專利名稱：多絲超導(dǎo)制品及其形成方法
多絲超導(dǎo)制品及其形成方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及多絲超導(dǎo)制品，特別涉及低AC損失的多絲超導(dǎo)制品。相關(guān)領(lǐng)域描述超導(dǎo)材料被技術(shù)團(tuán)體知曉和了解已經(jīng)很久了。自從1911年以來(lái)，人們就知道了在 需要使用液氦G.2K)的溫度下具有超導(dǎo)性質(zhì)的低溫超導(dǎo)體(低T?；騆TS)。但是，直到近 年，人們才發(fā)現(xiàn)了基于氧化物的高溫(高-T。)超導(dǎo)體。在1986年左右，人們發(fā)現(xiàn)了第一種 高溫超導(dǎo)體(HTS)，其在高于液氮(77K)的溫度下具有超導(dǎo)性質(zhì)，即YB Cu307_x (TOCO)，隨后 在過(guò)去的15年中，人們開發(fā)出了其它的材料，包括Bi2Sr2Ca2Cu301Q+y (BSCCO)等。高-T。超導(dǎo) 體的開發(fā)使得有可能以工業(yè)上可行的方法開發(fā)出超導(dǎo)部件以及結(jié)合這些材料的其它器件， 這部分是由于使用液氮使這些超導(dǎo)體工作的成本而不是較為更昂貴的基于液氦的低溫基 礎(chǔ)設(shè)施的費(fèi)用所造成的。在無(wú)數(shù)的可能的應(yīng)用中，工業(yè)中設(shè)法開發(fā)此種材料用于電力工業(yè)，包括用于發(fā)電、 輸電、配電和電力儲(chǔ)存的應(yīng)用。對(duì)于這一點(diǎn)，估計(jì)銅基商業(yè)電力部件固有的電阻每年會(huì)造成 數(shù)十億美元的電力損失，因此，電力工業(yè)支持將高溫超導(dǎo)體用于電力部件，例如輸電和配電 電纜，發(fā)電機(jī)、變壓器和故障斷流器/限流器。另外，高溫超導(dǎo)體在電力工業(yè)中的其它好處 包括使得電能輸送能力提高3-10倍，顯著減小電力設(shè)備的尺寸(即占地面積)和重量，減 少對(duì)環(huán)境的影響，安全性更高，獲得高于常規(guī)技術(shù)的容量。盡管高溫超導(dǎo)體的這些潛在的好 處仍然非常令人信服，但是在使高溫超導(dǎo)體大規(guī)模進(jìn)行生產(chǎn)和工業(yè)化方面，仍然存在很多 的技術(shù)難題。在高溫超導(dǎo)體工業(yè)化相關(guān)的難題中，很多的難題是關(guān)于可以用來(lái)形成各種電力部 件的超導(dǎo)帶段的制造。第一代的超導(dǎo)帶段包括使用上述的BSCCO高溫超導(dǎo)體。這些材料通 常以離散的長(zhǎng)絲的形式提供，這些長(zhǎng)絲被嵌入貴金屬(通常是銀)的基質(zhì)中。盡管這些導(dǎo) 體可以制成所需的延長(zhǎng)的長(zhǎng)度，用于供給電力工業(yè)(例如長(zhǎng)度約為一千米)，但是由于材料 和制造成本，這些帶并不是廣泛商業(yè)可用的產(chǎn)品。因此，人們對(duì)所謂的第二代HTS帶產(chǎn)生了很大的興趣，所述第二代HTS帶具有優(yōu)良 的商業(yè)可行性。這些帶通常依賴于層狀結(jié)構(gòu)，通常包括用來(lái)提供機(jī)械支承的撓性基材，覆蓋 在所述基材之上的至少一個(gè)緩沖層(所述緩沖層任選包括多個(gè)膜)，覆蓋所述緩沖膜的HTS 層，以及覆蓋所述超導(dǎo)體層的任選的包覆層，以及/或者覆蓋所述包覆層或者包圍整個(gè)結(jié) 構(gòu)的任選的電穩(wěn)定體層。但是，迄今為止，在所述第二代帶和結(jié)合所述帶的器件完全工業(yè)化 之前仍然存在很多工程和制造方面的難題。隨著新技術(shù)的出現(xiàn)，帶來(lái)了新的問題，對(duì)于HTS帶，要減小交流電(AC)損失，同時(shí) 保持載流量是特別困難的。AC損失會(huì)減小導(dǎo)體的效率，是由于電流通過(guò)超導(dǎo)制品所產(chǎn)生的 磁場(chǎng)造成的。盡管一些超導(dǎo)體設(shè)計(jì)提出了減少AC損失，如果第二代HTS帶是復(fù)雜的多層結(jié) 構(gòu)，這些制品的形成和使用會(huì)帶來(lái)很大的障礙。具體來(lái)說(shuō)，如果預(yù)期這些制品具有輸送提高的電力要求的能力，而且具有提高的性能和耐久性，要將所述結(jié)構(gòu)形成為工業(yè)可行的長(zhǎng)度 長(zhǎng)的導(dǎo)體，仍然存在很大的障礙。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明揭示了一種超導(dǎo)制品，該制品包括多絲超導(dǎo)帶段，所述帶段 包括基材帶，覆蓋所述基材的緩沖層，以及包含覆蓋所述緩沖層的高溫超導(dǎo)(HTQ材料的 長(zhǎng)絲。所述長(zhǎng)絲沿著所述基材的長(zhǎng)度延伸，在橫向上與相鄰的長(zhǎng)絲隔開一段間隔，縱向上被 間隙隔開。所述多絲超導(dǎo)帶段的長(zhǎng)絲間的橫偏距(lateral inter-filament misaligment) 不大于約100微米。根據(jù)另一個(gè)方面，本發(fā)明揭示了一種超導(dǎo)制品，該制品包括多絲超導(dǎo)帶段，所述帶 段包括基材帶，覆蓋所述基材的緩沖層，以及包含覆蓋所述緩沖層的高溫超導(dǎo)(HTQ材料 的長(zhǎng)絲。所述長(zhǎng)絲沿著所述基材的長(zhǎng)度延伸，在橫向上與相鄰的長(zhǎng)絲隔開一段間隔。另外， 所述多絲超導(dǎo)帶段的臨界電流保留比至少約為0. 6。根據(jù)第三個(gè)方面，提供了一種形成多絲超導(dǎo)帶的方法，該方法包括以卷軸到卷軸 的工藝來(lái)傳送(translate)超導(dǎo)帶，其中，所述超導(dǎo)帶包括基材、覆蓋所述基材的緩沖層、 以及覆蓋所述緩沖層的HTS層。該方法還包括形成覆蓋所述超導(dǎo)帶的掩蔽帶，使用磨粒除 去掩蔽帶的一些部分以及HTS層的一些部分，形成多絲超導(dǎo)帶，該帶包含長(zhǎng)絲，所述長(zhǎng)絲包 含所述HTS材料，并且沿著所述超導(dǎo)帶的長(zhǎng)度延伸，在橫向上與相鄰的長(zhǎng)絲隔開一段間隔。附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明參考附圖，能更好地理解本發(fā)明內(nèi)容，本發(fā)明的許多特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人 員而言是顯而易見的。圖IA顯示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的超導(dǎo)制品的一般結(jié)構(gòu)的透視圖。圖IB顯示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的多絲超導(dǎo)制品的一般結(jié)構(gòu)的透視圖。圖2包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的多絲超導(dǎo)制品的一部分的平面圖。圖3包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的多絲超導(dǎo)制品的一部分的頂圖。圖4包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的形成多絲超導(dǎo)制品的方法的流程圖。圖5包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的形成多絲超導(dǎo)制品的方法的流程圖。圖6包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的形成多絲超導(dǎo)制品的方法的流程圖。圖7包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式用來(lái)形成多絲超導(dǎo)制品的基材支架的透視圖。圖8顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式用來(lái)形成多絲超導(dǎo)制品的基材支架和標(biāo)線片。圖9包括根據(jù)本發(fā)明用來(lái)形成多絲超導(dǎo)制品的具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)線片和包括對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記的超導(dǎo)帶段。

圖10用一系列圖示顯示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式用卷軸到卷軸工藝形成多絲超導(dǎo)制 品的方法。圖11包括故障限流器(FCL)制品，其包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的多絲超導(dǎo)制品。圖12包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式、具有另一種結(jié)構(gòu)的多絲超導(dǎo)制品的一部分的截面 圖。圖13顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的多絲超導(dǎo)制品的功率-磁場(chǎng)曲線圖，顯示了 AC損 失減小。
