專利名稱：：半導電油墨配制料的制作方法
技術領域：
：本公開內容在各實施方案中涉及適用于電子器件，例如薄膜晶體管("TFT")的配制料和方法。本公開內容還涉及使用這種組合物和方法制造的部件或層，以及包含這種材料的電子器件。薄膜晶體管(TFT)是現(xiàn)代化電子設備，包括例如傳感器、圖像掃描器和電子顯示裝置中的基本部件。TFT通常由支撐基片、三個導電電極(柵極、源極和漏極)、通道半導電層和將柵極與半導電層分隔的電絕緣柵極介電層組成。通常希望制造不僅具有低得多的制造成本而且具有有吸引力的機械性能，例如物理緊湊、輕便和柔性的TFT。一種方法是通過有機薄膜晶體管("0TFT")，其中TFT的一個或多個部件包括有機化合物。具體地，一些部件可以使用廉價的公知的印刷技術沉積和形成圖案。噴墨印刷被認為是制造0TFT的非常有前景的方法。關于該制造工藝，噴墨印刷有機半導體是關鍵步驟。因此需要一種可噴射半導體油墨。形成油墨組合物的一種常規(guī)方法是將半導電材料溶解在適當?shù)娜軇┲幸孕纬捎糜诜稚Ⅲw的油墨溶液。分散體通常適合于在底柵TFT構造中印刷半導電材料(參見圖1)，其中基片表面(介電表面)具有低表面能。但是，油墨組合物可能不滿足噴墨印刷的所有要求，例如表面張力要求。例如，對于在具有高表面能的基片上印刷半導電材料，例如在頂柵TFT構造中(參見圖4)，一些分散體的表面張力過低。低表面張力誘導半導電材料擴散超出所需通道區(qū)域，產(chǎn)生不希望有的電容。理想的將是提供一種半導電油墨配制料，其具有增加的表面張力，而半導電材料本身的結構、分子量和/或填充量沒有變化。
發(fā)明內容在各實施方案中公開半導電油墨配制料。油墨配制料允許控制表面張力并由此可用于制造頂柵薄膜晶體管。還公開了制備和使用這種配制料的方法?！嵤┓桨钢泄_的是半導電油墨配制料，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>結構(A)其中&選自烷基和取代烷基；第一溶劑；禾口可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張
背景技術：
：力，在其中半導電材料在室溫下具有小于0.lwt%的溶解度。在實施方案中，半導電材料可以具有式(I)的結構式(I)其中&和R2獨立地選自烷基和取代烷基；x、y和z獨立地為1至約5;和n為聚n/又o&和R2可以獨立地選自具有1至約24個碳原子的烷基。在一些實施方案中，&和&相同。半導電材料可以為式(II):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>式(II)第一溶劑為鹵代芳烴溶劑，例如氯苯、二氯苯、三氯苯和氯甲苯。在具體實施方案中，第一溶劑為1，2-二氯苯。第二溶劑可以包括六碳環(huán)，例如苯甲酸芐酯、苯甲酸甲酯、乙酰苯、2'-氯乙酰苯、喹啉和芐腈。在具體實施方案中，第二溶劑為苯甲酸芐酯。在具體組合中，第一溶劑為1，2-二氯苯，第二溶劑為苯甲酸芐酯。第一溶劑對第二溶劑的重量比可以為約20:l至約20:10。油墨配制料可以具有約28mN/m至約35mN/m的表面張力。半導電材料可以以聚集體和溶解的分子兩種形式存在。在一些實施方案中，聚集體超過半導電材料的50wt%。在其它的實施方案中，聚集體超過半導電材料的80wt%。在其它實施方案中，公開了形成薄膜晶體管的半導電層的方法，包括a)提供一種油墨組合物，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料結構(A)其中&選自烷基和取代烷基；第一溶劑；禾口可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，在其中半導電材料在室溫下具有小于0.lwt^的溶解度；b)將油墨組合物施涂在晶體管的基片上；禾口c)干燥油墨組合物以形成半導電層。