專利名稱：具有電流浪涌能力的結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造，以及更具體地涉及結(jié)勢(shì)壘肖特基 (JBS) 二極管和該二極管的制造。
背景技術(shù)：
高電壓碳化硅(SiC)肖特基二極管可以具有例如約600V至約2. 5kV之間的電壓 阻斷額定值，期望高電壓碳化硅(SiC)肖特基二極管與具有類似額定電壓的硅PIN 二極管 競(jìng)爭(zhēng)。取決于上述二極管的有源區(qū)的設(shè)計(jì)，上述二極管可以處理差不多約100安培或更高 的正向電流。高電壓肖特基二極管具有許多重要的應(yīng)用，特別是在電源調(diào)節(jié)、調(diào)配和控制領(lǐng) 域。在上述應(yīng)用中，SiC肖特基二極管的一個(gè)重要特性是它的開關(guān)速度。基于硅的PIN 器件通常表現(xiàn)出相對(duì)較差的開關(guān)速度。取決于其額定電壓，硅PIN 二極管可以具有大約 20kHz的最大開關(guān)速度。相對(duì)的，基于碳化硅的肖特基器件理論上能夠具有高得多的開關(guān)速 度，例如，超過硅約100倍。此外，碳化硅器件能夠處理比硅器件更高的電流密度?，F(xiàn)有的SiC肖特基二極管結(jié)構(gòu)具有N型SiC襯底，在該N型SiC襯底上形成有用 作漂移區(qū)的η-外延層。該器件通常包括直接形成在所述η層上的肖特基接觸。例如保護(hù) 環(huán)和/或P型JTE(結(jié)終止延伸)區(qū)的結(jié)終止區(qū)通常被形成為包圍肖特基結(jié)有源區(qū)。結(jié)終 止區(qū)的目的在于減小或者防止位于肖特基結(jié)邊緣的電場(chǎng)擁擠，以及減少或者防止耗盡區(qū)與 器件表面的相互作用。表面效應(yīng)可能導(dǎo)致耗盡區(qū)不均衡地伸展，其可能不利地影響器件的 擊穿電壓。其他終止技術(shù)包括場(chǎng)板和浮動(dòng)場(chǎng)環(huán)，其可能受到表面效應(yīng)更強(qiáng)的影響。還可以 通過注入N型摻雜劑來形成溝道停止區(qū)，以避免耗盡區(qū)延伸到器件的邊緣。與所使用的終止類型無關(guān)，如果將足夠大的反向電壓施加到結(jié)，則肖特基二極管 通常將發(fā)生故障。上述故障一般是災(zāi)難性的，并且可能損傷或者毀壞器件。此外，即使在結(jié) 發(fā)生故障之前，肖特基二極管也可能經(jīng)受大的反向漏電流。為了減小上述漏電流，開發(fā)了結(jié) 勢(shì)壘肖特基(JBS) 二極管。JBS 二極管有時(shí)被稱為混合PIN-肖特基(MPS) 二極管。圖1中 示出了現(xiàn)有的JBS 二極管10。如圖所示，現(xiàn)有的JBS 二極管包括N型襯底12，在該N型襯 底12上形成了 η漂移層14。通常通過離子注入在η漂移層14的表面中形成多個(gè)ρ+區(qū)域 16。與η漂移層14和ρ+區(qū)域16均接觸地在η漂移層14的表面上形成金屬陽極接觸18。 陽極接觸18與漂移層14的暴露部分形成肖特基結(jié)，并且可以與P+區(qū)域16形成歐姆接觸。 在襯底12上形成陰極接觸20。例如，在美國(guó)專利No. 6，104，043和6，524，900中描述了基 于碳化硅的JBS 二極管。在正向操作中，陽極接觸18和漂移層14之間的結(jié)Jl在ρ+區(qū)域16和漂移層14 之間的結(jié)J2之前導(dǎo)通。由此，在低的正向電壓下，所述器件表現(xiàn)出肖特基二極管特性。艮口， 在低的正向電壓下，器件中的電流傳輸由肖特基結(jié)Jl兩端注入的多數(shù)載流子(電子)支 配。由于在通常的工作電壓處在所述器件中可能沒有少數(shù)載流子注入(并且由此沒有少數(shù) 載流子電荷儲(chǔ)存)，因此JBS 二極管具有肖特基二極管的開關(guān)速度快的特性。
然而，在反向偏壓的情況下，由ρ+區(qū)域16和漂移層14之間的PN結(jié)J2形成的耗 盡區(qū)擴(kuò)大為阻斷通過器件10的反向電流，保護(hù)肖特基結(jié)Jl并且限制器件10中的反向漏電 流。由此，在反向偏壓時(shí)，JBS 二極管10表現(xiàn)為類似于PIN 二極管。器件10的電壓阻斷能 力通常是由漂移層14的厚度和摻雜以及邊緣終止的設(shè)計(jì)所確定的。碳化硅JBS 二極管通常遇到的一個(gè)問題是其處理電流浪涌的能力。碳化硅JBS肖 特基二極管通常被設(shè)計(jì)用于功率開關(guān)應(yīng)用，例如高壓配電系統(tǒng)中的功率因數(shù)控制(PFC)。在 上述應(yīng)用中，在通電期間和/或在線路周期丟失(line cycle dropouts)之后，可能會(huì)經(jīng)受 浪涌電流。當(dāng)電流浪涌出現(xiàn)時(shí)，可能會(huì)在二極管中消耗相當(dāng)大的功率，這可以導(dǎo)致器件由于 熱耗散而出現(xiàn)災(zāi)難性的故障。JBS肖特基二極管可以被設(shè)計(jì)為使得ρ+區(qū)域16和漂移層14之間的結(jié)J2在大電 流的情況下導(dǎo)通，導(dǎo)致結(jié)J2兩端的少數(shù)載流子(空穴)注入到漂移層14中。所述少數(shù)載 流子注入調(diào)整漂移層14的導(dǎo)電性，減小了對(duì)于電流的抵抗，由此減小了器件由于電流浪涌 故障的電位。然而，設(shè)計(jì)P+區(qū)域16由此使得結(jié)J2在大電流下導(dǎo)通可能不期望地增加了低 電流下的器件的導(dǎo)通狀態(tài)的電阻。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一些實(shí)施例的電子器件，包括具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅漂移區(qū)，位于所述 漂移區(qū)上的肖特基接觸，和位于鄰近所述肖特基接觸的漂移區(qū)表面處的多個(gè)結(jié)勢(shì)壘肖特基 JBS區(qū)域。所述JBS區(qū)域具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型以及具有第一寬度 和所述JBS區(qū)域中的相鄰JBS區(qū)域之間的第一間隔。