專利名稱：：光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法，尤其是涉及使用硅作為發(fā)電層的太陽電池。
背景技術(shù)：
：作為接受光并將其轉(zhuǎn)換成電力的光電轉(zhuǎn)換裝置，已知有太陽電池。太陽電池中，例如發(fā)電層(光電轉(zhuǎn)換層)上層疊有薄膜硅系的層而成的薄膜系太陽電池具有下述優(yōu)點(diǎn)容易大面積化，膜厚薄至只有晶體系太陽電池的1/100左右，使用少量材料即可完成。因此，與晶體系太陽電池相比較，薄膜系太陽電池可用低成本制造。但是，作為薄膜系太陽電池的缺點(diǎn)例如有轉(zhuǎn)換效率比晶體系低。在薄膜系太陽電池中，為了增加轉(zhuǎn)換效率即輸出電力，而進(jìn)行了各種研究。例如，提出一種串聯(lián)式太陽電池，其通過將吸收波長頻帶不同的光電轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行雙級(jí)重疊，高效地吸收入射光而得到高的發(fā)電效率。該情況下，在光電轉(zhuǎn)換單元的晶體硅中吸收波長500nm1000nm的長波長光，但是，由于在同波長域的晶體硅的吸收系數(shù)小，因此，必須在太陽電池內(nèi)使入射光反射而延長光路長度，以增加在晶體硅的光吸收量。因此，在太陽光從透明基板側(cè)入射的超直型(superstraight)中，對(duì)發(fā)電層正在進(jìn)行與光入射側(cè)相反的一側(cè)的背面構(gòu)造的改良。專利文獻(xiàn)1公示了一種技術(shù)，其作為背面構(gòu)造由對(duì)太陽光的放射光譜的波長域的光顯示高的反射率的金屬形成背面電極，在背面電極和硅半導(dǎo)體層之間形成透明導(dǎo)電層。通過形成透明導(dǎo)電層，可防止背面電極材料和硅薄膜發(fā)生合金化，維持背面電極的高反射率，且可防止轉(zhuǎn)換效率的降低。專利文獻(xiàn)1:(日本)特公昭60-41878號(hào)公報(bào)如專利文獻(xiàn)1所記載，通過著眼于層結(jié)構(gòu)來改良背面構(gòu)造，可以實(shí)現(xiàn)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率的改善。但是，為了進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換效率，僅改良層結(jié)構(gòu)是不充分的。作為層結(jié)構(gòu)，在發(fā)電層的上部依次層疊背面?zhèn)鹊耐该麟姌O層和金屬層(背面電極層)的情況下，金屬層的基板側(cè)表面的形狀模仿與金屬層接觸的背面?zhèn)韧该麟姌O層的表面的形狀。即，在背面?zhèn)韧该麟姌O層的表面存在微小的凹凸時(shí)，金屬層模仿該微小的凹凸進(jìn)行層疊。金屬層的基板側(cè)表面具有微小凹凸時(shí)，在金屬層的基板側(cè)表面，來自基板側(cè)的入射光發(fā)生散射，散射光由發(fā)電層吸收。因此，為提高在金屬層表面的反射率且提高在發(fā)電層的光吸收量，需要著眼于表面形狀來改良背面構(gòu)造。透明電極層通常為提高導(dǎo)電性，例如在120°C20(TC的范圍內(nèi)這樣的高溫的基板溫度條件下進(jìn)行成膜。通過在高溫條件下成膜，晶粒成長，通過膜質(zhì)提高和界面減少，可提高透明電極層的導(dǎo)電性。但是，由于在高溫的基板溫度條件下成膜，故而晶體化發(fā)展，晶粒粗大化。當(dāng)晶粒粗大化時(shí)，透明電極層的表面形狀反映晶粒，成為微小的凹凸形狀。艮卩，存在在金屬層的基板側(cè)表面形成微小凹凸的課題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法，通過將背面構(gòu)造的表面形狀最適宜化，提高發(fā)電層的光吸收特性。通常，作為背面?zhèn)韧该麟姌O層材料，使用光反射性良好的銀。例如，在平滑的玻璃基板上形成銀薄膜的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)理想的高反射率(約98%)。但是，由于在銀薄膜的表面存在微小的凹凸，從而在銀薄膜表面發(fā)生表面等離激元共振帶來的光吸收(以后記為表面等離激元吸收)。當(dāng)產(chǎn)生表面等離激元吸收時(shí)，從基板側(cè)入射、透過發(fā)電層且到達(dá)作為背面電極層的銀薄膜的光由銀薄膜和背面?zhèn)韧该麟姌O層的界面吸收，因此，向發(fā)電層的反射光減少。其結(jié)果是，由發(fā)電層吸收的光量減少，發(fā)電電流降低(即轉(zhuǎn)換效率降低)。本發(fā)明者著眼于背面?zhèn)韧该麟姌O層，發(fā)現(xiàn)了通過控制背面?zhèn)韧该麟姌O層的表面形狀使其適宜化，增大發(fā)電電流。S卩，本發(fā)明提供一種光電轉(zhuǎn)換裝置，在基板上從該基板側(cè)依次具備第一透明電極層、發(fā)電層、第二透明電極層、背面電極層，其特征在于，所述背面電極層具備銀薄膜，所述第二透明電極層的所述背面電極層側(cè)的表面具有微細(xì)的凹凸形狀，所述第二透明電極層的所述背面電極層側(cè)的表面相對(duì)于投影面積的表面積增加率為10%以上32%以下。第二透明電極層(背面?zhèn)韧该麟姌O層)的背面電極側(cè)的表面形狀，除作為基底的第一透明電極層的紋理引起的大的凹凸形狀之外，還存在第二透明電極層的成膜條件引起的微小的凹凸形狀。背面電極層的基板側(cè)的表面形狀與第二透明電極層的背面電極側(cè)表面的形狀大致相同。這樣，第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面具有微細(xì)的凹凸形狀，將相對(duì)于投影面積的表面積增加率設(shè)為10%以上32%以下，由此，在具備銀薄膜的背面電極層表面的由表面等離激元吸收帶來的光損失比以往降低且反射光增加。