圖14顯示在故障期間，常規(guī)的FCL器件的電流-時(shí)間曲線圖。圖15顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，結(jié)合了多絲超導(dǎo)制品的FCL器件的電流_時(shí)間關(guān)系 圖。圖16顯示在故障期間，常規(guī)的FCL器件的電壓-時(shí)間關(guān)系圖。圖17顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，結(jié)合了多絲超導(dǎo)制品的FCL器件的電壓-時(shí)間關(guān)系 圖。 在不同附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示類似或相同的元件。
具體實(shí)施例方式參見圖1，圖中顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的超導(dǎo)制品100的一般的層狀結(jié) 構(gòu)。所述超導(dǎo)制品包括基材10，覆蓋所述基材10的緩沖層12，超導(dǎo)層14，然后是包覆層 16 (通常是貴金屬)，以及穩(wěn)定體層18 (通常是銅之類的非貴金屬)。所述緩沖層12可以由 數(shù)個(gè)不同的膜組成。所述穩(wěn)定體層18可以在超導(dǎo)制品100周圍延伸，從而包圍所述超導(dǎo)制
P
ΡΠ O所述基材10大體是基于金屬的，一般是至少兩種金屬元素的合金。特別合適的基 材包括基于鎳的金屬合金，例如已知的Hastelloy 或hiconel 類合金。這些合金往往會(huì)有 所需的蠕變、化學(xué)性質(zhì)和機(jī)械性能，包括膨脹系數(shù)、抗張強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度和伸長(zhǎng)。這些金屬通 ?？梢砸跃砝@帶的形式購(gòu)得，特別適合于超導(dǎo)帶的制造，所述超導(dǎo)帶的制造通常會(huì)使用卷 軸到卷軸的帶加工。所述基材10通常為帶狀的結(jié)構(gòu)，具有高的尺寸比。在本文中，術(shù)語(yǔ)‘尺寸比’用來(lái) 表示基材或帶的長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)的尺寸(帶或基材的寬度)之比。例如，所述帶的寬度通常 約為0. 1-10厘米，所述帶的長(zhǎng)度通常至少約為0. 1米，最優(yōu)選約大于5米。實(shí)際上，包括基 材10的超導(dǎo)帶的長(zhǎng)度可以約等于或大于100米。因此，所述基材的尺寸比可以相當(dāng)高，約 不小于10，約不小于102，甚至約不小于103。某些實(shí)施方式更長(zhǎng)，尺寸比等于或大于104。在一個(gè)實(shí)施方式中，對(duì)基材進(jìn)行處理，使其具有隨后沉積超導(dǎo)帶的組成層所需的 表面性質(zhì)。例如，可以對(duì)表面進(jìn)行拋光，以獲得所需的平坦度和表面粗糙度。另外，例如可 以通過(guò)已知的RABiTS (輥輔助的有雙軸結(jié)構(gòu)的基材)技術(shù)對(duì)基材進(jìn)行處理，使其具有雙軸 結(jié)構(gòu)(這是本領(lǐng)域所了解的)，但是本發(fā)明的實(shí)施方式通常使用未構(gòu)成結(jié)構(gòu)的多晶基材，例 如如上文所述可以在市場(chǎng)上購(gòu)得的基于鎳的帶。再來(lái)看緩沖層12，所述緩沖層可以是單層，或者更通常由多個(gè)膜構(gòu)成。最佳的是， 所述緩沖層包括有雙軸結(jié)構(gòu)的膜，具有大體同時(shí)沿著膜的面內(nèi)晶軸和面外晶軸排列的晶體 結(jié)構(gòu)。這樣的形成雙軸結(jié)構(gòu)可以通過(guò)IBAD來(lái)完成。本領(lǐng)域可以理解，IBAD是離子束輔助 沉積的首字母縮寫，此種技術(shù)優(yōu)選用來(lái)形成有適當(dāng)結(jié)構(gòu)的緩沖層，用來(lái)隨后形成具有所需 的晶體取向的超導(dǎo)層，以獲得優(yōu)良的超導(dǎo)性質(zhì)。氧化鎂是選擇用于IBAD膜的一種常用的材 料，其可以約為1-500納米，例如約為5-50納米。通常，所述IBAD膜具有巖鹽狀的晶體結(jié) 構(gòu)，如美國(guó)專利第6，190, 752號(hào)描述和定義，該專利參考結(jié)合于此。所述緩沖層可以包括另外的膜，例如阻擋膜，提供用來(lái)直接接觸，設(shè)置在IBAD膜 和基材之間。對(duì)于這一點(diǎn)，所述阻擋層可以優(yōu)選由氧化物(例如氧化釔)形成，用來(lái)將基材 與IBAD膜隔離。阻擋膜也可以由非氧化物(例如氮化硅)形成。適合用來(lái)沉積阻擋膜的技術(shù)包括化學(xué)氣相沉積法和物理氣相沉積，包括濺射。阻擋膜的厚度通?？梢约s為1-200 納米。另外，所述緩沖層還可以包括在IBAD膜上形成的外延生長(zhǎng)膜。在本文中，外延生長(zhǎng) 膜能夠有效地增大IBAD膜的厚度，希望主要由用于IBAD層的相同的材料制造，例如MgO，或 者用其它相容的材料制造。在使用基于MgO的IBAD膜和/或外延膜的實(shí)施方式中，MgO材料和超導(dǎo)層的材料 之間存在晶格失配。因此，所述緩沖層還可以包括另外的緩沖層，所述另外的緩沖層特別用 來(lái)減小超導(dǎo)層與下方的IBAD膜和/或外延膜之間的晶格常數(shù)失配。該緩沖層可以由以下 材料形成，例如YSZ(氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯)釕酸鍶，錳酸鑭，以及通常具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的 陶瓷材料。所述緩沖膜可以通過(guò)各種物理氣相沉積技術(shù)來(lái)沉積。盡管上文主要描述了使用IBAD之類的形成結(jié)構(gòu)的工藝在緩沖疊層(層)中形成 有雙軸結(jié)構(gòu)的膜，但是基材表面本身也可以具有雙軸結(jié)構(gòu)。在此情況下，所述緩沖層通常在 有結(jié)構(gòu)的基材上外延生長(zhǎng)，從而在緩沖層中保存雙軸結(jié)構(gòu)。一種用來(lái)形成有雙軸結(jié)構(gòu)的基 材的方法是本領(lǐng)域稱為RABiTS(輥輔助的有雙軸結(jié)構(gòu)的基材)的方法，這是本領(lǐng)域通常了 解的。所述超導(dǎo)層14大體為高溫超導(dǎo)體(HTQ層的形式。HTS材料通常選自在高于液 氮溫度(77K)的溫度下表現(xiàn)出超導(dǎo)性質(zhì)的高溫超導(dǎo)材料中的任一種。這些材料可以包括 例如 YBa2Cu3O7-x，Bi2Sr2CaCu2Oz, Bi2Sr2Ca2Cu3010+y，T12Ba2Ca2Cu3010+y 禾口 HgBa2Ca2Cu308+y?！?材料包括REBa2Cu3CVx，其中RE是稀土或者稀土元素的組合。在以上的材料中，還優(yōu)選使用 YBa2Cu3CVx,其通常被稱作YBC0。可在加入或不加入摻雜劑，例如釤之類的稀土材料的情況 下使用YBC0。所述超導(dǎo)層14可以通過(guò)各種技術(shù)中的任一種形成，包括厚膜和薄膜形成技 術(shù)。較佳的是，可以采用薄膜物理氣相沉積技術(shù)，例如脈沖激光沉積(PLD)以獲得高沉積速 率，或者可以利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，以獲得較低的成本和較大的表面積處理。通常所述超 導(dǎo)層的厚度約為0. 1-30微米，最通常約為0. 5-20微米，例如約為1-5微米，以獲得與超導(dǎo) 層14相關(guān)的所需的安培數(shù)額定值。所述超導(dǎo)制品還可以包括包覆層16和穩(wěn)定體層18，它們通常用來(lái)提供低電阻的 界面，并保證電穩(wěn)定性，以幫助防止超導(dǎo)體在實(shí)際使用過(guò)程中燒毀。更具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)冷卻失 敗或者超過(guò)臨界電流密度、所述超導(dǎo)層從超導(dǎo)狀態(tài)變?yōu)橛须娮璧臓顟B(tài)的時(shí)候，層16和18幫 助電荷沿著超導(dǎo)體連續(xù)流動(dòng)。通常將貴金屬用于包覆層16，以防止穩(wěn)定體層和超導(dǎo)層14之 間發(fā)生不希望有的相互作用。常規(guī)的貴金屬包括金、銀、鉬和鈀。由于銀的成本和普遍的易 得性，因此通常使用銀。通常將包覆層16制造成足夠厚，以防止組分從穩(wěn)定體層18有害地 擴(kuò)散到超導(dǎo)層14中，但是由于成本的原因(原料成本和加工成本)，又通常要制得薄?？梢?將各種技術(shù)用來(lái)沉積所述包覆層16，包括物理氣相沉積，例如DC磁控管濺射。通常加入穩(wěn)定體層18來(lái)覆蓋所述超導(dǎo)層14，具體來(lái)說(shuō)，在圖1所示的具體實(shí)施方 式中，穩(wěn)定體層18覆蓋包覆層16，并且與包覆層16直接接觸。所述穩(wěn)定體層18用作保護(hù) /分流層，用來(lái)提高抗惡劣環(huán)境條件以及抗超導(dǎo)性失超的穩(wěn)定性。