專利名稱：太陽能電池的制造方法以及制造裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及太陽能電池的制造方法以及制造裝置，具體而言，涉及能夠以低成本 迅速地檢測并修復結構缺陷的太陽能電池的制造方法以及制造裝置。本申請基于2008年8月15日申請的特愿2008-209209號主張優(yōu)先權，在此援用 其內容。
背景技術：
從有效利用能量的觀點來看，近年來，太陽能電池正越來越被廣泛而普遍地利用。 特別是利用硅單晶的太陽能電池，其每單位面積的能量轉換效率優(yōu)異。但是，另一方面，由 于利用硅單晶的太陽能電池使用將硅單晶結晶塊切割后的硅片，而結晶塊的制造需要耗費 大量能量，制造成本高。特別是實現在室外等設置的大面積的太陽能電池時，如果利用硅單 晶制造太陽能電池，目前來說是相當花費成本的。因此，利用可更廉價制造的非晶(非晶 質)硅薄膜的太陽能電池，作為低成本的太陽能電池正在普及。非晶硅太陽能電池使用被稱為pin結的層結構的半導體膜，該半導體膜是通過ρ 型和η型的硅膜將接收光時產生電子和空穴的非晶硅膜(i型)夾住的層結構。在該半導 體膜的兩面上，分別形成有電極。由太陽光產生的電子和空穴，因P型與η型半導體的電位 差而活躍地移動，通過這樣連續(xù)地反復，在兩面的電極上產生電位差。作為這種非晶硅太陽能電池的具體結構，例如采用如下結構，即在玻璃基板上將 透明導電氧化物(TCO，Transparent Conductive Oxide)等透明電極作為下部電極來進行 成膜，在其上形成由非晶硅構成的半導體膜和作為上部電極的Ag薄膜等。在這種包括由上下電極和半導體膜構成的光電轉換體的非晶硅太陽能電池中，存 在如下問題，即如果只是在基板上以大面積均勻地對各層進行成膜，就會電位差減小、電阻 值增大。因此，例如，按照各規(guī)定尺寸，對光電轉換體在電氣上進行分區(qū)而形成分區(qū)單元，電 連接彼此相鄰的分區(qū)單元，從而構成非晶硅太陽能電池。具體而言，采用如下結構，即對在基板上以大面積均勻形成的光電轉換體，使用激 光等，形成被稱為劃痕線巧λ 巧λ^、的槽，得到多個薄長方形狀的分區(qū)單元，并 以串聯方式電連接這些分區(qū)單元?？墒?，已知在這種結構的非晶硅太陽能電池中，在制造階段會產生一些結構缺陷。 例如，在形成非晶硅膜時，由于混入微?；虍a生氣孔，有時會造成上部電極與下部電極局部 短路。如此，在光電轉換體中，當夾著半導體膜而在上部電極與下部電極之間產生局部 短路這樣的結構缺陷時，會引起發(fā)電電壓下降和光電轉換效率降低這樣的問題。因此，在現 有的非晶硅太陽能電池的制造工序中，通過檢測這種短路等結構缺陷，去除(電分離)存在 結構缺陷的部位(區(qū)域)，從而修復問題。目前，普遍已知一種在去除分區(qū)單元上產生結構缺陷的部位時，使用激光形成包 圍結構缺陷這樣的槽(修理線)，使存在結構缺陷的區(qū)域與不存在結構缺陷的部分電分離，以防止短路等障礙的方法(例如，專利文獻1)。在對照射激光的位置進行定位時，例如，在對分區(qū)單元上的任意點照射激光并形 成照射痕之后，使載置有太陽能電池的工作臺移動規(guī)定距離，再次照射激光并形成照射痕。接著，使用拍攝裝置等對包含這兩個照射痕的區(qū)域進行拍攝，在得到的圖像上測 量兩個照射痕之間的像素數。然后，根據兩個照射痕之間的像素數以及工作臺的移動距離，確定出每一像素的 工作臺的移動距離(實際尺寸)。根據如此得到的圖像上的一像素與工作臺上的實際尺寸的轉換值，控制工作臺的 移動，以使圖像上的結構缺陷的像與激光照射位置一致。專利文獻1 日本特開昭61-96774號公報但是，在如上述現有的對激光照射的位置進行控制的方法中，拍攝裝置與太陽能 電池的距離會發(fā)生變動，或者每當變更拍攝倍率時所拍攝到的圖像中的每一像素的實際尺 寸會改變。因此，需要在重新計算出各個太陽能電池的每一像素的實際尺寸之后，移動工作 臺來調整激光照射的位置這樣費事的缺陷修復步驟。另外，由于每次在對每一像素的實際尺寸進行計算時，需要在太陽能電池的分區(qū) 單元上形成作為標記的激光痕，因此還存在會對分區(qū)單元造成不必要的損傷的問題。