因此，可增加在發(fā)電層的短路電流。其結(jié)果可增大光電轉(zhuǎn)換裝置的輸出，提高轉(zhuǎn)換效率。另外，對(duì)于本發(fā)明的表面積增加率(AS)，設(shè)第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面的三維表面積為S，設(shè)將所述表面投影于平面時(shí)的二維投影面積為S。，由式(1)表示。AS(%)={(S/S0)-l}X100......(1)另外，本發(fā)明提供一種光電轉(zhuǎn)換裝置，在基板上從該基板側(cè)依次具備第一透明電極層、發(fā)電層、第二透明電極層、背面電極層，其特征在于，所述背面電極層具備銀薄膜，所述第二透明電極層的所述背面電極層側(cè)的表面具有微細(xì)的凹凸形狀，所述第二透明電極層具有針狀晶體。這樣，若第二透明電極層的背面電極層側(cè)的表面具有微細(xì)的凹凸形狀，第二透明電極層具有針狀晶體，則第二透明電極層表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)變得細(xì)密，表面的凹凸的高低差減小，因此，形成平滑性良好的膜。由于背面電極層的基板側(cè)表面也為大致相同的形狀，因此，具備銀薄膜的背面電極層表面的由表面等離激元吸收帶來的光損失比以往低且反射光增加。因此，可增加在發(fā)電層的短路電流。其結(jié)果可增大光電轉(zhuǎn)換裝置的輸出，可提高轉(zhuǎn)換效率。該情況下，優(yōu)選所述第二透明電極層的膜厚方向上的所述針狀晶體的長度相對(duì)于所述第二透明電極層的面內(nèi)方向上的所述針狀晶體的長度之比為2.2以上。這樣，若針狀晶體的膜厚方向上的長度相對(duì)于面內(nèi)方向的長度之比(縱橫比4aspectratio)為2.2以上、優(yōu)選2.5以上、更優(yōu)選2.8以上，則第二透明電極層表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)更密，表面的平滑性更高。其結(jié)果是可進(jìn)一步提高光電轉(zhuǎn)換裝置的輸出及轉(zhuǎn)換效率。所述發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述發(fā)電層具備兩個(gè)以上的電池層，且具有至少一個(gè)設(shè)于一個(gè)電池層和最接近該一個(gè)電池層的其它電池層之間的中間接觸層。中間接觸層具有光封閉增強(qiáng)效果。通過設(shè)置中間接觸層，可以增加來自背面電極層及第二透明電極層的反射光，從而短路電流的提高效果增高。本發(fā)明提供一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，包含在基板上從該基板側(cè)依次形成第一透明電極層的工序、形成發(fā)電層的工序、形成第二透明電極層的工序、形成背面電極層的工序，其特征在于，所述背面電極層具備銀薄膜，以2(TC以上9(rC以下的基板溫度形成所述第二透明電極層。以往，第二透明電極層以120°C20(TC的基板溫度范圍成膜。如本發(fā)明，通過以20°C以上90°C以下、優(yōu)選20°C以上60°C以下的基板溫度形成第二透明電極層，第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面形成高低差小的微細(xì)的凹凸形狀，形成接近平滑的表面。背面電極層的基板側(cè)表面也成為大致相同的形狀。因此，可降低在具備銀薄膜的背面電極層表面的由表面等離激元吸收帶來的光損失，可使反射光增加，可提高在發(fā)電層的短路電流。其結(jié)果是可得到具有高的轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。在所述發(fā)明中，優(yōu)選以所述第二透明電極層的所述背面電極層側(cè)的表面相對(duì)于投影面積的表面積增加率為10%以上32%以下的方式形成所述第二透明電極層。這樣，若第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面相對(duì)于投影面積的表面積增加率為10%以上32%以下，則第二透明電極層具有平滑性高的表面。因此，可降低在具備銀薄膜的背面電極層表面的由表面等離激元吸收帶來的光損失，可使反射光增加，可提高在發(fā)電層的短路電流?？傻玫骄哂懈叩霓D(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。在所述發(fā)明中，優(yōu)選所述第二透明電極層具有針狀晶體。該情況下，所述第二透明電極層的面垂直方向的所述針狀晶體的長度相對(duì)于所述第二透明電極層的面內(nèi)方向上的所述針狀晶體的長度之比為2.2以上。由于第二透明電極層具有針狀電極，從而第二透明電極層的背面電極側(cè)表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)變得細(xì)密，表面凹凸的高低差變得較小，因此，第二透明電極層的背面電極側(cè)表面具有高的平滑性。因此，可降低在具備銀薄膜的背面電極層表面的由表面等離激元吸收帶來的光損失，可使反射光增加，可提高在發(fā)電層的短路電流。可得到具有高的轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。特別是，若針狀晶體的面垂直方向的長度相對(duì)于面內(nèi)方向的長度之比(縱橫比)為2.2以上、優(yōu)選2.5以上、更優(yōu)選2.8以上，則第二透明電極層表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)更密，表面的平滑性更高。其結(jié)果是可得到輸出大且光電轉(zhuǎn)換效率高的光電轉(zhuǎn)換裝置。