專利名稱：用于電子器件或其他物品上的涂層中的混合層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電子器件的阻擋涂層。
背景技術(shù)：
有機(jī)電子器件如有機(jī)發(fā)光器件(OLED)在暴露于水蒸氣或氧氣中時(shí)易致降解。該 OLED上一個(gè)減小其暴露于水蒸氣或氧氣中的保護(hù)性阻擋涂層可以幫助改善該器件的壽命 以及性能。已經(jīng)考慮將成功地用于食品包裝中的氧化硅、氮化硅、或氧氣化鋁的薄膜用作 OLED的阻擋涂層。然而，這些無機(jī)薄膜易于含有某些微觀缺陷，這些缺陷允許水蒸氣和氧氣 的某種擴(kuò)散穿過該薄膜。在某些情況下，這些缺陷在脆性薄膜中作為裂縫打開。雖然這個(gè) 水平的水以及氧氣的擴(kuò)散可能對于食品是可接受的，但它對于OLED是不可接受的。為了著 手解決這些問題，已經(jīng)在OLED上測試了使用交替無機(jī)以及聚合物層的多層阻擋涂層，并且 發(fā)現(xiàn)它們具有對水蒸氣和氧氣穿透的改善的阻力。但是這些多層涂層具有復(fù)雜性以及成本 的缺點(diǎn)。因此，對形成適用于保護(hù)OLED的阻擋涂層的其他方法存在著一種需要。附圖簡要說明

圖1示出了可以用于實(shí)施本發(fā)明的某些實(shí)施方案的一個(gè)PE-CVD裝置的示意圖。圖2示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的混合層的光學(xué)透射譜。圖3示出了薄膜上一個(gè)水滴的接觸角是如何測量的。圖4示出了以不同O2AMDSO氣體流量比所形成的幾個(gè)混合層的接觸角的曲線圖。圖5示出了以PE-CVD法過程中施加的不同功率水平所形成的幾個(gè)混合層的接觸 角的曲線圖。圖6示出了使用較高的A流量和較低的A流量形成的混合層與純SiO2 (熱氧化 物)或純聚合物相比較的紅外吸收光譜。圖7示出了以不同O2AMDSO氣體流量比所形成的不同混合層的納米壓痕硬度與一種純S^2薄膜的硬度相比較的一個(gè)曲線圖。圖8示出了以不同O2AMDSO氣體流量比所形成的幾個(gè)混合層的表面粗糙度的一 個(gè)曲線圖。圖9示出了在不同功率水平下形成的幾個(gè)混合層的表面粗糙度的一個(gè)曲線圖。圖IOA和IOB示出了沉積在一個(gè)50 μ m厚Kapton聚酰亞胺箔片上的一個(gè)4 μ m混 合層的表面的光學(xué)顯微照片。圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的一種被包囊的OLED的一部分的截面 圖。圖12示出了帶有阻擋涂層的完整OLED的加速環(huán)境試驗(yàn)的結(jié)果。圖13示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的一種被包囊的0LED。圖14示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方案的一種混合層的一個(gè)截面的掃描電子顯微圖像。圖15示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的一種被包囊的0LED。圖16A和16B示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方案的一種混合層的一個(gè)截面的掃描電子顯 微圖像。圖17A示出了在一組條件下沉積的一種混合層的截面的掃描電子顯微圖像。圖 17B示出了在另一組條件下沉積的一種混合層的一個(gè)截面的掃描電子顯微圖像。圖18A-C示出了聚酰亞胺基底與沉積其上的不同混合層之間的應(yīng)力失配的曲線圖。
圖19示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖20示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖21示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖22示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖23示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖24示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖25示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖26示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖27示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖28示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖29示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖30示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖31示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖32示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖33示出了根據(jù)本發(fā)明另--個(gè)實(shí)施方案的-一種被包囊的OLED。圖34示出了固持在一個(gè)基底支持件而同時(shí)涂覆有一個(gè)混合層的一:圖35A-35C示出了用一個(gè)混合層涂覆一個(gè)OLED的一種方法。圖36示出了用一個(gè)混合層涂覆一個(gè)OLED的另一種方法。圖37A-35C示出了在一個(gè)單-一基底片上制造多個(gè)OLED的一種方法圖38示出了涂覆一個(gè)OLED的切割邊緣的一-種方法。