發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種太陽能電池的制造方法以及太陽能電池的 制造裝置，能夠根據拍攝到包含結構缺陷的區(qū)域的圖像，以較少的步驟，容易地對激光照射 的位置進行控制。為了解決上述課題，本發(fā)明的第一方式的太陽能電池的制造方法包括形成光電 轉換體，所述光電轉換體具有通過劃痕線被分區(qū)的多個分區(qū)單元，彼此相鄰的所述分區(qū)單 元之間被電連接；檢測所述分區(qū)單元上存在的結構缺陷(缺陷檢測工序)；通過以規(guī)定的分 辨率對包含所述結構缺陷和所述劃痕線的區(qū)域進行拍攝，從而得到圖像(拍攝工序)；在所 述圖像上，確定出相當于彼此相鄰的所述劃痕線之間的間隔或所述劃痕線的寬度的第一像 素數(第一確定工序)；參考表示預先存儲的彼此相鄰的所述劃痕線之間的間隔或預先存 儲的所述劃痕線的寬度的實測值(參考工序)；對所述第一像素數與所述實測值進行比較， 計算出所述圖像上的每一像素的實際尺寸(第一計算工序)；在所述圖像上，確定出相當于 所述結構缺陷與所述劃痕線之間的距離的第二像素數(第二確定工序)；對所述第二像素 數與所述每一像素的實際尺寸進行比較，計算出缺陷位置信息，所述缺陷位置信息表示從 所述劃痕線到存在所述結構缺陷的位置的實際尺寸(第二計算工序)；以及根據所述缺陷 位置信息，對激光照射的位置進行控制，通過照射所述激光，電分離所述結構缺陷(修復工 序)。為了解決上述課題，本發(fā)明的第二方式的太陽能電池的制造裝置，為包括光電轉 換體的太陽能電池的制造裝置，所述光電轉換體具有通過劃痕線被分區(qū)的多個分區(qū)單元， 彼此相鄰的所述分區(qū)單元之間被電連接，其特征在于，所述太陽能電池的制造裝置包括拍 攝部，以規(guī)定的分辨率對包含所述分區(qū)單元上存在的結構缺陷和所述劃痕線的區(qū)域進行拍攝；圖像處理部，在通過所述拍攝部所得到的圖像上，確定出相當于彼此相鄰的所述劃痕線 之間的間隔或所述劃痕線的寬度的第一像素數，以及相當于所述結構缺陷與所述劃痕線之 間的距離的第二像素數；存儲器，存儲表示所述分區(qū)單元的寬度或所述劃痕線的寬度的實 測值；運算部，對所述第一像素數與所述實測值進行比較，計算出所述圖像上的每一像素的 實際尺寸，對所述每一像素的實際尺寸與所述第二像素數進行比較，計算出缺陷位置信息， 所述缺陷位置信息表示從所述劃痕線到存在所述結構缺陷的位置的實際尺寸；以及激光照 射部，根據所述缺陷位置信息，對激光照射的位置進行控制，并照射所述激光。根據本發(fā)明的第一方式的太陽能電池的制造方法，即使對于太陽能電池的每一制 造批次，當因微小的厚度差等導致拍攝部與太陽能電池的距離發(fā)生變動，或者為了提高結 構缺陷的檢測精度而提高拍攝倍率，從而引起圖像上的每一像素的實際尺寸發(fā)生改變時， 也總是能夠根據預先存儲在存儲器中的規(guī)定的實際尺寸值(實測值)及其構成像素數，計 算出每一像素的實際尺寸。據此，每次在變更太陽能電池的制造批次或拍攝倍率時，無需在重新計算出每一 像素的實際尺寸之后，移動工作臺來調整激光照射的位置這樣費事的步驟，而能夠削減修 復太陽能電池的缺陷的工序所需的時間，極大地提高修復工序中的效率。另外，每次對每一像素的實際尺寸進行計算時，也無需在太陽能電池的分區(qū)單元 上形成標記用的激光痕，因此不會對分區(qū)單元造成不必要的損傷，能夠制造發(fā)電效率優(yōu)異 的太陽能電池。另外，根據本發(fā)明的第二方式的太陽能電池的制造裝置，每當計算出每一像素的 實際尺寸時，無需在太陽能電池的分區(qū)單元上形成標記用的激光痕，因此不會對分區(qū)單元 造成不必要的損傷，能夠制造發(fā)電效率優(yōu)異的太陽能電池。