所述器件進(jìn)一步包括位于鄰近所述肖 特基接觸的漂移區(qū)表面處的浪涌保護(hù)區(qū)域。所述浪涌保護(hù)區(qū)域具有大于所述第一寬度的第 二寬度，并且包括具有所述第二導(dǎo)電類型的多個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域。每個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域具 有小于所述第一寬度的第三寬度以及具有所述浪涌保護(hù)子區(qū)域中的相鄰浪涌保護(hù)子區(qū)域 之間的第二間隔，所述第二間隔小于所述JBS區(qū)域中的相鄰JBS區(qū)域之間的所述第一間隔。所述第一間隔為約4 μ m到約6 μ m,以及所述第二間隔為約1 μ m到約3 μ m。所述 第一寬度為約ι μ m到約3 μ m,以及所述第三寬度為約1 μ m到約3 μ m。所述浪涌保護(hù)子區(qū)域從所述漂移層的表面延伸到所述漂移層中約0.3μπι到約 0. 5 μ m的深度。所述漂移區(qū)的摻雜水平為約^dO14CnT3到約lX1016cm_3。所述第一間隔、所述第二間隔和所述第三寬度被配置為，使得從所述漂移層表面 到所述浪涌保護(hù)子區(qū)域中的一個(gè)與所述漂移區(qū)之間的結(jié)的中心的電壓降可以足以使得所 述結(jié)在高于所述肖特基二極管的額定電流的正向電流下變?yōu)檎蚱?，從而提供所述肖?基二極管中的電流浪涌處理能力。所述肖特基接觸和所述浪涌保護(hù)子區(qū)域之間的分界面可以是歐姆接觸。所述漂移層可以包括4H-SiC。所述漂移層可以具有約^lO15cnT3到IxIO16CnT3的 摻雜水平，以及所述電流浪涌控制子區(qū)域具有大于^lO18cnT3的摻雜水平。響應(yīng)于施加到所述肖特基接觸的正向電壓，位于所述浪涌保護(hù)區(qū)域之下的漂移區(qū) 部分的電勢(shì)可以高于所述JBS區(qū)域之下的漂移區(qū)部分的電勢(shì)。所述器件可以進(jìn)一步包括所述漂移層中鄰近所述肖特基接觸的多個(gè)電流浪涌控 制區(qū)域。
所述第一導(dǎo)電類型可以包括N型以及所述第二導(dǎo)電類型可以包括P型。所述浪涌控制子區(qū)域包括所述漂移區(qū)中的多個(gè)溝槽以及在所述漂移層中在所述 多個(gè)溝槽中的相應(yīng)溝槽之下延伸的多個(gè)摻雜區(qū)域。所述浪涌保護(hù)子區(qū)域在所述浪涌保護(hù)子區(qū)域中的各個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域之間限定 了所述漂移區(qū)中的垂直電流路徑，所述浪涌保護(hù)區(qū)域的深度可以由所述溝槽的深度和所述 摻雜區(qū)域的深度限定。根據(jù)一些實(shí)施例的形成肖特基二極管的方法，包括在具有第一導(dǎo)電類型的碳化 硅漂移區(qū)的表面處形成多個(gè)結(jié)勢(shì)壘肖特基JBS區(qū)域，所述多個(gè)JBS區(qū)域具有與所述第一導(dǎo) 電類型相反的第二導(dǎo)電類型以及具有所述JBS區(qū)域中的相鄰JBS區(qū)域之間的第一間隔。所 述方法進(jìn)一步包括在鄰近所述肖特基接觸的漂移區(qū)表面處形成浪涌保護(hù)區(qū)域，所述浪涌保 護(hù)區(qū)域包括具有所述第二導(dǎo)電類型的多個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域，各個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域具有所述 浪涌保護(hù)子區(qū)域中的相鄰浪涌保護(hù)子區(qū)域之間的第二間隔，所述第二間隔可以小于所述 JBS區(qū)域中的相鄰JBS區(qū)域之間的所述第一間隔。在所述漂移區(qū)上形成肖特基接觸。所述第一間隔為約4 μ m到約6 μ m以及所述第二間隔為約1 μ m到約3 μ m。形成所述多個(gè)JBS區(qū)域和形成所述浪涌保護(hù)區(qū)域可以包括選擇性地將所述第二 導(dǎo)電性的摻雜劑離子注入到所述漂移層中，以及以大于1700°C的溫度退火所述注入離子。所述方法可以進(jìn)一步包括在包括所述注入離子的所述漂移層上形成石墨涂層，退 火所述注入離子包括退火所述石墨涂層。所述方法可以進(jìn)一步包括在注入離子之前在所述漂移層中蝕刻多個(gè)溝槽，注入離 子包括將離子注入到所述多個(gè)溝槽中。在所述漂移區(qū)上形成所述肖特基接觸可以包括利用一種金屬形成到所述漂移區(qū) 的所述肖特基接觸和到所述浪涌保護(hù)子區(qū)域的歐姆接觸。根據(jù)其他實(shí)施例的一種電子器件，包括具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅漂移區(qū)；位 于所述漂移區(qū)上的肖特基接觸；位于鄰近所述肖特基接觸的漂移區(qū)表面處的多個(gè)結(jié)勢(shì)壘肖 特基JBS區(qū)域。所述多個(gè)JBS區(qū)域具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型以及具有 所述JBS區(qū)域中的相鄰JBS區(qū)域之間的第一間隔。所述器件進(jìn)一步包括具有所述第二導(dǎo)電 類型的多個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域。每個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域具有所述浪涌保護(hù)子區(qū)域中的相鄰浪涌 保護(hù)子區(qū)域之間的第二間隔，所述第二間隔小于所述第一間隔。