圖39示出了涂覆一個(gè)OLED的切割邊緣的另一種方法。圖40A和B示出了在一個(gè)單一基底薄片上制造多個(gè)OLED的另一種方法。圖41示出了在一個(gè)混合層的沉積過程中從一個(gè)OLED中抽出熱量的方法。詳細(xì)說明一方面，本發(fā)明提供了在一個(gè)表面上形成一種涂層的方法。該方法包括在這個(gè)表 面上沉積一個(gè)包含一種聚合的材料與一種非聚合的材料的混合物的混合層。該混合層可以 具有一個(gè)單相或多個(gè)相。如在此使用的，術(shù)語“非聚合的”是指用具有明確定義的化學(xué)式以及單一的明確限 定的分子量的分子制成的一種材料。一種“非聚合的”分子可以具有顯著大的分子量。在 某些情形中，一種非聚合的分子可以包括多個(gè)重復(fù)單元。如在此使用的術(shù)語“聚合的”是 指用具有共價(jià)連接的重復(fù)子單元、并且分子量可以從分子到分子變化(因?yàn)樵摼酆戏磻?yīng)可 能對每個(gè)分子產(chǎn)生不同數(shù)目的重復(fù)單元)的這些分子制造的一種材料。聚合物包括但不 限于均聚物和共聚物如嵌段、接枝、無規(guī)的或交替的共聚物，連同它們的共混物或改性物 (modification)。聚合物包括但不限于碳或硅的聚合物。如在此使用的，“一種聚合的材料與一種非聚合的材料的混合物”是指本領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員將理解為既不是純粹聚合的也不是純粹非聚合的一種組合物。術(shù)語“混合物” 旨在排除任何包含偶然量值的非聚合材料(例如可能存在于聚合材料的間隙中，當(dāng)然作為 一種物質(zhì))但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員盡管如此卻視為純粹聚合的那些聚合材料。同樣， 這旨在排除任何包含偶然量值的聚合材料但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員盡管如此卻視為純 粹非聚合的那些非聚合材料。在某些情況下，在該混合層中聚合的與非聚合的材料的重量 比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)、優(yōu)選在90 10至10 90的范圍內(nèi)、并且更優(yōu)選在 25 75至10 90的范圍內(nèi)。一個(gè)層的聚合的/非聚合的組成可以使用不同技術(shù)來確定，包括水滴的潤濕接觸 角、IR吸收、硬度、以及柔性。在某些情況下，該混合層具有的潤濕接觸角在30°至85°的 范圍內(nèi)、并且優(yōu)選在30°至60°范圍內(nèi)、更優(yōu)選在36°至60°的范圍內(nèi)。注意潤濕接觸 角如果在一個(gè)沉積態(tài)的薄膜表面上進(jìn)行測定則是對組成的一種度量。因而潤濕接觸角可 以通過后沉積處理而大大變化，此類處理之后所采取的措施可能并不精確地反映這個(gè)層的 組成。相信這些潤濕接觸角適用于由有機(jī)硅前體形成的大范圍的層。在某些情況下，該混 合層具有的納米壓痕硬度在3至2GPa的范圍內(nèi)、并且優(yōu)選在10至ISGPa的范圍內(nèi)。在某 些情況下，該混合層具有的表面粗糙度(均方根)在0. Inm至IOnm的范圍內(nèi)、并且優(yōu)選在 0. 2nm至0. 35nm的范圍內(nèi)。在某些情況下，當(dāng)該混合層作為一個(gè)4 μ m厚的層沉積在一個(gè) 50ym厚的聚酰亞胺箔片基底上時(shí)是足夠柔性的，以至于以0.2%的拉伸應(yīng)變(O或可替 代地以0. 的拉伸應(yīng)變(ε )于一個(gè)1英寸直徑的輥上經(jīng)過55，000個(gè)滾動循環(huán)之后沒有 觀察到微結(jié)構(gòu)的變化。在某些情況下，該混合層是足夠柔性的以至于在至少0. 35%拉伸應(yīng) 變(O (如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所考慮的正常地會使一種4μπι的純氧化硅層開裂的一 個(gè)拉伸應(yīng)變水平)下沒有出現(xiàn)裂縫。術(shù)語“混合物”旨在包括具有一個(gè)單相的組合物以及具有多個(gè)相的組合物。因此， “混合物”排除了隨后沉積的交替的聚合的以及非聚合的層。以另一種方式被視為一種“混 合物”，一個(gè)層應(yīng)該在相同的反應(yīng)條件下和/或同時(shí)地被沉積。
該混合層是使用一種單一前體材料來源通過化學(xué)氣相沉積形成的。如在此使用的 “單一前體材料來源”是指，當(dāng)該前體材料通過CVD使用或不使用一種反應(yīng)物氣體沉積時(shí)，提 供了為形成該聚合的以及非聚合物的材料兩者所必須的所有前體材料的一種來源。這旨在 排除其中使用一種前體材料形成該聚合材料、并使用一種不同的前體材料形成該非聚合材 料的方法。通過使用一種單一前體材料來源，簡化了該沉積方法。例如，一種單一前體材料 來源回避了對分開的前體材料流的需要以及伴隨的供給并控制這些分開流的需要。該前體材料可以是一種單一化合物或多種化合物的混合物。當(dāng)該前體材料是多 種化合物的混合物時(shí)，在某些情況下，該混合物中這些不同化合物的每種本身能夠獨(dú)立地 充當(dāng)一種前體材料。例如，該前體材料可以是六甲基二硅氧烷(HMDSO)與二甲基硅氧烷 (DMSO)的混合物。在某些情況下，可以將等離子體增強(qiáng)的CVD(PE-CVD)用于該混合層的沉積。出于 不同原因(包括低溫沉積、均一的涂層形成、以及可控制的工藝參數(shù))，PE-CVD可能是令人 希望的。適用于本發(fā)明中的不同PE-CVD方法是本領(lǐng)域中已知的，包括使用RF能量產(chǎn)生等 離子體的那些。該前體材料是在通過化學(xué)氣相沉積時(shí)能夠形成一種聚合材料以及一種非聚合材 料兩者的一種材料。不同的這樣的前體材料適合用于本發(fā)明中并且因?yàn)樗鼈兊牟煌卣鬟M(jìn) 行選擇。例如，可以因其化學(xué)元素的含量、這些化學(xué)元素的化學(xué)計(jì)量比、和/或在CVD下形 成的該聚合的以及非聚合的材料而選擇一種前體材料，例如，有機(jī)硅化合物如硅氧烷，是一 類適合用作前體材料的化合物。硅氧烷化合物的代表性例子包括六甲基二硅氧烷(HMDSO) 和二甲基硅氧烷(DMSO)。當(dāng)通過CVD沉積時(shí)，這些硅氧烷化合物能夠形成聚合的材料如硅 氧烷聚合物、以及非聚合的材料如氧化硅。該前體材料還可以因?yàn)椴煌钠渌卣魅绯杀尽?無毒性、處理特性、在室溫下維持液相的能力、揮發(fā)性、分子量等進(jìn)行選擇。適合用作一種前體材料的其他有機(jī)硅化合物包括甲基硅烷；二甲基硅烷；乙烯 基三甲基硅烷；三甲基硅烷；四甲基硅烷；乙基硅烷；二硅烷甲烷(disilanomethane)；雙 (甲基硅烷)甲烷；1，2-二硅烷乙烷(disilanoethane) ；1，2_雙(甲基硅烷)乙烷；2， 2-二硅烷丙烷；1，3，5-三硅烷-2，4，6-環(huán)丙烷，以及這些化合物的氟化衍生物。適合用作 一種前體材料的含苯基的有機(jī)硅化合物包括二甲基苯基硅烷和二苯基甲基硅烷。適合用 作一種前體材料的含氧的有機(jī)硅化合物包括二甲基二甲氧基硅烷；1，3，5，7_四甲基環(huán)四 硅氧烷；1，3_ 二甲基二硅氧烷；1，1，3，3-四甲基二硅氧烷；1，3_雙(硅烷亞甲基)二硅氧 烷；雙(1-甲基二硅氧烷基)甲烷；2，2_雙(1-甲基二硅氧烷基)丙烷；2，4，6，8_四甲基 環(huán)四硅氧烷；八甲基環(huán)四硅氧烷；2，4，6，8，10_五甲基環(huán)戊硅氧烷；1，3，5，7-四硅氧烷_2， 6-二氧-4，8-二亞甲基；六甲基環(huán)三硅氧烷；1，3，5，7，9_五甲基環(huán)戊硅氧烷；六甲氧基二 硅氧烷，以及這些化合物的氟化衍生物。