在其它實施方案中，提供控制半導電油墨配制料的表面張力的方法，包括a)提供一種油墨組合物，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料結構(A)其中&選自烷基和取代烷基；第一溶劑，在其中半導電材料在室溫下具有0.lwt^或更大的溶解度；禾口可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，在其中半導電材料在室溫下具有小于0.lwt^的溶解度；禾口b)調節(jié)第一溶劑對第二溶劑的重量比至約20:l和約20:IO之間，以控制油墨組合物的表面張力。第一溶劑對第二溶劑的重量比可以為約io:i至約io:3。還公開了由這種方法制造的層和/或薄膜晶體管。本公開內容的示例性實施方案的這些和其它非限制性特征在以下更具體地描述。圖1為本公開內容的OTFT的第一種示例性實施方案。圖2為本公開內容的OTFT的第二種示例性實施方案。圖3為本公開內容的OTFT的第三種示例性實施方案。圖4為本公開內容的OTFT的第四種示例性實施方案。具體實施例方式參考附圖可以得到在此公開的部件、方法和設備的更完整的理解。這些附圖僅為基于說明本研發(fā)內容的便利性和簡易性的示意圖，并且因此并不希望指明器件或其部件的相對大小和尺寸和/或限定或限制示例性實施方案的范圍。雖然為清楚起見，在以下說明中使用特定術語，但是這些術語僅用來表示按照附圖中的說明選擇的實施方案的特殊結構，并非用來限定或限制公開內容的范圍。在以下附圖和隨后的說明中，應理解相同的數(shù)目標記表示相同作用的部件。圖1說明第一種底柵0TFT實施方案或構造。OTFT10包括與柵極30和介電層40接觸的基片20。雖然在此將柵極30繪制在基片20內，但這并非必須。但是，重要的是介電層40將柵極30與源極50、漏極60和半導電層70分隔。源極50接觸半導電層70。漏極60也接觸半導電層70。半導電層70在源極和漏極50和60之上和之間延伸。任選的界面層80可以設置在介電層40和半導電層70之間。圖2說明第二種底柵OTFT實施方案或構造。OTFT10包括與柵極30和介電層40接觸的基片20。半導電層70位于介電層40之上或頂部，并將其與源極和漏極50和60分隔。任選的界面層80可以設置在介電層40和半導電層70之間。圖3說明第三種底柵OTFT實施方案或構造。OTFT10包括還起柵極作用并與介電層40接觸的基片20。半導電層70位于介電層40之上或頂部，并將其與源極和漏極50和60分隔。任選的界面層80可以設置在介電層40和半導電層70之間。圖4說明頂柵0TFT實施方案或構造。OTFT10包括與源極50、漏極60和半導電層70接觸的基片20。半導電層70在源極和漏極50和60之上和之間延伸。介電層40在半導電層70之上。柵極30在介電層40之上并且不接觸半導電層70。任選的界面層80可以設置在介電層40和半導電層70之間。半導電層可以由適用于形成薄膜晶體管，包括頂柵薄膜晶體管的半導電油墨配制料形成。半導電油墨配制料包括半導電材料、第一溶劑A和第二溶劑B。在實施方案中，半導電材料包括結構(A)的噻吩部分結構(A)其中&為烷基或取代烷基。在優(yōu)選實施方案中，半導電材料為聚合物半導電材料。在另外的實施方案中，半導電材料具有式(I):式(I)其中&和R2獨立地選自烷基和取代烷基；x、y和z獨立地為1至約5;和n為聚合度。n通常為2至約10，000，優(yōu)選約5至約50的數(shù)。在具體實施方案中，1^和R2獨立地選自具有1至約24個碳原子的烷基，在另外的實施方案中&和R2相同。在具體實施方案中，x和z相等。在具體實施方案中，半導電材料為式(II):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>式(II)其中n為2至約100的數(shù)。這種特別的半導電材料亦稱PQT_12。其它特別的半導電材料包括聚(3-烷基噻吩)，和US6,770,904;6,949,762;和6，621，099中公開的半導電聚合物，在此將其公開內容全部引入作為參考。關于兩種溶劑，第二溶劑B可與第一溶劑A混溶，并且其具有等于或大于第一溶劑A的表面張力的表面張力。半導電材料在第二溶劑B中在室溫下還具有小于0.lwt^的溶解度。