專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光器件封裝和包括其的照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施方案涉及一種發(fā)光器件封裝和包括該發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
氮化物半導(dǎo)體由于其高熱穩(wěn)定性和寬帶隙能所以在光學(xué)器件和高功率電子器件領(lǐng)域中得到很多關(guān)注。特別地，使用氮化物半導(dǎo)體的藍(lán)色LED、綠色LED和UV LED已經(jīng)商業(yè) 化并廣泛使用。發(fā)光二極管(LED)可通過(guò)利用化合物半導(dǎo)體材料例如GaAs基材料、AlGaAs基材 料、GaN基材料、InGaN基材料和InGaAlP基材料構(gòu)成發(fā)光源。將這種LED封裝并由此用作用于發(fā)出各種顏色光的發(fā)光器件。發(fā)光器件正在各種 領(lǐng)域例如照明顯示器、字符顯示器和圖像顯示器中用作光源。然而，在相關(guān)技術(shù)發(fā)光器件封裝中，由封裝體發(fā)出的光的輻射角是有限的，使得光 提取效率降低。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施方案提供一種具有改善的光提取效率的發(fā)光器件封裝和包括該發(fā)光器件封 裝的照明系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光器件封裝包括具有傾斜側(cè)表面的封裝體；和在所述封 裝體的傾斜側(cè)表面上的發(fā)光器件。在另一個(gè)實(shí)施方案中，照明系統(tǒng)包括包括發(fā)光器件封裝的發(fā)光模塊，所述發(fā)光器 件封裝包括設(shè)置在封裝體的傾斜側(cè)表面上的發(fā)光器件。一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方案的細(xì)節(jié)將在附圖和以下的描述中進(jìn)行闡述。其他特征可由 說(shuō)明書(shū)和附圖以及由權(quán)利要求而變得明顯。


圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的截面圖。圖2 6A是說(shuō)明制造根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件的工藝的截面圖。圖6B、6C、6D是根據(jù)其它實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的截面圖。圖7是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的照明單元的立體圖。圖8是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的背光單元的立體圖。
具體實(shí)施例方式以下，將參考附圖描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件和包括該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。在實(shí)施方案的描述中，應(yīng)理解當(dāng)層(或膜)稱(chēng)為在另一層或襯底“上/上方”時(shí)， 其可直接在另一層上/上方，或者也可存在中間層。此外，應(yīng)理解當(dāng)層被稱(chēng)為在另一層“下”時(shí)，其可以直接在該層下，并且也可存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。另外，也應(yīng)理解當(dāng)層稱(chēng)為在 兩層“之間”時(shí)，其可以是在所述兩層之間僅有的層，或也可存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。(實(shí)施方案)圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200的截面圖。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200可包括其上部的兩個(gè)側(cè)表面均是傾斜的 封裝體210、和在所述封裝體210的兩個(gè)側(cè)表面上設(shè)置的發(fā)光器件100。其上部的兩個(gè)側(cè)表面均是傾斜的封裝體210的下部寬度大于其上部寬度以使光 的輻射角變寬，由此改善光反射性。而且，封裝體210可傾斜，使得其寬度朝向下的方向逐漸增加。例如，當(dāng)封裝體210 是<100>硅晶片時(shí)，封裝體210的傾斜表面可傾斜為相對(duì)于晶面<111>具有約54. V的角 度。因此，封裝體210可具有朝向下的方向逐漸增加的寬度。封裝體210可具有頂部被截去的金字塔形的上部。而且，在一個(gè)實(shí)施方案中，封裝體210可包括在其上部?jī)?nèi)的靜電放電(ESD)保護(hù)裝 置。例如，ESD保護(hù)裝置用于使發(fā)光器件封裝的尺寸小型化和用于在發(fā)生靜電放電時(shí)保護(hù) 發(fā)光器件。封裝體210在其上部?jī)?nèi)可包括齊納(Zener) 二極管(未顯示)。