適合用作一種前體材料的含氮的有機(jī)硅化合物包 括硅氮烷如六甲基二硅氮烷、二甲基硅氮烷、二乙烯基四甲基二硅氮烷、或六甲基環(huán)三硅 氮烷；二甲基雙(N-甲基乙酰胺基)硅烷；二甲基雙(N-乙基乙酰胺基)硅烷；甲基乙烯基 雙(N-乙基乙酰胺基)硅烷；甲基乙烯基雙(N- 丁基乙酰胺基)硅烷；甲基三(N-苯基乙 酰胺基)硅烷；乙烯基三(N-乙基乙酰胺基)硅烷；四(N-甲基乙酰胺基)硅烷；二苯基雙 (二乙基氨氧基)硅烷；甲基三(二乙基氨氧基)硅烷；以及雙(三甲基硅烷基)碳二亞胺。當(dāng)通過VCD沉積時(shí)，該前體材料可以形成不同量值的不同類型的聚合材料，這取決于前體材料的類型、任何反應(yīng)物氣體的存在、以及其他反應(yīng)條件。該聚合材料可以是無機(jī) 的或有機(jī)的。例如，在使用有機(jī)硅化合物作為該前體材料時(shí)，所沉積的混合層可以包括Si-O 鍵、Si-C鍵、或Si-O-C的聚合物鏈從而形成聚硅氧烷、聚碳硅烷、以及聚硅烷，連同有機(jī)聚 合物。當(dāng)通過CVD沉積時(shí)，該前體材料可以形成不同量值的不同類型的非聚合材料，這 取決于前體材料的類型、任何反應(yīng)物氣體的存在、以及其他反應(yīng)條件。該非聚合材料可以是 無機(jī)的或有機(jī)的。例如，在使用有機(jī)硅化合物作為該前體材料與一種含氧的反應(yīng)物氣體相 結(jié)合時(shí)，該非聚合材料可包括硅的氧化物，如SiO、SiO2以及混合價(jià)的氧化物SiOx。當(dāng)使用 一種含氮的反應(yīng)物氣體進(jìn)行沉積時(shí)，該非聚合材料可以包括硅的氮化物(SiNx)?？梢孕纬?的其他非聚合材料包括硅的碳氧化物以及硅的氧氮化物。當(dāng)使用PE-CVD時(shí)，該前體材料可以與一種反應(yīng)物氣體結(jié)合使用，該反應(yīng)物氣體在 這個(gè)PE-CVD過程中與該前體材料進(jìn)行反應(yīng)。在PE-CVD中使用反應(yīng)物氣體是本領(lǐng)域中已知 的，并且不同的反應(yīng)物氣體適合用于本發(fā)明中，包括含氧的氣體(例如，O2、臭氧、水)以及 含氮的氣體(例如，銨)。該反應(yīng)物氣體可以用于改變反應(yīng)混合物中存在的化學(xué)元素的化 學(xué)計(jì)量比。例如，當(dāng)將一種硅氧烷前體材料與一種含氧或氮的反應(yīng)物氣體一起使用時(shí)，該反 應(yīng)物氣體將改變該反應(yīng)混合物中氧或氮相對于硅和碳的化學(xué)計(jì)量比。該反應(yīng)混合物中這些 不同化學(xué)元素(例如，硅、碳、氧、氮)之間的這個(gè)化學(xué)計(jì)量比能以幾種方式進(jìn)行改變。一種 方式是改變反應(yīng)中的前體材料或反應(yīng)物氣體的濃度。另一種方式是改變進(jìn)入反應(yīng)中的前體 材料或反應(yīng)物氣體的流量。又一種方式是改變反應(yīng)中所使用的前體材料或反應(yīng)物氣體的類 型。改變該反應(yīng)混合物中的這些元素的化學(xué)計(jì)量比可以影響所沉積的混合層中聚合 的和非聚合的材料的特性以及相對量值。例如，可以將一種硅氧烷氣體與變化量值的氧相 結(jié)合以調(diào)整混合層中非聚合材料相對于聚合材料的量值。通過增大氧相對于硅或碳的化學(xué) 計(jì)量比，可以增大非聚合材料如硅的氧化物的量。同樣地，通過減小氧的化學(xué)計(jì)量比，可以 增大含硅和碳的聚合材料的量。通過調(diào)節(jié)其他反應(yīng)條件也可以改變該混合層的組成。例如， 在PE-CVD的情況下，可以改變工藝參數(shù)如RF功率以及頻率、沉積壓力、沉積時(shí)間、以及氣體 流量。因此，通過使用本發(fā)明的這些方法，有可能形成具有混合的聚合的/非聚合的特 點(diǎn)并且具有適合用于不同應(yīng)用中的特征的一種混合層。此類特征包括光學(xué)透明性(例如， 在某些情況下，該混合層是光學(xué)上透明的)、不通透性、柔性、厚度、粘附性、以及其他機(jī)械性 質(zhì)。例如，可以通過改變該混合層中的聚合材料的重量％ (其余是非聚合的材料)來調(diào)整 這些特征中的一項(xiàng)或多項(xiàng)。例如，為了實(shí)現(xiàn)所希望水平的柔性以及不通透性，該聚合材 料可以優(yōu)選是在5%至95%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在10%至25%的范圍內(nèi)。然而，取決于應(yīng)用， 其他范圍也是有可能的。由純粹非聚合的材料如氧化硅制成的阻擋層可以具有與光學(xué)透明性、良好的粘附 性、以及良好的膜應(yīng)力相關(guān)的不同優(yōu)點(diǎn)。然而，這些非聚合的層易于含有某些微觀缺陷，這 些缺陷允許水蒸氣和氧氣擴(kuò)散穿過這個(gè)層。為該非聚合的層提供某些聚合的特征可以減小 該層的通透性，而不顯著改變一種純粹非聚合層的有利特性。不意欲受理論限制，諸位發(fā)明 人認(rèn)為具有混合的聚合的/非聚合的特征的一種層通過減小缺陷(特別是微裂縫)的大小和/或數(shù)目而減小了這個(gè)層的通透性。在某些情況下，本發(fā)明的涂層可以具有多個(gè)混合層，其中每個(gè)混合層的組成可以 獨(dú)立地改變。在某些情況下，該涂層中一個(gè)混合層的重量比％與另一個(gè)混合層相差至少 10wt%。每個(gè)混合層的厚度也可以獨(dú)立地改變。這些不同的混合層可以通過順序地調(diào)整在 沉積該混合層中所使用的反應(yīng)條件而創(chuàng)造。例如，在一個(gè)PE-CVD過程中，可以順序地調(diào)節(jié) 供給反應(yīng)混合物的反應(yīng)物氣體的量來生產(chǎn)多個(gè)混合層，其中每個(gè)混合層是不連續(xù)的并且具 有不同的組成。當(dāng)該涂層具有一個(gè)其組成在其中從一個(gè)高度向另一個(gè)依次連續(xù)變化的區(qū)域時(shí)，該 區(qū)域內(nèi)的一個(gè)混合層可以是非常薄的，甚至薄如該涂層內(nèi)的最小的分子單位。例如，該涂 層可以具有一個(gè)區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)聚合材料與非聚合材料的比率連續(xù)地改變。這種連續(xù) 變化可以是線性的(例如，聚合材料與非聚合材料的比率可以穩(wěn)定地增大到更高的高 度)或非線性的(例如，循環(huán)的增大或減小)。當(dāng)該多個(gè)混合層是在真空下沉積時(shí)，可以在這些混合層的沉積之間將真空破壞。 這個(gè)步驟有益于增強(qiáng)這些分開沉積的層以這些層之間最小的中斷而形成的能力。例如，在 這種真空破壞過程中將所沉積的層暴露于大氣的氧氣中可以氧化這個(gè)層并改善其粘附性。當(dāng)使用多個(gè)混合層時(shí)，可以制造一個(gè)隨后沉積的層來延伸超過一個(gè)下面混合層的 邊緣(即，這個(gè)隨后沉積的混合層具有比下面的混合層更大的印跡)。