在一些實旌方案中，半導電材料在第一溶劑A中在室溫下也具有0.lwt^或更大的溶解度。在實施方案中，第一溶劑A為鹵代芳烴溶劑。示例性鹵代芳烴溶劑包括氯苯、二氯苯、三氯苯和氯甲苯。在具體實施方案中，第一溶劑A包括l，2-二氯苯。在實施方案中，第二溶劑B包括六碳環(huán)。在具體實施方案中，第二溶劑B包括選自苯甲酸芐酯、苯甲酸甲酯、乙酰苯、2'_氯乙酰苯、喹啉和芐腈的溶劑。在具體實施方案中，第二溶劑B為苯甲酸芐酯。在一些具體實施方案中，第一溶劑A為1，2-二氯苯，第二溶劑B為苯甲酸芐酯。通過混合第一溶劑A，第二溶劑B和半導電材料制備半導電油墨配制料。通常，半導電材料為配制料的約0.lwt^至約1.Owt^，或配制料的約0.lwt^至約0.5wt%。在實施方案中，半導電材料可以以聚集體(例如納米尺度聚集體)和溶解的分子兩種形式存在于油墨配制料中。溶劑B的使用僅略微改進溶劑A和B的混合物的表面張力，對增強油墨組合物的表面張力具有較小的作用。另一方面，使用溶劑B顯著降低半導電材料在兩種溶劑A和B的混合物中的溶解性，導致可以由溶劑A穩(wěn)定化的納米尺度聚集體的總數(shù)增加，以及油墨組合物中溶解的分子的總數(shù)減少。不受任何理論約束，據(jù)信聚集體的量增加和溶解的半導電分子的量減少將導致油墨組合物的表面張力顯著改善。因為半導電材料是表面活性組分，溶解的半導電分子將顯著降低溶劑的表面張力。在實施方案中，油墨組合物具有約28mN/m至約35mN/m，或約30mN/m至約33mN/m的表面張力。油墨配制料的表面張力可以通過改變溶劑A對溶劑B的比率來調節(jié)，因為聚集體的總數(shù)可以通過改變溶劑A對溶劑B的比率來調節(jié)。在實施方案中，聚集體超過油墨組合物中半導電材料的50wt^，包括超過油墨組合物中半導電材料的80wt%。在實施方案中，第一溶劑A對第二溶劑B的重量比為約20:l至約20:10，包括約10:1至約10:3。通過改變溶劑B從油墨配制料的lwt^至油墨配制料的約30wt^，半導電材料中聚集體的總數(shù)可以增加約10%至約100%。與半導電材料僅與溶劑A的配制料相比，表面張力可以提高最少每米5毫牛頓(mN)。半導電油墨配制料的表面張力的該增加比僅僅溶劑A和B的混合物的表面張力的增加大得多。在實施方案中，半導電油墨組合物具有約2厘泊至約40厘泊，優(yōu)選約2厘泊至15厘泊的粘度。該粘度適用于噴墨印刷。表面張力增加的半導電油墨配制料可用于在薄膜晶體管，特別是如圖4中描繪的頂柵晶體管中形成半導電層。在那里，有機半導電材料可以沉積在塑料基片上，而不是疏水柵極介電材料上。配制料通常沉積在晶體管表面上，然后干燥形成層。示例性沉積方法包括液體沉積，例如旋涂、浸涂、刮涂、棒涂、絲網(wǎng)印刷、模印、噴墨印刷等、以及本領域中已知的其它常規(guī)方法。在實施方案中，沉積方法為噴墨印刷。所得半導電層為約5nm至約1000nm厚，特別是約10nm至約100nm厚。與僅具有溶劑A的油墨組合物相比，具有溶劑A和B兩者的半導電油墨組合物具有若干優(yōu)點。首先，增強的表面張力防止油墨從印刷噴嘴滲漏。其次，當在基片上印刷時，所得油墨將由于較高的表面張力形成較小的液滴尺寸，由此允許較高的印刷分辨率。第三，所得油墨將防止半導電層擴散，特別是在頂柵晶體管制造中，其中在大多數(shù)情況下半導電層印刷在高能量基片表面上?；梢杂砂ǖ幌抻诠?、玻璃板、塑料膜或片的材料組成。對于結構柔性器件，可以使用塑料基片，例如聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺片材等?；暮穸瓤梢詾榧s10微米至超過10毫米，示例性厚度為約50微米至約5微米，特別是對于柔性塑料基片，并且對于例如玻璃或硅的硬質基片，為約0.5至約10毫米。柵極由導電材料組成。其可以為薄金屬膜、導電聚合物膜、由導電油墨或糊或基片本身制成的導電膜，例如重摻雜硅。柵極材料的實例包括但不限于鋁，金，銀，鉻，氧化銦錫，導電聚合物，例如聚苯乙烯磺酸酯摻雜的聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩)(PSS-PEDOT)，和由炭黑/石墨或銀膠體組成的導電油墨/糊。