專利名稱：高功率發(fā)光二極管支架的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及高功率發(fā)光二極管支架，特別是指一種用以承載多個發(fā)光芯片，且每一發(fā)光芯片得以獨立驅動的高功率發(fā)光二極管支架。
背景技術：
發(fā)光二極管的應用已相當成熟，從早期的Lamp形式的發(fā)光二極管，發(fā)展至最近的 SMD形式的發(fā)光二極管。尤其現(xiàn)今在照明市場中，已漸漸由發(fā)光二極管來取代傳統(tǒng)燈泡，因為發(fā)光二極管具有耗電量小、體積小等優(yōu)勢，因此發(fā)光二極管的應用已逐漸被重視。但，利用發(fā)光二極管來取代傳統(tǒng)燈泡，最需克服的問題在于發(fā)光二極管在運作上， 會產生相當高的熱能，若是無法將這些熱能快速地導出，將會造成發(fā)光二極管的損壞。因此，現(xiàn)今市面上已有高功率發(fā)光二極管的應用，所謂的高功率發(fā)光二極管主要就是在發(fā)光二極管中設置有一散熱塊，以將發(fā)光芯片設置在散熱塊上，使發(fā)光芯片所釋放出來的熱能得以透過散熱塊向外快速導出。如圖1所示，為一現(xiàn)有發(fā)光二極管支架的示意圖。如圖所示，該發(fā)光二極管支架包含有一絕緣本體A、一散熱基座B以及多個導電支架C。其中，該散熱基座B與該多個導電支架C設置于絕緣本體A中，且多個導電支架C圍繞在散熱基座B的周圍，而該些多個導電支架C向絕緣本體A外側延伸形成有電性接腳D。圖中，絕緣本體A的兩邊外側分別形成有三支電性接腳D，一側作為正極，另一側則作為負極，而散熱基座B上則設置有多個發(fā)光芯片E，使其多個發(fā)光芯片E與多個導電支架C進行電性連結。但，該等形式，當散熱基座B上承載有多個發(fā)光芯片E時，因為多個發(fā)光芯片E同時與多個導電支架C進行電路連結，因此每一發(fā)光芯片E無法分別地獨立驅動，僅能同時進行驅動。此外，因為每一發(fā)光芯片E的正負極性不相同，因此在應用上無法將不同極性的發(fā)光芯片E承載在同一散熱基座B上，造成發(fā)光二極管在使用上的限制。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種可用以承載多個發(fā)光芯片，且每一發(fā)光芯片可于該發(fā)光二極管支架中獨立驅動。為達上述的目的，本發(fā)明的主要特征在于包括有一絕緣本體，具有一上端表面以及一下端表面，且該上端表面上具有一下凹的功能區(qū)；至少三個散熱基座，分別設于該絕緣本體中且相互區(qū)隔，每一散熱基座具有一暴露于該功能區(qū)中的第一表面以及一暴露于該絕緣本體的下端表面的第二表面；以及至少三組導電元件，設于該絕緣本體內與該些散熱基座相鄰并相互區(qū)隔，每一組導電元件包含有兩導電支架，且該些導電支架與每一散熱基座相鄰的一端是部分暴露于該絕緣本體的功能區(qū)中，形成電性接點。如是，該些散熱基座可分別用以獨立承載一發(fā)光芯片，且該些發(fā)光芯片可分別與一組導電元件電性連結，使每一發(fā)光芯片得以獨立驅動。


圖1為一現(xiàn)有發(fā)光二極管支架的示意圖；圖2為本發(fā)明的示意圖；圖3為本發(fā)明的剖面示意圖；圖4為本發(fā)明承載RGB三色發(fā)光芯片的示意圖；圖5為本發(fā)明第二實施例的剖面示意圖；圖6為本發(fā)明第三實施例的示意圖。主要元件符號說明現(xiàn)有的元件符號A 絕緣本體B散熱基座C導電支架D 電性接腳E發(fā)光芯片本發(fā)明的元件符號10絕緣本體11上端表面12下端表面13功能區(qū)20散熱基座21第一表面22第二表面30導電元件31導電支架32電性接點33電性接腳34,34'接觸面40發(fā)光芯片
具體實施例方式以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，通過此對本發(fā)明如何應用技術手段來解決技術問題并達成技術功效的實現(xiàn)過程能充分理解并據以實施。請參閱圖2及圖3所示，為本發(fā)明高功率發(fā)光二極管支架，其包括有一絕緣本體 10、至少三個散熱基座20以及至少三組導電元件30。其中，一絕緣本體10，其具有一上端表面11以及一下端表面12，且該上端表面11的中央位置處具有一下凹的功能區(qū)13，且該功能區(qū)中形成有反射面14，該反射面14具有一傾斜角度。至少三個散熱基座20，每一散熱基座20分別設于該絕緣本體10內并相互區(qū)隔，且每一散熱基座20具有一第一表面21以及一第二表面22，其第一表面21暴露于該絕緣本體 10的功能區(qū)13中，而第二表面22暴露于絕緣本體10的下端表面12 ；在本實施例中，每一散熱基座20的第二表面22與絕緣本體10的下端表面12共平面，在實際應用上，每一散熱基座20的第二表面22亦可低于絕緣本體10的下端表面12。至少三組導電元件30，亦分別設于絕緣本體10中并與散熱基座20相鄰且相互區(qū)隔，而每一組導電元件30由兩導電支架31所構成，每一導電支架31與散熱基座20相鄰的一端是部分暴露于絕緣本體10的功能區(qū)13中形成電性接點32，另一端則延伸至絕緣本體 10的側邊形成電性接腳33，而每一電性接腳33的底部形成一接觸面34。在本實施例中，每一接觸面；34與絕緣本體10的下端表面12共平面；但在實際應用上，每一接觸面34亦可低于絕緣本體10的下端表面12。如是，每一個散熱基座20可分別用以獨立承載一發(fā)光芯片(圖式中未表示)，且每一發(fā)光芯片可分別與一組導電元件20進行電性連結，使每一發(fā)光芯片得以獨立驅動。請參閱圖4所示，為本發(fā)明承載RGB三色發(fā)光芯片的示意圖。