本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置中，第二透明電極層的背面電極層側(cè)的表面具有微細(xì)的凹凸形狀，相對(duì)于所述表面的投影面積的表面積增加率為10%以上32%以下。具備銀薄膜的背面電極層的基板側(cè)表面也具有與第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面大致相同的形狀。由于背面電極層具有所述形狀的基板側(cè)表面，故而在背面電極層的表面等離激元吸收帶來的光損失降低，反射光增加。因此，形成在發(fā)電層的短路電流增加，具有高的轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。另外，本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置中，第二透明電極層的背面電極層側(cè)的表面具有微5細(xì)的凹凸形狀，第二透明電極層具有針狀晶體。因此，第二透明電極層表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)變得細(xì)密，表面凹凸的高低差減小，形成平滑性比以往好的表面。其結(jié)果形成在背面電極層的表面等離激元吸收帶來的光損失降低，反射光增加，具有高的轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。通過以2(TC以上9(TC以下的范圍內(nèi)的基板溫度形成第二透明電極層，可以制造第二透明電極層的背面電極側(cè)表面為所述形狀的光電轉(zhuǎn)換裝置。第二透明電極層的表面形狀按照在背面電極層的由表面等離激元吸收帶來的光損失降低、反射光增加的方式最適宜化。因此，可得到輸出大且轉(zhuǎn)換效率高的光電轉(zhuǎn)換裝置。圖1是示意性表示本發(fā)明一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2是說明制造太陽電池板作為本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的一實(shí)施方式的概略圖；圖3是說明制造太陽電池板作為本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的一實(shí)施方式的概略圖；圖4是說明制造太陽電池板作為本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的一實(shí)施方式的概略圖；圖5是說明制造太陽電池板作為本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的一實(shí)施方式的概略圖；圖6是以基板溫度(a)200°C、(b)135°C、(c)60°C、(d)25。C形成的GZ0膜的FESEM圖像；圖7表示利用電磁波解析(FDTD法)進(jìn)行的計(jì)算中所采用的串聯(lián)式太陽電池的層疊結(jié)構(gòu)的截面概略圖；圖8是表示層疊結(jié)構(gòu)模型的微小紋理構(gòu)造的振幅和短路電流的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖9是表示層疊結(jié)構(gòu)模型的微小紋理構(gòu)造的振幅和銀吸收光的等效電流的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖10是表示第二透明電極層的基板溫度和串聯(lián)式太陽電池單元的短路電流的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖11是表示第二透明電極層的基板溫度和串聯(lián)式太陽電池單元的轉(zhuǎn)換效率的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖12是在玻璃基板上依次形成GZ0膜及銀薄膜的試樣的反射譜(從玻璃基板側(cè)入射光)符號(hào)說明l基板2第一透明電極層3光電轉(zhuǎn)換層4背面電極層5中間接觸層6第二透明電極層7太陽電池模塊31非晶體硅p層32非晶體硅i層33非晶體硅n層41晶體硅p層42晶體硅i層43晶體硅n層91第一電池層92第二電池層100光電轉(zhuǎn)換裝置具體實(shí)施例方式對(duì)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是表示本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。光電轉(zhuǎn)換裝置100為硅系太陽電池，具備基板1、第一透明電極層2、作為發(fā)電層3的第一電池層91(非晶硅系)及第二電池層92(晶體硅系)、作為背面構(gòu)造的第二透明電極層6及背面電極層4。另外，在此，硅系是指包括硅(Si)、碳化硅(SiC)及硅鍺(SiGe)的總稱。另外，晶體硅系是指非晶體硅系以外的硅系，也包含微晶硅及多晶硅系。下面，作為本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置，參照?qǐng)D2圖5說明制造太陽電池板的工序。(1)圖2(a)作為基板1使用鈉浮法玻璃基板(例如1.4mX1.lmX板厚36mm的一邊超過lm的大面積基板)。為了防止因熱應(yīng)力及沖擊等造成的破損而優(yōu)選對(duì)基板端面進(jìn)行拐角倒角及R倒角加工。(2)圖2(b)作為第一透明電極層2，利用熱CVD裝置以約50(TC形成以氧化錫(Sn02)為主成分的膜厚約500nm以上800nm以下的透明電極膜。此時(shí)，在透明電極膜的表面形成具有適當(dāng)?shù)陌纪沟募y理(texture)。作為第一透明電極層2，也可以除透明電極膜外還在基板1和透明電極膜之間形成堿性阻擋膜(未圖示)。