專(zhuān)利名稱(chēng)：特征尺寸條和金屬層標(biāo)識(shí)的排布的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種特征尺寸條和金屬層標(biāo)識(shí)的排布。
背景技術(shù)：
目前，在集成電路制造中，為了將集成電路的圖案順利地轉(zhuǎn)移到晶圓(wafer)上， 必須先將該電路圖案設(shè)計(jì)成一光罩圖案，然后再將光罩圖案自光罩表面，通過(guò)曝光機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn) 移到該wafer上。所述wafer包括，但不局限于，例如硅、硅鍺(SiGe)、絕緣體硅(SOI)以及 其各種組合物等材料。隨著超大規(guī)模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits, VLSIC)的發(fā)展，導(dǎo)致了對(duì)減小圖形尺寸和增加布局密度的需求的增長(zhǎng)。
通常每片wafer包括若干個(gè)曝光單元(shot)，整片wafer上每個(gè)shot中的圖案是 相同的，即將wafer劃分為若干個(gè)具有周期性結(jié)構(gòu)的shot，一個(gè)shot內(nèi)又包括一個(gè)或多個(gè) 晶粒(die)。
圖1為晶圓上一個(gè)shot的俯視圖。該圖中die的數(shù)量為3X4，dielOl間以切割 道102相隔，每個(gè)dielOl通過(guò)沉積、光刻、蝕刻、摻雜及熱處理等工藝，在半導(dǎo)體襯底上形成 柵極，當(dāng)然還會(huì)形成疊層、互連線(xiàn)以及焊墊等；切割道102用于沿此處分為一個(gè)個(gè)die，切割 道102內(nèi)制作有特征尺寸條(⑶Bar) 103，而且本實(shí)施例中⑶Bar分為完全相同的5組位于 shot的中心區(qū)域和四周區(qū)域，每組⑶Bar的編號(hào)為圖1中的(1) (5)所示。
為了更好地介紹本發(fā)明，先對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的CD Bar進(jìn)行說(shuō)明。不但會(huì)對(duì)光罩上的 CD Bar進(jìn)行測(cè)量，以控制光罩的制作能力，即形成在光罩上的特征尺寸精確度，而且當(dāng)CD Bar轉(zhuǎn)移到wafer上時(shí)，也會(huì)對(duì)wafer上的⑶Bar進(jìn)行測(cè)量，用于控制wafer上的特征尺寸 精確度。
現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，⑶Bar是形成在切割道內(nèi)，與die中的器件尺寸同時(shí)形 成，用于控制die內(nèi)器件尺寸的精確度。這里器件尺寸包括有源區(qū)(Active Area)尺寸、 柵極尺寸、金屬層尺寸等等。圖2為一組⑶Bar的結(jié)構(gòu)示意圖，這里以柵極尺寸為例進(jìn)行 說(shuō)明。隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)代的發(fā)展，wafer上柵極尺寸在按比例縮小，而且每一技術(shù)代 wafer上柵極尺寸是各不相同的，一般CD Bar上的柵極尺寸指的都是該技術(shù)代的最小柵極 尺寸，如果該技術(shù)代的最小柵極尺寸的精確度得到了很好的控制，則大于該最小柵極尺寸 的柵極都能夠得到控制。圖2中長(zhǎng)方形的條紋的寬度代表柵極的尺寸，而對(duì)于條紋的長(zhǎng)度 不做要求。實(shí)際在晶粒上柵極之間的間距也是不同的，有柵極分布密集的區(qū)域，也有柵極分 布稀疏的區(qū)域，那么這些柵極由光罩轉(zhuǎn)移到wafer上時(shí)，受到曝光機(jī)臺(tái)光的影響效果是不 同的，而且柵極分布密集的區(qū)域圖形之間的相互作用，與柵極分布稀疏的區(qū)域圖形之間的 相互作用也是不同的，這樣轉(zhuǎn)移到wafer上時(shí)，就會(huì)存在尺寸上的差異。為了模擬這種實(shí)際 晶粒上柵極的分布，將⑶Bar上的柵極從密線(xiàn)(dense)到單線(xiàn)(iso)進(jìn)行布局。對(duì)于一組 CD Bar中同一間距的柵極圖案，柵極條紋的數(shù)量并不限制，只要能夠模擬出實(shí)際晶粒上柵 極的疏密狀況即可。
如圖2所示，從左至右在柵極尺寸保持不變的情況下，柵極之間的間距(space)是 不斷變疏的，依次為密線(xiàn)(dense)區(qū)域，即柵極之間的間距是柵極尺寸的1. 4倍；柵極之 間的間距是柵極尺寸的2. 8倍；柵極之間的間距是柵極尺寸的7. 3倍；以及完全稀疏的單 線(xiàn)(iso)柵極。這里完全稀疏的單線(xiàn)區(qū)域，就是可以近似認(rèn)為在分辨率所能達(dá)到的范圍內(nèi)， 只存在一個(gè)柵極。實(shí)際上在1. 4和2. 8之間，2. 8和7. 3之間，以及2. 8和單線(xiàn)之間，還制作 有很多間距不同的柵極圖案，為了說(shuō)明清楚起見(jiàn)，圖2只簡(jiǎn)單示意出幾個(gè)間距的柵極圖案， 所制作的不同間距的柵極圖案越多，得到的柵極尺寸的數(shù)據(jù)也就越多，這樣就能夠更好地 對(duì)柵極尺寸的精確度進(jìn)行控制。
