專利名稱：保護用晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體機器的清潔方法，且特別是涉及一種反應(yīng)腔室的清潔方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，不論是進行沉積工藝或是進行蝕刻工藝，在經(jīng)過一段時間的重 復(fù)操作之后，在半導(dǎo)體機器的反應(yīng)腔室的內(nèi)表面會產(chǎn)生污染性微粒。如果不對反應(yīng)腔室進 行清潔，則在反應(yīng)腔室中后續(xù)處理的晶片將會受到污染，而將低產(chǎn)品的成品率。因此，會定 期對反應(yīng)腔室進行清潔。目前，現(xiàn)有對于反應(yīng)腔室的清潔方法主要分為兩步驟，第一步驟是以NF3作為清潔 氣體，在反應(yīng)腔室中產(chǎn)生等離子體以除去反應(yīng)腔室的內(nèi)表面上的污染性微粒。第二步驟是 在反應(yīng)腔室內(nèi)表面形成材料為氧化物的保護膜(season film)。然而，保護膜也會同時形成在反應(yīng)腔室中用以承載晶片的靜電吸座(E-chuck) 上。因此，靜電吸座上的保護膜會黏附在后續(xù)所要處理的晶片背面，而黏附在晶片背面的保 護膜會在后續(xù)工藝中脫落而造成污染。如此一來，將會降低產(chǎn)品的成品率及產(chǎn)出。現(xiàn)有技術(shù)中有一種避免保護膜沉積在靜電吸座上的方法，是在靜電吸座上覆蓋陶 瓷晶片。但是在沉積保護膜時，陶瓷晶片會因為高熱而破裂。于是，現(xiàn)有技術(shù)為解決此問題， 會在靜電吸座中通入氦氣，氦氣經(jīng)由靜電吸座的出氣孔排出，以降低陶瓷晶片的溫度。然 而，出氣孔所排出的氦氣常會使得陶瓷晶片受力不均，而造成陶瓷晶片一端被氦氣吹高，一 端與靜電吸座接觸。靜電吸座與陶瓷晶片接觸的部分，會因高溫而在靜電吸座上產(chǎn)生黑色 異常粉末，造成靜電吸座的損耗。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種反應(yīng)腔室的清潔方法，可避免保護膜黏 附于后續(xù)所要處理的晶片背面。本發(fā)明的另一目的是提供一種保護用晶片，能防止保護膜沉積在晶片承載座上。本發(fā)明的再一目的是提供一種保護膜的形成方法，更能有效地防止在晶片承載座 上形成保護膜。本發(fā)明提出一種反應(yīng)腔室的清潔方法，于反應(yīng)腔室中具有晶片承載座，清潔方法 為先利用清潔氣體對反應(yīng)腔室進行清潔。接著，于反應(yīng)腔室的內(nèi)表面形成保護膜。其中，在 形成保護膜時，于晶片承載座上方提供保護用晶片，且保護用晶片與晶片承載座之間具有 一距離，同時于保護用晶片與晶片承載座之間通入冷卻氣體。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，使保護用晶片與晶片承載座之間具有一距離的方法例如是于晶片承載座上提供多個支撐針(Pin)，以支撐保護用晶片。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，例如是由晶 片承載座提供冷卻氣體。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，冷卻氣體例 如是氦氣。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，晶片承載座 例如是靜電吸座。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，晶片承載座 的材料例如是陶瓷材料。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，保護用晶片 的材料例如是陶瓷材料。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，保護用晶片 包括第一遮蔽體，用以遮蔽晶片承載座的晶片承載面。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，第一遮蔽體 例如是一圓板。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，保護用晶片 更包括連接于第一遮蔽體周圍的第二遮蔽體，用以遮蔽連接于晶片承載面周圍的側(cè)面。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，第二遮蔽體 例如是環(huán)狀側(cè)壁。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，保護膜的材 料例如是氧化物。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，保護膜的形 成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，清潔氣體例 如是nf3。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，反應(yīng)腔室例 如是化學(xué)氣相沉積腔室。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的反應(yīng)腔室的清潔方法中，反應(yīng)腔室例 如是干蝕刻腔室。