堿性阻擋膜使用熱CVD裝置以約50(TC形成膜厚50nm以上150nm以下的氧化硅膜(Si02)。(3)圖2(c)其后，將基板1設(shè)置于X-Y工作臺(tái)，按照?qǐng)D中箭頭所示那樣從第一透明電極層的層面?zhèn)热肷鋂AG激光的第一高次諧波(1064nm)。調(diào)整激光功率以使加工速度達(dá)到合適，且在與發(fā)電單元的串聯(lián)連接方向垂直的方向上使基板和激光相對(duì)移動(dòng)而形成槽10，以此方式對(duì)透明電極膜進(jìn)行激光蝕刻形成寬度約6mm16mm的規(guī)定寬度的長方形。(4)圖2(d)作為第一電池層91，利用等離子體CVD裝置形成由非晶體硅薄膜構(gòu)成的P層、i層及n層。以SiH4氣體及H2氣體為主原料，在減壓氣氛30Pa以上1000Pa以下、基板溫度約20(TC下，在第一透明電極層2上從太陽光入射的一側(cè)起依次形成非晶體硅p層31、非晶體硅i層32、非晶體硅n層33。非晶體硅p層31為非晶體的B摻雜硅膜，膜厚為10nm以上30nm以下。非晶體硅i層32為膜厚200nm以上350nm以下。非晶體硅n層33為P摻雜非晶體硅膜，膜厚為30nm以上50nm以下。也可以形成晶體硅膜替代非晶體硅n層，或者也可以形成非晶體硅膜和晶體硅膜的層疊結(jié)構(gòu)。在非晶體硅P層31和非晶體硅i層32之間為了提高界面特性，也可以設(shè)置緩沖層。在第一電池層91上利用等離子體CVD裝置形成由晶體硅薄膜構(gòu)成的p層、i層及n層作為第二電池層92。以SiH4氣體及H2氣體為主原料，在減壓氣氛3000Pa以下、基板溫度約20(TC、等離子體發(fā)生頻率40MHz以上100MHz以下的條件下，依次形成晶體硅p層41、晶體硅i層42、晶體硅n層43。晶體硅p層41為摻雜了B的晶體硅膜，膜厚為10nm以上50nm以下。晶體硅i層42的膜厚為1.2iim以上3.0iim以下。晶體硅n層43為摻雜了P的晶體硅膜，膜厚為20nm以上50nm以下。在本實(shí)施方式中，也可以在第一電池層91上形成作為半反射膜的中間接觸層5，以改善第一電池層91和第二電池層92的接觸性并取得電流耦合性。作為中間接觸層5，利用DC濺射裝置并使用靶即摻雜Ga的Zn0燒結(jié)體來形成膜厚20nm以上100nm以下的GZ0(摻雜Ga的ZnO)膜。(5)圖2(e)將基板1設(shè)置于X-Y工作臺(tái)，按圖中箭頭所示的那樣從光電轉(zhuǎn)換層3的膜面?zhèn)热肷浼す馄鞫O管激發(fā)YAG激光的第二高次諧波(532nm)。使脈沖振蕩為10kHz以上20kHz以下且調(diào)整激光功率以使加工速度適當(dāng)，在第一透明電極層2的激光蝕刻線的約100i！m150iim的橫側(cè)進(jìn)行激光蝕刻，以形成槽11。另外該激光也可以從基板1側(cè)入射。該情況下，由于可利用因被光電轉(zhuǎn)換層3的第一電池層91吸收的能量而產(chǎn)生的高蒸氣壓力，因而可進(jìn)行更穩(wěn)定的激光蝕刻加工。激光蝕刻線的位置考慮定位公差而選定，不與在前工序的蝕刻線相交叉。(6)圖3(a)在第二電池層92的晶體硅n層43上依次形成第二透明電極層6及背面電極層4。作為第二透明電極6，利用濺射裝置形成GZO膜。使用作為靶的Ga摻雜ZnO燒結(jié)體，在放電氣體氬氣及氧氣、膜厚50nm以上150nm以下、基板溫度20°C以上90°C以下、優(yōu)選20°C以上60°C以下的條件下進(jìn)行成膜。作為背面電極層4，利用濺射裝置，在放電氣體氬氣、成膜溫度約15(TC下的條件下進(jìn)行成膜?；蛘咦鳛楸趁骐姌O層4，也可以依次層疊Ag膜200500nm、作為保護(hù)Ag膜的防腐蝕效果好的Ti膜1020nm，形成Ag膜/Ti膜的層疊體。該情況下，形成在基板側(cè)設(shè)置有Ag膜的層結(jié)構(gòu)。(7)圖3(b)將基板1設(shè)置于X-Y工作臺(tái)，按圖中箭頭所示從基板1一側(cè)入射激光器二極管激發(fā)YAG激光的第二高次諧波(532nm)。激光被光電轉(zhuǎn)換層3吸收，利用此時(shí)產(chǎn)生的高的氣體蒸氣壓使背面電極層4爆裂除去。使脈沖振蕩為lkHz以上10kHz以下且調(diào)整激光功率以使加工速適當(dāng)，在透明電極層2的激光蝕刻線的約250iim400ym的橫側(cè)進(jìn)行激光蝕刻，以形成槽12。(8)圖(c)對(duì)發(fā)電區(qū)域進(jìn)行劃分，除去基板端周邊的膜端部的激光蝕刻引起的串聯(lián)連接部分容易短路的影響。將基板1設(shè)置于X-Y工作臺(tái)，從基板1側(cè)入射激光器二極管激發(fā)YAG激光的第二高次諧波(532nm)。由透明電極層2和光電轉(zhuǎn)換層3吸收激光，利用此時(shí)產(chǎn)生的高的氣體蒸氣壓力使背面電極層4爆裂，除去背面電極層4/光電轉(zhuǎn)換層3/透明電極層2。使脈沖振蕩為1kHz以上10kHz以下且調(diào)整激光功率以使加工速度適當(dāng)，如圖3(c)所示，在基板1的端部起5mm20mm的位置進(jìn)行激光蝕刻以形成X方向絕緣槽15。此時(shí)，由于在后續(xù)工序進(jìn)行基板1周圍區(qū)域的膜面研磨除去處理，因而不必設(shè)置Y方向絕緣槽。通過在距基板1的端部5mm10mm的位置完成絕緣槽15的蝕刻，對(duì)抑制外部濕分從太陽電池板端部向太陽電池模塊7內(nèi)部的浸入起到了有效的效果，故而優(yōu)選。另外，在到此為止的工序中的激光采用YAG激光，但是也可同樣使用YV04激光及光纖維激光。(9)圖(4)為了確保后續(xù)工序的經(jīng)由EVA等與后板(backsheet)24接合的完整的粘接/密封面，基板l周邊(周圍區(qū)域14)的層疊膜由于具有臺(tái)階并且容易剝離，故而除去層疊膜。