圖1是示出非晶硅型太陽能電池的一例的放大立體圖；圖2A是示出非晶硅型太陽能電池的一例的剖視圖；圖2B是示出非晶硅型太陽能電池的一例的剖視圖，是圖2A中由符號B所示的部 分被放大后的放大圖；圖3是用于對本發(fā)明的太陽能電池的制造方法進行說明的流程圖；圖4是示出太陽能電池中存在的結構缺陷的一例的剖視圖；圖5是示出缺陷位置確定修復裝置(太陽能電池的制造裝置)的概略圖；圖6A是用于對確定缺陷位置的情況進行說明的俯視圖；圖6B是用于對確定缺陷位置的情況進行說明的俯視圖，是圖6A中由符號C所示 的部分被放大后的放大圖；圖6C是用于對確定缺陷位置的情況進行說明的俯視圖。
具體實施例方式下面，基于附圖對本發(fā)明所涉及的太陽能電池的制造方法，以及用于該方法的本 發(fā)明的太陽能電池的制造裝置的最佳方式進行說明。此外，本實施方式是為了更好地理解發(fā)明宗旨而具體進行說明。本發(fā)明的技術范圍并不限定于以下所述的實施方式，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內可以施加各種變更。另外，在以下說明所使用的各附圖中，為了將各結構要素設為可在附圖上識別的 大小，各結構要素的尺寸以及比率與實際存在有適當的差異。圖1是示出通過本發(fā)明的太陽能電池的制造方法而制造的非晶硅型太陽能電池 的主要部分的一例的放大立體圖。另外，圖2A是示出圖1的太陽能電池的層結構的剖視圖。 圖2B是圖2A中由符號B所示的部分被放大后的放大圖。太陽能電池10具有形成在透明的絕緣性基板11的第一面lla( —個面)上的光 電轉換體12?；?1可由諸如玻璃或透明樹脂等太陽光的透射性優(yōu)異且具有耐久性的絕 緣材料形成。太陽光射入該基板11的第二面lib (另一個面)。在光電轉換體12中，從基板11順序層壓第一電極層(下部電極)13、半導體層14 以及第二電極層(上部電極)15。第一電極層(下部電極)13由透明的導電材料，例如TC0、銦錫氧化物(ITOJndium Tin Oxide)等透光性金屬氧化物形成。另外，第二電極層(上部電極)15通過Ag、Cu等導電性金屬膜形成。例如，如圖2B所示，半導體層14具有在ρ型非晶硅膜17與η型非晶硅膜18之間 夾著i型非晶硅膜16而構成的pin結結構。而且，當太陽光射入該半導體層14時產生電 子和空穴，因P型非晶硅膜17與η型非晶硅膜18的電位差，電子和空穴活躍地移動，通過 這樣連續(xù)地反復，在第一電極層13與第二電極層15之間產生電位差(光電轉換)。光電轉換體12通過劃痕線 λ 19，被分割成外形為薄長方形狀 的多個分區(qū)單元21、21...。這些分區(qū)單元21、21...在電氣上被相互分區(qū)，同時在彼此相鄰 的分區(qū)單元21之間以串聯方式電連接。據此，光電轉換體12具有分區(qū)單元21、21...全部 被以串聯方式電連接的結構。在這種結構中，能夠獲取高電位差的電流。劃痕線19是通過 例如在基板11的第一面Ila上均勻地形成光電轉換體12之后，利用激光等在光電轉換體 12上以規(guī)定間隔形成槽而形成的。此外，優(yōu)選地，在構成這種光電轉換體12的第二電極層(上部電極)15之上，進一 步形成由絕緣性樹脂等構成的保護層(未圖示)。下面對用于制造如上述結構的太陽能電池的制造方法進行說明。圖3是階段性示出本發(fā)明的太陽能電池的制造方法的流程圖。