本發(fā)明提出一種保護用晶片，適用于反應(yīng)腔室的清潔工藝中，反應(yīng)腔室中具有晶 片承載座，晶片承載座具有晶片承載面及連接于晶片承載面周圍的側(cè)面。保護用晶片包括 第一遮蔽體及第二遮蔽體。第一遮蔽體用以遮蔽晶片承載座的晶片承載面。第二遮蔽體連 接于第一遮蔽體周圍，用以遮蔽連接于晶片承載面周圍的側(cè)面。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的保護用晶片中，第一遮蔽體例如是圓 板。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的保護用晶片中，第二遮蔽體例如是環(huán) 狀側(cè)壁。依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的保護用晶片中，保護用晶片的材料例如是陶瓷材料。本發(fā)明提出一種保護膜的形成方法，適用于反應(yīng)腔室的內(nèi)表面形成保護膜，反應(yīng) 腔室中具有晶片承載座，沉積方法包括在形成保護膜時，于晶片承載座上方提供保護用晶 片，且保護用晶片與晶片承載座之間具有一距離，同時于保護用晶片與晶片承載座之間通 入冷卻氣體。由于本發(fā)明所提出的反應(yīng)腔室的清潔方法在形成保護膜時，會使用保護用晶片遮 蔽于晶片承載座上方，且保護用晶片與晶片承載座之間具有一距離，同時會于保護用晶片 與晶片承載座之間通入冷卻氣體而形成氣幕，因此可防止保護膜形成于晶片承載座上，也 就不會發(fā)生保護膜黏附于后續(xù)所要處理的晶片背面的情況。如此一來，可避免黏附在晶片 背面的保護膜在后續(xù)工藝中脫落而造成污染，能有助于提升產(chǎn)品的成品率及產(chǎn)出。此外，由于保護用晶片與晶片承載座之間具有一距離，藉此保護用晶片不會與晶 片承載座接觸，因此能避免在晶片承載座上產(chǎn)生黑色異常粉末，而延長晶片承載座的使用 壽命。另外，因為于保護用晶片與晶片承載座之間通入冷卻氣體，所以能防止保護用晶片因 過熱而破裂。另一方面，因為本發(fā)明的保護用晶片的結(jié)構(gòu)能有效遮蔽晶片承載座的晶片承載面 及側(cè)面，所以阻止保護膜形成于晶片承載座上的能力更佳。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖IA-圖IB所繪示為本發(fā)明一實施例在對反應(yīng)腔室進行清潔時的流程剖面圖。圖2所繪示為本發(fā)明一實施例的清潔方法的流程圖。圖3所繪示為本發(fā)明另一實施的反應(yīng)腔室的剖面圖。簡單符號說明100 反應(yīng)腔室102:內(nèi)表面104、106:進氣口108:晶片承載座108a:晶片承載面108b 側(cè)面110:出氣孔112:保護膜114、118:保護用晶片116:支撐針118a:第一遮蔽體118b:第二遮蔽體S202、S204 步驟標(biāo)號
具體實施例方式圖IA-圖IB所繪示為本發(fā)明一實施例在對反應(yīng)腔室進行清潔時的流程剖面圖。圖2所繪示為本發(fā)明一實施例的清潔方法的流程圖。請先參照圖1A，本發(fā)明的反應(yīng)腔室100具有內(nèi)表面102，在反應(yīng)腔室100的側(cè)面設(shè) 置用以通入清潔氣體的進氣口 104，在反應(yīng)腔室100的頂面設(shè)置用以通入反應(yīng)氣體的進氣 口 106。反應(yīng)腔室100例如是化學(xué)氣相沉積腔室或干蝕刻腔室。反應(yīng)腔室100中設(shè)置有晶 片承載座108，晶片承載座108具有晶片承載面108a及連接于晶片承載面108a周圍的側(cè)面 108b，且于晶片承載座108上設(shè)置有用以排出冷卻氣體的出氣孔110。晶片承載座108例如 是靜電吸座。晶片承載座108的材料例如是陶瓷材料。值得注意的是，圖1僅為本發(fā)明一 實施例的反應(yīng)腔室100的結(jié)構(gòu)示意圖，并不用以限制本發(fā)明。以下，將介紹本發(fā)明所提出的反應(yīng)腔室的清潔方法。首先，請同時參照圖IA及圖 2，本發(fā)明的清潔方法包括步驟S202及步驟S204。步驟S202為利用清潔氣體對反應(yīng)腔室 100進行清潔。清潔氣體例如是NF3，由進氣口 104進入反應(yīng)腔室100中，以清除附著于反 應(yīng)腔室100的內(nèi)表面102上的污染物。接下來，同時參照圖IB及圖2，步驟S204為于反應(yīng)腔室100的內(nèi)表面102形成保護 膜112。保護膜112的材料例如是氧化物，而保護膜112的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。在形成保護膜112時，于晶片承載座108上方提供保護用晶片114，且保護用晶片 114與晶片承載座108之間具有距離D，同時于保護用晶片114與晶片承載座108之間通入 冷卻氣體。其中，使保護用晶片114與晶片承載座108之間具有距離D的方法例如是于晶片 承載座108上提供支撐針116，以支撐保護用晶片114。在圖1中支撐針116的數(shù)量雖繪示 為三根，但并不用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員能視情況對支撐針116的數(shù)量進行調(diào)整。此外，保護用晶片114與晶片承載座108之間的距離D為越小越好，只要能使保護 用晶片114與晶片承載座108不互相接觸即可。