附圖被包括用于提供對(duì)于本發(fā)明的進(jìn)一步的理解并且被并入且構(gòu)成本申請(qǐng)的一 部分，附圖示出了本發(fā)明的某些特定的實(shí)施例(多個(gè))。附圖中圖1示出了現(xiàn)有的JBS 二極管的剖視圖。圖2示出了包括浪涌保護(hù)區(qū)域的JBS 二極管的頂視圖。圖3示出了包括浪涌保護(hù)區(qū)域的JBS 二極管的剖視圖。圖4示出了根據(jù)一些實(shí)施例的JBS 二極管的剖視圖。圖5示出了圖4的JBS 二極管的其他方面的詳圖。圖6示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在JBS 二極管的制造期間形成的中間結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖7A示出了根據(jù)其他實(shí)施例的在JBS二極管的制造期間形成的中間結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖7B示出了根據(jù)其他實(shí)施例的JBS二極管的剖視圖。
圖8A示出了根據(jù)一些實(shí)施例的器件的仿真器件結(jié)構(gòu)和仿真結(jié)果。
圖8B示出了對(duì)于比較器件的仿真器件結(jié)構(gòu)和仿真結(jié)果。
圖9示出了根據(jù)一些實(shí)施例的器件的仿真的電流和電壓特性。
圖lo示出了根據(jù)一些實(shí)施例的器件的仿真空穴濃度特性。
圖11示出了根據(jù)一些實(shí)施例的器件的仿真電壓電位特性。
圖12示出了根據(jù)一些實(shí)施例可以使用的注入掩模圖案。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖在下文中更加全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以被實(shí)施為許多不同的形式并且不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實(shí)施例。相反，這些實(shí)施例被提供以使本公開內(nèi)容是詳盡的和完整的，并且將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。通篇相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
將理解，盡管術(shù)語“第一”、“第二”等在這里可以用于描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于使一個(gè)元件區(qū)別于另一元件。例如，在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，類似的，第二元件也可以被稱為第一元件。如這里使用的，術(shù)語“和／或”包括一個(gè)或更多個(gè)關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)的任何和所有組合。
此處使用的術(shù)語僅僅是為了描述具體實(shí)施例，而并不意圖限制本發(fā)明。如此處使用的，除非上下文清楚地另作說明，否則單數(shù)形式”一個(gè)”、”一種”和”所述”意圖是也包括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語”包括”和／或”包含”表明所說明的特征、整體、步驟、操作、部件和／或組件的存在，但不是排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、部件、組件及其組合的存在或者加入。
除非另外限定，否則此處使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)的含義與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。將進(jìn)一步理解，此處使用的術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與其在本說明書的上下文和相關(guān)領(lǐng)域中的含義一致的含義，并且除非此處明確表達(dá)，否則不應(yīng)在理想化或過度形式化的意義上進(jìn)行解釋。
將理解，當(dāng)諸如層、區(qū)域或襯底的元件被稱為在另一元件“上”或者延伸到另一元件“上”時(shí)，其可以直接位于該另一元件上或者直接延伸到該另一元件上，或者也可以存在中間的元件。相反地，當(dāng)元件被稱為“直接”位于另一元件“上”或者“直接”延伸到另一元件“上”時(shí)，不存在中間的元件。還將理解，當(dāng)元件被稱為“連接”或“耦合”到另一元件時(shí)，其可以直接連接或耦合到另一元件或者可以存在中間的元件。相反地，當(dāng)元件被稱為“直接連接”或“直接耦合”到另一元件時(shí)，不存在中間的元件。
諸如“下方”或“上方”或者“上面”或“下面”或者“水平”或“橫向”或“垂直”的關(guān)系性術(shù)語在此處可用于描述如圖中所示的一個(gè)元件、層或區(qū)域與另一元件、層或區(qū)域的關(guān)系。將理解，這些術(shù)語意在涵蓋除了圖中示出的取向之外的設(shè)備的不同取向。
這里，參考橫截面圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述橫截面圖是本發(fā)明的理想化實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖。為了清晰，在所述圖中的層和區(qū)域的厚度可能被放大了。此 外，作為例如制造技術(shù)和/或容許誤差的結(jié)果的與附圖形狀的偏差是可以預(yù)見的。由此，本 發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被理解為局限于此處所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由于制造 而導(dǎo)致的形狀上的差異。例如，被示出為矩形的注入?yún)^(qū)域通常在其邊緣處將具有圓形或者 彎曲的特征和/或具有注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的離散變化。同 樣地，通過注入形成的埋置區(qū)域可能導(dǎo)致埋置區(qū)域和注入發(fā)生的表面之間的區(qū)域中的一些 注入。由此，圖中所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，其形狀不意圖表示器件區(qū)域的實(shí)際形狀， 也并非意圖限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。