這種構(gòu)型可能有益于 保護(hù)該混合層的邊緣免于環(huán)境污染物(例如，濕氣或氧氣)的側(cè)向進(jìn)入。此外，在該多個(gè)混 合層之間可以放置其他聚合物層。例如，參見圖21中所示的實(shí)施方案，一種電子器件MO 包括一個(gè)OLED本體244 (包括一堆有機(jī)的層)，該本體安裝在一個(gè)基底242上。OLED本體 244涂覆有一個(gè)第一混合層250，該第一混合層延伸超過OLED本體M4的邊緣。第一混合 層250涂覆有一個(gè)聚合物層254，該聚合物層接著涂覆有一個(gè)第二混合層252，該第二混合 層延伸超過聚合物層254以及OLED本體244的邊緣，與基底242的表面相接觸。通過覆蓋 第一混合層250的邊緣，第二混合層252起到阻止環(huán)境污染物從第一混合層250的側(cè)向進(jìn) 入的作用。該混合層可以沉積在不同類型的物品上。在某些情況下，這個(gè)物品可以是一種有 機(jī)的電子器件，如0LED。對于一個(gè)0LED，該混合層可以作為一個(gè)抵抗水蒸氣和氧氣透過的 阻擋涂層起作用。例如，一種具有的水蒸氣傳輸速率小于l(T6g/m7天或氧氣傳輸速率小于 10-3cm3/mw/天(或在某些情況下小于10_3cm7m2/天)的混合層對于保護(hù)OLED可以是合適 的。在某些情況下，該混合層的厚度可以從0. 1至ΙΟμπι變化，但是取決于應(yīng)用也可以使用 其他的厚度。同樣，具有的厚度以及材料組成給予光學(xué)透明性的混合層可以適合用于0LED。 對于與柔性的OLED —起使用，該混合層可以設(shè)計(jì)為具有所希望量的柔性。在某些情況下， 該混合層可以用在其他易于在暴露于環(huán)境中時(shí)降解的物品上，如藥物制劑、醫(yī)療裝置或移 植物、生物制劑、生物樣品、生物傳感器、或敏感性測量設(shè)備。在某些情況下，該混合層可以與一個(gè)未混合的層結(jié)合使用，該未混合的層也可以 是通過使用同樣的單一前體材料來源形成的，如一個(gè)未混合的聚合的層或一個(gè)未混合的非 聚合的層。該未混合的層可以在該混合層被沉積之前或之后進(jìn)行沉積。可以使用不同類型的CVD反應(yīng)器中的任何一種來實(shí)施本發(fā)明的這些方法。作為一 個(gè)例子，圖1示出了可以用于實(shí)施本發(fā)明的某些實(shí)施方案的一種PE-CVD裝置10。PE-CVD裝置10包括一個(gè)反應(yīng)室20，在該反應(yīng)室中一個(gè)電子器件30被負(fù)載在一個(gè)支持件M上。將 反應(yīng)室20設(shè)計(jì)為包含一種真空，并且將一個(gè)真空泵70連接至反應(yīng)室20上以創(chuàng)造和/或維 持合適的壓力。一個(gè)隊(duì)氣罐50提供隊(duì)氣用于清洗裝置10。反應(yīng)室20可以進(jìn)一步包括一 個(gè)冷卻系統(tǒng)來減小反應(yīng)產(chǎn)生的熱量。對于操控氣體流量，裝置10還包括不同的流量控制機(jī)構(gòu)(如質(zhì)量流量控制器80、 關(guān)閉閥82以及止回閥84)，它們可以在手動或自動控制下。一種前體材料來源40提供一種 前體材料(例如，液體形式的HMDS0)，該前體材料被汽化并進(jìn)料到反應(yīng)室20之中。在某些 情況下，可以使用一種載氣如氬氣將該前體材料輸送至反應(yīng)時(shí)20。一個(gè)反應(yīng)物氣體罐60提 供了反應(yīng)物氣體(例如，氧氣)，該反應(yīng)物氣體也進(jìn)料到反應(yīng)室20之中。該前體材料與反應(yīng) 物氣體流進(jìn)反應(yīng)室20中以創(chuàng)造一個(gè)反應(yīng)混合物42?？梢詫⒃撉绑w材料與該反應(yīng)物氣體分 開流入反應(yīng)室20中、或者在進(jìn)入反應(yīng)室20之前進(jìn)行預(yù)混合?？梢詫Ψ磻?yīng)室20內(nèi)部的壓力 進(jìn)行進(jìn)一步調(diào)節(jié)以實(shí)現(xiàn)沉積壓力。反應(yīng)室20包括安裝在電極支架(standoff)沈上的一組 電極22，這些支架可以是導(dǎo)體或絕緣體。器件30以及電極22的多種安排是有可能的。可 以使用二極管或二極管電極或遠(yuǎn)程電極。器件30可以如圖1所述的遙遠(yuǎn)地放置、或者可以 安裝在一種二極管構(gòu)型的一個(gè)或兩個(gè)電極上。向電極22提供RF功率以在反應(yīng)混合物42中創(chuàng)造等離子條件。該等離子體所創(chuàng) 造的反應(yīng)產(chǎn)物被沉積在電子器件30上。允許反應(yīng)進(jìn)行一段足以在電子器件30上沉積一個(gè) 混合層的時(shí)間。這個(gè)反應(yīng)時(shí)間取決于不同的因素，如器件30相對于電極22的位置、待沉積 的混合層的類型、反應(yīng)條件、該混合層的所希望厚度、該前體材料、以及該反應(yīng)物氣體。這個(gè) 反應(yīng)時(shí)間可以是5秒至5小時(shí)的一個(gè)時(shí)間段，但是取決于應(yīng)用也可以使用更長或更短的時(shí) 間。下表1示出了用來制造三個(gè)示例性混合層的反應(yīng)條件。實(shí)例1的混合層近似包含 的聚合材料以及93%的非聚合材料，如由水滴的潤濕接觸角所確定的。實(shí)例2的混合層近似包含94%的聚合材料以及6%的非聚合材料，如由水滴的潤濕接觸角所確定的。實(shí)例 3的混合層近似包含25%的聚合材料以及75%的非聚合材料，如由水滴的潤濕接觸角所確 定的。在實(shí)例1-3每個(gè)中，其中跨越該沉積過程反應(yīng)條件被保持恒定，該混合層是一個(gè)具有 各處同質(zhì)的組成的單相。如實(shí)例1-3所證明的，該混合層可以是一個(gè)在至少800 λ的厚度 范圍內(nèi)具有同質(zhì)的組成的單相，并且在某些情況下是在800 A至60，000人范圍內(nèi)的厚 度內(nèi)。然而，在其他實(shí)施方案中，通過以上面描述的方式改變反應(yīng)條件，該混合層可以以多 個(gè)不同子層(每個(gè)具有不同的組成)的形式具有多個(gè)相。表 權(quán)利要求