在從基板l的端部起5mm20mm處遍及基板l的整個(gè)周圍，X方向上比由上述的圖3(c)工序中設(shè)置的絕緣槽15靠近基板端側(cè)、Y方向上比基板端側(cè)部附近的槽10靠近基板端側(cè)，通過砂輪研磨及噴砂研磨等進(jìn)行背面電極層4/光電轉(zhuǎn)換層3/透明電極層2的除去。研磨屑及磨料通過對(duì)基板1進(jìn)行洗凈處理而除去。(10)圖4(b)端子箱安裝部分在后板24上設(shè)有開口貫通窗以取出集電板。在該開口貫通窗部分設(shè)置有多層絕緣材料，以抑制來自外部的濕分等的浸入。以從串聯(lián)排列的一端的太陽電池發(fā)電單元和另一端的太陽電池發(fā)電單元使用銅箔進(jìn)行集電并從太陽電池板反面?zhèn)鹊亩俗酉洳糠秩〕鲭娏Φ姆绞竭M(jìn)行處理。銅箔為了防止與各部分之間的短路而配置有比銅箔寬度寬的絕緣板。將集電用銅箔等配置于規(guī)定位置之后，以覆蓋整個(gè)太陽電池模塊7且不從基板1露出的方式配置EVA(乙烯_乙酸乙烯共聚物)等的粘接充填材料板。在EVA上設(shè)置防水效果好的后板24。在本實(shí)施方式中，后板24由PET板/Al箔/PET板這3層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，防水防濕效果高。直至后板24配置到規(guī)定位置而成的構(gòu)件，通過層合機(jī)(laminator)在減壓氣氛中進(jìn)行內(nèi)部的脫氣，且在約150°C16(TC下沖壓以使EVA交聯(lián)而密合。(11)圖5(a)用粘接劑將端子箱23安裝于太陽電池模塊7的反面?zhèn)取?12)圖5(b)用焊錫等將銅箔和端子箱23的輸出電纜連接，用密封劑(澆注封閉劑)充填端子箱內(nèi)部將其密閉。至此太陽電池板50完成。(13)圖5(c)對(duì)通過在圖5(b)之前的工序形成的太陽電池板50進(jìn)行發(fā)電檢查及規(guī)定的性能試驗(yàn)。發(fā)電檢查使用AM1.5、全天日照基準(zhǔn)太陽光(1000/m2)的太陽模擬器進(jìn)行。(14)圖5(d)在發(fā)電檢查前后，進(jìn)行外觀檢查等的規(guī)定的性能檢查。在上述工序制造的太陽電池中，如圖1所示，第二透明電極層6的背面電極層4側(cè)的表面具有微小的凹凸形狀，相對(duì)于投影面積的表面積增加率為10%以上32%以下，形成表面性良好的表面。9表面積增加率例如根據(jù)通過在規(guī)定視野的第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面的原子間力電子顯微鏡(AFM)圖像得到的三維面積(S)、和通過規(guī)定視野的第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面投影在平面上而生成的二維投影面積(S。)，使用式(1)計(jì)算。另外，在上述工序制造的太陽電池的第二透明電極層6具有晶體在膜厚方向成長且一個(gè)晶體組織貫通膜厚方向的針狀晶體。由于具有縱橫比(針狀晶體的膜厚方向上的長度相對(duì)于第二透明電極層面內(nèi)方向的長度的比)為2.2以上，優(yōu)選2.5以上，更優(yōu)選2.8以上的針狀晶體，從而第二透明電極6的背面電極層4側(cè)表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)密，表面凹凸的高低差變得較小，因此，形成平滑性良好的膜。第二透明電極層的晶體組織的膜厚方向上的長度，由于一個(gè)晶體組織貫通膜厚方向，故而與第二透明電極層的膜厚相等。第二透明電極層的膜厚通過電場放射型掃描型電子顯微鏡(FESEM)截面觀察照片上的計(jì)測、臺(tái)階計(jì)測、使用成膜條件和膜厚的檢測線根據(jù)成膜條件計(jì)算等方法得到。晶體組織的第二透明電極層面內(nèi)方向的長度通過原子間電子顯微鏡(AFM)圖像的功率譜密度(PSD)解析，根據(jù)功率譜密度為極大的周期得到。背面電極層4為模仿第二透明電極層6的背面電極層4側(cè)表面的表面形狀。艮卩，如圖1所示，背面電極層4的基板側(cè)1表面的形狀為與第二透明電極層6的背面電極層4側(cè)表面大致相同的形狀。由于背面電極層4的基板1側(cè)表面具有上述的表面形狀，從而可降低在背面電極層4的表面等離激元光吸收帶來的損失，反射光增加。因此，本實(shí)施方式的太陽電池中，發(fā)電層的短路電流增加，輸出大且具有高的轉(zhuǎn)換效率。另外，本實(shí)施方式的太陽電池的第二透明電極層6的背面電極層4側(cè)表面的形狀例如可通過下述步驟確認(rèn)，即，通過使用了藥品的化學(xué)除去或剝離，除去背面電極層4，使第二透明電極層6露出，并使用AFM或FESEM進(jìn)行觀察。[實(shí)施例](成膜為GZO膜表面形狀時(shí)的基板溫度的影響)在玻璃基板上形成GZO膜。使用DC濺射裝置，在靶Ga摻雜ZnO燒結(jié)體、放電氣體氬氣及氧氣、膜厚80nm標(biāo)準(zhǔn)、基板溫度25t:、6(TC、135t:、20(rC下進(jìn)行成膜。對(duì)于在各基板溫度條件下成膜的GZO膜的表面形狀，使用AFM(DigitalInstruments公司制、NanoScopeD-3100)，以視野角2iimX2iim、析像度512像素、Z范圍100nm/div或500nm/div、敲擊模式觀察同一試樣的任意2視野。根據(jù)得到的AFM圖像求出表面積增加率的平均值。在AFM圖像的截面輪廓(profile)中，計(jì)測在l視野隨機(jī)抽取的15點(diǎn)(共計(jì)30點(diǎn))的凹凸的高度及寬度(凹凸的峰和谷的距離)，算出凹凸的高度及寬度的平均值。進(jìn)行了AFM圖像的一維功率譜密度解析。功率譜密度的橫軸為周期，是距離的次元。在某距離具有特有的結(jié)構(gòu)的表面形狀的情況下，在相當(dāng)于該距離的周期顯示峰值。即，賦予功率譜密度的極大值的周期表示表面形狀的間距。