其中，特別對從結 構缺陷的位置確定到修復的工序進行詳細敘述。首先，如圖1所示，在透明基板11的第一面Ila上形成光電轉換體12(光電轉換體 的形成工序Ρ1)。作為光電轉換體12的結構，例如可以使用如下結構，即從基板11的第一 面Ila順序層壓第一電極層(下部電極)13、半導體層14以及第二電極層(上部電極)15。例如，如圖4所示，在具有這種結構的光電轉換體12的形成工序中，有時會產生諸 如因半導體層14中混入雜質等(污染)而產生的結構缺陷Al，和半導體層14中產生微小 氣孔的結構缺陷Α2等問題。此類結構缺陷Al、Α2使第一電極層13與第二電極層15之間 局部短路(漏電)，并降低了發(fā)電效率。其次，向光電轉換體12照射例如激光光線等，形成劃痕線A U A > )19，從而形成分割為薄長方形狀的多個分區(qū)單元21、21...(分區(qū)單元的形成工序P2)。在經過以上工序形成的太陽能電池10中，檢測出分區(qū)單元21、21...上存在的結構缺陷(由上述的A1、A2所代表的缺陷)(缺陷檢測工序P3)。在該缺陷檢測工序中，檢測 分區(qū)單元21、21...上存在的結構缺陷的方法可以使用規(guī)定的缺陷檢測裝置。缺陷檢測裝置的種類并不特別限定。作為檢測缺陷的方法的一例，可以舉出以下 方法沿分區(qū)單元21的長度方向，以規(guī)定間隔，對彼此相鄰的分區(qū)單元21、21之間的電阻值 進行測量，確定出電阻值下降的區(qū)域，即被預測為存在有作為短路原因的缺陷的大致區(qū)域。另外，例如也可以舉出以下方法對分區(qū)單元整體施加偏置電壓，通過紅外線傳感 器檢測出在短路部位(存在結構缺陷的部位)產生的焦耳熱，從而確定出存在結構缺陷的 大致區(qū)域。通過上述方法，在確認(發(fā)現)了分區(qū)單元21、21...中存在結構缺陷的大致區(qū)域 之后，接著，作為通過激光使該結構缺陷電分離的前道工序，對該結構缺陷的準確位置進行 測量(缺陷位置確定工序P4)。圖5是示出用于缺陷位置確定工序或作為后道工序的修復工序的、本發(fā)明的缺陷 位置確定修復裝置(太陽能電池的制造裝置)的概念圖。缺陷位置確定修復裝置30包括載置有太陽能電池10的工作臺(移動工作 臺)31，以及以規(guī)定的分辨率對載置在該工作臺31上的太陽能電池10的分區(qū)單元21、 21...進行拍攝的拍攝部(照相機)32。另外，拍攝部32上連接有對拍攝到的圖像數據進行處理的圖像處理部34。進而， 該圖像處理部34上連接有對圖像像素數與實際尺寸值(實測值)進行比較等的運算部37。 工作臺31上連接有對該工作臺31的移動進行控制的工作臺移動機構35。此外，缺陷位置 確定修復裝置30具有作為電分離(去除)分區(qū)單元21、21...的結構缺陷D的修復部(修 復裝置)的激光照射部33。S卩，在缺陷位置確定修復裝置30中，載置在工作臺31上的太陽能電池10與拍攝 部32可相對移動，而且，太陽能電池10與激光照射部33可相對移動。工作臺31例如能夠載置太陽能電池10并以規(guī)定精度沿X軸和Y軸方向移動。作 為拍攝部32，例如可以使用包含有固體攝像器件(CCD)的照相機。激光照射部33被固定在規(guī)定位置，從該激光照射部33向太陽能電池10的基板11 照射激光。作為激光照射部33，例如可以使用照射綠色激光的光源。工作臺移動機構35通過使工作臺31沿X軸和Y軸方向移動，來控制在基板11上 照射激光的位置。圖像處理部34在通過拍攝部32所得到的具有規(guī)定的分辨率的圖像上，根據由分 區(qū)單元21的形成部分與劃痕線19的區(qū)域的高差(厚度差)等引起的對比度，確定出分區(qū) 單元21、劃痕線19以及結構缺陷D等。