齊納二極管可電 連接至多個(gè)發(fā)光器件100，以在發(fā)生靜電放電時(shí)保護(hù)發(fā)光器件100。齊納二極管可通過(guò)形成在封裝體210中而使發(fā)光器件封裝的尺寸小型化，齊納二 極管由于形成于封裝體210中所以不會(huì)遮蔽由LED發(fā)出的光。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝可包括圍繞封裝體210和發(fā)光器件100的密封 材料270。密封材料270可具有半球形狀，但是不限于此。密封材料270可包含磷光體(未 顯不)。在一個(gè)實(shí)施方案中，在形成密封材料270時(shí)形成阻擋物260。阻擋物260可有助于 密封材料270的形成以及防止密封材料270在金屬層250上發(fā)生隆起現(xiàn)象。阻擋物260可 包括氧化物層或者氮化物層，但是不限于此。圖6B、6C、6D是根據(jù)其它實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的截面圖。如圖6B所示，在根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200b中，在形成密封材料270 時(shí)可不形成阻擋物。或者阻擋物260可在形成密封材料270之后移除。而且，如圖6C所示，在根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200c中，密封材料270 可形成在各發(fā)光器件100上。在形成密封材料270時(shí)，可在封裝體210上形成第二阻擋物 262，但是不限于此。如圖6D所示，在根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200c中，在形成密封材料270 時(shí)可不形成第二阻擋物。密封材料270可通過(guò)傳遞模塑形成。在根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝中，因?yàn)榉庋b體210可在其上部的兩個(gè)側(cè)表 面上具有傾斜表面，所以光的輻射角可變寬以顯著改善光反射性。以下，將參考圖2 6A描述制造根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法。圖6A是 根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的頂視圖。如圖2中所示，準(zhǔn)備封裝體210。在封裝體210的上表面和下表面上分別形成第一 掩模圖案材料221a和第二掩模圖案材料222a。
封裝體210可由硅材料形成，例如可為硅基晶片級(jí)封裝(WLP)。封裝體210可包括 具有多面體形例如長(zhǎng)方體形的框架，但是不限于此。第一掩模圖案材料221a和第二掩模圖案材料222a可為氮化物層，例如氮化硅 (SixNy)層，但是不限于此。如圖3中所示，在封裝體210中形成空腔C?？涨恍纬晒に嚭头庋b體形成工藝可同 時(shí)實(shí)施，但是不限于此?？涨籆可具有杯形或者凹面容器形?？涨籆的內(nèi)表面可相對(duì)于其下表面垂直或者 傾斜。在從上部觀(guān)察時(shí)，空腔C可具有圓形、正方形、多邊形或者橢圓形。如圖3中所示，封裝體210的上部的兩個(gè)側(cè)表面可以是傾斜的。例如，其上部的兩個(gè)側(cè)表面是傾斜的封裝體210的下部寬度大于其上部寬度。而 且，封裝體210可傾斜，使得其寬度朝向下的方向逐漸增加。封裝體210可具有頂部被截去 的金字塔形上部。例如，當(dāng)封裝體210是<100>硅晶片時(shí)，封裝體210的傾斜表面可傾斜為相對(duì)于 <111>晶面具有約54.7°的角度。因此，封裝體210可具有朝向下的方向逐漸增加的寬度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，由于封裝體210在其上部的兩個(gè)側(cè)表面上具有傾斜表面，所 以光的輻射角可變寬以顯著改善光反射性。例如，其上部的兩個(gè)側(cè)表面是傾斜的封裝體210的形成可包括形成覆蓋封裝體 210的上表面的中心部的第一掩模圖案221。例如，將第一掩模圖案材料221a圖案化以覆蓋封裝體210的上表面的中心部并暴 露除了該中心部之外的剩余區(qū)域。即，在第一掩模圖案材料221a上可形成光刻膠圖案(未 顯示)。然后，可使用第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻第一掩模圖案材料221a的一部 分，以形成暴露出封裝體210上表面的除上表面中心部之外的部分的第一掩模圖案221。此時(shí)，封裝體210的形成可包括在封裝體210的下部中形成通孔H。S卩，第二掩 模圖案材料222a可使用第二光刻膠圖案(未顯示)圖案化，以形成暴露出通孔H的第二掩 模圖案222。然后，可使用第一掩模圖案221和第二掩模圖案222作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻封裝體 210，以形成其上部的兩個(gè)側(cè)表面傾斜的封裝體210和通孔H。封裝體210可使用濕蝕刻工藝蝕刻，但是不限于此。此時(shí)，當(dāng)封裝體210是硅襯底并且具有<100>晶體取向時(shí)，蝕刻沿傾斜方向進(jìn)行， 以形成下部寬度大于上部寬度的封裝體210，如圖3中所示。