專利名稱：封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法
封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是有關(guān)于一 種依序通過鉆孔及嵌入導(dǎo)通嵌塞元件的步驟在封裝基板同一通孔中由導(dǎo)通嵌塞元件形成 多條相互分離的導(dǎo)電通路的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及所述嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型 式的封裝構(gòu)造，其中許多封裝構(gòu)造種類，例如球柵陣列封裝構(gòu)造(ballgrid array，BGA)、針 腳陣列封裝構(gòu)造(Pin grid array,PGA)或接點陣列封裝構(gòu)造(land grid array,LGA)等， 都是以封裝基板(substrate)為基礎(chǔ)來進(jìn)行封裝架構(gòu)。在上述封裝構(gòu)造中，所述基板的一 上表面承載有至少一芯片，并通過打線(wire bonding)或凸塊(bumping)制造過程將芯片 的數(shù)個接墊電性連接至所述基板的上表面的數(shù)個焊墊。同時，所述基板的一下表面亦必需 提供大量的焊墊，以焊接數(shù)個輸出端。所述基板可為單層或多層的印刷電路板，其除了在 上、下表面提供表面線路(trace)層以形成所需焊墊之外，其內(nèi)部亦具有至少一內(nèi)線路層 及數(shù)個微孔(via)或鍍通孔(plating through hole, PTH)等導(dǎo)通孔構(gòu)造，以重新安排上、 下表面的焊墊的連接關(guān)系。一般封裝基板上的導(dǎo)通孔包括盲孔、埋孔及通孔等類型。傳統(tǒng)導(dǎo)通孔的做法是使 用機(jī)械鉆孔或者激光(laser)鉆孔來制做。以機(jī)械鉆孔為例，其使用一個高速旋轉(zhuǎn)的鉆針 來鉆過整個基板，以形成通孔。由于鉆針的旋轉(zhuǎn)，因此所產(chǎn)生的通孔皆為圓形。接著，通過 在圓形通孔內(nèi)電鍍一層銅層，以形成導(dǎo)通孔。如此，即可實現(xiàn)利用導(dǎo)通孔將基板的不同線路 層的線路進(jìn)行連結(jié)的目的。再者，為了滿足對封裝基板線路布局日益密集化的需求，業(yè)界已開發(fā)出在一個導(dǎo) 通孔內(nèi)實現(xiàn)多條導(dǎo)電通路的方法，其主要通過將導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電層進(jìn)行分隔，以使其可以 分別連結(jié)不同的線路。請參照圖1A、1B及IC所示，其揭示現(xiàn)有封裝基板形成導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)的 制造過程示意圖，其制造過程包含下列步驟提供一封裝基板1 ；使用機(jī)械鉆孔或者激光鉆 孔在所述封裝基板1上形成至少一通孔11 ；利用電鍍在所述通孔11的內(nèi)壁電鍍上一層導(dǎo) 電層12，例如銅層；通過激光去除所述導(dǎo)電層12的數(shù)個區(qū)段部分，使其剩余的區(qū)段部分形 成相互分離的數(shù)個導(dǎo)電通路121 ；以及，對所述封裝基板1進(jìn)行表面金屬層的圖案化，以形 成一表面線路13。然而，上述在同一通孔11內(nèi)實現(xiàn)多條導(dǎo)電通路121的制造過程在實際使用上仍具 有下述問題，例如由于機(jī)臺通常只具備單一激光裝置，而且激光裝置對每一通孔11皆需 進(jìn)行四次加工，因而使得激光裝置依序加工各通孔11時耗費頗多加工時間，不但使其制作 流程較為繁瑣復(fù)雜，也不利于提升加工速度。再者，通過激光去除所述導(dǎo)電層12的數(shù)個區(qū) 段部分時，若激光入射角度不佳或所述通孔11的孔徑過小，其皆可能導(dǎo)致欲去除的區(qū)段部 分去除不完全，同時也將造成所述封裝基板1加工的良品率(yield)降低。故，有必要提供一種封裝基板的改良導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于提供一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法，其依 序通過鉆孔及嵌入導(dǎo)通嵌塞元件的步驟在封裝基板的同一通孔中由導(dǎo)通嵌塞元件提供多 條相互分離的導(dǎo)電通路，因而有利于簡化及加速高布線密度封裝基板的制作流程，以提高 其生產(chǎn)效率。