現(xiàn)有技術(shù)中CD Bar與晶圓允收測(cè)試(WAT，Wafer Acceptance Test)結(jié)構(gòu)和可靠 性(reliability)測(cè)試結(jié)構(gòu)并行排列，而且不與WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)和可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)同時(shí)形成。 WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)和可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)均勻分布在shot內(nèi)，一般WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)和可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu) 總共有30 40組。WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)用于電學(xué)測(cè)試，通過(guò)電參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn) 定?？煽啃詼y(cè)試結(jié)構(gòu)主要用于測(cè)試互連線(xiàn)可靠性(電遷移)、氧化膜可靠性、熱載流子效應(yīng) 及等離子損傷(天線(xiàn)效應(yīng))等。WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)和可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)基本相同，只是測(cè)試襯墊 (Pad)之間連接的電感、電容以及電阻，根據(jù)具體應(yīng)用的不同而不同。圖3為WAT測(cè)試結(jié)構(gòu) 的俯視示意圖。如圖3所示，WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)呈長(zhǎng)條狀，其上布有并行排列的測(cè)試襯墊101，電 感、電容等器件形成在具有預(yù)定間隔的測(cè)試襯墊101之間，且WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)的一端設(shè)有該測(cè) 試結(jié)構(gòu)的編號(hào)，為標(biāo)識(shí)性數(shù)字102。
從上述可以看出，現(xiàn)有技術(shù)的⑶Bar只是在切割道的幾個(gè)位置上分布，不能很好 地控制特征尺寸的精確度，如果分布多的話(huà)，就會(huì)占用切割道的空間，影響WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)和 可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的排布。而且CD Bar與測(cè)試結(jié)構(gòu)并不同時(shí)形成，耗費(fèi)大量的生產(chǎn)時(shí)間，降 低了生產(chǎn)效率。
另一方面，現(xiàn)有技術(shù)中具體金屬層的標(biāo)識(shí)(layer identification structure)也 是在切割道內(nèi)一個(gè)單獨(dú)的空間形成，具體金屬層的標(biāo)識(shí)用于失效性分析，通過(guò)查看金屬層 的標(biāo)識(shí)確定所剝離的是哪一層金屬層?，F(xiàn)有技術(shù)中具體金屬層的標(biāo)識(shí)與CD Bar存在相同 的問(wèn)題，既占用切割道空間，而且耗費(fèi)大量的生產(chǎn)時(shí)間。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是在提高生產(chǎn)效率的同時(shí)，還縮?、荁ar和 金屬層標(biāo)識(shí)的占用切割道的空間。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明公開(kāi)了 一種特征尺寸條的排布，所述特征尺寸條具有不同間距的特征 尺寸，用于控制特征尺寸精確度，所述特征尺寸條位于晶圓允收測(cè)試WAT結(jié)構(gòu)或可靠性 reliability測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)。
所述特征尺寸條包括前段工序中的特征尺寸條和后段工序中的特征尺寸條，所述 前段工序中的特征尺寸條包括有源區(qū)的特征尺寸條、離子注入?yún)^(qū)的特征尺寸條、柵極的特 征尺寸條以及接觸層的特征尺寸條；所述后段工序中的特征尺寸條包括金屬層的特征尺寸 條和通孔的特征尺寸條。
所述前段工序中的特征尺寸條位于WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試襯墊下面的襯底上，所述前段工序中的特征尺寸條通過(guò)絕緣介質(zhì)層與測(cè)試襯墊絕緣。
所述在WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試襯墊下面的襯底上制作的特征尺寸條， 為有源區(qū)的特征尺寸條、離子注入?yún)^(qū)的特征尺寸條、柵極的特征尺寸條以及接觸層的特征 尺寸條中的任意一種，或者幾種的依次疊加排布。