封裝體210可傾斜，使得其寬 度朝向下的方向逐漸增加。封裝體210可具有頂部被截去的金字塔形上部。在一個(gè)實(shí)施方案中，可實(shí)施第一蝕刻工藝以蝕刻封裝體210，然后可實(shí)施第二蝕刻 工藝以再次蝕刻經(jīng)蝕刻的封裝體210，以形成傾斜封裝體210和通孔H。如圖4中所示，可移除第一掩模圖案221和第二掩模圖案222。例如，可實(shí)施濕蝕 刻工藝以移除第一掩模圖案221和第二掩模圖案222。在一個(gè)實(shí)施方案中，可在封裝體210的上部?jī)?nèi)形成ESD保護(hù)裝置。例如，可在封裝 體210的上部?jī)?nèi)形成齊納二極管(未顯示)。齊納二極管可通過(guò)形成在封裝體210中而使發(fā)光器件封裝的尺寸小型化，齊納二 極管由于形成在封裝體210中所以不會(huì)屏蔽由LED發(fā)出的光。
如圖5中所示，在封裝體210上可形成電介質(zhì)240，然后可在通孔中和在封裝體 210的各側(cè)表面上形成金屬層250。此時(shí)，封裝體210可分為封裝單元以實(shí)施電介質(zhì)形成工 藝?；蛘撸娊橘|(zhì)形成工藝可在封裝體210分為封裝單元之前實(shí)施。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，金屬層250可形成在通孔H中以將在發(fā)光器件100中產(chǎn)生的 熱有效地放出。電介質(zhì)240可由絕緣材料例如氧化硅、氮化硅、AlN和SiC中的一種形成。電介質(zhì) 240可將封裝體210與金屬層250 (后續(xù)將形成)電隔離。金屬層250可為電連接至發(fā)光器件100的電極層并且具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié) 構(gòu)。例如，當(dāng)發(fā)光器件100是垂直型發(fā)光器件時(shí)，金屬層250和發(fā)光器件100可彼此直 接電連接。金屬層250 可由鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉬(Pt)、錫 (Sn)、銀(Ag)和磷(P)中的至少一種形成，但是不限于此。在發(fā)光器件100結(jié)合為倒裝芯片形時(shí)，發(fā)光器件100可電連接至金屬層250。當(dāng)發(fā)光器件100是水平型發(fā)光器件時(shí)，金屬層250可不形成在封裝體210的側(cè)表面上。金屬層250可由具有高反射率的材料或者樹(shù)脂材料易于附著的金屬材料形成。當(dāng) 金屬層250具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，上層可由金屬材料例如Al、Ag和APC(Ag+Pd+Cu)中的至少一 種形成。然后，在封裝體210的傾斜表面上形成的金屬層250上可設(shè)置發(fā)光器件100。例 如，發(fā)光器件100可使用粘合劑粘合于金屬層250。發(fā)光器件100可包括至少一種彩色LED 芯片或者UV LED芯片，但是不限于此。發(fā)光器件100可為垂直型發(fā)光器件或者水平型發(fā)光器件。例如，當(dāng)發(fā)光器件100 是水平型發(fā)光器件時(shí)，兩個(gè)導(dǎo)線(xiàn)可鍵合至一個(gè)發(fā)光器件100。當(dāng)發(fā)光器件100是垂直型發(fā)光器件時(shí)，金屬層250和發(fā)光器件100可彼此電連接。 此時(shí)，一個(gè)導(dǎo)線(xiàn)可鍵合至發(fā)光器件100的上部。而且，在高性能發(fā)光器件的情況下，可鍵合 多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，因?yàn)榘l(fā)光器件100的側(cè)表面附著于傾斜的封裝體210，所以封 裝的輻射角α可變寬以顯著改善光反射性。如圖6Α中所示，可形成圍繞封裝體210和發(fā)光器件100的密封材料270。密封材 料270可具有半球形狀，但是不限于此。密封材料270可包含磷光體(未顯示)。在一個(gè)實(shí)施方案中，在形成密封材料270時(shí)可形成阻擋物260。阻擋物260可有助 于密封材料270的形成以及防止密封材料270在金屬層250上發(fā)生隆起現(xiàn)象。阻擋物260 可包括氧化物層或者氮化物層，但是不限于此。在根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝中，封裝體中光的輻射角可變寬以顯著改善 光反射性。圖6B、6C、6D是根據(jù)其它實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的截面圖。如圖6B中所示，在根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200b中，在形成密封材料 270時(shí)可不形成阻擋物?；蛘咦钃跷?60可在形成密封材料270之后移除。