本發(fā)明的次要目的在于提供一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中 封裝基板的每一通孔中可由嵌入導(dǎo)通嵌塞元件提供多條相互分離的導(dǎo)電通路，因而有利于 減少封裝基板的導(dǎo)通孔總數(shù)量及其占用的基板面積，以便將省下的基板面積用于提高封裝 基板的線路布局密度。為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明提供一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方 法，其特征在于所述制造方法包含步驟提供一封裝基板；在所述封裝基板上形成至少一 通孔；提供一導(dǎo)通嵌塞元件，其外周面具有至少二導(dǎo)電通路；以及，將所述導(dǎo)通嵌塞元件嵌 入所述通孔內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，在嵌入所述導(dǎo)通嵌塞元件后，在所述封裝基板的二表面 分別形成一線路層，使所述導(dǎo)電通路電性連接于所述封裝基板的二線路層之間。在本發(fā)明的一實施例中，在提供所述封裝基板時，所述封裝基板具有至少二線路 層；以及，在嵌入所述導(dǎo)通嵌塞元件時，使所述導(dǎo)電通路電性連接于所述封裝基板的至少二 線路層之間。在本發(fā)明的一實施例中，所述線路層是所述封裝基板的表面線路層、內(nèi)層線路層 或其組合。在本發(fā)明的一實施例中，在形成所述通孔時，對所述封裝基板選擇進(jìn)行機(jī)械鉆孔、 激光鉆孔或沖壓鉆孔，以形成所述通孔。在本發(fā)明的一實施例中，所述導(dǎo)通嵌塞元件的導(dǎo)電通路選擇嵌設(shè)在所述導(dǎo)通嵌塞 元件的外周面上，或者突出于所述導(dǎo)通嵌塞元件的外周面上。在本發(fā)明的一實施例中，在嵌入所述導(dǎo)通嵌塞元件時，另使用各向異性導(dǎo)電膠填 充于所述導(dǎo)通嵌塞元件與所述通孔的接觸表面之間。在本發(fā)明的一實施例中，所述導(dǎo)通嵌塞元件的橫截面形狀選自圓形；以及，所述通 孔的形狀對應(yīng)于所述導(dǎo)通嵌塞元件的圓形形狀。在本發(fā)明的一實施例中，所述導(dǎo)通嵌塞元件的橫截面形狀選自非圓形；以及，所述 通孔的形狀對應(yīng)于所述導(dǎo)通嵌塞元件的非圓形形狀。在本發(fā)明的一實施例中，所述導(dǎo)通嵌塞元件的非圓形形狀選自矩形、十字形、三角 形或正方形。再者，本發(fā)明提供另一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，其特征在于所述嵌入式導(dǎo) 通結(jié)構(gòu)包含一封裝基板，具有一通孔及至少二線路層；以及，一導(dǎo)通嵌塞元件，其對應(yīng)嵌 設(shè)于所述封裝基板的通孔內(nèi)，且所述導(dǎo)通嵌塞元件的外周面具有至少二導(dǎo)電通路，所述導(dǎo) 電通路電性連接于所述封裝基板的至少二線路層之間。
圖1A、1B及IC是一現(xiàn)有的封裝基板形成導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)的制造過程的示意圖。圖2A、2B及2C是本發(fā)明第一實施例封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法的 示意圖。圖3A、3B、3C、3D及3E是本發(fā)明第一實施例封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)其他形狀 的示意圖。圖4是本發(fā)明第二實施例封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5A、5B、5C及5D是本發(fā)明第二實施例封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)其他形狀的示 意圖。
