中所述機(jī)體具有一板形狀。
13.一種等離子設(shè)備，其包含 一處理襯底的處理腔室； 一上面具有所述襯底的基座；以及一在所述襯底之上的氣體分配器，所述氣體分配器包含一具有復(fù)數(shù)個(gè)注入孔的機(jī)體，所述機(jī)體相對(duì)于一中心部分被劃分成一下部部分和一上 部部分；和一連接到所述下部部分的機(jī)體支撐單元；其中所述中心部分是從所述機(jī)體的質(zhì)量中心水平地延伸出的，其中所述機(jī)體支撐單元 連接至所述機(jī)體的位于所述中心部分以下的所述下部部分。
全文摘要
一種用于一等離子設(shè)備的氣體分配器，其包括一具有復(fù)數(shù)個(gè)注入孔的機(jī)體，所述機(jī)體相對(duì)于一中心表面被劃分成一下部部分和一上部部分；和一連接到所述下部部分的機(jī)體支撐單元，其中所述中心部分是從所述機(jī)體的質(zhì)量中心水平地延伸出的，其中所述機(jī)體支撐單元連接至所述機(jī)體的位于所述中心部分以下的所述下部部分。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101888736SQ20101022135
公開(kāi)日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2005年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月9日
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