所述層通常是致密而且導(dǎo) 熱和導(dǎo)電的，如果超導(dǎo)層損壞，或者超過(guò)超導(dǎo)層的臨界電流，則其可用來(lái)使電流分流。其可 以由各種厚膜和薄膜形成技術(shù)中的任一種形成，例如通過(guò)使用焊料之類的中間結(jié)合材料， 將預(yù)先形成的銅條層疊在超導(dǎo)帶上而形成。其它的技術(shù)著重于物理氣相沉積，通常是蒸發(fā) 或?yàn)R射，以及濕法化學(xué)處理，例如化學(xué)鍍，以及電鍍。對(duì)于這一點(diǎn)，包覆層16可以作為用來(lái)在其上沉積銅的晶種層。值得注意的是，所述包覆層16和穩(wěn)定體層18可以改變或不使用， 如下文各個(gè)實(shí)施方式所述。參見圖1B，圖中顯示了示例性的多絲超導(dǎo)制品150的透視圖。如圖所示，多絲超導(dǎo) 制品150可以如前文所述包括基材10以及上面覆蓋的緩沖層12。但是，與一般的超導(dǎo)體制 品不同，所述多絲超導(dǎo)制品150包括覆蓋所述緩沖層的長(zhǎng)絲21，22和2301-23)。一般來(lái)說(shuō)， 長(zhǎng)絲是細(xì)長(zhǎng)的段，具有第一端和第二端。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述長(zhǎng)絲21-23可以包含HTS 材料。要注意的是，所述長(zhǎng)絲21-23沿著所述制品的長(zhǎng)度延伸，是離散的物體，具有不同的 形狀和尺寸，在橫向上與其它的長(zhǎng)絲隔開一段間隔距離，在縱向上被間隙距離隔開。如進(jìn)一 步所示，在一個(gè)實(shí)施方式中，所述多絲超導(dǎo)制品可以包括覆蓋所述長(zhǎng)絲21-23的包覆層16， 以及覆蓋所述包覆層16的穩(wěn)定體層18。通過(guò)形成包括離散的長(zhǎng)絲的多絲超導(dǎo)制品，有助于形成低AC損失的超導(dǎo)制品。通 過(guò)沿著超導(dǎo)帶段的長(zhǎng)度形成離散的長(zhǎng)絲，有助于減少由流過(guò)HTS層的電流造成的磁性干 擾。因此，通過(guò)形成包含長(zhǎng)絲的超導(dǎo)制品，所述長(zhǎng)絲包含HTS材料，可以促進(jìn)高效而低AC損 失的超導(dǎo)制品的形成。盡管圖IB顯示了僅包含HTS材料的長(zhǎng)絲21-23，但是在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述長(zhǎng) 絲可以由位于組成層中的材料制成。因此，在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，可以形成長(zhǎng)絲21-23， 使得HTS材料和緩沖層12形成圖案，從而形成長(zhǎng)絲。在另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，可以形 成長(zhǎng)絲21-23，使得HTS材料和包覆層16形成圖案，從而形成長(zhǎng)絲。將會(huì)理解，可以形成長(zhǎng) 絲，使得不同的層形成圖案而形成長(zhǎng)絲，所述不同的層包括穩(wěn)定體層18，包覆層16，HTS層 14和緩沖層。參見圖2，圖中顯示多絲超導(dǎo)制品的一部分的頂視圖。該制品包括基底層201，所 述基底層可以如本文所述包括基材以及上面覆蓋的緩沖層。所述多絲超導(dǎo)制品還可以包括 覆蓋所述基底層201的一些部分的長(zhǎng)絲203，204，205，206，207，208，209和210 (203-210)。 根據(jù)實(shí)施方式，所述長(zhǎng)絲可以包含HTS材料，還可以包含緩沖層、包覆層以及根據(jù)實(shí)施方式 的穩(wěn)定層的材料。如圖所示，所述長(zhǎng)絲203-210沿著所述多絲超導(dǎo)制品的長(zhǎng)度延伸。一般來(lái)說(shuō)，長(zhǎng)絲 203-210的連續(xù)長(zhǎng)度217至少約為100微米。在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述長(zhǎng)絲203-210可 以具有更大的長(zhǎng)度，例如至少約為200微米，或者至少約為400微米，甚至至少約為1000微 米。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述長(zhǎng)絲203-210具有基本上沿著帶段的整個(gè)長(zhǎng)度延伸的 連續(xù)長(zhǎng)度。如前文所述，所述長(zhǎng)度可以遠(yuǎn)大于微米尺寸，因?yàn)槎嘟z超導(dǎo)帶段的長(zhǎng)度可以至少 約為5米，更一般至少約為10米，甚至至少約為100米。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，本發(fā)明 所述的多絲超導(dǎo)制品的長(zhǎng)度約為1米至1千米，例如約為5-100米。所述長(zhǎng)絲203-210可以通過(guò)箭頭213所示的間隔距離在橫向上隔開。一般來(lái)說(shuō)， 所述隔開相鄰長(zhǎng)絲的間隔距離213不大于約1毫米。在其它的實(shí)施方式中，間隔213可以 更小，例如約不大于0. 5毫米，約不大于0. 25毫米，甚至約不大于0. 1毫米。在一個(gè)具體的 實(shí)施方式中，所述隔開相鄰的長(zhǎng)絲的間隔距離213約為0. 05-1毫米，更優(yōu)選約為0. 1-0. 5 毫米。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，長(zhǎng)絲203-210可以在縱向被沿著帶段的長(zhǎng)度延伸的間隙(用 箭頭215表示)隔開。一般來(lái)說(shuō)，所述間隙的長(zhǎng)度小于長(zhǎng)絲203-210的長(zhǎng)度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述間隙約不大于3毫米，例如約不大于1毫米，在特別的情況下可以更小。例如， 在一個(gè)實(shí)施方式中，所述間隙215約不大于100微米，75微米，50微米，甚至約不大于20微 米。另外，在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，間隙為100-約400微米。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中， 所述長(zhǎng)絲203-210可以基本上沿著基材帶的整個(gè)長(zhǎng)度延伸，因此基本上不存在間隙。圖3顯示圖2的多絲超導(dǎo)制品的一部分。具體來(lái)說(shuō)，圖3顯示長(zhǎng)絲203和長(zhǎng)絲207 的一部分。如前文所述，長(zhǎng)絲203和207可以被間隙215隔開。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，長(zhǎng)絲可 以包括長(zhǎng)絲間的橫偏距，如相應(yīng)的長(zhǎng)絲203和207的平分軸之間的距離303所示。長(zhǎng)絲間 的橫偏303是在縱向上互相隔開的兩條長(zhǎng)絲的橫向位移的度量。如圖3所示，長(zhǎng)絲間的橫 偏303是分別基于長(zhǎng)絲203和207的相應(yīng)的平分軸304和305，與長(zhǎng)絲203和207的長(zhǎng)度 正交的測(cè)量結(jié)果。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式中，所述長(zhǎng)絲間的橫偏303約不大于100微米。在另 一個(gè)實(shí)施方式中，所述長(zhǎng)絲間的橫偏303約不大于50微米，或者約不大于25微米，甚至約 不大于10微米。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，所述長(zhǎng)絲間的橫偏303約為5-100微米，更具體 約為10-50微米。通過(guò)形成在離散的長(zhǎng)絲之間具有這樣的長(zhǎng)絲間的橫偏303的多絲超導(dǎo)制 品，可以促進(jìn)形成準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)的長(zhǎng)絲和具有優(yōu)良的電特性，例如AC損失減小的超導(dǎo)制品。圖4顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的用來(lái)形成多絲超導(dǎo)制品的方法的流程圖。具體來(lái) 說(shuō)，圖4提供了使用卷軸到卷軸法形成多絲超導(dǎo)制品的方法，其可以促進(jìn)形成長(zhǎng)度長(zhǎng)的多 絲超導(dǎo)制品。因此，所述方法首先是步驟401 從供料卷軸傳送超導(dǎo)帶。所述超導(dǎo)帶可以包 括基材、覆蓋所述基材的緩沖層，以及覆蓋所述緩沖層的HTS層。值得注意的是，在此階段， 在從HTS層使離散的長(zhǎng)絲形成圖案之前，HTS層是覆蓋緩沖層的大體共形的材料層。所述方法還包括在步驟403由供料卷軸傳送掩蔽帶403。具體來(lái)說(shuō)，所述掩蔽帶可 以是帶形式的長(zhǎng)度長(zhǎng)的材料。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述掩蔽帶的尺寸與超導(dǎo)帶的尺寸類似。 