具體實施方式為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實施例，并配 合附圖，作詳細(xì)說明如下請參照圖2A至2C所示，本發(fā)明第一實施例的封裝基板(substrate)可應(yīng)用于以 基板為基礎(chǔ)來進(jìn)行封裝的各種封裝構(gòu)造，例如球柵陣列封裝構(gòu)造(ballgrid array, BGA)、 針腳陣列封裝構(gòu)造(pin grid array, PGA)或接點陣列封裝構(gòu)造(land grid array, LGA) 等，但并不限于此。本發(fā)明第一實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法主要包含 提供一封裝基板2 ；在所述封裝基板2上形成至少一通孔21 ；提供一導(dǎo)通嵌塞元件3，其外 周面具有至少二導(dǎo)電通路32 ；以及，將所述導(dǎo)通嵌塞元件3嵌入所述通孔21內(nèi)。請參照圖2A所示，本發(fā)明第一實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法 首先提供一封裝基板2，其中所述封裝基板2可以指單層或多層的印刷電路板的成品或半 成品，若為半成品，在利用本發(fā)明方法制做完成嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)后，則可再進(jìn)一步增層形成 多層印刷電路板。因此，后續(xù)利用本發(fā)明方法制做完成的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)可能整個貫通印 刷電路板的上下表面或是僅貫通其內(nèi)部的某些層間，以選擇電性連接印刷電路板的至少二 層的線路。再者，所述封裝基板2在利用本發(fā)明后續(xù)步驟加工之前可能在其上下表面預(yù)先 形成未圖案化的金屬箔，例如銅箔等，但并不限于此金屬材質(zhì)。在某些情況下，所述封裝基 板2也可能是在本步驟時即已預(yù)先形成圖案化的線路層(未繪示)。請參照圖2A所示，本發(fā)明第一實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法 接著在所述封裝基板2上形成至少一通孔21，其中本發(fā)明可以選擇利用一鉆針來進(jìn)行機(jī)械 鉆孔或利用一激光(laser)裝置來進(jìn)行激光鉆孔，以形成所述通孔21。此外，亦可能使用一 圓形截面的沖孔模具(punch mold)來進(jìn)行沖壓鉆孔。在本實施例中，所述通孔21的形狀 是指利用機(jī)械鉆孔、激光鉆孔或沖壓鉆孔所形成，且具適當(dāng)孔徑及在幾何形狀上接近正圓 形的孔形。在利用鉆針、激光裝置或沖孔模具加工之后，所述通孔21將貫通整個封裝基板 2的上下表面。請參照圖2A所示，本發(fā)明第一實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法 接著提供一導(dǎo)通嵌塞元件3，其外周面具有至少二導(dǎo)電通路32。在本發(fā)明中，所述導(dǎo)通嵌塞 元件3的本體是由熱固性或熱塑性的絕緣材料所制成，例如環(huán)氧樹脂(epoxy)或酚醛塑料 (bakelite，俗稱電木)等，其中所述導(dǎo)通嵌塞元件3的本體于外周面凹設(shè)有至少二凹槽31， 且每一所述凹槽31內(nèi)具有一導(dǎo)電通路32，也就是所述導(dǎo)電通路32是嵌設(shè)在所述導(dǎo)通嵌塞元件3的外周面上。在本實施例中，所述導(dǎo)通嵌塞元件3整體是呈短圓柱型，橫截面(cross section)形狀是圓形，且于其外周面具有4組對稱排列的凹槽31及導(dǎo)電通路32，其中所述 凹槽31及導(dǎo)電通路32的橫截面形狀概呈弧形。本發(fā)明在制做所述導(dǎo)通嵌塞元件3時，優(yōu) 選是先制做長線條狀的絕緣本體，再于其外周面加工形成所述凹槽31，接著再選擇利用電 鍍(electroplating)、無電電鍍(electroless plating)或印刷(printing)方式來形成所 述導(dǎo)電通路32，另外亦可能先預(yù)制所述導(dǎo)電通路32再嵌鑲于所述凹槽31內(nèi)。所述導(dǎo)電通 路32必需填滿所述凹槽31，也就是所述導(dǎo)電通路32的外表面至少需達(dá)到與絕緣本體的外 周面齊平的填平程度。最后，再通過切割長線條狀的絕緣本體，來獲得數(shù)個短圓柱型的導(dǎo)通 嵌塞元件3。再者，所述導(dǎo)通嵌塞元件3優(yōu)選是實心短圓柱體，但亦可能是中空短圓柱體。 在本發(fā)明中，所述導(dǎo)通嵌塞元件3的橫截面形狀大致對應(yīng)于所述通孔21的形狀，例如皆近 似于正圓形。請參照圖2B所示，本發(fā)明第一實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法 接著將所述導(dǎo)通嵌塞元件3嵌入所述通孔21內(nèi)。在本發(fā)明中，本發(fā)明可以選擇利用一適當(dāng) 的壓塊(未繪示)來向下壓迫所述導(dǎo)通嵌塞元件3，使其嵌入所述通孔21內(nèi)。