而且，如圖6C中所示，在根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200c中，密封材料270 可形成在各發(fā)光器件100上。在形成密封材料270時(shí)，第二阻擋物262可形成在封裝體210 上，但是不限于此。如圖6D所示，在根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200d中，在形成密封材料270 時(shí)可不形成第二阻擋物。密封材料270可通過(guò)傳遞模塑形成。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝200可適用于照明系統(tǒng)。照明系統(tǒng)可包括圖7 中所示的照明單元、圖8中所示的背光單元、交通燈、車(chē)輛前照燈和招牌。圖7是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的照明單元的立體圖。參考圖7，照明設(shè)備1100可包括殼體1110、設(shè)置于殼體1110中的發(fā)光模塊1130、 和設(shè)置于殼體1110中的連接端子1120以接收來(lái)自外部電源的電力。殼體1110可由具有改善的散熱特性的材料形成。例如，殼體1110可由金屬材料 或者樹(shù)脂材料形成。發(fā)光模塊1130可包括襯底1132和在襯底1132上安裝的至少一個(gè)發(fā)光器件封裝 1210。在絕緣材料上可印刷電路圖案以形成襯底1132。例如，襯底1132可包括印刷電路 板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB或者陶瓷PCB。而且，襯底1132可由可有效反射光的材料形成。襯底1132的表面可涂敷有色材 料，例如通過(guò)其有效反射光的白色或者銀色材料。在襯底1132上可安裝至少一個(gè)發(fā)光器件封裝1210。發(fā)光器件封裝1210可包括至 少一個(gè)發(fā)光二極管(LED) 100。LED 100可包括發(fā)出紅色光、綠色光、藍(lán)色光或者白色光的彩 色LED和發(fā)出紫外(UV)光的UV LED。發(fā)光模塊1130可包括多個(gè)發(fā)光器件封裝1210以獲得各種顏色和亮度。例如，白 色LED、紅色LED和綠色LED可設(shè)置為彼此結(jié)合以確保高的顯色指數(shù)(CRI)。連接端子1120可電連接至發(fā)光模塊1130以供電。如圖7中所示，雖然連接端子 1120以插座方式旋入外部電源中，但是本公開(kāi)不限于此。例如，連接端子1120可為銷(xiāo)形。 因此，連接端子1120可插入外部電源中或者使用互連連接至外部電源。圖8是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的背光單元的立體圖。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的背光單元1200可包括光導(dǎo)板1210、發(fā)光模塊1240、反射元 件1220和底蓋1230，但是不限于此。發(fā)光模塊1240可接觸光導(dǎo)板1210的至少一個(gè)表面以 對(duì)光導(dǎo)板1210提供光，但是不限于此?？稍诠鈱?dǎo)板1210下設(shè)置反射構(gòu)件1220。底蓋1230 可容納光導(dǎo)板1210、發(fā)光模塊1240和反射構(gòu)件1220。光導(dǎo)板1210可散射光以產(chǎn)生平面光。光導(dǎo)板1210可由透明材料形成。例如，光 導(dǎo)板1210可由丙烯酸樹(shù)脂基材料例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯 (PET)樹(shù)脂、聚碳酸酯(PC)樹(shù)脂、環(huán)烯烴共聚物(COC)樹(shù)脂、和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN) 樹(shù)脂中的一種形成。發(fā)光模塊1240可對(duì)光導(dǎo)板1210的至少一個(gè)表面提供光。因此，發(fā)光模塊1240可 用作包括背光單元的顯示器的光源。發(fā)光模塊1240可接觸光導(dǎo)板1210，但是不限于此。特別地，發(fā)光模塊1240可包括襯底1242和安裝在襯底1242上的多個(gè)發(fā)光器件封裝200。襯底1242可接觸光導(dǎo)板1210，但是不限于此。襯底1242可為包括電路圖案(未顯示)的PCB。然而，襯底1242可包括金屬芯PCB或者柔性PCB以及PCB，但是不限于此。在襯底1242上可安裝多個(gè)發(fā)光器件封裝200。而且，每個(gè)發(fā)光器件封裝200的發(fā) 光面可與光導(dǎo)板1210間隔開(kāi)預(yù)定距離?？稍诠鈱?dǎo)板1210下設(shè)置反射構(gòu)件1220。反射構(gòu)件1220反射入射到光導(dǎo)板1210 的底表面上的光以沿向上的方向傳播，由此改善背光單元的亮度。例如，反射構(gòu)件1220可 由PET、PC和PVC中的一種形成，但是不限于此。底蓋1230可容納光導(dǎo)板1210、發(fā)光模塊1240和反射構(gòu)件1220。為此，底蓋1230 可為具有上側(cè)打開(kāi)的盒形，但是不限于此。底蓋1230可由金屬材料或者樹(shù)脂材料形成。而且，底蓋1230可使用壓制成形工 藝或者擠出模制工藝制造。在本說(shuō)明書(shū)中對(duì)〃 一個(gè)實(shí)施方案〃、‘‘實(shí)施方案〃、‘‘示例性實(shí)施方案〃等的任 何引用，表示與該實(shí)施方案相關(guān)描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性包含于本發(fā)明的至少一個(gè) 實(shí)施方案中。