因此，在一個(gè)實(shí)施方式中，所述掩蔽帶的尺寸比至少約為10 1。在另一個(gè)實(shí)施方式中，所 述掩蔽帶的尺寸比至少約為100 1，甚至至少約為1000 1。具體關(guān)于某些尺寸，在一個(gè)實(shí)施方式中，所述掩蔽帶的平均寬度大體與超導(dǎo)帶段 相等。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述掩蔽帶的平均寬度約不大于10厘米。在另一個(gè)實(shí)施方式中， 所述掩蔽帶的平均寬度約不大于5厘米，例如約不大于1厘米。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中， 所述掩蔽帶的平均寬度約為1毫米至1厘米。在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述掩蔽帶的平均厚度約不大于5毫米。另外，根據(jù)另一個(gè) 實(shí)施方式，所述掩蔽帶的平均厚度約不大于2毫米，例如約不大于1毫米，甚至約不大于0. 5 毫米。在某些實(shí)施方式中，希望所述掩蔽帶特別薄，其平均厚度約為0. 05-0. 25毫米。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述掩蔽帶可以是對(duì)輻射敏感的材料。包括例如電子工業(yè)使 用的光刻材料或抗蝕劑材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述掩蔽帶可以包含有機(jī)材料，例如樹 脂。在步驟401和403中分別從供料卷軸傳送超導(dǎo)帶和掩蔽帶的同時(shí)，所述工藝可以 在步驟405通過(guò)在超導(dǎo)帶上形成掩蔽帶，以形成掩蔽的超導(dǎo)帶而繼續(xù)進(jìn)行。所述在超導(dǎo)帶 上形成掩蔽帶的方法可以包括合并兩條帶，使得掩蔽帶覆蓋在超導(dǎo)帶的HTS層上。根據(jù)一 個(gè)實(shí)施方式，所述在超導(dǎo)帶上形成掩蔽帶的方法包括通過(guò)將掩蔽帶和超導(dǎo)帶橫向?qū)?zhǔn)，將 兩條帶壓制在一起，從而將掩蔽帶層疊在超導(dǎo)帶上。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述在超導(dǎo) 帶上層疊掩蔽帶的方法包括將掩蔽帶和超導(dǎo)帶一起傳送通過(guò)基材支架，并在帶上施加壓力。例如，可以將掩蔽帶和超導(dǎo)帶傳送通過(guò)基材支架，通過(guò)輥對(duì)帶施加壓力。在一個(gè)更具體 的實(shí)施方式中，所述在超導(dǎo)帶上形成掩蔽帶的方法可以進(jìn)一步包括對(duì)所述掩蔽帶和超導(dǎo)帶 進(jìn)行加熱，以促進(jìn)合適的層疊?？梢詫?duì)帶進(jìn)行局部加熱，以促進(jìn)層疊。在一個(gè)實(shí)施方式中， 可以采用加熱和壓力的組合，以完成層疊。在某些進(jìn)行加熱的實(shí)施方式中，加熱的溫度可以 約高于50° F，例如約高于75° F。一般來(lái)說(shuō)，在層疊過(guò)程中局部提供給帶材的溫度約不高 于 150° F。在層疊工藝過(guò)程中，可以對(duì)掩蔽帶或超導(dǎo)帶、或此二帶施加潤(rùn)濕劑。可以以氣溶膠 或噴霧的形式提供潤(rùn)濕劑，可以施加在將要接觸連接的各帶的表面上。通常，為了潤(rùn)濕而施 加于超導(dǎo)帶和掩蔽帶的材料是不會(huì)對(duì)超導(dǎo)帶或掩蔽帶的組成層造成污染的材料。因此，在 一個(gè)實(shí)施方式中，所述潤(rùn)濕劑包含水基溶液。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述潤(rùn)濕劑可以主 要由去離子水組成。在將掩蔽帶合并在超導(dǎo)帶之上，形成掩蔽的超導(dǎo)帶(這在步驟405提供)之后，所 述方法可以通過(guò)使掩蔽的超導(dǎo)帶傳送通過(guò)具有第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的基材支架并且在包括第二 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)線片下方(這在步驟407提供)傳送而繼續(xù)進(jìn)行。暫時(shí)來(lái)看圖7和圖8，這些圖顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，在卷軸到卷軸工藝的某 些部分過(guò)程中，用來(lái)將掩蔽的超導(dǎo)帶對(duì)準(zhǔn)的制品(例如基材支架和標(biāo)線片)。圖7顯示根 據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的基材支架，而圖8顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的基材支架和上面覆蓋的標(biāo)線 片。具體來(lái)說(shuō)，圖7顯示基材支架700的透視圖，該基材支架700具有通道701，用來(lái)接受和 對(duì)準(zhǔn)長(zhǎng)度長(zhǎng)的帶，特別是掩蔽的超導(dǎo)帶。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述基材支架700可以 包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，或者一系列的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。如圖7所示，所述基材支架700包括位于從通道701 的側(cè)面延伸的擱板703的表面上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記704和705。所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記704和705適合于 使基材支架700與另一個(gè)物體對(duì)準(zhǔn)，所述標(biāo)記可以表示合適的記號(hào)，例如孔、凹痕、刻痕等。圖8顯示位于標(biāo)線片801下方的基材支架700的透視圖。如圖所示，標(biāo)線片801位 于基材支架700上方，具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記804和805，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記804和805與基材支架700 的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記704和705垂直對(duì)準(zhǔn)，便于標(biāo)線片801相對(duì)于基材支架700對(duì)準(zhǔn)。所述標(biāo)線片 801的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記804和805可以包括與基材支架700上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記類似的記號(hào)。另外，用來(lái)將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)的方法和器件可以包括機(jī)械法、電學(xué)法或光學(xué)法。例 如，在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，光學(xué)對(duì)準(zhǔn)方法可以包括使用激光器或傳感器來(lái)將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 對(duì)準(zhǔn)。機(jī)械方法可以包括從相應(yīng)的表面凸出并使開關(guān)脫扣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。在使掩蔽的超導(dǎo)帶傳送通過(guò)基材支架并且在標(biāo)線片之下傳送(這在步驟407提 供)之后，所述方法在步驟409通過(guò)使所述掩蔽的超導(dǎo)帶受到被投射通過(guò)標(biāo)線片的輻射，以 形成有圖案的超導(dǎo)帶而繼續(xù)進(jìn)行。根據(jù)一個(gè)具體的實(shí)施方式，可以使得輻射投射通過(guò)標(biāo)線 片中的圖案，使得掩蔽的超導(dǎo)帶的一些部分受到輻射，而掩蔽的超導(dǎo)帶的其它部分并未受 到輻射。此種方法促進(jìn)了受到輻射的所述掩蔽帶的部分的硬度變化，例如使得它們的硬度 小于未受到輻射的部分。一般來(lái)說(shuō)，所述被投射通過(guò)標(biāo)線片的輻射具有特定的波長(zhǎng)。合適的波長(zhǎng)通常包括 約小于500納米的輻射波長(zhǎng)。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述輻射具有較短的波長(zhǎng)，以致通常將該 波長(zhǎng)稱為紫外波長(zhǎng)或遠(yuǎn)紫外波長(zhǎng)，包括約小于400納米，甚至約小于350納米的波長(zhǎng)。