使用FESEM(日本電子公司制、FESEMJSM-6301F)，以加速電壓3keV、倍率10萬倍、導(dǎo)電性涂層Pt涂敷對(duì)在各基板溫度條件下形成的GZO膜進(jìn)行觀察。表1表示按各基板溫度成膜的GZO膜的表面積增加率、由AFM圖像得到的凹凸的高度及寬度?；鍦囟仍礁撸砻娣e增加率越傾向于大，凹凸的高度越傾向于大。另外，成膜時(shí)的基板溫度越高，檢測出功率譜密度越高。即，當(dāng)基板溫度高時(shí)，得到表面的微細(xì)凹凸的高低差增大這樣的結(jié)果?；鍦囟仍礁?，賦予功率譜密度的極大值的周期的值越大。艮P，10基板溫度高時(shí)，得到晶粒粗大化且微細(xì)凹凸的間距增大這樣的結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>圖6是以基板溫度(a)200。C、(b)135。C、(c)60。C、(d)25。C形成的GZO膜的FESEM圖像。以基板溫度20(TC及135t:形成的GZ0膜為粒狀的晶體組織(縱橫比分別為1.5、2.l)，表面觀察到有大的凹凸。另一方面，以基板溫度6(TC及25t:形成的GZ0膜為在膜厚方向(晶體成長方向)長的針狀的晶體組織(縱橫比分別為3.1、2.8)，表面的凹凸小。另外，關(guān)于縱橫比，膜厚方向的長度通過由FESEM截面觀察玻璃上的GZO膜并測定膜厚而求出。寬度方向的長度為通過AFM對(duì)玻璃上的GZO膜進(jìn)行表面形狀分析而取得的功率譜密度的給予極大值的周期。根據(jù)以上結(jié)果，可使成膜時(shí)的基板溫度和GZO膜表面形狀相關(guān)。(太陽電池的短路電流及表面等離激元吸收的計(jì)算)根據(jù)表1的結(jié)果，考慮GZ0膜(第二透明電極膜)表面的凹凸形狀，構(gòu)成圖7所示的太陽電池的層疊結(jié)構(gòu)模型，進(jìn)行電磁波解析(FDTD法)。圖7(a)的層疊結(jié)構(gòu)模型為單層的太陽電池，在玻璃基板1上依次層疊第一透明電極層2、作為發(fā)電層的非晶體硅p層31、非晶體硅i層32、晶體硅n層43、第二透明電極層6、及背面電極層4。第一透明電極層2，紋理構(gòu)造的平均間距(l周期量的幅度)為600nm、仰角(距基板面的角度)為30°、平均膜厚為500nm。另外，平均間距及仰角為對(duì)在玻璃基板上形成的第一透明電極層(霧度20%)的表面形狀進(jìn)行AFM分析而求出的代表尺寸。p層31的膜厚為10nm，層上下的紋理構(gòu)造為模仿第一透明電極層2的上側(cè)的紋理構(gòu)造的結(jié)構(gòu)。i層32的膜厚為200nm，下側(cè)紋理構(gòu)造與p層31相同，上側(cè)紋理構(gòu)造由與第一透明電極層2相同間距的正弦函數(shù)賦予。在形成了i層32后，使用AFM分析表面形狀求得的代表尺寸規(guī)定正弦函數(shù)的振幅。n層43的膜厚為30nm，層上下的紋理構(gòu)造為模仿i層的上側(cè)紋理構(gòu)造的形狀。第二透明電極層6(GZ0膜)的平均膜厚為60nm。第二透明電極層6的下側(cè)的紋理構(gòu)造為模仿n層43的結(jié)構(gòu)。第二透明電極層6的上側(cè)結(jié)構(gòu)如圖7(b)所示，為在與n層43相同形狀的大的紋理構(gòu)造中存在由正弦函數(shù)賦予的微小紋理構(gòu)造的形狀。背面電極層4為銀薄膜，平均膜厚為250nm。背面電極層4的下側(cè)紋理構(gòu)造與第二透明電極層6的上側(cè)紋理構(gòu)造相同。微小紋理構(gòu)造的振幅及間距基于表1所示的GZO單膜的凹凸的高度及寬度決定。將第二透明電極層6的微小紋理構(gòu)造的振幅(高度)及間距(寬度的2倍)分別在0nm20nm、30nm120nm的范圍內(nèi)變更，計(jì)算短路電流及銀吸收光的等效電流。另外，振幅Onm表示不存在微小紋理構(gòu)造的情況。短路電流為將由非晶體硅i層吸收的光量以太陽光譜AM1.5的條件換算成電流的值。銀吸收光的等效電流為將由背面電極層的基板側(cè)表面吸收的光量以太陽光譜AMI.5的條件換算成電流的值。圖8是表示微小紋理構(gòu)造的振幅和短路電流的關(guān)系的坐標(biāo)圖。同圖中，橫軸為振幅，縱軸為以微小紋理的振幅Onm下的短路電流值為基準(zhǔn)時(shí)的短路電流的相對(duì)值。圖9是表示微小紋理構(gòu)造的振幅和銀吸收光的等效電流的關(guān)系的坐標(biāo)圖。同圖中，橫軸為振幅，縱軸為以微小紋理的振幅Onm下的短路電流值為基準(zhǔn)時(shí)的銀吸收光的等效電流的相對(duì)值。微小紋理的振幅越增大，短路電流越減小。在同一振幅下進(jìn)行比較時(shí)，存在微小紋理的間距越小，短路電流越小的傾向。銀吸收光的等效電流與短路電流的傾向相反，在微小紋理的振幅大時(shí)增加，在間距小時(shí)增加。圖8及圖9的結(jié)果顯示，要增加短路電流，增大第二透明電極層的微小紋理的間距(增大GZO的晶體尺寸)、減小振幅(使微小紋理構(gòu)造接近鏡面)是有效的。圖8中，作為短路電流損失的合格與否判定線，分別表示相對(duì)于振幅0nm的短路電流值損失0.5%的線及損失1%的線。將在表1所示的各基板溫度下形成的GZO膜的振幅(高度)和間距(寬度的2倍)用于圖8時(shí)，基板溫度135"及200°C(振幅810nm、間距80nm)滿足合格與否判定的第一階段(損失1%線)，但低于第二階段(損失0.5%線)?；鍦囟?5"及60°C(振幅35mm、間距4080nm)滿足合格與否判定的第一階段及第二階段兩方。根據(jù)上述結(jié)果得到下述見解。在以9(TC以下的基板溫度(例如25°C、60°C)形成第二透明電極層的情況下，第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面的微小紋理的振幅小。另外，低溫形成的GZO膜成為密的針狀組織(縱橫比2.2以上)。