于保護用晶片114與晶片承載座108之間 所通入的冷卻氣體例如是氦氣，由晶片承載座108上的出氣孔110所提供。保護用晶片114 位于晶片承載座108上方，以遮蔽晶片承載座108的晶片承載面108a。保護用晶片114例 如是一個圓板。保護用晶片114的材料例如是陶瓷材料。在上述反應(yīng)腔室100的清潔方法中，于反應(yīng)腔室100的內(nèi)表面102形成保護膜112 時(步驟S204)，由于保護用晶片114與晶片承載座108之間具有一距離D，而且通入保護 用晶片114與晶片承載座108之間的冷卻氣體會形成氣幕，能防止形成保護膜112時所使 用的反應(yīng)氣體進入保護用晶片114與晶片承載座108之間。因此，可防止保護膜112形成 于晶片承載座108的晶片承載面108a上，能避免保護膜112黏附于后續(xù)所要處理的晶片背 面的情況發(fā)生。如此一來，就不會出現(xiàn)黏附在晶片背面的保護膜在后續(xù)工藝中脫落而造成 污染的問題，有助于提升產(chǎn)品的成品率及產(chǎn)出。此外，由于保護用晶片114與晶片承載座108之間具有距離D，則保護用晶片114 不會與晶片承載座108直接接觸。因此，可以避免黑色異常粉末形成在晶片承載座108上， 而能延長晶片承載座108的使用壽命。另外，因為于保護用晶片114與晶片承載座108之間通入冷卻氣體，所以可以防止 保護用晶片114在形成保護膜112的過程中因過熱而破裂。接下來，于下文中將本發(fā)明所提出的保護用晶片，其結(jié)構(gòu)有別于上述實施例中的保護用晶片114，能更有效地防止在晶片承載座108的晶片承載面108a上形成保護膜112。圖3所繪示為本發(fā)明另一實施的反應(yīng)腔室的剖面圖。在圖3中所繪示的反應(yīng)腔室 100的結(jié)構(gòu)，除了保護用晶片118以外，其余構(gòu)件與圖IA及圖IB相同，于此不在贅述。請參照圖3，本發(fā)明的保護用晶片118包括第一遮蔽體118a及第二遮蔽體118b。保護用晶片118的材料例如是陶瓷材料。第一遮蔽體118a用以遮蔽晶片承載座108的晶片承載面108a。第一遮蔽體118a 例如是圓板。第二遮蔽體118b連接于第一遮蔽體118a周圍，用以遮蔽連接于晶片承載面108a 周圍的側(cè)面108b，第二遮蔽體118b例如是環(huán)狀側(cè)壁。在本實施例中，由于保護用晶片118的結(jié)構(gòu)能有效遮蔽晶片承載座108的晶片承 載面108a及側(cè)面108b，所以能使得用以形成保護膜112的反應(yīng)氣體進入到保護用晶片114 與晶片承載座108之間的路徑加長，因此防止保護膜112形成于晶片承載座108上的能力更佳。綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點1.本發(fā)明所提出的保護膜的形成方法清潔方法能避免保護膜黏附于后續(xù)所要處 理的晶片背面。2.本發(fā)明所提出的反應(yīng)腔室的清潔方法不會發(fā)生黏附在晶片背面的保護膜在后 續(xù)工藝中脫落而產(chǎn)生污染的問題，有助于提升產(chǎn)品的成品率及產(chǎn)出。3.在本發(fā)明所提出的反應(yīng)腔室的清潔方法中，由于保護用晶片與晶片承載座不互 相接觸，因此可以防止在晶片承載座上產(chǎn)生黑色異常粉末，而延長晶片承載座的使用壽命。4.因為本發(fā)明所提出的反應(yīng)腔室的清潔方法會于保護用晶片與晶片承載座之間 通入冷卻氣體，在形成保護膜時，能降低保護用晶片的溫度，以防止保護膜因過熱而破裂。5.在本發(fā)明所提出的保護用晶片中，由于保護用晶片的結(jié)構(gòu)能有效遮蔽晶片承載 座的晶片承載面及側(cè)面，因此防止保護膜形成于晶片承載座的能力更佳。雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng) 當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種保護用晶片，適用于反應(yīng)腔室的清潔工藝中，該反應(yīng)腔室中具有晶片承載座，該晶片承載座具有晶片承載面及連接于該晶片承載面周圍的側(cè)面，該保護用晶片包括第一遮蔽體，用以遮蔽該晶片承載座的該晶片承載面；以及第二遮蔽體，連接于該第一遮蔽體周圍，用以遮蔽連接于該晶片承載面周圍的該側(cè)面。
2.如權(quán)利要求1所述的保護用晶片，其中該第一遮蔽體包括圓板。
3.如權(quán)利要求1所述的保護用晶片，其中該第二遮蔽體包括環(huán)狀側(cè)壁。
4.如權(quán)利要求1所述的保護用晶片，其中該保護用晶片的材料包括陶瓷材料。
全文摘要
一種保護用晶片，適用于反應(yīng)腔室的清潔工藝中，該反應(yīng)腔室中具有晶片承載座，該晶片承載座具有晶片承載面及連接于該晶片承載面周圍的側(cè)面，該保護用晶片包括第一遮蔽體，用以遮蔽該晶片承載座的該晶片承載面；以及第二遮蔽體，連接于該第一遮蔽體周圍，用以遮蔽連接于該晶片承載面周圍的該側(cè)面。
文檔編號H01L21/00GK101800164SQ20101013586
公開日2010年8月11日 申請日期2006年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月24日
發(fā)明者余俊承, 夏俊弘, 莊鈞涵, 施惠紳, 朱健夫, 楊國維, 楊大慶, 毛智仁 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司