柵極可以由真空蒸發(fā)、金屬或導電金屬氧化物濺射、常規(guī)石印和蝕刻、化學汽相沉積、旋涂、流延或印刷或其它沉積方法制備。柵極的厚度對于金屬膜為約10至約500納米，對于導電聚合物為約0.5至約10微米。介電層通常可以為無機材料膜、有機聚合物膜、或有機_無機復合膜。適合作為介電層的無機材料的實例包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁、鈦酸鋇、鈦酸鋯鋇等。合適的有機聚合物的實例包括聚酯、聚碳酸酯、聚(乙烯基苯酚)、聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂等。介電層的厚度取決于使用的材料的介電常數(shù)，并且可以為例如約10納米至約500納米。介電層可以具有例如低于約10—12西門子每厘米(S/cm)的導電率。使用本領域已知的常規(guī)方法形成介電層，包括在形成柵極中所述的那些方法。適合用作源極和漏極的典型材料包括例如金、銀、鎳、鋁、鉬、導電聚合物和導電油墨的那些柵極材料。在具體實施方案中，電極材料為半導體提供低接觸電阻。典型厚度為例如約40納米至約1微米，更特別的厚度為約100至約400納米。本公開內容的OTFT器件包含半導體通道。半導體通道寬度可以為例如約5微米到約5毫米，以及特殊的通道寬度為約100微米至約1毫米。半導體通道長度可以為例如約1微米到約1毫米，其中更特殊的通道長度為約5微米到約100微米。源極是接地的，并且當向柵極施加例如約+10伏至約-80伏的電壓時，向漏極施加例如約0伏至約80伏的偏壓以收集橫穿半導體通道所輸送的載荷子。電極可以使用本領域中已知的常規(guī)方法形成或沉積。如果需要，阻擋層也可以沉積在TFT之上，以保護其免受可能劣化其電性能的環(huán)境條件，例如光、氧氣和水汽等的影響。這種阻擋層是本領域中已知的，并且可以簡單地由聚合物組成。OTFT的各個部件可以以任何順序沉積在基片之上，如在附圖中看到的。術語"在基片之上"不應被認為是要求每個部件直接接觸基片。該術語應被認為是描述部件相對于基片的位置。但是通常柵極和半導電層應均與介電層接觸。此外，源極和漏極應均與半導電層接觸。由本公開內容的方法形成的半導電聚合物可以沉積在有機薄膜晶體管的任何合適的部件上以形成該晶體管的半導電層。以下實施例舉例說明本公開內容的方法和設備。對于其中闡述的材料、條件或工藝參數(shù)，實施例僅是說明性的，并不意圖限制本公開內容。實施例對比例1通過加熱將22毫克PQT-12溶于IO克1，2-二氯苯中，形成黃-紅色溶液。在水浴中使熱溶液冷卻至室溫，同時施加超聲波振動(100W聲波儀，42kHz)10至15分鐘。當完全冷卻至室溫時，黃-紅色溶液變?yōu)榘底仙Ｓ胠微米注射器過濾器過濾該暗紫色組合物，以去除任何大顆粒，得到穩(wěn)定的半導電油墨配制料。得到穩(wěn)定的半導體油墨，油墨的表面張力在室溫下測定為25.20mN/m，顯著低于1，2-二氯苯的表面張力(37.8mN/m)。這一點表明PQT-12半導體是表面活性聚合物，其顯著地降低PQT-12/1，2-二氯苯組合物的表面張力，即使是在約0.2wt^的極低濃度下。對比例2將2.0毫克PQT-12加入到l.O克苯甲酸芐酯中。將混合物加熱至約12(TC以溶解PQT-12，并在水浴中冷卻至室溫，同時施加超聲波振動。沉淀出聚合物，不能形成穩(wěn)定的油墨配制料。對比例3將2.0毫克PQT-12加入到1.0克喹啉中。將混合物加熱至約120°C以溶解PQT-12，并在水浴中冷卻至室溫，同時施加超聲波振動。沉淀出聚合物，不能形成穩(wěn)定的油墨配制料。實施例1通過改變溶劑A對溶劑B的重量比制備1，2-二氯苯(溶劑A)和苯甲酸芐酯(溶劑b)的三個混合物，標記為ia(io:i)ub(io:2)和ic(10:3)。以與對比例i中相同的濃度將PQT-12溶解在混合物中(即22mg/g溶劑)。然后聲波處理混合物以形成暗紫色組合物。過濾之后，得到穩(wěn)定的半導電油墨配制料。