如圖所示，本發(fā)明中的三個散熱基座20上可分別獨立承載有一 RGB三色的發(fā)光芯片40，由于每一個散熱基座 20相鄰有一組導電元件30，且每一組導電元件30由兩導電支架31所形成，故RGB三色的發(fā)光芯片40可分別獨立與每一組導電元件30中的兩導電支架31進行電性連結；在本實施例中，每一組導電元件30的兩導電支架31分別用以電性連接一正極以及一負極電源，使每一發(fā)光芯片40得以透過每一組導電元件30而獨立的被驅動。如是，可將RGB三色的發(fā)光芯片40分別承載于每一個散熱基座20上，并透過每一個散熱基座20配合一組導電元件30達到RGB三色的發(fā)光芯片40獨立驅動的效果，以針對 RGB三色的發(fā)光芯片的效能，供給不同的電源，使RGB三色的發(fā)光芯片40得以發(fā)揮最佳的效能運作。請參閱圖5所示，為本發(fā)明第二實施例的剖面示意圖。如圖所示，每一導電支架30 與每一個散熱基座20相鄰的一端暴露絕緣本體10的功能區(qū)13中，而與每一散熱基座20 遠離的一端則可暴露于絕緣本體10的下端表面12形成有一接觸面34’。在本實施例中，每一接觸面34’與絕緣本體10的下端表面12共平面；但在實際應用上，每一接觸面34’亦可略低于絕緣本體10的下端表面12。請參閱圖6所示，為本發(fā)明第三實施例的示意圖。如圖所示，本發(fā)明包含有一絕緣本體10、四個散熱基座20以及四組導電元件30。其中，四個散熱基座20與四組導電元件 30分別設于絕緣本體10中并相互區(qū)隔，且部分的暴露于絕緣本體10的功能區(qū)13中，其中四組導電元件30分別包含有兩導電支架31，每一導電支架31延伸至絕緣本體10外側形成有電性接腳33，其四個散熱基座20可分別獨立承載一發(fā)光芯片40，且每一電性接腳33可相互串聯(lián)或并聯(lián)。在本實施例中，每一發(fā)光芯片40為相同極性的發(fā)光芯片40，因此在實際操作時，可將相鄰的兩組導電元件30的導電支架31以及相對的兩組導電元件30的導電支架31同時進行串聯(lián)與并聯(lián)，亦可同時驅動每一發(fā)光芯片40。雖然本發(fā)明以前述的實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的專利保護范圍須視本說明書所附的申請專利范圍所界定者為準。
權利要求
1.一種高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于包含有一絕緣本體，具有一上端表面以及一下端表面，且該上端表面上具有一下凹的功能區(qū)；至少三個散熱基座，分別設于該絕緣本體中且相互區(qū)隔，每一散熱基座具有一暴露于該功能區(qū)中的第一表面以及一暴露于該絕緣本體的下端表面的第二表面；以及至少三組導電元件，設于該絕緣本體內與所述多個散熱基座相鄰并相互區(qū)隔，每一組導電元件包含有兩導電支架，且所述多個導電支架與每一散熱基座相鄰的一端是部分暴露于該絕緣本體的功能區(qū)中，形成電性接點。
2.如權利要求1所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，該功能區(qū)中還具有一反射面。
3.如權利要求2所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，該反射面具有一傾斜角度。
4.如權利要求1所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述多個散熱基座的第二表面與該絕緣本體的下端表面共平面。
5.如權利要求1所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述多個散熱基座的第二表面低于該絕緣本體的下端表面。
6.如權利要求1所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述多個導電支架遠離該絕緣基座的一端則延伸至絕緣本體的側邊形成一電性接腳，且所述多個電性接腳的底部形成有一接觸面。
7.如權利要求6所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述多個電性接腳的接觸面與該絕緣本體的下端表面共平面。
8.如權利要求6所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述多個電性接腳的接觸面低于該絕緣本體的下端表面。
9.如權利要求1所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述多個導電支架與每一散熱基座遠離的一端暴露于絕緣本體的下端表面，并形成有一接觸面。
10.如權利要求9所述的高功率發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述多個接觸面與該絕緣本體的下端表面共平面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高功率發(fā)光二極管支架，包含有一絕緣本體，具有一上端表面以及一下端表面，且該上端表面上具有一下凹的功能區(qū)；至少三個散熱基座，分別設于該絕緣本體中且相互區(qū)隔，每一散熱基座具有一暴露于該功能區(qū)中的第一表面以及一暴露于該絕緣本體的下端表面的第二表面；以及至少三組導電元件，設于該絕緣本體內與該些散熱基座相鄰并相互區(qū)隔，每一組導電元件包含有兩導電支架，且該些導電支架與每一散熱基座相鄰的一端部分暴露于該絕緣本體的功能區(qū)中，形成電性接點。如是，該些散熱基座可分別用以獨立承載一發(fā)光芯片，且該些發(fā)光芯片可分別與一組導電元件電性連結，使每一發(fā)光芯片得以獨立驅動。
文檔編號H01L33/64GK102214772SQ201010163970
公開日2011年10月12日 申請日期2010年4月12日 優(yōu)先權日2010年4月12日
發(fā)明者林士杰, 陳詠杰, 陳立敏 申請人:一詮精密工業(yè)股份有限公司, 一詮精密電子工業(yè)(中國)有限公司