運算部37例如由CPU等構成，對在圖像處理部34中得到的表示分區(qū)單元21的寬 度(彼此相鄰的所述劃痕線之間的間隔)的像素數與實際尺寸值進行比較等。而且，運算 部37根據得到的每一像素的實際尺寸數據等，向工作臺移動機構35輸出移動數據。另外，該運算部37上連接有存儲器36，該存儲器36存儲各個分區(qū)單元21的實際 尺寸寬度值和/或劃痕線19的實際尺寸寬度值。在缺陷位置確定工序(P4)中，使用如上所述的缺陷位置確定修復裝置30，移動工作臺31，以使拍攝部32的拍攝范圍與存在由作為前道工序的缺陷檢測工序(P3)所檢測出 的結構缺陷的大致區(qū)域相一致。而且，以規(guī)定的倍率和規(guī)定的分辨率拍攝分區(qū)單元21中存在的結構缺陷D以及包 含與該缺陷最近的劃痕線19的圖像(拍攝工序P4a)。圖6A是示出通過拍攝部32所得到的圖像M的一例的模式圖。通過拍攝部32所得到的圖像M的數據被發(fā)送到圖像處理部34中。在圖像處理部 34中，基于圖像M的對比度等，在圖像M上確定出分區(qū)單元21和劃痕線19(P4b)。然后，在圖像M上檢測出相當于分區(qū)單元21的寬度的像素數，或相當于劃痕線19 的寬度的像素數，得到第一像素數Pl (第一確定工序)。例如，在圖6A所示的例子中，示出在圖像M上相當于分區(qū)單元21的寬度w的第一 像素數Pl等于27個像素。此外，通過實際對太陽能電池進行拍攝而得到的圖像M的分辨率比27個像素的上 述分辨率更細。在圖6A中，為了易于說明，將像素的尺寸大幅度地加粗來表示。如此得到 的第一像素數Pl被輸入到運算部37中。然后，在運算部37中，從存儲器36中讀出分區(qū)單元21的實際尺寸寬度值或劃痕 線19的實際尺寸寬度值(參考工序P4c)。在圖6A所示的例子中，讀出分區(qū)單元21的實際尺寸寬度值。然后，對分區(qū)單元21 的實際尺寸寬度值與相當于分區(qū)單元21的寬度w的第一像素數pi進行比較，計算出每一 像素的實際尺寸值Q (第一計算工序P4d(參考圖6B))。接著，在圖像處理部34中，在圖像M上檢測出相當于劃痕線19的邊緣與結構缺陷 D之間的距離的像素數，作為第二像素數P2輸入到運算部37中(第二確定工序(參考 圖 6C))。然后，在運算部37中，對第二像素數p2與每一像素的實際尺寸值Q進行比較，得 到作為劃痕線19的邊緣與結構缺陷D之間的實際尺寸值L的缺陷位置信息(第二計算工 序:P4f)。根據經過如上所述的缺陷位置確定工序(P4)而得到的、表示劃痕線19的邊緣與 結構缺陷D之間的實際尺寸值L的缺陷位置信息，精密地引導工作臺31，以使激光照射的位 置與結構缺陷D附近的位置相一致。然后，從激光照射部33向結構缺陷D聚焦并照射激光，形成包圍結構缺陷D的修 理線(修復工序P5)。據此，結構缺陷D從不存在缺陷的區(qū)域中電分離(去除)。根據如上所述的工序，即使對于太陽能電池10的每一制造批次，當因微小的厚度 差等導致拍攝部32與太陽能電池10的距離發(fā)生變動，或者為了提高結構缺陷的檢測精度 而提高拍攝倍率，從而引起圖像上的每一像素的實際尺寸發(fā)生改變時，也總是能夠根據預 先存儲在存儲器中的規(guī)定的實際尺寸值及其構成像素數，計算出每一像素的實際尺寸。據此，每當變更太陽能電池10的制造批次或拍攝倍率時，無需在重新計算出每一 像素的實際尺寸之后，移動工作臺來調整激光照射的位置這樣費事的步驟，而能夠削減太 陽能電池10的缺陷修復工序所需的時間，極大地提高修復工序中的效率。另外，每次對每一像素的實際尺寸進行計算時，也無需在太陽能電池的分區(qū)單元 上形成標記用的激光痕，因此不會對分區(qū)單元造成不必要的損傷，能夠制造發(fā)電效率優(yōu)異的太陽能電池10。經過如上所述的工序，在電分離(去除)了分區(qū)單元21中存在的所有的結構缺陷 D之后，經過保護層的形成工序(P6)等，得到作為產品的太陽能電池。如以上詳細說明的那樣，本發(fā)明對于能夠根據拍攝到包含結構缺陷的區(qū)域的圖 像，以較少的步驟，容易地對激光照射的位置進行控制的太陽能電池的制造方法以及太陽 能電池的制造裝置是有用的。符號說明10太陽能電池、11基板、12光電轉換體、13第一電極、14半導體層、15第二電極、 19劃痕線、21分區(qū)單元、32拍攝部、33激光照射部、34圖像處理部、36存儲器、37運算部。