在說(shuō)明書(shū)不同地方出現(xiàn)的這些措詞不必都涉及相同的實(shí)施方案。此外，當(dāng)結(jié) 合任何實(shí)施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為將這些特征、結(jié)構(gòu)或特性與實(shí)施方案 的其它特征、結(jié)構(gòu)或特性相關(guān)聯(lián)均在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍之內(nèi)。雖然已經(jīng)參考大量說(shuō)明性實(shí)施方案描述了一些實(shí)施方案，但是應(yīng)理解本領(lǐng)域技術(shù) 人員可設(shè)計(jì)很多其它的改變和實(shí)施方案，這些也將落入本公開(kāi)的原理的精神和范圍內(nèi)。更 具體地，在公開(kāi)、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在本發(fā)明的組合布置的構(gòu)件和/或布置中 可能有各種的變化和改變。除構(gòu)件和/或布置的變化和改變之外，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言， 可替代的用途也是明顯的。
權(quán)利要求
一種發(fā)光器件封裝，包括具有傾斜側(cè)表面的封裝體；和在所述封裝體的傾斜側(cè)表面上的發(fā)光器件；其中所述封裝體包括硅襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述封裝體的下部寬度大于其上部寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述封裝體傾斜以使得其寬度朝向下的 方向逐漸增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述封裝體的上部為頂部被截去的金字 塔形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述封裝體的上部的兩個(gè)側(cè)表面是傾斜的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述封裝體在其下部中包括通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件封裝，包括在所述通孔內(nèi)的金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件封裝，包括在所述封裝體上的電介質(zhì)， 其中所述電介質(zhì)包括氧化硅、氮化硅、AlN和SiC中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件封裝， 包括所述封裝體上的電介質(zhì)，包括在所述封裝體的下部中限定的所述通孔內(nèi)的金屬層、和在所述封裝體的側(cè)表面上 設(shè)置的電介質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件附著于在所述封裝體的 側(cè)表面上設(shè)置的所述金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件封裝，其中所述金屬層包括電連接至所述發(fā)光器 件的電極層并且具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件封裝，其中當(dāng)所述金屬層具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，所述 金屬層的頂層包括Al、Ag和APC(Ag+Pd+Cu)中的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件附著為圍繞所述封裝體 的側(cè)表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝，包括在所述封裝體的兩側(cè)上的阻擋物、和設(shè) 置在所述阻擋物內(nèi)以圍繞所述封裝體和所述發(fā)光器件的密封材料。
15.一種照明系統(tǒng)，包括包括發(fā)光器件封裝的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光器件封裝為根據(jù)權(quán)利要求1 14中任一 項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光器件封裝和包括該發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)。所述發(fā)光器件封裝包括具有傾斜側(cè)表面的封裝體和在所述封裝體的傾斜側(cè)表面上的發(fā)光器件。
文檔編號(hào)H01L25/075GK101814570SQ20101012150
公開(kāi)日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2010年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月20日
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