專利名稱：高頻電子元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高頻電子元件，尤其涉及設(shè)置了電介質(zhì)膜且可實現(xiàn)Q值高 的可變電容部的高頻電子元件。
背景技術(shù)：
近年來，作為高頻電子元件，使用半導(dǎo)體的精細加工技術(shù)來制作的作 為微小部件的高頻MEMS (Micro Electro Mechanical Systems:微電子機械 系統(tǒng))的開發(fā)正在發(fā)展。該高頻MEMS具有如下優(yōu)點即使通過信號是微 波波段或毫米波段的高頻，通過損耗也較少，進一步，對具有大功率的通 過信號的高頻失真小。因此，高頻MEMS期待應(yīng)用到高頻用的開關(guān)和可變 電容等中。
由于高頻MEMS利用半導(dǎo)體制造技術(shù)來制作，所以高頻MEMS可以 集成到與使用了現(xiàn)有硅半導(dǎo)體的高頻放大器和電源電路相同的硅基板上， 可以帶來部件的小型化和低成本化。
但是，若在硅基板上形成高頻電路，則因硅基板的影響，高頻特性劣 化。因此，提出了如專利文獻1中所公開的那樣使用高電阻的硅基板或如 專利文獻2所公開的那樣在高頻MEMS部的下側(cè)和硅基板間設(shè)置空隙的結(jié) 構(gòu)。
圖IO表示一般高頻用MEMS的可變電容部的結(jié)構(gòu)。圖10 (A)是一 般高頻用MEMS的平面圖。圖10 (B)是圖10 (A)所示的高頻用MEMS 的A—A線的截面圖，表示下部電極的電壓為截斷的狀態(tài)。圖10 (C)是 圖10 (A)所示的高頻用MEMS的A—A線的截面圖，表示下部電極的電 壓為接通的狀態(tài)。
如圖10所示，在硅基板100上形成絕緣膜101，并在該絕緣膜101上 配置地線102、 RF信號線(高頻信號線)103、梁106和下部電極105。該 情況下，梁106具有導(dǎo)電性，不與上部電極104明確區(qū)分。向RF信號線103施加RF信號S。在梁106和RF信號線103的交叉部分配置電介質(zhì)膜 (絕緣體)108。 RF信號線103、電介質(zhì)膜108和梁106如虛線所示，構(gòu)成 可變電容部107。
若如圖10 (B)所示，截斷下部電極105的電壓，或如圖10 (C)所 示，接通下部電極105的電壓，則梁106如箭頭109所示那樣上下移動， 并且RF信號線103和地線102間的可變電容部107的電容變化。g[]，若如 圖10 (B)那樣，截斷下部電極105的電壓，則可變電容部107的電容減 小，若如圖10 (C)那樣，接通下部電極105的電壓，則可變電容部107 的電容變大，為幾pF左右。
專利文獻1日本特許第3818176號公報專利文獻2日本特開2005—277675號公報
但是，在專利文獻1和專利文獻2所公開的技術(shù)中，很難實現(xiàn)具有高 Q值的可變電容，且減少電路損耗。
在圖IO所示的一般高頻MEMS的可變電容的結(jié)構(gòu)中，有如下問題。 圖11表示硅基板100上的RF信號線103的等效電路和伴隨RF信號線103 的形成而出現(xiàn)的問題。高頻用MEMS的可變電容很多情況下在硅基板100 上與其他部件一起形成，并通過RF信號線103來連接。RF信號線103如 圖11所示，與硅基板IOO之間產(chǎn)生電容C，而變?yōu)殡娐窊p耗，使Q值劣化 了。
進一步，圖12表示形成圖11的硅基板100上的下部電極105和梁106 時的高頻用MEMS的可變電容的等效電路和問題。這里，作為表示可變電 容的特性的值，使用可變電容的阻抗(Zin)的實部和虛部，來如下這樣定 義Q值。
Q=| Im (Zin) | / |Re (Zin) |