參考半導(dǎo)體層和/或區(qū)域描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，這些半導(dǎo)體層和/或區(qū)域 的特征在于具有例如N型或者P型的導(dǎo)電類型，其是指所述層和/或區(qū)域中的多數(shù)載流子 濃度。由此，N型材料具有負(fù)充電電子的多數(shù)平衡濃度，而P型材料具有正充電空穴的多數(shù) 平衡濃度。一些材料可能被標(biāo)明具有"+"或者"(如n+，n-，p+，p-，n++，n--，p++， P-等等)，用于表明與另一層或者區(qū)域相比的多數(shù)載流子的相對(duì)較大(“+")或者較小 (“)的濃度。然而，上述符號(hào)并不暗示在層或者區(qū)域中存在特定濃度的多數(shù)載流子或 者少數(shù)載流子。圖2示出了肖特基二極管結(jié)構(gòu)100的頂視圖，其中通過調(diào)整ρ+區(qū)域的大小以及 摻雜所述P+區(qū)域，由此使得P+區(qū)域?qū)⒃诖箅娏髅芏认聦?dǎo)通并且將少數(shù)載流子注入到漂移 層14中，由此來處理電流浪涌。在題為‘、emiconductor Devices Including Schottky Diodes WithControlled Breakdown And Methods Of Fabricating Same，，的美國(guó)公開 No. 2008/0029838中公開了類似的二極管，其被轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人，該公開的內(nèi)容通過 引用并入本文。參考圖2，二極管100包括漂移層114，其具有上表面，在所述上表面中，導(dǎo)電類型 與漂移層114相反的多個(gè)JBS區(qū)域130被形成為漂移層114中的條形區(qū)域。例如，可以通 過以約IxlO17至約lX1018cm_3的濃度離子注入P型摻雜劑(例如硼和/或鋁)到漂移層114 中，由此來形成JBS區(qū)域130，以及JBS區(qū)域130可以延伸到漂移層114表面之下約0. 3至 約0. 5μπι的深度。還在漂移層114中配置一個(gè)或更多個(gè)浪涌保護(hù)區(qū)域116。例如，可以通過以約 IxlO18至約lX1019cm_3的濃度離子注入P型摻雜劑(例如硼和/或鋁)到漂移層114中，由 此來形成浪涌保護(hù)區(qū)域116，以及浪涌保護(hù)區(qū)域116可以延伸到漂移層114表面之下約0. 3 至約0. 5μπι的深度。JBS區(qū)域130暴露了漂移層114表面的部分114Α，并且延伸橫穿漂移層114的有 源區(qū)110(除漂移層的暴露部分114A和重?fù)诫s區(qū)域116之外)。金屬肖特基接觸118(圖 3)覆蓋漂移層114，并且與漂移層114的暴露部分114A以及JBS區(qū)域130和浪涌保護(hù)區(qū)域 116接觸。如此處使用的，術(shù)語"有源區(qū)"是指器件中的肖特基金屬接觸漂移層并且包括漂 移層114的暴露部分114A、JBS區(qū)域130和浪涌保護(hù)區(qū)域116的二維區(qū)域。因此，有源區(qū)包 括肖特基結(jié)區(qū)域但是不包括例如邊緣終止區(qū)域。圖3示出了大體上沿著圖2的線k-k、得到的二極管100的截面圖。如圖3所示， 二極管100包括襯底112，在襯底112上形成了漂移層114。浪涌保護(hù)區(qū)域116可以被形成 為漂移層114內(nèi)的注入?yún)^(qū)域。類似地，JBS區(qū)域130可以被形成為漂移層114中的注入?yún)^(qū)域。由于浪涌保護(hù)區(qū)域116和JBS區(qū)域130具有與漂移層114相反的導(dǎo)電類型，因此JBS 區(qū)域130與漂移層114形成p-n結(jié)J3，而重?fù)诫s區(qū)域116與漂移層114形成p-η結(jié)J5。漂移層114表面上的陽極接觸118與相鄰的輕摻雜區(qū)域130之間的漂移層114的 暴露部分114A形成肖特基結(jié)J4，和/或與JBS區(qū)域130和浪涌保護(hù)區(qū)域116之間的漂移 層114的暴露部分114A形成肖特基結(jié)J4。陽極接觸118可以包括例如鋁、鈦和/或鎳的金 屬，其可以與浪涌保護(hù)區(qū)域116形成歐姆接觸，同時(shí)與漂移層114形成肖特基接觸。如圖3 所示的，陽極接觸118可以包括形成浪涌保護(hù)區(qū)域116上的歐姆接觸的第一部分118A和形 成與漂移層114的肖特基接觸的第二部分118B。具體來說，第二部分118B可以被形成為覆 蓋陽極接觸118的第一部分118A。第一部分118A可以包括例如鋁、鈦和/或鎳，而第二部 分118B可以包括例如鋁、鈦和/或鎳。在襯底112與漂移層114相反的一側(cè)上形成陰極接觸120。陰極接觸120可以包 括例如鎳的金屬，其能夠形成至N型碳化硅的歐姆接觸。在正向操作時(shí)，陽極接觸118和漂移層114的暴露部分114A之間的結(jié)J4在浪涌 保護(hù)區(qū)域116和漂移層114之間的結(jié)J5之前導(dǎo)通。由此，在低正向電壓時(shí)，所述器件表現(xiàn) 出肖特基二極管特性。即，在低正向電壓時(shí)，二極管100的操作由跨過肖特基結(jié)J4的多數(shù) 載流子的注入所支配。由于在正常工作狀態(tài)下缺少少數(shù)載流子注入，因此二極管100可以 具有高速開關(guān)能力，這通常是肖特基二極管的特性。浪涌保護(hù)區(qū)域116可以被設(shè)計(jì)為以高于肖特基結(jié)J4的導(dǎo)通電壓的正向電壓開始 導(dǎo)電。由此，在電流浪涌使得二極管100的正向電壓增加的情況下，P-n結(jié)J5將開始導(dǎo)電。 一旦p-n結(jié)J5開始導(dǎo)電，則二極管100的操作變?yōu)橛煽邕^p-n結(jié)J5的少數(shù)載流子的注入 和復(fù)合支配。在該情況下，二極管的通態(tài)電阻可以減小，對(duì)于給定電流水平，其可以減小二 極管100消耗的功率量。由此，二極管100的正向電壓增加時(shí)的p-n結(jié)J5的導(dǎo)通可以減小 和/或防止二極管100中的正向電流失控(runaway)。在正向操作時(shí)，在JBS區(qū)域130和浪涌保護(hù)區(qū)域116附近，正向電流If垂直向下流 動(dòng)。