所述導(dǎo)通嵌 塞元件3的外徑必需設(shè)計成能緊配合于所述通孔21的內(nèi)徑，或者，本發(fā)明亦可能進(jìn)一步使 用各向異性導(dǎo)電膠(anisotropicconductive adhesive)來預(yù)先填入所述通孔21內(nèi)，以便 填充于所述導(dǎo)通嵌塞元件3與所述通孔21的接觸表面之間，進(jìn)而有利于確保所述導(dǎo)通嵌塞 元件3的導(dǎo)電通路32能與預(yù)先形成或后續(xù)形成在所述通孔21周圍的線路具有較佳的電性 連接性。舉例來說，本發(fā)明可在加熱環(huán)境下進(jìn)行上述嵌入動作，此時所述通孔21的內(nèi)徑將 因所述封裝基板2受熱膨脹而擴(kuò)大，若能再配合適當(dāng)選擇所述導(dǎo)通嵌塞元件3的絕緣本體 材料使其熱膨脹系數(shù)小于所述封裝基板2的熱膨脹系數(shù)，則會有利于將所述導(dǎo)通嵌塞元件 3順利嵌入所述通孔21內(nèi)。在完成嵌入動作后，則可回復(fù)至常溫，使所述導(dǎo)通嵌塞元件3緊 配合結(jié)合在所述封裝基板2上。再者，在本實施例中，所述導(dǎo)通嵌塞元件3的長度是設(shè)計成 與所述通孔21的深度相同，但本發(fā)明亦可能設(shè)計成使所述導(dǎo)通嵌塞元件3的長度稍大于所 述通孔21的深度，并在完成嵌入動作后，再利用刀具切除或研磨轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動研磨等適當(dāng)方式 來去除所述導(dǎo)通嵌塞元件3突出于所述通孔21外的多余部分。如此，本發(fā)明第一實施例即 完成所述封裝基板2的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制做，并使同一通孔21中能由所述導(dǎo)通嵌塞元件 3來提供多條相互分離的導(dǎo)電通路32，因而有利于簡化及加速高布線密度型封裝基板2的 制作流程，以提高其生產(chǎn)效率。同時，亦有利于減少所述封裝基板2的導(dǎo)通孔總數(shù)量及其占 用的基板面積，以便將省下的基板面積用于提高所述封裝基板2的線路布局密度。請參照圖2C所示，本發(fā)明第一實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法 可選擇性的在嵌入所述導(dǎo)通嵌塞元件3之后，另包含在所述封裝基板2的二表面分別形成 一線路層22，其具有數(shù)條線路分別電性連接所述導(dǎo)通嵌塞元件3不同的所述導(dǎo)電通路32。 例如，所述封裝基板2可能在其上下表面預(yù)先形成未圖案化的金屬箔，例如銅箔等，此時對 金屬箔進(jìn)行傳統(tǒng)圖案化工藝即可形成所述線路層22。但是，在另一實施方式中，本發(fā)明也可 能在提供所述封裝基板2時，已使所述封裝基板2預(yù)先具有圖案化的至少二線路層，其中所 述線路層可以是所述封裝基板2的表面線路層、內(nèi)層線路層或其組合；以及，在嵌入所述導(dǎo) 通嵌塞元件3時，使所述導(dǎo)電通路32可用以電性連接于所述封裝基板2的至少二線路層之 間。
請參照圖3A至3E所示，在本發(fā)明第一實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)中，所 述導(dǎo)通嵌塞元件3的凹槽31及導(dǎo)電通路32的橫截面形狀尚具有許多設(shè)計多樣性，例如如 圖3A及3B所示，所述導(dǎo)通嵌塞元件3具有二組或三組的所述凹槽31及導(dǎo)電通路32，其中 所述凹槽31及導(dǎo)電通路32是呈弧形，且對稱排列嵌設(shè)于所述導(dǎo)通嵌塞元件3的外周面上。 如圖3C、3D及3E所示，所述導(dǎo)通嵌塞元件3具有二組、四組或六組所述凹槽31及導(dǎo)電通路 32，其中所述凹槽31及導(dǎo)電通路32是呈近半圓形、扇形或圓槽形，且對稱排列嵌設(shè)于所述 導(dǎo)通嵌塞元件3的外周面上。值得注意的是，上述凹槽31及導(dǎo)電通路32的數(shù)量只要是至 少二組或以上皆可，且其數(shù)量是依所述封裝基板2所需的線路布局設(shè)計來做變化，并不加 以限制。同時，所述凹槽31的橫截面形狀亦不限于上述幾何形狀，其亦可依所述封裝基板 2所需的線路布局設(shè)計來變化成為其他幾何形狀。請參照圖4所示，本發(fā)明第二實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法 相似于本發(fā)明第一實施例，并沿用相同圖號，但第二實施例的差異特征在于所述第二實施 例是提供非圓形的通孔21及非圓形的導(dǎo)通嵌塞元件3。