下面暫時(shí)來(lái)看圖8以進(jìn)一步說(shuō)明使得該帶的的一些部分受到輻射的工藝，所述標(biāo)線片801包括有圖案的部分803，當(dāng)使輻射通過(guò)所述有圖案的部分803的時(shí)候，這樣在超導(dǎo) 帶805的表面上投射特定的圖案，從而使掩蔽帶形成圖案。一般來(lái)說(shuō)，所述有圖案的部分 803所包含的圖案能夠促進(jìn)包括離散長(zhǎng)絲的超導(dǎo)帶的形成。也就是說(shuō)，在一個(gè)實(shí)施方式中， 所述有圖案的部分803所包含的圖案與多絲超導(dǎo)帶上形成的長(zhǎng)絲的最終圖案類似或相同。 所述覆蓋基材支架700的標(biāo)線片801的組合便于進(jìn)行連續(xù)卷軸到卷軸法，更具體來(lái)說(shuō)便于 形成沿著超導(dǎo)帶段的大部分長(zhǎng)度延伸的長(zhǎng)絲。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述基材支架700 和標(biāo)線片801的組合能夠便于形成多絲超導(dǎo)帶，所述帶包括沿著所述超導(dǎo)帶的整個(gè)長(zhǎng)度延 伸的長(zhǎng)絲，而沒有間隙。再來(lái)看圖4中提供的方法，在步驟409中形成有圖案的超導(dǎo)帶之后，該方法在步驟 411通過(guò)使用磨粒除去掩蔽帶的一些部分以及HTS層的一些部分以形成多絲超導(dǎo)帶而繼續(xù) 進(jìn)行。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述方法包括使用磨粒，更具體來(lái)說(shuō)包括使用磨粒，在用高壓將 顆粒加速至高速的情況下，對(duì)有圖案的超導(dǎo)帶的表面進(jìn)行噴砂處理，其中所述掩蔽帶受到 輻射的一些部分變得較軟，與位于下面的HTS層的一些部分一起被除去，而掩蔽帶的較硬 部分則可以抵抗所述磨粒的作用。該方法可以通過(guò)卷軸到卷軸法來(lái)完成，其中，所述有圖案 的超導(dǎo)帶從供料卷軸分配通過(guò)噴砂區(qū)，在噴砂區(qū)中，磨粒在高壓下射向有圖案的超導(dǎo)帶的 表面，除去掩蔽帶的一些部分以及位于下面的HTS層的一些部分。在將該帶材傳送通過(guò)噴 砂區(qū)之后，可以將形成的多絲超導(dǎo)帶收集在收帶軸上。所述磨?？梢园瑹o(wú)機(jī)材料，例如氧化物、碳化物、氮化物、硼化物或它們的任意 組合。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，合適的磨?？梢园ǘ趸?、氧化鋁、碳化硅、金剛石、 立方氮化硼、或它們的任意組合。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述磨粒包含二氧化硅或氧化
ρ O所述平均粒度適合便于使用卷軸到卷軸法使長(zhǎng)絲形成圖案。因此，在一個(gè)實(shí)施方 式中，所述磨粒的平均粒度不大于100微米。在另一個(gè)實(shí)施方式中，磨粒較小，例如約不大 于75微米，約不大于50微米，約不大于25微米，甚至約不大于10微米。根據(jù)一個(gè)具體的 實(shí)施方式，所述磨粒的粒度約為1-75微米，更具體約為5-50微米。在使用磨粒除去掩蔽帶的一些部分以及HTS帶的一些部分，從而形成包括離散的 長(zhǎng)絲的多絲超導(dǎo)帶之后，掩蔽帶的一些部分可以仍然覆蓋該帶的尚未被磨粒除去的一些部 分。因此，所述方法可以進(jìn)一步包括通過(guò)使掩蔽帶的這些部分與清潔劑接觸，而除去這些部 分。合適的清潔劑可以包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，清潔劑是水 基溶液。在一個(gè)更具體的實(shí)施方式中，所述清潔劑可以包括去離子水。在一個(gè)具體的實(shí)施 方式中，所述對(duì)多絲超導(dǎo)帶進(jìn)行清潔的方法可以包括在卷軸到卷軸工藝中，使所述多絲超 導(dǎo)帶傳送通過(guò)一個(gè)浴。所述浴可以包括使得所述多絲超導(dǎo)帶經(jīng)受加熱，從而除去覆蓋HTS 長(zhǎng)絲的掩蔽帶的那些部分。在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述對(duì)多絲超導(dǎo)帶進(jìn)行清潔的方法可以 進(jìn)一步包括在多絲超導(dǎo)帶的頂面上噴清潔劑，還可以包括通過(guò)例如超聲波處理對(duì)多絲超導(dǎo) 帶進(jìn)行攪拌。圖5包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式形成多絲超導(dǎo)帶的方法。圖5所示的方法的某些部分 與之前根據(jù)圖4的方法描述的工藝類似。具體來(lái)說(shuō)，步驟501，503和505基本上與圖4所 述的工藝相同。該方法的步驟507包括使得包括第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩蔽的超導(dǎo)帶在包括第二 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)線片下方傳送。在此具體的實(shí)施方式中，所述掩蔽的超導(dǎo)帶包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此該方法可以不使用基材支架。暫時(shí)來(lái)看圖9，該圖提供了具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩蔽的超導(dǎo)帶以及覆蓋在所述掩蔽的 超導(dǎo)帶上的具有對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)線片的透視圖。如圖所示，所述掩蔽的超導(dǎo)帶901包 括沿著帶材的長(zhǎng)度隔開的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904。另外，所述標(biāo)線片905包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記906和 907，它們分別對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904對(duì)應(yīng)和對(duì)準(zhǔn)。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記906和 907的對(duì)準(zhǔn)便于掩蔽的超導(dǎo)帶901與標(biāo)線片905的對(duì)準(zhǔn)，從而促進(jìn)了掩蔽帶有效而高效地形 成圖案。另外，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904的種類可以與之前根據(jù)圖7和圖8所述的那些相 同。如圖9進(jìn)一步所示，所述掩蔽的超導(dǎo)帶可以包括沿著掩蔽的超導(dǎo)帶901的長(zhǎng)度的 部分909和911，用來(lái)包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904。在一個(gè)實(shí)施方式中，部分909和911可以包 括掩蔽的超導(dǎo)帶段，其中所述掩蔽帶沒有覆蓋在所述超導(dǎo)帶段上。在另一個(gè)實(shí)施方式中，部 分909和911包括掩蔽的超導(dǎo)帶段，其中在掩蔽帶下面不存在HTS層，使得部分909和911 對(duì)應(yīng)于最終形成的多絲超導(dǎo)帶中的長(zhǎng)絲之間的間隙。所述部分909和911可以使掩蔽的超 導(dǎo)帶901與標(biāo)線片通過(guò)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904容易對(duì)準(zhǔn)，以及便于形成長(zhǎng)絲之間的間隙，而所 述長(zhǎng)絲在最終形成的多絲超導(dǎo)帶的中間區(qū)域910中形成。再來(lái)看圖9，可以用卷軸到卷軸方法完成傳送包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904的掩蔽的超 導(dǎo)帶901的的方法。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述卷軸到卷軸方法可以包括步進(jìn)的工藝， 其中使卷軸傳送一段距離，然后停止，使得掩蔽的超導(dǎo)帶901的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904與標(biāo)線 片905的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記906和907對(duì)準(zhǔn)，然后使得掩蔽的超導(dǎo)帶901的中間部分910受到輻射。 在一部分受到輻射之后，可以使該帶再傳送一段距離，然后停止，使得沿著所述掩蔽的超導(dǎo) 帶901長(zhǎng)度的不同的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記再次與標(biāo)線片905的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記906和907對(duì)準(zhǔn)，然后可以再 次重復(fù)所述輻射工藝。