所述前段工序中的特征尺寸條位于WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底 上，所述末端空白襯底為測(cè)試結(jié)構(gòu)的具有測(cè)試結(jié)構(gòu)編號(hào)標(biāo)識(shí)的另一端。
所述在WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上制作的特征尺寸條，為有源 區(qū)的特征尺寸條、離子注入?yún)^(qū)的特征尺寸條、柵極的特征尺寸條以及接觸層的特征尺寸條 中的任意一種，或者幾種的依次疊加排布。
所述后段工序中的特征尺寸條位于WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底 上，所述末端空白襯底為測(cè)試結(jié)構(gòu)的具有測(cè)試結(jié)構(gòu)編號(hào)標(biāo)識(shí)的另一端。
所述在WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上制作的特征尺寸條，疊加排 布在前段工序特征尺寸條上。
所述在WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上制作的特征尺寸條，位于測(cè) 試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上未制作特征尺寸條的位置。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種金屬層標(biāo)識(shí)的排布，所述金屬層標(biāo)識(shí)用于標(biāo)志具體金屬層， 所述金屬層標(biāo)識(shí)位于晶圓允收測(cè)試WAT結(jié)構(gòu)或可靠性reliability測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)。
所述金屬層標(biāo)識(shí)位于WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，在末端空白 襯底上按照編號(hào)依次疊加排布。
由上述的技術(shù)方案可見(jiàn)，本發(fā)明在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)制作 CD Bar和金屬層標(biāo)識(shí)。具體地可以在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上， 即長(zhǎng)條狀的具有編號(hào)標(biāo)識(shí)的另一端制作CDBar，或者在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的 測(cè)試襯墊下面的襯底上制作CD Bar。由于在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)制作 CD Bar，所以本發(fā)明CD Bar和WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)同時(shí)形成，不但節(jié)省了生產(chǎn) 時(shí)間，而且大大節(jié)省了 CD Bar的占用空間。同樣，金屬層標(biāo)識(shí)在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè) 試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，即長(zhǎng)條狀的具有編號(hào)標(biāo)識(shí)的另一端制作。


圖1為晶圓上一個(gè)shot的俯視圖。
圖2為一組⑶Bar的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖4為在后段工序中測(cè)試襯墊層和金屬互連層的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為在測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試襯墊層下面制作CD Bar的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為在測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上制作CD Bar的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例， 對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于說(shuō)明，表示結(jié)構(gòu)的示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定，此外，在實(shí)際的 制作中，應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