電流還水平地流動(dòng)跨過浪涌保護(hù)區(qū)域116的表面。當(dāng)從漂移區(qū)的表面114A到浪涌保 護(hù)區(qū)域116的中部的電壓降Δ V超過p-n結(jié)J5的固有電壓時(shí)，發(fā)生p_n結(jié)J5的導(dǎo)通。由 此，對(duì)于漂移區(qū)114中的給定摻雜水平，浪涌保護(hù)區(qū)域116可以被設(shè)計(jì)為至少具有最小橫向 寬度(或者最小范圍)，以使得P-n結(jié)J5以期望的導(dǎo)通水平的正向電流If導(dǎo)通。本發(fā)明的一些實(shí)施例是實(shí)現(xiàn)如下方案的結(jié)果，S卩，可以利用除了簡(jiǎn)單地增加浪涌 保護(hù)區(qū)域116的橫向?qū)挾戎獾姆椒ǐ@得期望的電壓降，其中簡(jiǎn)單地增加浪涌保護(hù)區(qū)域 116的橫向?qū)挾瓤赡軙?huì)不期望地增加器件100的通態(tài)電阻。例如，圖4示出了其中利用具有定義的深度、寬度、間隔和摻雜以提供反向偏壓保 護(hù)以及浪涌電流保護(hù)兩者的多個(gè)子區(qū)域226，來形成浪涌保護(hù)區(qū)域216的實(shí)施例。具體來說，圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的二極管200的剖視圖。二極管 200包括具有上表面的漂移層214，在所述上表面中，形成了具有與漂移層214相反的導(dǎo)電 類型的多個(gè)JBS區(qū)域230。例如，取決于對(duì)于二極管200的電壓阻斷和導(dǎo)通電阻的設(shè)計(jì)要求，可以利用具有 摻雜劑濃度為約切1014到約IxIO16CnT3的2H、4H、6H、3C和/或15R多型的N型碳化硅來形 成漂移層214?？梢允褂闷渌愋偷陌雽?dǎo)體材料，例如GaN、GaAs、硅或者鍺。在具體實(shí)施例中，漂移層214包括利用N型摻雜劑以約^dO15CnT3的濃度摻雜的4H-SiC。例如，可以通 過以約IxlO18Cm-3至約IxlO19Cm-3的濃度離子注入P型摻雜劑(例如硼和/或鋁)到漂移 層214中，由此來形成JBS區(qū)域230，以及JBS區(qū)域230可以延伸到漂移層214表面之下約 0. 3至約0. 5 μ m的深度。在具體實(shí)施例中，可以利用P型摻雜劑以約^dO18CnT3的濃度摻 雜JBS區(qū)域230。浪涌保護(hù)區(qū)域216包括漂移層214中的多個(gè)子區(qū)域226。例如，可以通過以約 IxlO18至約lX1019cm_3的濃度離子注入P型摻雜劑(例如硼和/或鋁)到漂移層214中，由 此來形成子區(qū)域226，以及子區(qū)域2 可以延伸到漂移層114表面之下約0. 3至約0. 5 μ m的 深度。在具體實(shí)施例中，可以以約^clO18cnT3的摻雜劑濃度摻雜子區(qū)域116，以及子區(qū)域116 可以延伸到漂移層214表面之下約0. 5 μ m的深度。各子區(qū)域2 與漂移區(qū)214形成p_n 結(jié)J6。在一些實(shí)施例中，子區(qū)域2 可以與JBS區(qū)域230同時(shí)被注入。因此，子區(qū)域2 可 以具有與JBS區(qū)域230相同的深度和摻雜分布。然而，在其他實(shí)施例中，可以以與JBS區(qū)域 230不同的方法形成子區(qū)域226，并且子區(qū)域2 可以具有與JBS區(qū)域230不同的深度和/ 或摻雜分布。可以通過以足夠的高溫對(duì)包括襯底212、漂移層214和注入?yún)^(qū)域的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火， 來執(zhí)行JBS區(qū)域230和子區(qū)域226中的注入摻雜劑的激活。在一些實(shí)施例中，可以在注入 激活之前在漂移區(qū)214的表面上形成石墨涂層?？梢栽谕嘶鹱⑷腚x子之后去除石墨涂層。 可以在退火注入離子之前使石墨涂層結(jié)晶?？梢砸源笥?700°C的溫度對(duì)注入離子進(jìn)行退火，在一些實(shí)施例中，該溫度可以大 于 1800 0C ο例如，參考圖6，在過壓和/或被例如石墨膜的封裝層覆蓋的硅的情況下，可以通 過在約1600°C的溫度下退火該結(jié)構(gòu)來激活JBS區(qū)域230和子區(qū)域2 中的注入摻雜劑。在 一些實(shí)施例中，可以通過利用石墨涂層以大于約1700°C的溫度進(jìn)行退火來激活注入物。高溫激活退火(例如1700°C或以上)可以改善閾值調(diào)整離子的激活以及改善溝道 區(qū)40中對(duì)缺陷的退火。然而，上述高溫退火可能損傷碳化硅漂移層16的表面。為了減小可能由高溫退火導(dǎo)致的損傷，可以在對(duì)其形成金屬接觸之前在結(jié)構(gòu)表面 上形成石墨涂層250。即，在退火所述結(jié)構(gòu)以激活注入離子之前，可以將石墨涂層250施加 到漂移層214的頂側(cè)/正面?zhèn)?，以便在退火期間保護(hù)所述結(jié)構(gòu)的表面。可以通過現(xiàn)有的抗 蝕劑涂覆方法來施加石墨涂層250，石墨涂層250可以具有足以在高溫退火期間保護(hù)下層 SiC層的厚度。石墨涂層250可以具有約Ιμπι的厚度。在退火之前，石墨涂層250可以被 加熱以在漂移層214上形成晶體覆層。例如，可以通過在約1700°C或更高的溫度下在惰性 氣體中執(zhí)行熱退火來激活注入離子。具體來說，可以在氬氣中在約1850°C的溫度下執(zhí)行熱 退火5分鐘。石墨涂層250可以有助于在高溫退火期間保護(hù)漂移層214的表面。例如，可以隨后通過灰化和熱氧化來去除石墨涂層250。除了激活注入離子之外，利用石墨涂層的高溫退火可以促進(jìn)形成對(duì)于子區(qū)域216 的歐姆接觸。即，不希望被任何特定工作原理所束縛，當(dāng)前認(rèn)為，在浪涌保護(hù)子區(qū)域226中 的例如Al離子的P型摻雜劑在高溫退火期間在子區(qū)域226的表面處累積。當(dāng)例如鈦的金 屬沉積到漂移層214上作為陽極接觸218時(shí)，該金屬可以期望地形成與下層子區(qū)域226的 歐姆接觸。通過使得對(duì)于p-n結(jié)J6更加容易以期望水平的正向電流導(dǎo)通，形成陽極金屬218和子區(qū)域2 之間的歐姆接觸可以提高浪涌保護(hù)區(qū)域216提供的過電流保護(hù)。