1.一種用于保護(hù)電子器件的方法，該電子器件包括一個(gè)有機(jī)的器件本體，該有機(jī)的器 件本體被置于充當(dāng)該有機(jī)的器件本體的基礎(chǔ)的一個(gè)表面上，該方法包括提供一個(gè)前體材料來源；將該前體材料輸送至鄰近該電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；使用該前體材料來源通過化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)的器件本體上沉積一個(gè)第一混合層， 其中該第一混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物，其中聚合的與 非聚合的材料的重量比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)，并且其中該聚合的材料以及該非 聚合的材料是從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的；并且在外圍上鄰近該有機(jī)的器件本體的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域沉積一個(gè)邊緣阻擋層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該邊緣阻擋層包括一種干燥劑材料。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該邊緣阻擋層是通過在外圍上鄰近該有機(jī)器件本體 的這個(gè)或這些區(qū)域處的該基礎(chǔ)表面內(nèi)形成一個(gè)或多個(gè)中斷、并且通過在這些中斷中沉積該 干燥劑材料而創(chuàng)造的。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該邊緣阻擋層是沉積在該第一混合層上的一個(gè)阻擋 涂層，并且其中該阻擋涂層延伸超過該第一混合層的這些邊緣。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該阻擋涂層不覆蓋在該有機(jī)的器件本體上。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該阻擋涂層是不透明的。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該阻擋涂層是一個(gè)第二混合層，該第二混合層包括 該聚合的材料與該非聚合的材料的一種混合物，并且其中該聚合的與非聚合的材料的重量 比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該第一混合層是在真空下沉積的，并且其中該真空 在沉積該第二混合層之前被破壞。
9.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括在該第一混合層與該阻擋涂層之間沉積一個(gè) 聚合物層。
10.一種用于保護(hù)電子器件的方法，該電子器件包括被置于一個(gè)基底上的一個(gè)有機(jī)的 器件本體，該方法包括提供一個(gè)前體材料來源；將該前體材料輸送至鄰近該電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；并且使用該前體材料來源通過化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)的器件本體上沉積一個(gè)混合層，其中 該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物，其中聚合的與非聚合的 材料的重量比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)，并且其中該聚合的材料以及該非聚合的材 料是從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的；其中該電子器件包括一根互連引線，并且其中該混合層覆蓋在該互連引線的側(cè)向邊緣上。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該互連引線不延伸至該基底的邊緣。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，互連引線包括穿過該混合層而伸出的一個(gè)伸出 部分。
13.一種用于保護(hù)電子器件的方法，該電子器件包括被置于一個(gè)基底上的一個(gè)有機(jī)的 器件本體，該方法包括提供一個(gè)前體材料來源；將該前體材料輸送至鄰近該電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；并且使用該前體材料來源通過化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)的器件本體上沉積一個(gè)混合層，其中 該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物，其中聚合的與非聚合的 材料的重量比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)，并且其中該聚合的材料以及該非聚合的材 料是從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的；其中一個(gè)插入層被置于該混合層與該基底之間，并且其中該插入層起到將該混合層粘 附在該基底上的作用。
14.一種用于保護(hù)電子器件的方法，該電子器件包括被置于一個(gè)基底上的一個(gè)有機(jī)的 器件本體，該方法包括提供一個(gè)前體材料來源；將該前體材料輸送至鄰近該電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；并且使用該前體材料來源通過化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)的器件本體上沉積一個(gè)混合層，其中 該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物，其中聚合的與非聚合的 材料的重量比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)，并且其中該聚合的材料以及該非聚合的材 料是從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的；其中一個(gè)插入層被置于該混合層與該有機(jī)的器件本體的頂表面之間，并且其中該插入 層起到將該混合層粘附至該有機(jī)的器件本體的頂表面上的作用。