S卩，以低溫形成GZO膜作為第二透明電極層的太陽電池由于表面積增加率小、為接近鏡面的狀態(tài)，因此，認(rèn)為在背面電極層(銀)表面的表面等離子激元吸收小，由背面電極層表面反射的光的光量增大。其結(jié)果預(yù)想到，能夠抑制在發(fā)電層產(chǎn)生的電流(短路電流)的減少，還能夠抑制轉(zhuǎn)換效率的低下。另一方面，在以高于9(TC的高的基板溫度(例如135°C、200°C)形成第二透明電極層的情況下，第二透明電極層的背面電極層側(cè)表面的微小紋理的振幅大。以高溫形成的GZO膜為縱橫比小的粒狀組織，表面的凹凸大。S卩，以高溫形成GZO膜作為第二透明電極層的太陽電池，由于表面積增加率大而為粗的表面，所以認(rèn)為表面等離激元吸收大，由背面電極層表面反射的光的光量小。其結(jié)果預(yù)想到，在發(fā)電層的短路電流減小，且轉(zhuǎn)換效率低下。(第二透明電極層成膜時(shí)的基板溫度和太陽電池性能的關(guān)系)在玻璃基板上依次形成第一透明電極層、作為由非晶體硅構(gòu)成的發(fā)電層的p層、i層及n層、及第二透明電極層，制作了非晶體硅單一式的層疊體。以膜厚700nm形成Sn02膜作為第一透明電極層。利用等離子體CVD裝置以p層膜厚10nm、i層膜厚200nm、n層膜厚30nm形成由非晶體硅構(gòu)成的發(fā)電層。作為第二透明電極層，使用DC濺射裝置，以靶Ga摻雜ZnO燒結(jié)體、放電氣體氬氣及氧氣、基板溫度6(TC或135t:形成GZO膜。以基板溫度6(TC成膜的情況下的GZO膜厚為100nm，以基板溫度135°C12成膜的情況下的GZ0膜厚為60nm。在玻璃基板上依次形成第一透明電極層、第一電池層、中間接觸層、第二電池層及第二透明電極層，制作了串聯(lián)式的層疊體。另外，第一電池層及第二電池層分別從基板側(cè)依次形成P層、i層、n層。作為第一透明電極層，以膜厚700nm形成了Sn02膜。利用等離子體CVD裝置，以P層膜厚10nm、i層膜厚200nm、n層膜厚30nm形成由非晶體硅構(gòu)成的第一電池層。作為中間接觸層，形成有膜厚70nm的GZO膜。利用等離子體CVD裝置，以p層膜厚30nm、i層膜厚2000nm、n層膜厚30nm形成由非晶體硅構(gòu)成的第二電池層。作為第二透明電極層，使用DC濺射裝置，以靶Ga摻雜ZnO燒結(jié)體、放電氣體氬氣及氧氣、基板溫度6(TC或135。C進(jìn)行成膜。以基板溫度6(TC成膜的情況下的GZ0膜厚為100nm，以基板溫度135。C成膜的情況下的GZO膜厚為60nm。作為比較，制作了無第二透明電極層的串聯(lián)式的層疊體。另外，第一透明電極層、第一電池層、中間接觸層及第二電池層與形成有上述第二透明電極層的串聯(lián)式的層疊體相同地形成。使用AFM分析第二透明電極層表面及第二電池層n層表面(無第二透明電極層的串聯(lián)式層疊體的情況)，求得表面積增加率。表2表示結(jié)果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>本實(shí)施例的情況下，由于形成有凹凸大的第一透明電極層，所以與在玻璃基板上形成有GZ0膜的表1相比，表面積增加率增大。另外，第二電極層n層表面的由表面積增加率不足10%。與之相對(duì)，第二透明電極層表面的表面積增加率增大。在單一式及串聯(lián)式任一種的情況下，以基板溫度6(TC形成的第二透明電極層的表面積增加率也為32%以下。在以基板溫度135t:成膜的情況下，與基板溫度6(TC的情況相比，第二透明電極層的表面積增加率增大。這樣，單一式太陽電池及串聯(lián)式太陽電池中，第二透明電極層的表面積增加率都取決于成膜時(shí)的基板溫度。因此，串聯(lián)式中，在第二透明電極層成膜時(shí)的基板溫度低的情況下，第二透明電極層也為針狀組織，微細(xì)紋理構(gòu)造的振幅變小，因此，認(rèn)為第二透明電極層的表面形狀接近平滑。改變第二透明電極層的基板溫度，制成串聯(lián)式太陽電池單元(基板5cm見方)。作為第二透明電極層，以膜厚60nm、基板溫度25。C、60°C、90。C、135。C、150。C制成GZ0膜。在形成背面電極層后，在氮?dú)猸h(huán)境下以溫度16(TC、進(jìn)行處理時(shí)間2小時(shí)的退火處理。對(duì)制作的串聯(lián)式太陽電池單元的短路電流及轉(zhuǎn)換效率進(jìn)行測定。圖IO表示短路電流的平均值及標(biāo)準(zhǔn)偏差。同圖中，橫軸是第二透明電極層成膜時(shí)的基板溫度，縱軸是以基板溫度15(TC下的短路電流為基準(zhǔn)時(shí)的短路電流的相對(duì)值。圖11表示轉(zhuǎn)換效率的平均值及標(biāo)準(zhǔn)偏差。同圖中，橫軸是第二透明電極層成膜時(shí)的基板溫度，縱軸是以基板溫度15(TC下的轉(zhuǎn)換效率為基準(zhǔn)時(shí)的轉(zhuǎn)換效率的相對(duì)值。另外，短路電流及轉(zhuǎn)換效率的值為在5cm見方基板面內(nèi)的單元15點(diǎn)、基板片數(shù)共5片下測得的平均值，是除去了激光蝕刻加工錯(cuò)誤造成的破損單元后的值。如圖10所示，在基板溫度90°C以下形成第二透明電極層的太陽電池單元與以現(xiàn)有條件即基板溫度135t:及15(TC形成第二透明電極層的太陽電池單元相比，短路電流增大。對(duì)應(yīng)于短路電流的增大，如圖11所示，以基板溫度9(TC以下形成第二透明電極層的太陽電池單元中，轉(zhuǎn)換效率也提高。另外，在以基板溫度90°C以下形成第二透明電極層的太陽電池單元中，開路電壓及曲線因子也與短路電流一同提高，因此，圖11所示的轉(zhuǎn)換效率成為比僅有助于短路電流增量的情況大的值。圖10及圖11表示太陽電池單元的結(jié)果，但例如在基板大小為1.4mXl.lm方形的大面積太陽電池模塊中，也同樣可確認(rèn)短路電流增大帶來的模塊輸出提高(與現(xiàn)有技術(shù)比，發(fā)電輸出提高約3%)。