此外， 在一些實(shí)施例中，可以僅僅使用一種金屬用于陽極接觸，該陽極接觸形成了對(duì)于漂移區(qū)214 的肖特基接觸以及對(duì)于子區(qū)域226的歐姆接觸，其可以減小制造時(shí)間和/或費(fèi)用。圖4的實(shí)施例所示的JBS區(qū)域230可以被提供為間隔開的條形區(qū)域，其暴露漂移 層214的部分表面214A并且延伸跨過漂移層214的有源區(qū)(除子區(qū)域2 和漂移層的暴 露部分214A之外)。金屬肖特基接觸218覆蓋漂移層214并且與漂移層214的暴露部分 214A、JBS區(qū)域230和子區(qū)域226接觸。二極管200可以包括包圍二極管100的有源區(qū)110的邊緣終止區(qū)域(未示出)。 邊緣終止區(qū)域可以包括結(jié)終止延伸(JTE)區(qū)域、場(chǎng)環(huán)、場(chǎng)板、保護(hù)環(huán)和/或上述或者其他終 止的組合。在襯底212的與漂移層214相反的一側(cè)上形成陰極接觸220。陰極接觸220可以 包括例如鎳的金屬，其能夠形成至N型碳化硅的歐姆接觸。在正向操作時(shí)，在JBS區(qū)域230和子區(qū)域2 附近，正向電流If垂直向下流動(dòng)。電 流還水平地流動(dòng)跨過浪涌保護(hù)區(qū)域226的表面。當(dāng)從漂移區(qū)的表面214A到子區(qū)域226的 中部的電壓降Δ V超過ρ-η結(jié)J6的固有電壓時(shí)，發(fā)生子區(qū)域2 和漂移層214之間的p_n 結(jié)J6的導(dǎo)通。然而，電壓降Δ V的一部分可能出現(xiàn)在相鄰子區(qū)域2 之間的垂直電流路徑 226A中。垂直電流路徑226A的電阻是垂直電流路徑226A的長(zhǎng)度和寬度以及漂移區(qū)214的 表面摻雜的函數(shù)。因此，一些實(shí)施例控制垂直電流路徑226A的長(zhǎng)度和寬度以及控制漂移區(qū) 214的表面摻雜，由此使得以期望水平的正向電流跨過結(jié)J6在子區(qū)域2 和漂移區(qū)214之 間雙極導(dǎo)通。圖5示出了二極管200的一些其他方面，其示出了部分二極管200的截面詳圖。具 體來說，如圖5所示，子區(qū)域2 可以具有寬度W、間隔S和深度L。JBS區(qū)域230可以具有 寬度^s和間隔Sjbs。JBS區(qū)域230可以與浪涌保護(hù)區(qū)域216分離JBS間隔^bs。相鄰的子 區(qū)域2 之間的垂直電流路徑226A的電阻可以表示為 R =(1) S卩，垂直電流路徑的電阻與子區(qū)域226的深度L成正比并且與相鄰的子區(qū)域226 之間的間隔S成反比。因此，可以通過使得子區(qū)域2 更深和/或間隔更小來獲得期望的 電壓降A(chǔ)V。由于離子注入技術(shù)的限制，使得子區(qū)域2 更深可能會(huì)面對(duì)挑戰(zhàn)。具體來說， 單獨(dú)利用離子注入，可能難以形成具有超過0. 5 μ m的深度L的子區(qū)域226。該限制在如下 詳細(xì)描述的進(jìn)一步的實(shí)施例中得以解決。然而，可以通過光刻法減小相鄰子區(qū)域2 之間的間隔S，由此使得垂直電流路徑 226A的電阻可以被增加到能夠以期望水平的正向電流If開始導(dǎo)通ρ-η結(jié)J6的值。在一些實(shí)施例中，子區(qū)域226的深度L可以為0.3到0.5 μ m。子區(qū)域226的寬度 W可以為從約Iym到約3 μπι。相鄰子區(qū)域2 之間的間隔S可以為從約1 μ m到約3 μ m。 JBS區(qū)域230的寬度Wjbs可以為從約1 μ m到約3 μ m。相鄰JBS區(qū)域230之間和/或JBS區(qū) 域230和電流浪涌區(qū)域216之間的間隔Sjbs可以為從約4 μ m到約6 μ m,或者為相鄰子區(qū)域 226之間的間隔S的約2到4倍。浪涌保護(hù)區(qū)域216的寬度可以為約10 μ m或更多。圖7A和7B示出了根據(jù)進(jìn)一步實(shí)施例的結(jié)構(gòu)/方法。如其中所示，可以通過將溝槽320蝕刻到漂移層214中來形成浪涌保護(hù)區(qū)域316的子區(qū)域326。例如，利用使用基于 氟的化學(xué)作用(例如SF6、CHF3等等)的干蝕刻技術(shù)(例如等離子刻蝕、感應(yīng)耦合等離子體 (ICP)、電子回旋共振(ECR)等)來蝕刻子區(qū)域326。溝槽320可以被蝕刻到從約0. 3 μ m到約1 μ m的深度d。在溝槽形成之后，例如P 型離子(例如鋁和/或硼)的離子310可以通過注入掩模315被注入到溝槽320中，從而 形成子區(qū)域326。例如，可以以lX1015cm_2的劑量和高達(dá)300keV的能量注入離子。可以以 30度的傾斜角注入離子，由此使得對(duì)溝槽320的側(cè)壁進(jìn)行注入。此外，可以在25°C的溫度 下執(zhí)行注入。將理解，相鄰子區(qū)域3 之間的垂直溝道326A的深度L由此是溝槽320的深 度d與注入結(jié)深度之和。由此可以獲得具有相應(yīng)的更高電阻的更長(zhǎng)的垂直溝道326A。此外，陽極接觸218可以刺入溝槽320，由此以更大的表面面積形成到子區(qū)域3 的歐姆接觸，并因此得到更低的電阻。圖7B示出了得到的器件300，包括襯底212上的陽極 接觸220。圖8A和8B分別示出了對(duì)于類似于圖4和3所示的二極管的二極管的仿真結(jié)果。 具體來說，圖8A和8B圖形地示出了在5. 2V向電壓降處在浪涌電流情況下的器件中的空 穴濃度。例如，圖8A示出了包括漂移區(qū)214的結(jié)構(gòu)200A。JBS區(qū)域230和多個(gè)浪涌保護(hù)子 區(qū)域2 形成在漂移區(qū)214的表面。在相鄰的各浪涌保護(hù)子區(qū)域2 之間定義了垂直電流 路徑226A。此外，圖8A中繪制的線410表明了結(jié)構(gòu)200A內(nèi)的耗盡區(qū)邊界的位置。圖8B 示出了包括漂移區(qū)114的結(jié)構(gòu)100A。JBS區(qū)域130和一個(gè)浪涌保護(hù)區(qū)域116形成在漂移區(qū) 114的表面。圖8B中的線420表明結(jié)構(gòu)100A中的耗盡區(qū)邊界的位置。