本發(fā)明的核心思想是在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)制作CD Bar和 金屬層標(biāo)識(shí)。具體地可以在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，即長(zhǎng)條狀 的具有編號(hào)標(biāo)識(shí)的另一端制作CD Bar,或者在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試襯墊 下面的襯底上制作⑶Bar。由于在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)制作⑶Bar， 所以本發(fā)明CD Bar和WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)同時(shí)形成，不但節(jié)省了生產(chǎn)時(shí)間，而 且大大節(jié)省了 CD Bar的占用空間。同樣，金屬層標(biāo)識(shí)在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的 末端空白襯底上，即長(zhǎng)條狀的具有編號(hào)標(biāo)識(shí)的另一端制作。
由于CD Bar在WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)中制作，都可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目 的，而且WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)和可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)基本相同，本發(fā)明不作具體區(qū)別，下面的說(shuō)明統(tǒng)一 稱(chēng)為測(cè)試結(jié)構(gòu)。一般地，如果WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)在shot內(nèi)是沿切割道方向水平分布的，則可靠 性測(cè)試結(jié)構(gòu)沿切割道方向垂直分布，反之也相同?？傊甒AT測(cè)試結(jié)構(gòu)和可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)在 方向上區(qū)分排布，如果在同一方向上排布也可以，只是實(shí)施起來(lái)比較麻煩。
首先對(duì)本發(fā)明⑶Bar的具體位置進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
在die中制作集成電路時(shí)的順序是按前段工序和后段工序依次進(jìn)行制作的。其 中，前段工序包括依次形成的AA、離子注入?yún)^(qū)、柵極以及接觸層；后段工序包括交替形成的 金屬層(metal layer)和通孔層(via layer)。由于CD Bar是用于控制上述各個(gè)器件層的 特征尺寸精確度的，所以⑶Bar與各個(gè)器件層同時(shí)形成。這里對(duì)⑶Bar的具體結(jié)構(gòu)就不 再贅述，請(qǐng)參閱圖2，從左至右在柵極尺寸保持不變的情況下，柵極之間的間距(space)是 不斷變疏的，依次為密線(xiàn)(dense)區(qū)域，即柵極之間的間距是柵極尺寸的1. 4倍；柵極之 間的間距是柵極尺寸的2. 8倍；柵極之間的間距是柵極尺寸的7. 3倍；以及完全稀疏的單 線(xiàn)(iso)柵極。這里完全稀疏的單線(xiàn)區(qū)域，就是可以近似認(rèn)為在分辨率所能達(dá)到的范圍內(nèi)， 只存在一個(gè)柵極。實(shí)際上在1. 4和2. 8之間，2. 8和7. 3之間，以及2. 8和單線(xiàn)之間，還制 作有很多間距不同的柵極圖案，為了說(shuō)明清楚起見(jiàn)，圖2只簡(jiǎn)單示意出幾個(gè)間距的柵極圖 案，所制作的不同間距的柵極圖案越多，得到的柵極尺寸的數(shù)據(jù)也就越多，這樣就能夠更好 地對(duì)柵極尺寸的精確度進(jìn)行控制。而且為了更好地控制特征尺寸精確度，不但包括經(jīng)過(guò)光 學(xué)臨近修正(Optical Proximity Correction, 0PC)的CDBar，而且包括沒(méi)有經(jīng)過(guò)OPC的CD Bar。其中經(jīng)過(guò)OPC的⑶Bar為通過(guò)軟件，采用OPC模型模擬修正的⑶Bar。如果形成AA 的⑶Bar，則⑶Bar上形成的長(zhǎng)條即為AA的特征尺寸，如果形成柵極的⑶Bar，則⑶Bar 上形成的長(zhǎng)條即為柵極的特征尺寸，以此類(lèi)推。
測(cè)試結(jié)構(gòu)中的測(cè)試襯墊是在后段形成，而且測(cè)試襯墊的層數(shù)與金屬層的層數(shù)相 同，在每層金屬層的同一層，制作一層測(cè)試襯墊。圖4為在后段工序中測(cè)試襯墊層和金屬互 連層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4左側(cè)為金屬互連層401，右側(cè)為測(cè)試襯墊層402，其中金屬互連層 401的金屬層405之間通過(guò)通孔406連接；每層測(cè)試襯墊層403之間也通過(guò)襯墊通孔404連 接。