15.一種用于保護(hù)電子器件的方法，該電子器件包括被置于一個(gè)聚合物基底上的一個(gè) 有機(jī)的器件本體，該方法包括提供一種前體材料來源；將該前體材料輸送至鄰近該電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；使用該前體材料來源通過化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)的器件本體上沉積一個(gè)第一混合層， 其中該第一混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物，其中聚合的與 非聚合的材料的重量比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)，并且其中該聚合的材料以及該非 聚合的材料是從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的；其中一個(gè)第二混合層被置于該聚合物基底的頂表面上，其中該有機(jī)的器件本體被置于 該第二混合層上，其中該第二混合層包括該聚合的材料與該非聚合的材料的一種混合物， 并且其中該聚合的與非聚合的材料的重量比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第二混合層的作用是作為用于該聚合物基底的 一個(gè)鈍化層。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該聚合物基底的作用是作為一種干燥劑。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中該聚合物基底包括一種干燥劑材料。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中該聚合物基底是經(jīng)過脫氣的。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第二混合層還覆蓋在該聚合物基底的底表面上。
21.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第二混合層將該聚合物基底完全封裝，這包括 該聚合物基底的這些側(cè)面。
22.一種用于保護(hù)電子器件的方法，該電子器件包括被置于一個(gè)金屬基底上的一個(gè)有機(jī)的器件本體，該方法包括提供一種前體材料來源；將該前體材料輸送至鄰近該電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；并且使用該前體材料來源通過化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)的器件上沉積一個(gè)混合層，其中該混 合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物，其中聚合的與非聚合的材料 的重量比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)，并且其中該聚合的材料以及該非聚合的材料是 從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的；其中該電子器件包括在該金屬基底的頂表面上的一個(gè)聚合物平面化層，并且其中該聚 合物平面化層并不延伸至該金屬基底的這些邊緣。
23.一種用于保護(hù)電子器件的方法，該電子器件包括多個(gè)有機(jī)的器件本體，這些有機(jī)的 器件本體被置于用于分開該多個(gè)有機(jī)的器件本體的一個(gè)柵格上，該方法包括提供一種前體材料來源；將該前體材料輸送至鄰近該電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；并且使用該前體材料來源通過化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)的器件本體上沉積一個(gè)混合層，其中 該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物，其中聚合的與非聚合的 材料的重量比是在95 5至5 95的范圍內(nèi)，并且其中該聚合的材料以及該非聚合的材 料是從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中該柵格包括一種材料，該材料是抵抗?jié)駳饣蜓鯕?的傳導(dǎo)的。
25.如權(quán)利要求M所述的方法，其中該材料是一種無機(jī)材料。
26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，該柵格具有多個(gè)中斷，該混合層的多個(gè)部分穿透 了這些中斷。
27.一種有機(jī)電子器件，包括一個(gè)基底；被置于該基底上的一個(gè)功能性有機(jī)本體；連接到該功能性有機(jī)本體上的一根互連引線；以及置于該功能性有機(jī)本體上并且覆蓋在該互連引線的側(cè)向邊緣上的一個(gè)混合層，該混合 層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物。
28.如權(quán)利要求27所述的器件，其中，該互連引線并不延伸至該基底的邊緣。
29.如權(quán)利要求27所述的器件，其中，該互連引線包括穿過該混合層伸出的一個(gè)伸出 部分。
30.如權(quán)利要求四所述的器件，其中，該伸長部分進(jìn)一步包括在該混合層外部的該伸 長部分的一部分上的一個(gè)突節(jié)，該突節(jié)在該混合層的表面上側(cè)向延伸。
31.如權(quán)利要求27所述的器件，其中，該互連引線包括一個(gè)臺階部分。
32.如權(quán)利要求27所述的器件，進(jìn)一步包括被置于該混合層與該基底之間的一種干燥劑。
33.如權(quán)利要求27所述的器件，其中，該混合層在至少800人的厚度上具有一種同質(zhì) 的組成。
34.如權(quán)利要求27所述的器件，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是無機(jī)的硅。
35.一種有機(jī)電子器件，包括一個(gè)金屬基底；被置于該基底上的一個(gè)功能性有機(jī)本體；置于該金屬基底與該功能性有機(jī)本體之間的一個(gè)聚合物平面化層，其中該聚合物平面 化層并不延伸至該金屬基底的邊緣；以及覆蓋在該聚合物平面化層的邊緣上的一個(gè)混合層，該混合層包括一種聚合的材料與一 種非聚合的材料的一種混合物。
36.如權(quán)利要求35所述的器件，其中該混合層進(jìn)一步覆蓋在該功能性有機(jī)本體上，并 且其中該器件進(jìn)一步包括連接到該功能性有機(jī)本體上的一根互連引線，該互連引線橫跨該聚合物平面化層的一 個(gè)邊緣并且具有一個(gè)臺階部分，在該臺階部分中該互連引線橫跨在該聚合物平面化層的該 邊緣上。
37.如權(quán)利要求36所述的器件，其中，該混合層覆蓋在該互連引線的臺階部分上。
38.如權(quán)利要求37所述的器件，其中，該互連引線并不延伸至該基底的邊緣。
39.如權(quán)利要求38所述的器件，其中，該互連引線包括穿過該混合層而伸出的一個(gè)伸 出部分。
40.如權(quán)利要求35所述的器件，其中，該混合層是一個(gè)第一混合層，該第一混合層包括 一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種第一混合物，并且其中該器件進(jìn)一步包括連接到該功能性有機(jī)本體上的一根互連引線，該互連引線橫跨在該第一混合層上并且 具有一個(gè)臺階部分，在該臺階部分中該互連引線橫跨在該第一混合層上；以及一個(gè)第二混合層，該第二混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種第二 混合物，該第二混合層覆蓋在該功能性有機(jī)本體上。