如圖8A和8B所示，空穴可以從圖8A的器件200A中的子區(qū)域2 被注入以及可 以從圖8B的器件100A中的浪涌保護(hù)區(qū)域116被注入。然而，與圖8B中器件100A中的浪 涌保護(hù)區(qū)域116相比，可以從圖8A中器件200A的中央子區(qū)域226'注入更高的空穴濃度。圖9分別示出了圖8A和8B所示的結(jié)構(gòu)200A和100A的仿真的電流與電壓。具體 來說，圖9表明在兩個(gè)器件中電流以大約4. 8V的電壓開始。然而，如超過4. 8V的電壓處的 I-V曲線的更高的斜率所示的，與器件100A相比，器件200A在浪涌電流情況期間表現(xiàn)出具 有更低的電阻。將理解，在仿真中，電壓是從陰極到陽極為參考方向的。由此，正向偏壓和 正向電流將被分配有負(fù)極性。圖10分別示出了圖8A和8B中所示的器件200A和100A中的仿真的空穴濃度與 橫向位置的曲線圖。具體來說，曲線442示出了圖8B的器件結(jié)構(gòu)100A的仿真的空穴濃度 與位置，而曲線444示出了圖8A的器件結(jié)構(gòu)200A的仿真的空穴濃度與位置。仿真對(duì)于圖 8A的器件結(jié)構(gòu)200A預(yù)測(cè)了更高的空穴濃度。圖11分別示出了圖8A和8B中所示的器件200A和IlOA中的仿真的電位與橫向 位置的曲線圖。具體來說，曲線452示出了圖8B的器件結(jié)構(gòu)100A的仿真的電位與位置，而 曲線妨4示出了圖8A的器件結(jié)構(gòu)200A的仿真的電位與位置。仿真預(yù)測(cè)了對(duì)于圖8A的器 件結(jié)構(gòu)200A在相鄰子區(qū)域2 之間的垂直電流路徑226A之上的電位的局部增加。此外， 在器件結(jié)構(gòu)200A中，響應(yīng)于施加到肖特基接觸的正向電壓，位于浪涌保護(hù)子區(qū)域2 之下 的漂移區(qū)部分的電勢(shì)高于JBS區(qū)域230之下的漂移區(qū)部分的電勢(shì)。圖12示出了用于P型注入的示例性掩模布局，其定義了用于圖4所示的器件200 的JBS區(qū)域230和子區(qū)域226。
盡管已經(jīng)參考特定的操作順序描述了本發(fā)明的實(shí)施例，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員將理 解，在仍然受益于本發(fā)明的教導(dǎo)的同時(shí)，順序中的某些操作可以重新排序。因此，本發(fā)明不 應(yīng)該被理解為局限于此處描述的操作的確切的操作順序。在說明書和附圖中，已經(jīng)公開了本發(fā)明的典型的實(shí)施例，以及盡管使用特定的術(shù) 語，但是其目的僅僅在于通常和描述性的含義而并非用于限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍由在下 文中的權(quán)利要求書所闡述。
權(quán)利要求
1.一種肖特基二極管，包括具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅漂移區(qū)；位于所述漂移區(qū)上的肖特基接觸；位于鄰近所述肖特基接觸的漂移區(qū)表面處的多個(gè)結(jié)勢(shì)壘肖特基JBS區(qū)域，所述多個(gè) JBS區(qū)域具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型以及第一寬度和在所述JBS區(qū)域中 的相鄰JBS區(qū)域之間具有第一間隔；以及位于鄰近所述肖特基接觸的漂移區(qū)表面處的浪涌保護(hù)區(qū)域，所述浪涌保護(hù)區(qū)域具有大 于所述第一寬度的第二寬度，并且包括具有所述第二導(dǎo)電類型的多個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域，以 及每個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域具有小于所述第一寬度的第三寬度以及在所述浪涌保護(hù)子區(qū)域中 的相鄰浪涌保護(hù)子區(qū)域之間具有第二間隔，所述第二間隔小于所述JBS區(qū)域中的相鄰JBS 區(qū)域之間的所述第一間隔。
2.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中所述第一間隔為約4μ m到約6 μ m,以及其 中所述第二間隔為約1 μ m到約3 μ m。
3.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中所述第一寬度為約1μ m到約3 μ m,以及其 中所述第三寬度為約ι μ m到約3 μ m。
4.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中所述浪涌保護(hù)子區(qū)域從所述漂移層的表面 延伸到所述漂移層中約0. 3 μ m到約0. 5 μ m的深度。
5.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中所述漂移區(qū)的摻雜水平為約^dO14CnT3到 約 lxl016cnT3。
6.如權(quán)利要求5所述的肖特基二極管，其中所述第一間隔、所述第二間隔和所述第三 寬度被配置為，使得從所述漂移層表面到所述浪涌保護(hù)子區(qū)域中的一個(gè)與所述漂移區(qū)之間 的結(jié)的中心的電壓降足以使得所述結(jié)在高于所述肖特基二極管的額定電流的正向電流下 變?yōu)檎蚱?，從而提供所述肖特基二極管中的電流浪涌處理能力。
7.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中所述肖特基接觸和所述浪涌保護(hù)子區(qū)域之 間的分界面是歐姆接觸。
8.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中所述漂移層包括4H-SiC，其中所述漂移層 具有約^dO15CnT3到lxl016CnT3的摻雜水平，以及其中所述電流浪涌控制子區(qū)域具有大于 5xl018cm"3的摻雜水平。
9.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中響應(yīng)于施加到所述肖特基接觸的正向電 壓，位于所述浪涌保護(hù)區(qū)域之下的漂移區(qū)部分的電勢(shì)高于所述JBS區(qū)域之下的漂移區(qū)部分 的電勢(shì)。