更詳細(xì)來說，本實施例可以選擇利 用一鉆針來進(jìn)行機(jī)械鉆孔或利用一激光(laser)裝置搭配非圓形掩膜(mask)來進(jìn)行激光 鉆孔，以形成非圓形的通孔21。另外，可利用相同制做方式來形成非圓形的導(dǎo)通嵌塞元件3 及其凹槽31與導(dǎo)電通路32。所述導(dǎo)通嵌塞元件3的橫截面形狀選自非圓形；以及，所述通 孔21的形狀對應(yīng)于所述導(dǎo)通嵌塞元件3的非圓形形狀。如圖4所示，所述導(dǎo)通嵌塞元件3 的橫截面形狀及所述通孔21的形狀皆為矩形，且所述導(dǎo)通嵌塞元件3在矩形的四個外周面 分別形成一凹槽31，以供分別形成一導(dǎo)通嵌塞元件3。請參照圖5A至5D所示，在本發(fā)明第二實施例的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)中，所 述導(dǎo)通嵌塞元件3的橫截面形狀及所述通孔21的形狀尚具有許多設(shè)計多樣性，例如如圖 5A所示，所述導(dǎo)通嵌塞元件3的橫截面形狀及所述通孔21的形狀皆為圓形，同時所述導(dǎo)電 通路32選擇突出形成于所述導(dǎo)通嵌塞元件3的外周面上，其突出的厚度依所述導(dǎo)通嵌塞元 件3的外徑及所述通孔21的內(nèi)徑加以設(shè)計。上述突出設(shè)計具備的優(yōu)點為在將所述導(dǎo)通嵌 塞元件3嵌入所述通孔21內(nèi)時，突出狀的所述導(dǎo)電通路32具有卡掣所述通孔21內(nèi)壁面的 效果，可以相對提高兩者之間緊配合嵌設(shè)結(jié)合的結(jié)合強度。同時，各二相鄰?fù)怀鰻畹乃鰧?dǎo) 電通路32之間的間距則可提供緊配合嵌入時允許所述導(dǎo)電通路32產(chǎn)生些微彈性變形的裕 度。再者，如圖5B所示，所述導(dǎo)通嵌塞元件3的橫截面形狀及所述通孔21的形狀亦可為十 字形，同時所述導(dǎo)電通路32選擇突出形成于所述導(dǎo)通嵌塞元件3四端的外周面上。如圖5C 所示，所述導(dǎo)通嵌塞元件3的橫截面形狀及所述通孔21的形狀亦可為三角形，同時所述導(dǎo) 電通路32選擇嵌設(shè)于所述導(dǎo)通嵌塞元件3三個外周面的凹槽31內(nèi)。如圖5D所示，所述導(dǎo) 通嵌塞元件3的橫截面形狀及所述通孔21的形狀亦可為正方形(或矩形)，同時所述導(dǎo)電 通路32選擇嵌設(shè)于所述導(dǎo)通嵌塞元件3其中二個外周面的凹槽31內(nèi)，以及突出形成于所 述導(dǎo)通嵌塞元件3另二個外周面上。在本發(fā)明圖2A至5D揭露的各種實施例中，所述導(dǎo)通嵌塞元件3的橫截面形狀及 所述通孔21的形狀可以選自上述任一形狀、其他幾何對稱圓形或非圓形造形，或是不對稱 的非圓形造形。所述凹槽31與導(dǎo)電通路32的橫截面形狀亦可選自上述任一形狀、其他幾 何對稱或不對稱的造形，以形成功能相似于圖2C所示的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)。圖2A至5D揭露 的各種實施例可依產(chǎn)品需求相互置換形狀或結(jié)合，只要是先形成所述通孔21，接著再提供對應(yīng)形狀的導(dǎo)通嵌塞元件3，并再將所述導(dǎo)通嵌塞元件3嵌入所述通孔21內(nèi)，皆屬于本發(fā) 明的技術(shù)概念。另外，上述形成所述通孔21及提供所述導(dǎo)通嵌塞元件3的步驟順序亦可對 調(diào)，該兩步驟的順序亦非用以限定本發(fā)明。如上所述，相較于現(xiàn)有封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)是通過激光將所述通孔11內(nèi) 的導(dǎo)電層12分離成數(shù)個導(dǎo)電通路121，造成耗費頗多加工時間，使其制作流程較為繁瑣復(fù) 雜、不利于提升加工速度且不易提高所述封裝基板1加工的良品率等缺點，圖2A至5E的本 發(fā)明封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法依序通過鉆孔及嵌入所述導(dǎo)通嵌塞元件3的 步驟在所述封裝基板2的同一通孔21中由所述導(dǎo)通嵌塞元件3提供多條相互分離的導(dǎo)電 通路32，其確實有利于簡化及加速高布線密度封裝基板的制作流程，以提高其生產(chǎn)效率。再 者，亦有利于減少所述封裝基板2的導(dǎo)通孔總數(shù)量及其占用的基板面積，以便將省下的基 板面積用于提高所述封裝基板2的線路布局密度。本發(fā)明已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已公開的實施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神 及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述制造方法包含步驟提供一封裝基板；在所述封裝基板上形成至少一通孔；提供一導(dǎo)通嵌塞元件，其外周面具有至少二導(dǎo)電通路；將所述導(dǎo)通嵌塞元件嵌入所述通孔內(nèi)；以及在所述封裝基板的二表面分別形成一線路層，使所述導(dǎo)電通路電性連接于所述封裝基 板的二線路層之間。