權利要求
1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成光電轉換體，所述光電轉換體具有通過劃痕線被分區(qū)的多個分區(qū)單元，彼此相鄰 的所述分區(qū)單元之間被電連接；檢測所述分區(qū)單元上存在的結構缺陷；通過以規(guī)定的分辨率對包含所述結構缺陷和所述劃痕線的區(qū)域進行拍攝，從而得到圖像；在所述圖像上，確定出相當于彼此相鄰的所述劃痕線之間的間隔或所述劃痕線的寬度的第一像素數；參考表示預先存儲的彼此相鄰的所述劃痕線之間的間隔或預先存儲的所述劃痕線的 寬度的實測值；對所述第一像素數與所述實測值進行比較，計算出所述圖像上的每一像素的實際尺寸；在所述圖像上，確定出相當于所述結構缺陷與所述劃痕線之間的距離的第二像素數； 對所述第二像素數與所述每一像素的實際尺寸進行比較，計算出缺陷位置信息，所述 缺陷位置信息表示從所述劃痕線到存在所述結構缺陷的位置的實際尺寸；以及根據所述缺陷位置信息，對激光照射的位置進行控制，通過照射所述激光，電分離所述 結構缺陷。
2.一種太陽能電池的制造裝置，為包括光電轉換體的太陽能電池的制造裝置，所述光 電轉換體具有通過劃痕線被分區(qū)的多個分區(qū)單元，彼此相鄰的所述分區(qū)單元之間被電連 接，其特征在于，所述太陽能電池的制造裝置包括拍攝部，以規(guī)定的分辨率對包含所述分區(qū)單元上存在的結構缺陷和所述劃痕線的區(qū)域 進行拍攝；圖像處理部，在通過所述拍攝部所得到的圖像上，確定出相當于彼此相鄰的所述劃痕 線之間的間隔或所述劃痕線的寬度的第一像素數，以及相當于所述結構缺陷與所述劃痕線 之間的距離的第二像素數；存儲器，存儲表示所述分區(qū)單元的寬度或所述劃痕線的寬度的實測值； 運算部，對所述第一像素數與所述實測值進行比較，計算出所述圖像上的每一像素的 實際尺寸，對所述每一像素的實際尺寸與所述第二像素數進行比較，計算出缺陷位置信息， 所述缺陷位置信息表示從所述劃痕線到存在所述結構缺陷的位置的實際尺寸；以及 激光照射部，根據所述缺陷位置信息，對激光照射的位置進行控制，并照射所述激光。
全文摘要
一種太陽能電池的制造方法，檢測分區(qū)單元(21)上存在的結構缺陷(A1、A2)，通過對包含所述結構缺陷(A1、A2)和所述劃痕線(19)的區(qū)域進行拍攝，從而得到圖像(M)，確定出相當于彼此相鄰的劃痕線(19)之間的間隔或所述劃痕線(19)的寬度的第一像素數，參考表示預先存儲的彼此相鄰的所述劃痕線(19)之間的間隔或預先存儲的所述劃痕線(19)的寬度的實測值，對所述第一像素數與所述實測值進行比較，計算出所述圖像(M)上的每一像素的實際尺寸，確定出相當于所述結構缺陷(A1、A2)與所述劃痕線(19)之間的距離的第二像素數，對所述第二像素數與所述每一像素的實際尺寸進行比較，計算出缺陷位置信息，根據所述缺陷位置信息照射激光，來電分離所述結構缺陷(A1、A2)。
文檔編號H01L31/04GK102084494SQ20098012600
公開日2011年6月1日 申請日期2009年8月14日 優(yōu)先權日2008年8月15日
發(fā)明者山室和弘, 山根克巳, 湯山純平 申請人:株式會社愛發(fā)科