如圖12所示，因RF信號線103和硅基板間及地線102和硅基板間產(chǎn) 生電容C的影響，高頻MEMS的可變電容的Q值降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述問題而作出，本發(fā)明的目的是提供一種具有高Q值 的可變電容部且能夠減少電路損耗的高頻電子元件。本發(fā)明的高頻電子元件的第1方式，其特征在于，包括硅基板；在 所述硅基板上彼此交叉地形成的高頻信號線和接地線；以及電介質(zhì)膜，其 在所述高頻信號線和所述接地線交叉的部分，形成在所述高頻信號線和所 述接地線的至少一方上，且該電介質(zhì)膜構(gòu)成可變電容部，所述可變電容部 為，所述高頻信號線和所述接地線能夠沿接觸分離方向相對移位地被支撐。
本發(fā)明的高頻電子元件的第2方式，其特征在于，所述可變電容部中 的所述高頻信號線通過在所述硅基板上形成的共面線與所述高頻電子元件 的外部相連，在所述高頻信號線的一部分區(qū)域中，與其他區(qū)域相比，被形 成為離開所述硅基板側(cè)。
本發(fā)明的高頻電子元件的第3方式，其特征在于，用于使所述高頻信 號線在所述硅基板上可動的靜電力用電極配置在所述高頻信號線的側(cè)方， 通過連接用絕緣體連接所述靜電力用電極和所述高頻信號線。
本發(fā)明的高頻電子元件的第4方式，其特征在于，所述靜電力用電極 配置在所述高頻信號線的側(cè)方，在將通過連接用絕緣體連接所述靜電力用 電極和所述高頻信號線而成的結(jié)構(gòu)部作為單位結(jié)構(gòu)部時，具有串聯(lián)連接多 個所述單位結(jié)構(gòu)部而成的電容組部結(jié)構(gòu)，所述單位結(jié)構(gòu)部的所述高頻信號 線與所述硅基板側(cè)的金屬電極連接。
本發(fā)明的高頻電子元件的第5方式，其特征在于，所述靜電力用電極 配置在所述高頻信號線的側(cè)方，在將通過連接用絕緣體連接所述靜電力用 電極和所述高頻信號線而成的結(jié)構(gòu)部作為單位結(jié)構(gòu)部時，具有串聯(lián)連接多 個所述單位結(jié)構(gòu)部而成的電容組部結(jié)構(gòu)，所述單位結(jié)構(gòu)部的所述高頻信號 線從所述硅基板側(cè)拱起地形成。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種實現(xiàn)具有高Q值的可變電容部且可減少電 路損耗的高頻電子元件。


圖1是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第1實施方式的圖； 圖2是表示圖1所示的高頻電子元件的Q值提高后的例子的圖； 圖3是表示圖1所示的高頻電子元件的等效電路例的圖；圖4是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第2實施方式的圖； 圖5是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第3實施方式的圖； 圖6是表示圖4所示的高頻電子元件的Q值提高后的例子的圖； 圖7是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第4實施方式的圖； 圖8是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第5實施方式的圖； 圖9是本發(fā)明的高頻電子元件的使用例的圖； 圖10是表示作為現(xiàn)有高頻電子元件的高頻MEMS元件的圖； 圖11是表示圖10的現(xiàn)有例的等效電路的圖； 圖12是表示另一現(xiàn)有例的等效電路的圖。 符號說明
1高頻MEMS (高頻電子元件)；2硅基板；3絕緣膜； 4地線(接地線)；5高頻信號線(RF信號線)；6上部電極； 7下部電極；8梁；9電介質(zhì)膜；10凸形狀部分； 12空氣層；13可變電容部。
具體實施例方式
下面，參考附圖來詳細說明本發(fā)明的實施方式。 (第l實施方式)