題測量溶劑混合物(即添加半導電材料之前)和油墨配制料(即添加半導電材料之后)的表面張力。結果示于表l中。溶劑A和B的量以重量份計。相對于對比例l測量百分比改善。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>向混合溶劑中添加PQT降低了所有配制料的表面張力。這一點表明PQT-12是表面活性聚合物。與對比例l相比，添加最高達23wt^(實施例1C)的苯甲酸芐酯(溶劑B)使僅混合溶劑(A和B)的表面張力增加小于lmN/m，或2X。但是，與對比例1相比，油墨配制料的表面張力增加大約7mN/m，或大約30%。油墨配制料表面張力的這種大的變化是出乎意料的，因為預期表面張力的變化將幾乎與兩種混合溶劑的表面張力的變化相同。表面張力也可以通過改變兩種溶劑的重量比來調節(jié)。薄膜晶體管利用半導電油墨配制料制造。使用其上具有厚度為約200納米的熱生長氧化硅層的n-摻雜硅晶片。該晶片起基片和柵極的作用。氧化硅層起柵極介電層的作用，并具有約15nF/cm2的電容。硅晶片首先用異丙醇、氬等離子體和異丙醇清洗，然后空氣干燥。然后將晶片浸入6(TC辛基三氯硅烷在甲苯中的0.1M溶液中20分鐘，以改性介電表面。晶片用甲苯和異丙醇洗滌，然后干燥。將實施例1C的配制料旋涂在改性的氧化硅表面之上，隨后在真空烘箱中干燥和退火。在半導體層之上蒸發(fā)金源極和漏極以完成該器件。在環(huán)境條件下用Keithley4200SCS表征晶體管。該器件顯示0.lcm2/Vs的場效應遷移率，其中電流通/斷比超過106。該性能可與由對比例1的配制料制造的器件相比，溶劑B的存在對器件性能沒有不良影響。由此，在此公開以下實施方案。方案1.一種半導電油墨配制料，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料結構(A)其中I^選自烷基和取代烷基；第一溶劑；禾口可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，在其中半導電材料在室溫下具有小于0.lwt^的溶解度。方案2.方案1的油墨配制料，其中半導電材料具有式(I):n/又o式(I)其中&和R2獨立地選自烷基和取代烷基；x、y和z獨立地為1至約5;和n為聚方案3.方案2的油墨配制料，其中&和R2獨立地選自具有1至約24個碳原子的方案4.方案3的油墨配制料，其中I^和R2相同。方案5.方案2的油墨配制料，其中半導電材料為式(II):式(II)方案6.方案1的油墨配制料，其中第一溶劑為鹵代芳烴溶劑。方案7.方案6的油墨配制料，其中第一溶劑為選自氯苯、二氯苯、三氯苯和氯甲苯方案8.方案7的油墨配制料，其中第一溶劑為1，2-二氯苯。方案9.方案1的油墨配制料，其中第二溶劑包括六碳環(huán)。方案10.方案9的油墨配制料，其中第二溶劑包括選自苯甲酸芐酯、苯甲酸甲酯、的溶劑c乙酰苯、2'_氯乙酰苯、喹啉和芐腈的溶劑:方案11.方案10的油墨配制料，其中第二溶劑為苯甲酸芐酯。方案12.方案1的油墨配制料，其中第一溶劑為1，2-二氯苯，第二溶劑為苯甲酸節(jié)酯。方案13.方案1的油墨配制料，其中第一溶劑對第二溶劑的重量比為約20:l至約20:io。方案14.方案1的油墨配制料，其中油墨配制料具有約28mN/m至約35mN/m的表面張力。方案15.方案1的油墨配制料，其中半導電材料以聚集體和溶解的分子兩種形式存在，并且聚集體超過半導電材料的50wt%。方案16.方案15的油墨配制料，其中聚集體超過半導電材料的80wt%。方案17.—種形成薄膜晶體管的半導電層的方法，包括a)提供一種油墨組合物，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>結構(A)其中&選自烷基和取代烷基；第一溶劑；禾口可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，在其中半導電材料在室溫下具有小于0.lwt^的溶解度；b)將油墨組合物施涂在晶體管的基片上；禾口c)干燥油墨組合物以形成半導電層。