41.如權(quán)利要求35所述的器件，其中，該混合層具有在至少800人的厚度上的一種同 質(zhì)的組成。
42.如權(quán)利要求35所述的器件，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是 無機(jī)的硅。
43.一種有機(jī)電子器件，包括一個(gè)聚合物基底；置于該基底的頂表面上的一個(gè)第一混合層，該第一混合層包括一種聚合的材料與一種 非聚合的材料的一種第一混合物；置于該基底的下側(cè)表面上的一個(gè)第二混合層，該第二混合層包括一種聚合的材料與一 種非聚合的材料的一種第二混合物；置于該第一混合層上的一個(gè)功能性有機(jī)本體；以及置于該功能性有機(jī)本體上的一個(gè)第三混合層，該第三混合層包括一種聚合的材料與一 種非聚合的材料的一種第三混合物。
44.如權(quán)利要求43所述的器件，其中，該第一混合層、該第二混合層、或者該第三混合 層中的至少一個(gè)具有在至少8 00 λ的厚度上的一種同質(zhì)的組成。
45.如權(quán)利要求43所述的器件，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是無機(jī)的硅。
46.一種有機(jī)電子器件，包括一個(gè)基底；置于該基底上的一個(gè)功能性有機(jī)本體；以及置于該功能性有機(jī)本體上并且側(cè)向延伸而覆蓋在該基底的一個(gè)側(cè)面邊緣上的一個(gè)混 合層，該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物。
47.如權(quán)利要求46所述的器件，其中，該混合層進(jìn)一步覆蓋在該基底的下側(cè)表面的至 少一部分上。
48.如權(quán)利要求46所述的器件，其中，該混合層覆蓋在該基底的整個(gè)下側(cè)表面上。
49.如權(quán)利要求46所述的器件，其中，該混合層是一個(gè)第一混合層，該第一混合層包括 一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種第一混合物，并且其中該器件進(jìn)一步包括一個(gè)第二混合層，該第二混合層覆蓋在該基底的下側(cè)表面上并且在覆蓋在該第一混合 層的至少一部分上。
50.如權(quán)利要求49所述的器件，其中，該第一以及第二混合層將該功能性有機(jī)本體以 及該基底完全封裝。
51.如權(quán)利要求46所述的器件，進(jìn)一步包括與該功能性有機(jī)本體相接觸的一個(gè)電極；以及連接到該電極上并且在該基底的邊緣向外延伸的一根連接引線，其中該混合層涂覆在 該連接引線的至少一部分上。
52.如權(quán)利要求Al所述的器件，其中，該電極被定位在該功能性有機(jī)本體與該基底之間。
53.如權(quán)利要求46所述的器件，其中，該混合層具有在至少800人的厚度上的一種同 質(zhì)的組成。
54.如權(quán)利要求46所述的器件，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是 無機(jī)的硅。
55.一種用于保護(hù)具有基底的有機(jī)電子器件的方法，該方法包括將該有機(jī)電子器件放置在一個(gè)沉積室內(nèi)部，該有機(jī)電子器件由該基底固持在一個(gè)支持 件上；提供一種前體材料的一個(gè)來源；將該前體材料輸送至鄰近該有機(jī)電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；使用該前體材料來源通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)電子器件上沉積一 個(gè)混合層，該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物，其中該聚合 的材料與非聚合的材料是從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的；并且繼續(xù)該沉積過程直到該混合層覆蓋在該基底的一個(gè)側(cè)邊緣上。
56.如權(quán)利要求55所述的方法，其中，該支持件僅僅掩蓋了該基底的一部分，并且其中 使該沉積過程繼續(xù)直到該混合層覆蓋在該基底的下側(cè)表面的至少一部分上。
57.如權(quán)利要求55所述的方法，其中，該混合層是一個(gè)第一混合層，該第一混合層包括 一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種第一混合物，并且其中該方法在沉積該第一混 合層之后進(jìn)一步包括將在該支持件上的有機(jī)電子器件翻轉(zhuǎn)；將該前體材料輸送至鄰近該有機(jī)電子器件的一個(gè)反應(yīng)位置；使用該前體材料來源通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積在該有機(jī)電子器件上沉積一 個(gè)第二混合層，該第二混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種第二混合 物，其中該聚合的材料與非聚合的材料是從同一個(gè)前體材料來源創(chuàng)造的；并且繼續(xù)該沉積過程直到該第二混合層覆蓋在該第一混合層的至少一部分上。
58.如權(quán)利要求55所述的方法，其中該混合層的至少800人的厚度是在相同的反應(yīng)條 件下沉積的。
59.如權(quán)利要求55所述的方法，其中該前體材料是一種有機(jī)硅化合物。
60.一種有機(jī)電子器件，包括一個(gè)基底；置于該基底上的多個(gè)功能性有機(jī)本體；將這些功能性有機(jī)本體分開成分離的像素區(qū)域的一個(gè)柵格，該柵格具有一種中斷；以及置于這些功能性有機(jī)本體以及該柵格上的一個(gè)混合層，其中該混合層穿透進(jìn)入該中 斷，并且其中該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一種混合物。
61.如權(quán)利要求60所述的器件，其中，該混合層在至少8G0λ的厚度上具有一種同質(zhì) 的組成。
62.如權(quán)利要求60所述的器件，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是 無機(jī)的硅。
63.一種有機(jī)電子器件，包括一個(gè)基底；置于該基底上的一個(gè)功能性有機(jī)本體；置于該功能性有機(jī)本體上的一個(gè)混合層，該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合 的材料的一種混合物；以及置于該混合層上并且延伸超過該混合層一個(gè)邊緣的一個(gè)阻擋涂層。