圖12是從在玻璃基板上依次形成有GZO膜和銀薄膜的試樣(GZO成膜時(shí)的基板溫度25°C、60°C、90°C、135°C、15(rC)的玻璃基板側(cè)入射光時(shí)的分光反射譜。玻璃基板為-一二>，'公司制的#1737玻璃(板厚l.lmmt)。同圖中，橫軸為波長，縱軸為反射率。串聯(lián)式太陽電池的第二電池層的吸收波長帶域在波長600nm1000nm的范圍。以基板溫度135t:及15(TC形成GZO膜的情況下，在第二電池層的吸收波長帶域的反射率低，尤其是在波長900nm以下反射率大幅度降低。當(dāng)以基板溫度9(TC形成GZO膜時(shí)，在短波長側(cè)的反射率得以改善。在以基板溫度25t:及6(rC形成GZ0膜的情況下，在第二電池層的吸收波長帶域整體得到高的反射率。串聯(lián)式太陽電池單元中，如表2所示，認(rèn)為第二透明電極層的背面電極側(cè)表面的形狀為取決于成膜時(shí)的基板溫度，且以9(TC以下的溫度(表2中為6(TC)成膜時(shí)成為接近平滑的微細(xì)凹凸形狀。另外，與圖12的反射譜相比，通過在低溫下成膜，在第二電池層的吸收波長帶域整體得到高的反射率。因此，以9(TC以下形成第二透明電極層的串聯(lián)式太陽電池中，可以預(yù)測到背面電極層的基板側(cè)表面的微細(xì)凹凸形狀引起的表面等離激元吸收被抑制，且短路電流的減小及轉(zhuǎn)換效率的減小被抑制。該預(yù)測與圖10及圖11的結(jié)果一致。另外，在上述實(shí)施方式及實(shí)施例中，以非晶體硅單一式太陽電池及串聯(lián)式太陽電池為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明例如也可以適用于按照帶隙加寬的方式從光入射面起依次層疊晶體硅單一式太陽電池、晶體SiGe單一式太陽電池、非晶體硅、晶體硅、晶體SiGe等的發(fā)電層而成的三層型太陽電池等。權(quán)利要求一種光電轉(zhuǎn)換裝置，在基板上從該基板側(cè)依次具備第一透明電極層、發(fā)電層、第二透明電極層、背面電極層，其特征在于，所述背面電極層具備銀薄膜，所述第二透明電極層的所述背面電極層側(cè)的表面具有微細(xì)的凹凸形狀，所述第二透明電極層的所述背面電極層側(cè)的表面相對(duì)于投影面積的表面積增加率為10％以上32％以下。2.—種光電轉(zhuǎn)換裝置，在基板上從該基板側(cè)依次具備第一透明電極層、發(fā)電層、第二透明電極層、背面電極層，其特征在于，所述背面電極層具備銀薄膜，所述第二透明電極層的所述背面電極層側(cè)的表面具有微細(xì)的凹凸形狀，所述第二透明電極層具有針狀晶體。3.如權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述第二透明電極層的膜厚方向上的所述針狀晶體的長度相對(duì)于所述第二透明電極層的面內(nèi)方向上的所述針狀晶體的長度之比為2.2以上。4.如權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換針狀，其特征在于，所述發(fā)電層具備兩個(gè)以上的電池層，具有至少一個(gè)設(shè)于一個(gè)電池層和最接近該一個(gè)電池層的其它電池層之間的中間接觸層。5.—種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，包含在基板上從該基板側(cè)依次形成第一透明電極層的工序、形成發(fā)電層的工序、形成第二透明電極層的工序、形成背面電極層的工序，其特征在于，所述背面電極層具備銀薄膜，以20°C以上90°C以下的基板溫度形成所述第二透明電極層。6.如權(quán)利要求5所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，以所述第二透明電極層的所述背面電極層側(cè)的表面相對(duì)于投影面積的表面積增加率為10%以上32%以下的方式形成所述第二透明電極層。7.如權(quán)利要求5或6所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，所述第二透明電極層具有針狀晶體。8.如權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，所述第二透明電極層的膜厚方向上的所述針狀晶體的長度相對(duì)于所述第二透明電極層的面內(nèi)方向上的所述針狀晶體的長度之比為2.2以上。全文摘要本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法，通過將背面結(jié)構(gòu)的表面形狀最適宜化，提高發(fā)電層的光吸收特性。光電轉(zhuǎn)換裝置(100)在基板(1)上從基板(1)側(cè)依次具備第一透明電極層(2)、發(fā)電層(3)、第二透明電極層(6)、背面電極層(4)，其特征在于，背面電極層(4)具備銀薄膜，第二透明電極層(6)的背面電極層(4)側(cè)的表面具有微細(xì)的凹凸形狀，相對(duì)于表面的投影面積的表面積增加率為10％以上32％以下。以及，光電轉(zhuǎn)換裝置(100)在基板(1)上從基板(1)側(cè)依次具備第一透明電極層(2)、發(fā)電層(3)、第二透明電極層(6)、背面電極層(4)，其特征在于，背面電極層(4)具備銀薄膜，第二透明電極層(6)的背面電極層(4)側(cè)的表面具有微細(xì)的凹凸形狀，第二透明電極層(6)具有針狀晶體。文檔編號(hào)H01L31/04GK101779295SQ200980100161公開日2010年7月14日申請(qǐng)日期2009年1月9日優(yōu)先權(quán)日2008年3月28日發(fā)明者坂井智嗣,小林靖之,山下信樹,森匡史,淺原裕司,鶴我薰典申請(qǐng)人:三菱重工業(yè)株式會(huì)社