所述將掩蔽的超導(dǎo)帶901上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記903和904與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記906 和907對(duì)準(zhǔn)的方法可以與根據(jù)圖7和圖8所述的方法相同。再來(lái)看圖5，在標(biāo)線片下方傳送包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩蔽的超導(dǎo)帶之后，所述方法繼續(xù) 以與圖4所述的相同的方式進(jìn)行。具體來(lái)說(shuō)，該方法通過(guò)使掩蔽的超導(dǎo)帶材的一些部分受 到被投射通過(guò)標(biāo)線片的輻射，以形成有圖案的超導(dǎo)帶(這在步驟509提供)而繼續(xù)進(jìn)行， 然后使用磨粒進(jìn)一步除去所述掩蔽帶的一些部分以及位于所述掩蔽帶材的部分之下的HTS 層的一些部分，以形成多絲超導(dǎo)帶(這在步驟511提供)而繼續(xù)進(jìn)行。圖6顯示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，通過(guò)卷軸到卷軸法形成多絲超導(dǎo)制品的方法的流 程圖。該方法首先進(jìn)行步驟601 將可印刷的帶材從供料卷軸傳送通過(guò)印刷機(jī)，在表面上印 刷圖案，形成印刷過(guò)的帶。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述可印刷的帶材可以包括長(zhǎng)度長(zhǎng)的帶材， 該帶材對(duì)特定波長(zhǎng)的輻射是透明的，或者是基本透明的。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述可 印刷的帶材可以包含有機(jī)材料。在另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述可印刷的帶材可以包含 有機(jī)材料，例如聚酯和聚乙烯，或者它們的組合。在更具體的實(shí)施方式中，所述可印刷的帶 材包括雙軸取向的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯聚酯膜，也稱作Mylar 。因?yàn)樗隹捎∷⒌膸Р目梢栽诰磔S到卷軸工藝中進(jìn)行傳送，所述可印刷的帶材的 尺寸通常與所述超導(dǎo)帶材的尺寸類似。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述可印刷帶材的尺寸比不小 于約10 1。在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述可印刷帶材的尺寸比約不小于100 1，或者甚至 約不小于1000 1。
如上文所述，所述可印刷帶材可以對(duì)特定輻射的波長(zhǎng)是基本透明的。在一個(gè)具體 的實(shí)施方式中，所述可印刷帶材對(duì)紫外輻射是透明的，所述輻射的波長(zhǎng)約小于500納米，更 具體來(lái)說(shuō)，約小于400納米。另外，所述可印刷帶材的平均厚度適合允許輻射透射其厚度。 在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述可印刷帶材的平均厚度約不大于5毫米。在其它的實(shí)施方 式中，所述可印刷的帶材較薄，使得平均厚度約不大于3毫米，或者甚至約不大于1毫米。在 一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述可印刷帶材的平均厚度約為0. 05毫米至0. 25厘米。對(duì)于在可印刷帶材的表面上印刷圖案的方法，通常以卷軸到卷軸工藝將可印刷帶 材傳送通過(guò)所述印刷機(jī)，從而形成印刷過(guò)的帶。所述表面上的圖案可以代表將要在最終多 絲超導(dǎo)帶上形成的長(zhǎng)絲。也就是說(shuō)，所述圖案可以包括長(zhǎng)絲的圖像，其包括類似互相間隔的 長(zhǎng)絲的離散圖像，在各組長(zhǎng)絲之間可包含間隙。在步驟601中形成印刷過(guò)的帶之后，所述方法在步驟603通過(guò)在卷軸到卷軸工藝 中將印刷過(guò)的帶與對(duì)輻射敏感的帶合并，形成印刷過(guò)的掩蔽帶而繼續(xù)進(jìn)行。所述印刷過(guò)的 帶可以從第一供料卷軸展開，所述對(duì)輻射敏感的材料可以從第二卷軸展開，可以將兩條帶 合并，收集在單獨(dú)的收帶卷軸上。一般來(lái)說(shuō)，該實(shí)施方式中使用的對(duì)輻射敏感的帶材與圖4 和圖5所述的實(shí)施方式中使用的材料相同。也就是說(shuō)，所述對(duì)輻射敏感的帶材通常包含有 機(jī)材料，例如樹脂等。另外，所述對(duì)輻射敏感的帶材包含當(dāng)受到特定波長(zhǎng)的輻射的時(shí)候會(huì)變 軟的材料。所述將印刷過(guò)的帶與對(duì)輻射敏感的帶材合并的方法可以包括層疊法。所述層疊法 可以包括與之前根據(jù)圖4所述的類似的方法。因此，層疊法可以包括將相應(yīng)的帶輥壓在一 起，可以進(jìn)一步包括施加壓力、熱量或水分，以及這些方式的任意組合。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，可以將所述印刷過(guò)的帶與所述對(duì)輻射敏感的帶材合 并，使得所述印刷過(guò)的帶的表面上的圖案不會(huì)與所述對(duì)輻射敏感的帶材的表面接觸?；蛘?， 在另一個(gè)實(shí)施方式中，可以將所述印刷過(guò)的帶與所述對(duì)輻射敏感的帶材合并，使得所述印 刷過(guò)的帶的表面上的圖案與所述對(duì)輻射敏感的帶材的主表面接觸。在步驟603中形成印刷的掩蔽帶之后，所述方法在步驟605通過(guò)將所述印刷過(guò)的 掩蔽帶傳送通過(guò)輻射區(qū)，使得印刷過(guò)的掩蔽帶的一些部分受到輻射，從而形成有圖案的掩 蔽帶而繼續(xù)進(jìn)行。因此，所述印刷過(guò)的掩蔽帶上的圖案，特別是圖案的較深色的部分會(huì)阻擋 輻射，而未印刷的部分會(huì)允許輻射通過(guò)，使得位于下面的對(duì)輻射敏感的帶材顯影。如前文所 述，印刷過(guò)的掩蔽帶受到輻射的一些部分，特別是包括所述對(duì)輻射敏感的帶材的印刷過(guò)的 掩蔽帶的部分，會(huì)由于受到輻射而變得較軟。在步驟605中形成有圖案的掩蔽帶之后，所述方法在步驟607通過(guò)從所述有圖案 的掩蔽帶除去所述印刷過(guò)的帶而繼續(xù)進(jìn)行。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，在所述印刷過(guò)的掩 蔽帶的一些部分受到輻射之后，可以將所述印刷的帶與對(duì)輻射敏感的帶材分離。在一個(gè)實(shí) 施方式中，可以使用中間層剝離劑將所述印刷過(guò)的帶從所述有圖案的掩蔽帶除去。在步驟607中將所述印刷過(guò)的帶從所述有圖案的掩蔽帶除去之后，所述方法可以 在步驟609繼續(xù)進(jìn)行，該步驟609包括通過(guò)卷軸到卷軸法將有圖案的掩蔽帶與超導(dǎo)掩蔽帶 合并。通常，所述超導(dǎo)帶可以包括基材、覆蓋所述基材的緩沖層，以及覆蓋所述緩沖層的共 形的HTS層。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述超導(dǎo)帶還可以包括包覆層或穩(wěn)定體層，或者同時(shí)包括 包覆層和穩(wěn)定體層。將有圖案的掩蔽帶與超導(dǎo)帶合并的步驟可以包括本文所述的層疊工藝。在步驟609中將所述有圖案的掩蔽帶與超導(dǎo)帶合并之后，如前文根據(jù)圖4所述，所 述方法可以在步驟611通過(guò)使用磨粒除去有圖案的掩蔽帶的一些部分以及HTS層的一些部 分，從而形成多絲超導(dǎo)帶而繼續(xù)進(jìn)行。因此，所述方法可以包括將所述合并的有圖案的掩蔽 帶和超導(dǎo)帶傳送通過(guò)噴砂區(qū)域，在此噴砂區(qū)域中，在高壓下將磨粒射到所述有圖案的掩蔽 帶和超導(dǎo)帶的表面上，以除去所述有圖案的掩蔽帶以及HTS層的一些部分。圖10用一系列圖顯示了根據(jù)圖6所述的方法，用卷軸到卷軸工藝形成多絲超導(dǎo)制 品的方法。如圖所示，該方法首先進(jìn)行步驟1001 將其表面上具有印刷圖案的印刷過(guò)的帶 1002與對(duì)輻射敏感的帶材1004合并。所述印刷過(guò)的帶1002包括位于表面上的圖案，所述 圖案類似HTS長(zhǎng)絲，所述長(zhǎng)絲沿著所述帶的長(zhǎng)度延伸，在橫向上隔開一段間隔距離，還包括 沿著所述帶的長(zhǎng)度縱向延伸的間隙。在將所述印刷過(guò)的帶1002與對(duì)輻射敏感的帶材1004合并起來(lái)，以形成印刷過(guò)的 掩蔽帶之后，所述方法可在步驟1003繼續(xù)進(jìn)行其中將所述印刷過(guò)的掩蔽帶1006傳送通過(guò) 輻射區(qū)1008，在此輻射區(qū)中，將輻射投射到印刷過(guò)的掩蔽帶1006的表面上，輻射對(duì)輻射敏 感的帶材1004的一些部分而繼續(xù)進(jìn)行。如本文所述，所述方法能夠促進(jìn)受到輻射的對(duì)輻射 敏感的帶材1004的這些部分變軟。