專利名稱：氮化鎵基大功率芯片側面出光結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及大功率芯片技術領域，尤其涉及一種可提高芯片出光率的氮化鎵
基大功率芯片側面出光結構。
背景技術：
氮化鎵(GaN)基大功率芯片包括三氧化二鋁(A1203)襯底層和氮化鎵外延層，氮化 鎵外延層設置在三氧化二鋁襯底層的上面。市場上出售成品的氮化鎵基大功率芯片，是由 大塊芯片切割而成的。成品的氮化鎵基大功率芯片一般為扁平的正四棱柱形狀，氮化鎵外 延層的側面與上表面垂直，這種結構的芯片出光率不太好。

實用新型內容本實用新型提供一種可提高芯片出光率的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構。 氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，包括三氧化二鋁襯底層和氮化鎵外延層，氮 化鎵外延層設置在三氧化二鋁襯底層的上面，氮化鎵外延層的側面為斜面，側面與上表面 的夾角為銳角。 其中，氮化鎵外延層具有4個斜面，相鄰斜面之間通過圓弧過渡。 其中，氮化鎵外延層為倒置正四棱臺形狀。 其中，氮化鎵外延層的側面與上表面的夾角范圍為25-60度。 其中，氮化鎵外延層的側面與上表面的夾角為45度。 其中，氮化鎵外延層由P型氮化鎵子層和N型氮化鎵子層組成，P型氮化鎵子層位 于N型氮化鎵子層的上方。 從以上的技術方案可以看出，本實用新型包括三氧化二鋁襯底層和氮化鎵外延 層，氮化鎵外延層設置在三氧化二鋁襯底層的上面，氮化鎵外延層的側面為斜面，側面與上 表面的夾角為銳角。氮化鎵外延層的上表面和側面均可出光，側面為斜面，增大出光面積， 提高芯片出光率，使更多發(fā)光層內部的光線可以透射出來。

圖1為本實用新型實施例一的結構示意圖； 圖2為圖1中AA的剖視圖； 圖3為本實用新型實施例二的結構示意圖； 圖4為本實用新型實施例三的結構示意圖。
具體實施方式實施例一 參見圖1圖2。氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，包括三氧化二鋁襯底層20和 氮化鎵外延層IO，氮化鎵外延層10設置在三氧化二鋁襯底層20的上面，氮化鎵外延層10[0017] 氮化鎵外延層10的上表面12和側面11均可出光，側面11為斜面，增大出光面積， 提高芯片出光率，使更多發(fā)光層內部的光線可以透射出來。 其中，氮化鎵外延層10由P型氮化鎵子層和N型氮化鎵子層組成，P型氮化鎵子 層位于N型氮化鎵子層的上方。 本實施例中，氮化鎵外延層10為倒置正四棱臺形狀。氮化鎵外延層10的側面11 與上表面12(對棱臺來說也稱為上底面)的夾角范圍為25-60度。作為優(yōu)選的實施方式， 氮化鎵外延層10的側面11與上表面12的夾角為45度。 實施例二 參見圖3。與實施例一不同之處在于，氮化鎵外延層10的下底面不是正方形，而是
對其進行了圓角處理，且相鄰斜面之間通過圓弧過渡。 實施例三 參見圖4。與實施例一不同之處在于，氮化鎵外延層10的上表面12和下底面不是 正方形，而是對它們進行了圓角處理，且相鄰斜面之間通過圓弧過渡。 以上內容僅為本實用新型的較佳實施例，對于本領域的普通技術人員，依據本實 用新型的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，本說明書內容不應理解為 對本實用新型的限制。
權利要求氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，包括三氧化二鋁襯底層和氮化鎵外延層，氮化鎵外延層設置在三氧化二鋁襯底層的上面，其特征在于，氮化鎵外延層的側面為斜面，側面與上表面的夾角為銳角。
2. 根據權利要求1所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化 鎵外延層具有4個斜面，相鄰斜面之間通過圓弧過渡。
3. 根據權利要求1所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化 鎵外延層為倒置正四棱臺形狀。
4. 根據權利要求1至3任意一項所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在 于，所述氮化鎵外延層的側面與上表面的夾角范圍為25-60度。
5. 根據權利要求4所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化 鎵外延層的側面與上表面的夾角為45度。
6. 根據權利要求4所述的氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，其特征在于，所述氮化 鎵外延層由P型氮化鎵子層和N型氮化鎵子層組成，P型氮化鎵子層位于N型氮化鎵子層 的上方。
專利摘要本實用新型公開了一種氮化鎵基大功率芯片側面出光結構，涉及大功率芯片技術領域；本實用新型包括三氧化二鋁襯底層和氮化鎵外延層，氮化鎵外延層設置在三氧化二鋁襯底層的上面，氮化鎵外延層的側面為斜面，側面與上表面的夾角為銳角；氮化鎵外延層的上表面和側面均可出光，側面為斜面，增大出光面積，提高芯片出光率，使更多發(fā)光層內部的光線可以透射出來。
文檔編號H01L33/00GK201436688SQ20092006027
公開日2010年4月7日 申請日期2009年7月10日 優(yōu)先權日2009年7月10日
發(fā)明者張珠文, 李宏彥, 王維昀, 袁富勝 申請人:東莞市福地電子材料有限公司