64.如權(quán)利要求63所述的器件，其中，該混合層是一個(gè)第一混合層，該第一混合層包括 一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一個(gè)第一混合物，并且其中該阻擋涂層是一個(gè)第二 混合層，該第二混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的一個(gè)第二混合物。
65.如權(quán)利要求63所述的器件，其中該阻擋涂層不覆蓋在該有機(jī)的器件本體的至少一 部分上。
66.如權(quán)利要求65所述的器件，其中該阻擋涂層是不透明的。
67.如權(quán)利要求63所述的器件，進(jìn)一步包括置于該基底的表面與該阻擋涂層之間的一 個(gè)插入層，該插入層包括一種材料，該材料的作用是增大在該基底表面與該阻擋涂層之間 的界面間的粘附力。
68.如權(quán)利要求所述63的器件，進(jìn)一步包括被置于該阻擋涂層與該混合層之間的一種 干燥劑材料。
69.如權(quán)利要求63所述的器件，其中，該混合層具有在至少800人的厚度上一種同質(zhì) 的組成。
70.如權(quán)利要求63所述的器件，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是 無機(jī)的硅。
71.一種用于保護(hù)具有基底以及金屬電極的有機(jī)電子器件的方法，該方法包括將該金屬電極連接至一個(gè)散熱件上；并且在該有機(jī)電子器件上沉積一個(gè)混合層，該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的 材料的一種混合物。
72.如權(quán)利要求71所述的方法，其中該混合層是通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積而 沉積的。
73.如權(quán)利要求72所述的方法，其中該混合層的至少800人的厚度是在相同的反應(yīng)條 件下沉積的。
74.如權(quán)利要求71所述的方法，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是 無機(jī)的硅。
75.—種制造有機(jī)電子器件的方法，該方法包括提供被置于一個(gè)基底上的多個(gè)功能性有機(jī)本體；在這些功能性有機(jī)本體上施加一個(gè)阻擋涂層；將該基底切割成多個(gè)單獨(dú)的有機(jī)電子器件；并且在一個(gè)單獨(dú)有機(jī)電子器件的一個(gè)切割邊緣上沉積一個(gè)混合層，該混合層包括一種聚合 的材料與一種非聚合的材料的一種混合物。
76.如權(quán)利要求75所述的方法，其中該基底是一種柔性基底，并且其中該方法進(jìn)一步 包括使用一種卷對卷方法在該基底上形成多個(gè)功能性有機(jī)本體。
77.如權(quán)利要求75所述的方法，其中該混合層的至少800λ的厚度是在相同的反應(yīng)條 件下沉積的。
78.如權(quán)利要求75所述的方法，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是 無機(jī)的硅。
79.一種用于保護(hù)有機(jī)電子器件的方法，該方法包括提供一種有機(jī)電子器件，該有機(jī)電子器件包括(a)一個(gè)基底；(b)與功能性有機(jī)本體相接觸的一個(gè)電極；以及(c)連接到該電極上并且向外延伸超過該基底的邊緣的一根連接引線；將該有機(jī)電子器件放在一個(gè)沉積室內(nèi)，該有機(jī)電子器件由該連接引線保持在該沉積室 內(nèi)；并且在該功能性有機(jī)本體上并且在該連接引線上沉積一個(gè)混合層，該混合層包括一種聚合 的材料與一種非聚合的材料的一種混合物。
80.如權(quán)利要求79所述的方法，進(jìn)一步包括繼續(xù)該沉積過程直到該混合層覆蓋在該基 底的下側(cè)表面的至少一部分上。
81.如權(quán)利要求80所述的方法，進(jìn)一步包括繼續(xù)該沉積過程直到該混合層覆蓋在該基 底的整個(gè)下側(cè)表面上。
82.如權(quán)利要求79所述的方法，其中該混合層的至少800λ的厚度是在相同的反應(yīng)條 件下沉積的。
83.如權(quán)利要求79所述的方法，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是 無機(jī)的硅。
84.如權(quán)利要求79所述的方法，其中該混合層是通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積而 沉積的，并且其中在該沉積工藝過程中該有機(jī)電子器件被浸沒在一種等離子體內(nèi)或被放置 在兩種或多種等離子體之間。
85.—種制造有機(jī)電子器件的方法，該方法包括提供被置于一個(gè)基底上的多個(gè)功能性有機(jī)本體，其中該基底具有多個(gè)通孔，這些通孔 被定位于這些功能性有機(jī)本體之間；在這些功能性有機(jī)本體上沉積一個(gè)混合層，該混合層包括一種聚合的材料與一種非聚 合的材料的一種混合物；繼續(xù)該沉積過程直到這些通孔的內(nèi)部邊緣覆蓋有該混合層；并且 將該基底沿著這些通孔分開以提供多個(gè)單獨(dú)的有機(jī)電子器件。
86.如權(quán)利要求85所述的方法，其中該基底是一種柔性基底，并且其中該方法進(jìn)一步 包括使用一種卷對卷方法在該基底上形成多個(gè)功能性有機(jī)本體。
87.如權(quán)利要求85所述的方法，進(jìn)一步包括繼續(xù)該沉積過程直到該基底的下側(cè)的至少 一部分覆蓋有該混合層。
88.如權(quán)利要求85所述的方法，其中這些通孔的寬度與該基底的厚度是相同的或更大。
89.如權(quán)利要求85所述的方法，其中該混合層的至少8G0λ的厚度是在相同的反應(yīng)條 件下沉積的。
90.如權(quán)利要求85所述的方法，其中該聚合的材料是聚合的硅并且該非聚合的材料是 無機(jī)的硅。
全文摘要
一種用于保護(hù)電子器件的方法，該電子器件包含一個(gè)有機(jī)的器件本體。該方法涉及使用通過化學(xué)氣相沉積而沉積成的一種混合層。這種混合層包括一種聚合的材料與一種非聚合的材料的混合物，其中聚合的與非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范圍內(nèi)，并且其中該聚合的材料以及該非聚合的材料是用來自相同前體材料來源創(chuàng)造的。在此還披露了多種用于阻止環(huán)境污染物的側(cè)向擴(kuò)散的技術(shù)。
文檔編號H01L51/52GK102046841SQ200980116331
公開日2011年5月4日 申請日期2009年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月7日
發(fā)明者J·A·斯沃尼爾, J·J·布朗, P·曼德林科, S·瓦格納, 韓琳, 馬瑞青 申請人:普林斯頓大學(xué)理事會, 通用顯示公司