方案18.方案17的方法，其中半導電材料具有式(I):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>式(I)其中&和R2獨立地選自烷基和取代烷基；x、y和z獨立地為1至約5;和n為聚n/又o方案19.方案18的方法，其中半導電材料為式(II):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>式(II)方案20.方案17的方法，其中第一溶劑為1，2-二氯苯，第二溶劑為苯甲酸芐酯。方案21.方案17的方法，其中第一溶劑對第二溶劑的重量比為約20:l至約20:io。方案22.方案17的方法，其中油墨組合物具有約28mN/m至約35mN/m的表面張力，和約2厘泊至約40厘泊的粘度。方案23.—種控制半導電油墨配制料的表面張力的方法，包括a)提供一種油墨組合物，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料結構(A)其中&選自烷基和取代烷基；第一溶劑，在其中半導電材料在室溫下具有0.lwt^或更大的溶解度；禾口可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，在其中半導電材料在室溫下具有小于0.lwt^的溶解度；禾口b)調節(jié)第一溶劑對第二溶劑的重量比至約20:l和約20:io之間，以控制油墨組合物的表面張力。方案24.方案23的方法，其中半導電材料為式(II):式(II)方案25.方案23的方法，其中第一溶劑為1，2-二氯苯，第二溶劑為苯甲酸芐酯。方案26.方案23的方法，其中第一溶劑對第二溶劑的重量比為約10:1至約io:3。1權利要求一種半導電油墨配制料，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料結構(A)其中R1選自烷基和取代烷基；第一溶劑；和可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，在其中半導電材料在室溫下具有小于0.1wt％的溶解度。F2009101790247C0000011.tif2.—種形成薄膜晶體管的半導電層的方法，包括a)提供一種油墨組合物，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>結構(A)其中Rl選自烷基和取代烷基；第一溶劑；禾口可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，在其中半導電材料在室溫下具有小于O.lwt^的溶解度；b)將油墨組合物施涂在晶體管的基片上；禾口c)干燥油墨組合物以形成半導電層。3.—種控制半導電油墨配制料的表面張力的方法，包括a)提供一種油墨組合物，包括包括結構(A)的噻吩部分的半導電材料<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>結構(A)其中Ri選自烷基和取代烷基；第一溶劑，在其中半導電材料在室溫下具有0.lwt^或更大的溶解度；禾口可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，在其中半導電材料在室溫下具有小于O.lwt^的溶解度；禾口b)調節(jié)第一溶劑對第二溶劑的重量比至約20:l和約20:io之間，以控制油墨組合物的表面張力,全文摘要本發(fā)明涉及半導電油墨配制料。半導電油墨配制料包括半導電材料；第一溶劑；和可與第一溶劑混溶的第二溶劑，其具有等于或大于第一溶劑表面張力的表面張力，和在其中半導電材料在室溫下具有小于0.1wt％的溶解度。該油墨配制料的表面張力可以得到控制，允許在有機薄膜晶體管，包括頂柵晶體管中形成半導電層。文檔編號H01L29/786GK101717597SQ20091017902公開日2010年6月2日申請日期2009年10月9日優(yōu)先權日2008年10月9日發(fā)明者P·F·史密斯,Y·吳申請人:施樂公司