測(cè)試結(jié)構(gòu)中的測(cè)試襯墊是在后段形成，而且測(cè)試襯墊層是直接形成在襯底上的， 所以本發(fā)明中前段工序包括AA、離子注入、柵極以及接觸層的CDBar，可以在測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè) 試襯墊下面的襯底上制作，在測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試襯墊層下面制作的⑶Bar側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示。圖5中的⑶Bar 501可以為AA的⑶Bar、離子注入尺寸的⑶Bar、柵極尺寸的 ⑶Bar或者接觸層尺寸的⑶Bar中的任意一種，也可以將上述幾種⑶Bar在測(cè)試結(jié)構(gòu)的 測(cè)試襯墊層402下面的襯底100上依次形成，或者選擇其中的幾種CD Bar在測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè) 試襯墊下面的襯底上依次形成，從側(cè)視圖來(lái)看，就是幾種CD Bar 501的上下疊加排列。需 要注意的是，為了與測(cè)試襯墊絕緣，在制作完成前段工序的CD Bar之后，需要覆蓋一層絕緣 介質(zhì)層502，將所述⑶Bar501與測(cè)試襯墊層402隔離開(kāi)來(lái)。
由于測(cè)試結(jié)構(gòu)呈長(zhǎng)條狀，一端具有編號(hào)標(biāo)識(shí)，另一端存在一塊閑置空間，如圖3所 示，所以本發(fā)明中前段工序包括AA、離子注入、柵極以及接觸層的CD Bar，可以在測(cè)試結(jié)構(gòu) 的末端空間，即長(zhǎng)條狀的具有編號(hào)標(biāo)識(shí)的另一端制作CD Bar。在測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底 上制作CD Bar的結(jié)構(gòu)示意圖如圖6所示。圖6中，電感、電容等器件形成在具有預(yù)定間隔 的測(cè)試襯墊101之間，⑶Bar 501位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的標(biāo)識(shí)性數(shù)字102的另一端的空白襯底上。 ⑶Bar 501可以為AA的⑶Bar、離子注入尺寸的⑶Bar、柵極尺寸的⑶Bar或者接觸層尺 寸的⑶Bar中的任意一種，也可以將上述幾種⑶Bar在測(cè)試結(jié)構(gòu)的空白襯底上，依次疊加 形成，或者在測(cè)試結(jié)構(gòu)的空白位置的襯底上并列形成。
由于測(cè)試結(jié)構(gòu)中的測(cè)試襯墊是在后段形成，而且測(cè)試襯墊的層數(shù)與金屬層的層數(shù) 相同，在每層金屬層的同一層，制作一層測(cè)試襯墊。所以金屬層和通孔層的CD Bar不可能 制作在測(cè)試襯墊層的下面，只能在測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，即長(zhǎng)條狀的具有編號(hào)標(biāo)識(shí) 的另一端制作。在測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，可能前面已經(jīng)制作形成了前段工序中的CD Bar，所以金屬層和通孔層的⑶Bar可以在前段工序⑶Bar的基礎(chǔ)上，向上疊加；或者制作 在測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上未制作CD Bar的地方。這里金屬層的CD Bar，其特征尺寸可 以為溝槽(trench)的尺寸，通孔層的⑶Bar，其特征尺寸為via的特征尺寸。
對(duì)于金屬層標(biāo)識(shí)，現(xiàn)有技術(shù)中也是在切割道內(nèi)一個(gè)單獨(dú)的空間形成，本發(fā)明在測(cè) 試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，即長(zhǎng)條狀的具有編號(hào)標(biāo)識(shí)的另一端制作金屬層標(biāo)識(shí)。金屬層標(biāo) 識(shí)用于確認(rèn)具體是哪一層金屬層，所以與相應(yīng)金屬層的CD Bar在同層形成，在測(cè)試結(jié)構(gòu)的 末端空白襯底上金屬層標(biāo)識(shí)依據(jù)編號(hào)的大小，從小至大依次疊加排布。
需要說(shuō)明的是，某一特征尺寸的⑶Bar是需要制作完全相同的幾組均勻分布在 shot內(nèi)的，本發(fā)明將CD Bar制作在測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)，由于測(cè)試結(jié)構(gòu)本身就均勻分布在 shot內(nèi)，一般總共有30 40組，所以⑶Bar不需要占用切割道，只需制作測(cè)試結(jié)構(gòu)的同時(shí) 制作⑶Bar，就可以具有30 40組的某一特征尺寸的⑶Bar。與現(xiàn)有技術(shù)相比，⑶Bar 的數(shù)目明顯增多，可以很好地反映shot上各個(gè)區(qū)域位置上的特征尺寸，從而可以更好地控 制特征尺寸的精確度。