圖1是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第1實施方式的圖，圖1(A) 是高頻電子元件的平面圖，圖1 (B)是圖1 (A)的高頻電子元件的B—B 線的截面圖，圖(C)是圖l (A)的高頻電子元件的C—C線的截面圖。
如圖1所示，作為高頻電子元件的高頻MEMS1具有硅基板2，并在 硅基板2上形成絕緣膜3。在該絕緣膜3上配置地線(還稱作接地線)4、 高頻信號線(下面，稱作RF信號線。)5、上部電極6、下部電極7、梁8 和電介質(zhì)膜9。電介質(zhì)膜9是絕緣膜。梁8具有導(dǎo)電性，不與上部電極6 明確區(qū)分。
RF信號線5通過在硅基板2的絕緣膜3上形成的共面(coplanar)線 與高頻電子元件外部的高頻電子電路連接。從外部的高頻電子電路向RF 信號線5施加高頻信號(下面，稱作RF信號。)S。地線4和RF信號線5 在硅基板2的絕緣膜3上彼此交叉地形成。向上部電極6和下部電極7施加控制電壓。上部電極6和下部電極7 沿X方向形成，上部電極6與地線4連接。向上部電極6施加零電壓，并 向下部電極7施加預(yù)定的控制電壓。下部電極7是用于使上部電極6的梁8 沿Z方向可動的靜電力用電極。RF信號線5沿與X方向正交的Y方向配 置。
在RF信號線5和梁8交叉的部分的其中一方或兩方上形成電介質(zhì)膜 (絕緣膜)9。在圖l所示的例子中，電介質(zhì)膜9形成在RF信號線5側(cè)的 中間位置的可變電容部13上。但是，并不限于此，電介質(zhì)膜9也可形成在 RF信號線5側(cè)的中間位置和上部電極6的梁8的內(nèi)側(cè)位置的其中一方或兩 方上。
如圖1 (A)和圖1 (C)所示，通過將RF信號線5的用虛線包圍所 示的部分G的形狀形成為從硅基板2和絕緣膜3拱起的形狀，而形成空氣 層12。即，RF信號線5的用虛線所示的部分G的形狀沿Z方向成為凸形 狀部分10。
這樣，RF信號線5的凸形狀部分10為從硅基板2和絕緣膜3向上方 拱起的形狀，RF信號線5的中央部分是可變電容部13，通過在RF信號線 5的可變電容部13的兩側(cè)分別設(shè)置空氣層12,使RF信號線5空氣橋(air bridge)化。換而言之，在可變電容部13的外部位置實現(xiàn)了 RF信號線5 的空氣橋化。
若提供給下部電極7的控制電壓為接通，則梁8降低而使梁8與電介 質(zhì)膜9接觸，從而電容變大。另外，若提供給下部電極7的控制電壓為截 斷，則梁8升高而使梁8與電介質(zhì)膜9分離。這樣，通過使地線4側(cè)的梁8 和RF信號線5接觸或不接觸，在RF信號線5和地線4間的可變電容部13 中電容變化。即，通過RF信號線5與地線4 (上部電極6的梁8)兩者相 對電介質(zhì)膜9接觸或非接觸，從而可變電容部13的電容變化。如圖l (B) 所示，通過RF信號線5的2個凸形狀部分10的空氣層12，成為串聯(lián)連接 2個低電容C1的狀態(tài)，可減少浮游電容。
圖2是表示作為圖1所示的高頻電子元件的高頻MEMS1的Q值提高 后的例子的模擬結(jié)果的圖。
圖2所示的圖表中縱軸表示Q值，橫軸表示頻率，表示出Q值相對頻率的變化。圖2所示的曲線Ll， L3表示圖1所示的第1實施方式的高頻 MEMS1的Q值的變化。與此相對，圖2所示的曲線L2， L4表示比較例中 的沒有形成空氣層(沒有空氣橋化)的高頻MEMS的Q值的變化。曲線 Ll， L2是向下部電極施加預(yù)定的控制電壓的情況下，梁靠近電介質(zhì)膜側(cè)時 的值，曲線L3， L4是在沒有向下部電極施加預(yù)定的控制電壓的情況下，梁 與電介質(zhì)膜遠離時的值。
圖2中，如比較曲線L1和曲線L2所明白的，可以看出本發(fā)明的第l 實施方式的高頻MEMS1的Q值比比較例的沒有形成空氣層的高頻MEMS 的Q值提高了。
如比較曲線L3和曲線L4所明白的，可以看出本發(fā)明的第1實施方式 的高頻MEMS1的Q值比比較例的沒有形成空氣層的高頻MEMS的Q值 提高了。