在步驟1003中使得所述印刷過(guò)的掩蔽帶1006的一些部分受到輻射之后，所述 方法在步驟1005繼續(xù)進(jìn)行將所述有圖案的掩蔽帶1010與超導(dǎo)帶1012合并。如本文所 述，在使得該帶受到輻射之后，可以除去上面覆蓋的印刷過(guò)的帶1002，留下有圖案的掩蔽帶 1010(即對(duì)輻射敏感的帶材)，與較軟的部分1022相比，后者包括的一些部分1020可以更 硬。所述超導(dǎo)帶1012可以包括基材1018、覆蓋所述基材的緩沖層1016，以及覆蓋所述緩沖 層的HTS層1014。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述超導(dǎo)帶1012還包括覆蓋所述HTS層1014的包 覆層。在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述超導(dǎo)帶1012還包括覆蓋所述HTS層1014的穩(wěn)定體層。在步驟1005中將所述有圖案的掩蔽帶1010與所述超導(dǎo)帶1012合并之后，所述方 法在步驟1007繼續(xù)進(jìn)行其中，使用磨粒除去所述有圖案的掩蔽帶1010和HTS層1012的 一些部分?？梢詫⑺鼍哂猩厦娓采w的有圖案的掩蔽帶1010的超導(dǎo)帶1012傳送通過(guò)噴 砂區(qū)1024，在此噴砂區(qū)IOM中，在壓力下將磨粒10 射向所述有圖案的掩蔽帶1010的表 面。所述方法促進(jìn)了除去所述有圖案的掩蔽帶1010的某些部分，以及除去位于所述有圖案 的掩蔽帶1010的較軟部分1022下面的所述HTS層1014的一些部分。因此，在將所述帶傳 送通過(guò)所述噴砂區(qū)域IOM之后，所述HTS層1014的一些部分以及所述有圖案的掩蔽帶的 一些部分1020仍然保留，并且類似長(zhǎng)絲。所述方法在步驟1009繼續(xù)進(jìn)行，其中，在除去所述有圖案的掩蔽帶1010的一些部 分而形成覆蓋所述緩沖層1016的長(zhǎng)絲10 之后，可以除去所述有圖案的掩蔽帶的剩余部 分1020。因此，所述用來(lái)除去覆蓋所述長(zhǎng)絲10 的有圖案的掩蔽帶1020的一些部分的方 法可以包括如本文根據(jù)圖4所述進(jìn)行淋洗。在此方法之后，可以在長(zhǎng)絲10 上提供包覆層 和/或穩(wěn)定體層。盡管圖10顯示了形成包括僅含HTS層的長(zhǎng)絲的多絲超導(dǎo)制品，但是應(yīng) 當(dāng)理解，可以通過(guò)相同的方法形成其它的多絲超導(dǎo)制品，其中包含的長(zhǎng)絲包括緩沖層、包覆 層、穩(wěn)定體層、或其組合的一些部分。因此，通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式形成多絲超導(dǎo)制品，促進(jìn)了具有改進(jìn)的載流量的超導(dǎo)制品的形成。本文將會(huì)說(shuō)明，本發(fā)明形成的多絲超導(dǎo)制品的臨界電流保留比至 少約為0. 6。在某些實(shí)施方式中，該比值更大，例如至少約為0. 65，至少約為0. 70，甚至至少 約為0. 75。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所述臨界電流保留比約為0. 60-0. 90。
參見圖11，圖中顯示了故障限流器(FCL)器件1100的頂視圖。所述FCL器件1100 包括多絲超導(dǎo)帶段1101，該帶段包括含有HTS材料的長(zhǎng)絲，所述長(zhǎng)絲沿著所述帶段的長(zhǎng)度 延伸，并且是根據(jù)本發(fā)明所述的實(shí)施方式之一形成的。一般來(lái)說(shuō)，所述超導(dǎo)帶段1101的長(zhǎng) 度約不小于0. 1米，例如約不小于5米，或者約不小于10米，或者甚至約不小于100米。一 般來(lái)說(shuō)，所述超導(dǎo)帶段1101的長(zhǎng)度約不大于1千米。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述多絲超導(dǎo)帶段1101懸掛在基底1102上方，繞著接觸件 1103，1104，1105，1106，1107，1108，1109，1110，1111 (1103-1111)纏繞，使得所述多絲超導(dǎo) 帶段1101的路徑基本上是非誘導(dǎo)的。一般來(lái)說(shuō)，所述多絲超導(dǎo)帶段1101可以懸掛在接觸 件1103-1111之間，以便于其接觸冷卻介質(zhì)。因此，在一個(gè)實(shí)施方式中，所述多絲超導(dǎo)帶段 1101中約不小于50%的總外表面積接觸冷卻介質(zhì)。在另一個(gè)實(shí)施方式中，不小于約75%， 例如不小于約90%，或者甚至不小于約98%的超導(dǎo)帶的總外表面面積接觸冷卻介質(zhì)。在具體顯示的實(shí)施方式中，所述多絲超導(dǎo)帶段1101懸掛在基底1102上方的接觸 件之間。根據(jù)一個(gè)具體的實(shí)施方式，所述多絲超導(dǎo)帶段1101在基底1102側(cè)面懸掛在基底 的上方，使得與所述帶段的頂面和底面相切的平面垂直于或基本垂直于所述基底1102的 主平面。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述多絲超導(dǎo)帶段1101的總長(zhǎng)度的約不小于75%的部分懸掛 在基底1102上方。在另一個(gè)實(shí)施方式中，約不小于90%的所述帶段的總長(zhǎng)度、在其它的實(shí) 施方式中所述多絲超導(dǎo)帶段1101的基本上整個(gè)長(zhǎng)度都懸掛在所述基底1102的上方。所述多絲超導(dǎo)帶1101可以與分流電路1121電連接。因此，所述FCL器件可以包 括跨越所述彎曲路徑的整個(gè)距離的單個(gè)或多個(gè)分流電路。如圖11所示，所述分流電路1121 跨越一些接觸件而沒有造成電接觸。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述分流電路1121可以包括至少 一個(gè)阻抗元件(即電阻器和/或電感器)，更通常，可以包括跨越所述彎曲路徑的距離的多 個(gè)阻抗元件。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述多個(gè)阻抗元件可以互相串聯(lián)。所述串聯(lián)的阻抗元件 的數(shù)量通常約大于2，例如約不小于5，甚至約不小于10。一般來(lái)說(shuō)，根據(jù)所述分流電路跨越的多絲超導(dǎo)帶的長(zhǎng)度對(duì)所述阻抗元件進(jìn)行選 擇，使其具有特定的阻抗，使得各個(gè)阻抗元件能夠保護(hù)多絲超導(dǎo)帶段的特定長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí) 施方式中，所述分流電路包括阻抗元件，所述阻抗元件的阻抗約不小于0.1毫歐姆/米受保 護(hù)的帶。其它的實(shí)施方式在單位長(zhǎng)度的受保護(hù)的帶上使用更大的阻抗，使得阻抗元件的數(shù) 值約不小于1毫歐姆/米受保護(hù)的帶，或者約不小于5毫歐姆/米受保護(hù)的帶，甚至約不小 于10毫歐姆/米受保護(hù)的帶，甚至最高約為1. 0歐姆/米受保護(hù)的帶。根據(jù)一個(gè)具體的實(shí)施方式，所述多絲超導(dǎo)帶段1102包括旋轉(zhuǎn)區(qū)域1117和1119，其 中所述多絲超導(dǎo)帶段1101是傾斜或者旋轉(zhuǎn)的。根據(jù)所示的實(shí)施方式，所述旋轉(zhuǎn)區(qū)域1117和 1119特別沿著所述超導(dǎo)帶段401的直的部分定位。所述旋轉(zhuǎn)區(qū)域1117和1119促進(jìn)了所述 超導(dǎo)帶段401與電接觸件1113和1115的連接，由此再將超導(dǎo)帶段1101與分流電路1121 相連。需要注意的是，在旋轉(zhuǎn)區(qū)域1117和1119中，所述多絲超導(dǎo)帶段1101發(fā)生旋轉(zhuǎn)，使得 所述超導(dǎo)帶段401的至少一部分與基底1102平行，并且平放在所述電接觸件1113和1115 的接觸面上。將會(huì)理解，所述FCL器件可以包括多個(gè)多絲超導(dǎo)制品，所述制品可以以串聯(lián)的方式連接和操作，或者以并聯(lián)的結(jié)構(gòu)操作。圖12顯示了用于FCL器件的多絲超導(dǎo)帶段1201的一部分的截面圖。具體來(lái)說(shuō)， 所述多絲超導(dǎo)帶段1201包括基材1203，以及覆蓋所述基材1203的長(zhǎng)絲1202，1203，1204 和1205(1202-1205)。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，形成所述多絲超導(dǎo)帶段1201，使得在沿 著所述帶段的長(zhǎng)度延伸的長(zhǎng)絲1202-1205中包含特定的層。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述長(zhǎng)絲 1202-1205包括緩沖層1207，HTS層1209以及包覆層1211。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述多絲超 導(dǎo)帶段1201可以進(jìn)一步包括覆蓋所有層的任選的穩(wěn)定體層1213。