本發(fā)明將CD Bar制作在測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)，仍然適用于多項(xiàng)目晶圓 (Multi-Project Wafer，MPW)，這里MPW指的是在shot范圍內(nèi)，根據(jù)項(xiàng)目的不同，die與die 之間的長(zhǎng)或?qū)挷煌?。由于測(cè)試結(jié)構(gòu)均勻分布在shot內(nèi)，可以將CD Bar制作在測(cè)試結(jié)構(gòu)的 空間內(nèi)，以達(dá)到本發(fā)明的目的。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在 本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種特征尺寸條的排布，所述特征尺寸條具有不同間距的特征尺寸，用于控制 特征尺寸精確度，其特征在于，所述特征尺寸條位于晶圓允收測(cè)試WAT結(jié)構(gòu)或可靠性 reliability測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的排布，其特征在于，所述特征尺寸條包括前段工序中的特征尺 寸條和后段工序中的特征尺寸條，所述前段工序中的特征尺寸條包括有源區(qū)的特征尺寸 條、離子注入?yún)^(qū)的特征尺寸條、柵極的特征尺寸條以及接觸層的特征尺寸條；所述后段工序 中的特征尺寸條包括金屬層的特征尺寸條和通孔的特征尺寸條。
3.如權(quán)利要求2所述的排布，其特征在于，所述前段工序中的特征尺寸條位于WAT結(jié)構(gòu) 或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試襯墊下面的襯底上，所述前段工序中的特征尺寸條通過(guò)絕緣介質(zhì) 層與測(cè)試襯墊絕緣。
4.如權(quán)利要求3所述的排布，其特征在于，所述在WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試襯 墊下面的襯底上制作的特征尺寸條，為有源區(qū)的特征尺寸條、離子注入?yún)^(qū)的特征尺寸條、柵 極的特征尺寸條以及接觸層的特征尺寸條中的任意一種，或者幾種的依次疊加排布。
5.如權(quán)利要求2所述的排布，其特征在于，所述前段工序中的特征尺寸條位于WAT結(jié)構(gòu) 或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，所述末端空白襯底為測(cè)試結(jié)構(gòu)的具有測(cè)試結(jié)構(gòu)編號(hào) 標(biāo)識(shí)的另一端。
6.如權(quán)利要求5所述的排布，其特征在于，所述在WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空 白襯底上制作的特征尺寸條，為有源區(qū)的特征尺寸條、離子注入?yún)^(qū)的特征尺寸條、柵極的特 征尺寸條以及接觸層的特征尺寸條中的任意一種，或者幾種的依次疊加排布。
7.如權(quán)利要求2所述的排布，其特征在于，所述后段工序中的特征尺寸條位于WAT結(jié)構(gòu) 或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，所述末端空白襯底為測(cè)試結(jié)構(gòu)的具有測(cè)試結(jié)構(gòu)編號(hào) 標(biāo)識(shí)的另一端。
8.如權(quán)利要求7所述的排布，其特征在于，所述在WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空 白襯底上制作的特征尺寸條，疊加排布在前段工序特征尺寸條上。
9.如權(quán)利要求7所述的排布，其特征在于，所述在WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空 白襯底上制作的特征尺寸條，位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上未制作特征尺寸條的位置。
10.一種金屬層標(biāo)識(shí)的排布，所述金屬層標(biāo)識(shí)用于標(biāo)志具體金屬層，其特征在于，所述 金屬層標(biāo)識(shí)位于晶圓允收測(cè)試WAT結(jié)構(gòu)或可靠性reliability測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)。
11.如權(quán)利要求10所述的排布，其特征在于，所述金屬層標(biāo)識(shí)位于WAT結(jié)構(gòu)或可靠性測(cè) 試結(jié)構(gòu)的末端空白襯底上，在末端空白襯底上按照編號(hào)依次疊加排布。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種特征尺寸條的排布，所述特征尺寸條具有不同間距的特征尺寸，用于控制特征尺寸精確度，所述特征尺寸條位于晶圓允收測(cè)試WAT結(jié)構(gòu)或可靠性reliability測(cè)試結(jié)構(gòu)的空間內(nèi)。本發(fā)明還公開(kāi)了一種金屬層標(biāo)識(shí)的排布。采用本發(fā)明的特征尺寸條和金屬層標(biāo)識(shí)的排布結(jié)構(gòu)，在提高生產(chǎn)效率的同時(shí)，還縮小特征尺寸條和金屬層標(biāo)識(shí)的占用切割道的空間。
文檔編號(hào)H01L23/544GK102034795SQ200910196808
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
發(fā)明者寧先捷, 楠暖 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司