2.一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述制造方法包含步驟提供一封裝基板，其具有至少二線路層；在所述封裝基板上形成至少一通孔；提供一導(dǎo)通嵌塞元件，其外周面具有至少二導(dǎo)電通路；以及將所述導(dǎo)通嵌塞元件嵌入所述通孔內(nèi)，使所述導(dǎo)電通路電性連接于所述封裝基板的至 少二線路層之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所 述導(dǎo)通嵌塞元件的導(dǎo)電通路選擇嵌設(shè)在所述導(dǎo)通嵌塞元件的外周面上，或者突出于所述導(dǎo) 通嵌塞元件的外周面上。
4.如權(quán)利要求1或2所述的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在 嵌入所述導(dǎo)通嵌塞元件時，另使用各向異性導(dǎo)電膠填充于所述導(dǎo)通嵌塞元件與所述通孔的 接觸表面之間。
5.如權(quán)利要求1或2所述的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所 述導(dǎo)通嵌塞元件的橫截面形狀選自圓形；以及，所述通孔的形狀對應(yīng)于所述導(dǎo)通嵌塞元件 的圓形形狀。
6.如權(quán)利要求1或2所述的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所 述導(dǎo)通嵌塞元件的橫截面形狀選自非圓形；以及，所述通孔的形狀對應(yīng)于所述導(dǎo)通嵌塞元 件的非圓形形狀。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述導(dǎo) 通嵌塞元件的非圓形形狀選自矩形、十字形、三角形或正方形。
8.一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，其特征在于所述嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)包含一封裝基 板，具有一通孔及至少二線路層；以及一導(dǎo)通嵌塞元件，其對應(yīng)嵌設(shè)于所述封裝基板的通孔內(nèi)，且所述導(dǎo)通嵌塞元件的外周 面具有至少二導(dǎo)電通路，所述導(dǎo)電通路電性連接于所述封裝基板的至少二線路層之間。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，其特征在于所述通孔的形狀選 自圓形或非圓形；以及，所述導(dǎo)通嵌塞元件的橫截面形狀對應(yīng)于所述通孔的形狀。
10.如權(quán)利要求8所述的封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)通嵌塞元件 的導(dǎo)電通路選擇嵌設(shè)在所述導(dǎo)通嵌塞元件的外周面上，或者突出于所述導(dǎo)通嵌塞元件的外 周面上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種封裝基板的嵌入式導(dǎo)通結(jié)構(gòu)及其制造方法，其依序通過鉆孔及嵌入導(dǎo)通嵌塞元件的步驟在封裝基板的同一通孔中由導(dǎo)通嵌塞元件提供多條相互分離的導(dǎo)電通路，因而不但能減少所述封裝基板的通孔總數(shù)量及其占用的基板面積，以便將省下的基板面積用于提高所述封裝基板的線路布局密度；而且本發(fā)明的制造方法亦有利于簡化及加速高布線密度型封裝基板的制作流程，以提高其生產(chǎn)效率。
文檔編號H01L23/48GK102097329SQ20091020035
公開日2011年6月15日 申請日期2009年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月11日
發(fā)明者任金虎, 孫騏, 方仁廣, 林聰志, 羅光淋, 高洪濤 申請人:日月光半導(dǎo)體(上海)股份有限公司