通常，所述多絲超導(dǎo)帶段 1201可能難以使用常規(guī)的化學(xué)蝕刻工藝形成，因?yàn)榭赡懿坏貌皇褂貌煌幕瘜W(xué)試劑對(duì)各個(gè) 不同的層進(jìn)行選擇性蝕刻。但是，具有本發(fā)明這種結(jié)構(gòu)的多絲超導(dǎo)帶段可以使用本發(fā)明所 述的方法很容易形成。實(shí)施例參見下表1，提供比較數(shù)據(jù)，說(shuō)明與使用化學(xué)蝕刻工藝形成的常規(guī)的多絲超導(dǎo)帶段 相比，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式形成的多絲超導(dǎo)帶段的電流保留能力有所提高。樣品1-6包 括通過(guò)本發(fā)明所述的方法形成的樣品，所述方法包括掩蔽、形成圖案和磨粒去除技術(shù)。所述 樣品1-5是多絲超導(dǎo)制品，其包括長(zhǎng)絲，所述長(zhǎng)絲由覆蓋Inconel基材以及包含MgO的有雙 軸結(jié)構(gòu)的緩沖層的HTS層和穩(wěn)定體材料制成。標(biāo)準(zhǔn)樣品1-3使用標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻法形成，所述化學(xué)蝕刻法使用0. 5M的檸檬酸。標(biāo) 準(zhǔn)樣品1-3包括hconel基材，上面覆蓋的共形的有雙軸結(jié)構(gòu)的緩沖層，以及有圖案的形成 長(zhǎng)絲的HTS層和穩(wěn)定體層。在表1提供的各種樣品中，形成的長(zhǎng)絲的長(zhǎng)度為33厘米，寬度 為600微米，橫向上間隔400微米的間隔寬度。間隙長(zhǎng)度為2. 5毫米。對(duì)于所有的樣品，所 述帶段的長(zhǎng)度為1米，寬度為4毫米。表權(quán)利要求
1.一種超導(dǎo)制品，其包括 多絲超導(dǎo)帶段，其包括 基材帶；覆蓋所述基材的緩沖層；以及長(zhǎng)絲，所述長(zhǎng)絲包含覆蓋所述緩沖層的高溫超導(dǎo)(HTQ材料，沿著所述基材的長(zhǎng)度延 伸，在橫向上與相鄰的長(zhǎng)絲相隔一段間隔，在縱向上被間隙隔開，其中，所述長(zhǎng)絲的長(zhǎng)絲間 橫偏距約不大于100微米。
2.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述長(zhǎng)絲間的橫偏距約不大于50微米。
3.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述多絲超導(dǎo)帶段的長(zhǎng)度至少約為5米。
4.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述HTS長(zhǎng)絲的連續(xù)長(zhǎng)度至少約為100 微米。
5.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述HTS長(zhǎng)絲被沿著所述基材的長(zhǎng)度延 伸的間隙隔開，所述間隙的長(zhǎng)度不大于所述HTS長(zhǎng)絲的長(zhǎng)度。
6.如權(quán)利要求5所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述間隙的長(zhǎng)度約不大于3毫米。
7.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述間隔不大于1毫米。
8.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述緩沖層包括有雙軸結(jié)構(gòu)的膜，所述 膜包括同時(shí)沿著膜的面內(nèi)和面外雙軸排列的晶體。
9.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述多絲超導(dǎo)帶段是故障限流器(FCL) 器件的一個(gè)部件，所述器件包括與所述多絲超導(dǎo)帶段并聯(lián)電連接的分流電路。
10.一種超導(dǎo)制品，其包括 多絲超導(dǎo)帶段，其包括基材帶；覆蓋所述基材的緩沖層；以及長(zhǎng)絲，所述長(zhǎng)絲包含覆蓋所述緩沖層的高溫超導(dǎo)(HTQ材料，沿著所述基材的長(zhǎng)度延 伸，與相鄰的長(zhǎng)絲橫向間隔一段間隔，其中，所述多絲超導(dǎo)帶段的臨界電流保留比至少約為 0. 6。
11.如權(quán)利要求10所述的超導(dǎo)制品，其特征在于，所述臨界電流保留比至少約為0.65。
12.—種形成多絲超導(dǎo)帶的方法，該方法包括 以卷軸到卷軸工藝傳送超導(dǎo)帶，所述超導(dǎo)帶包括 基材；覆蓋所述基材的緩沖層；以及 覆蓋所述緩沖層的HTS層； 形成覆蓋所述超導(dǎo)帶的掩蔽帶；以及使用磨粒除去所述掩蔽帶的一些部分以及所述HTS層的一些部分，以形成多絲超導(dǎo) 帶，所述多絲超導(dǎo)帶包括HTS長(zhǎng)絲，所述長(zhǎng)絲沿著所述超導(dǎo)帶的長(zhǎng)度延伸，在橫向上與相鄰 的HTS長(zhǎng)絲間隔一段間隔。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成掩蔽帶的步驟包括從供料卷軸傳送掩蔽帶； 從供料卷軸傳送所述超導(dǎo)帶；將所述掩蔽帶層疊在所述超導(dǎo)帶上，以形成掩蔽的超導(dǎo)帶。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包括使所述掩蔽的超導(dǎo)帶傳送通過(guò)具有第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的基材支架； 使所述掩蔽的超導(dǎo)帶的一些部分受到被投射通過(guò)具有第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)線片的輻射 的照射，其中，所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包括在具有第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的標(biāo)線片下方傳送包括第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩蔽的超導(dǎo)帶； 將所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；使所述掩蔽的超導(dǎo)帶的一些部分受到被投射通過(guò)所述標(biāo)線片的輻射照射，形成有圖案 的超導(dǎo)帶。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成掩蔽帶的步驟包括 從供料卷軸傳送可印刷的帶材通過(guò)印刷機(jī)；在所述印刷機(jī)中，在所述可印刷的帶材的表面上印刷圖案，形成印刷過(guò)的帶。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述可印刷的帶材包含聚酯。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，該方法還包括 從第一供料卷軸傳送印刷過(guò)的帶；從第二供料卷軸傳送對(duì)輻射敏感的帶材；將所述印刷過(guò)的帶與所述對(duì)輻射敏感的帶材合并，形成印刷過(guò)的掩蔽帶； 將所述印刷過(guò)的掩蔽帶傳送到收帶軸上。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，該方法還包括將所述印刷過(guò)的掩蔽帶從供料卷軸傳送通過(guò)輻射區(qū)，使所述印刷過(guò)的掩蔽帶的一些部 分受到輻射照射，以形成有圖案的對(duì)輻射敏感的掩蔽帶；從所述有圖案的對(duì)輻射敏感的掩蔽帶上除去所述印刷過(guò)的帶； 將所述有圖案的對(duì)輻射敏感的掩蔽帶層疊在所述超導(dǎo)帶段上。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，該方法還包括通過(guò)以下方式對(duì)所述有圖案的對(duì)輻射敏感的掩蔽帶的表面進(jìn)行研磨在壓力下，將平 均粒度約不大于75微米的磨粒直接施加在所述有圖案的對(duì)輻射敏感的掩蔽帶的主表面 上，以除去所述有圖案的對(duì)輻射敏感的掩蔽帶的一些部分以及HTS層的一些部分，形成多 絲超導(dǎo)帶，所述帶包括沿著所述超導(dǎo)帶的長(zhǎng)度延伸的HTS長(zhǎng)絲。
全文摘要
提供一種超導(dǎo)制品，該制品包括多絲超導(dǎo)帶段，所述帶段包括基材帶，覆蓋所述基材的緩沖層，以及包含覆蓋所述緩沖層的高溫超導(dǎo)(HTS)材料的長(zhǎng)絲。所述長(zhǎng)絲沿著所述基材的長(zhǎng)度延伸，在橫向上與相鄰的長(zhǎng)絲隔開一段間隔。所述多絲超導(dǎo)帶段的臨界電流保留比至少約為0.4。
文檔編號(hào)H01L39/12GK102106011SQ200980129215
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2009年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月28日
發(fā)明者D·W·黑茲頓, V·塞爾瓦曼尼克姆, 張珣 申請(qǐng)人:美國(guó)超能公司