10.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，進(jìn)一步包括所述漂移層中鄰近所述肖特基接 觸的多個(gè)電流浪涌控制區(qū)域。
11.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中所述第一導(dǎo)電類型包括N型以及所述第二 導(dǎo)電類型包括P型。
12.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中所述浪涌控制子區(qū)域包括所述漂移區(qū)中 的多個(gè)溝槽以及在所述漂移層中在所述多個(gè)溝槽中的相應(yīng)溝槽之下延伸的多個(gè)摻雜區(qū)域。
13.如權(quán)利要求12所述的肖特基二極管，其中所述浪涌保護(hù)子區(qū)域在所述浪涌保護(hù)子 區(qū)域中的各個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域之間限定了所述漂移區(qū)中的垂直電流路徑，其中所述浪涌保護(hù)區(qū)域的深度由所述溝槽的深度和所述摻雜區(qū)域的深度限定。
14.一種形成肖特基二極管的方法，包括在具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅漂移區(qū)的表面處形成多個(gè)結(jié)勢(shì)壘肖特基JBS區(qū)域，所述 多個(gè)JBS區(qū)域具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型以及在所述JBS區(qū)域中的相鄰 JBS區(qū)域之間具有第一間隔；在鄰近所述肖特基接觸的漂移區(qū)表面處形成浪涌保護(hù)區(qū)域，所述浪涌保護(hù)區(qū)域包括 具有所述第二導(dǎo)電類型的多個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域，各個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域在所述浪涌保護(hù)子區(qū) 域中的相鄰浪涌保護(hù)子區(qū)域之間具有第二間隔，所述第二間隔小于所述JBS區(qū)域中的相鄰 JBS區(qū)域之間的所述第一間隔；以及在所述漂移區(qū)上形成肖特基接觸。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一間隔為約4μ m到約6 μ m以及其中所述 第二間隔為約Iym到約3μπι。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述多個(gè)JBS區(qū)域和形成所述浪涌保護(hù)區(qū)域 包括選擇性地將所述第二導(dǎo)電性的摻雜劑離子注入到所述漂移層中；以及以大于1700°C的溫度退火所述注入離子。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括在包括所述注入離子的所述漂移層上形成 石墨涂層，其中退火所述注入離子包括退火所述石墨涂層。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括在注入離子之前在所述漂移層中蝕刻多個(gè) 溝槽，其中注入離子包括將離子注入到所述多個(gè)溝槽中。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在所述漂移區(qū)上形成所述肖特基接觸包括利用 單個(gè)金屬形成到所述漂移區(qū)的所述肖特基接觸和到所述浪涌保護(hù)子區(qū)域的歐姆接觸。
20.一種肖特基二極管，包括具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅漂移區(qū)；位于所述漂移區(qū)上的肖特基接觸；位于鄰近所述肖特基接觸的漂移區(qū)表面處的多個(gè)結(jié)勢(shì)壘肖特基JBS區(qū)域，所述多個(gè) JBS區(qū)域具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型以及在所述JBS區(qū)域中的相鄰JBS 區(qū)域之間具有第一間隔；以及具有所述第二導(dǎo)電類型的多個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域，以及每個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域在所述浪 涌保護(hù)子區(qū)域中的相鄰浪涌保護(hù)子區(qū)域之間具有第二間隔，所述第二間隔小于所述第一間 隔。
全文摘要
一種電子器件包括具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅漂移區(qū)，位于所述漂移區(qū)上的肖特基接觸，以及相鄰所述肖特基接觸的所述漂移區(qū)的表面處的多個(gè)結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)區(qū)域。JBS區(qū)域具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型以及具有所述JBS區(qū)域中的相鄰JBS區(qū)域之間的第一間隙。所述器件進(jìn)一步包括具有第二導(dǎo)電類型的多個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域。每個(gè)浪涌保護(hù)子區(qū)域具有浪涌保護(hù)子區(qū)域的相鄰浪涌保護(hù)子區(qū)域之間的小于所述第一間隔的第二間隔。
文檔編號(hào)H01L29/06GK102084487SQ200980126014
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2009年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月21日
發(fā)明者張清純, 柳盛衡 申請(qǐng)人:克里公司