由此，本發(fā)明的第1實施方式的高頻MEMS1中，與比較例的沒有形 成空氣層的高頻MEMS相比，無論是向下部電極和上部電極之間施加的控 制電壓接通時還是截斷時，Q值都提高了。且由于在圖1所示的可變電容 部13的外部兩側(cè)的位置上實現(xiàn)了 RF信號線5的空氣橋化，所以可以實現(xiàn) 具有高Q值的可變電容部。
圖3是表示作為圖1所示的高頻電子元件的高頻MEMS1的等效電路 例的圖。若與圖12所示的現(xiàn)有例的等效電路相比，則可以降低部分19的 浮游電容。
(第2實施方式)
接著，參考圖4來說明本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第2實施方式。 圖4是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第2實施方式的圖，圖4(A)
是高頻電子元件的平面圖，圖4 (B)是圖4 (A)的高頻電子元件的D—D
線的截面圖。
在圖1所示的第1實施方式的高頻MEMS1中，在可變電容部13的外 部兩側(cè)的位置實現(xiàn)RF信號線5的空氣橋化。與此相對，圖4所示的第2 實施方式的高頻MEMS41中，不是在可變電容部的外部位置，而是通過從 硅基板拱起可變電容部53的RF信號線45的梁48來進行空氣橋化。如圖4所示，高頻MEMS41具有硅基板42，并在硅基板42上形成絕 緣膜43。在該絕緣膜43上形成地線(還稱作接地線)44與下部電極47。
如圖4 (A)和圖4 (B)所示，上部電極46和下部電極47是用于使 梁48沿Z方向上下移動的靜電力用電極。上部電極46和下部電極47的形 成位置被配置在避開RF信號線45的下部的外側(cè)。上部電極46和RF信號 線45的梁48通過連接用絕緣膜43C來連接。
如圖4 (B)所示，在該地線44上形成電介質(zhì)膜(絕緣膜)49。進一 步，在絕緣膜43上沿Z方向形成地線44B、 44B，在各地線44B、 44B上 分別形成上部電極46。中央的梁48和各上部電極46分別通過連接用的絕 緣膜44C來連接。
如圖4 (A)所示，RF信號線45通過共面線沿X方向形成，并從外 部的高頻電子電路向RF信號線45施加RF信號S。
如圖4 (B)所示，在硅基板42的絕緣膜43上彼此交叉地形成地線 44的上部電極46和RF信號線45的梁48。
在梁48和地線44的電介質(zhì)膜49間形成可變電容部53，并在該可變 電容部53上形成空氣層。即，使可變電容部53的RF信號線45空氣橋化。
根據(jù)向下部電極47提供的電壓的接通截斷，使RF信號線45的梁48 沿Z方向上下運動，從而使梁48接觸或不接觸電介質(zhì)膜49，由此，使RF 信號線45和地線44間的電容變化。艮卩，通過使RF信號線45的梁48和地 線44兩者接觸或不接觸電介質(zhì)膜49，從而使可變電容部53的電容變化。
由此，在圖4所示的第2實施方式中，通過使靜電力用的上部電極46 和下部電極47的電極位置從RF信號線45的外側(cè)位置、即圖4 (A)中位 于中央位置的RF信號線45沿Yl方向和Y2方向錯開配置，從而在RF信 號線45的梁48之下不配置下部電極，所以高頻特性提高。即，由于靜電 力用電極未在高頻信號線的下部而是離開配置，所以靜電力用電極不會成 為對高頻信號線的噪聲源，因此可以提高高頻特性。
(第3實施方式)
接著，參考圖5，來說明本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第3實施方式。 圖5是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第3實施方式的平面圖。圖5所示的第3實施方式的高頻MEMS61與圖4所示的高頻MEMS41 相比，具有彈簧結(jié)構(gòu)的梁48B的形狀不同，除此之外的要素實質(zhì)上相同。
具有該彈簧結(jié)構(gòu)的梁48B為了使上部電極46容易沿Z方向運動而具 有彈簧結(jié)構(gòu)。另外，為了增加梁48B相對電介質(zhì)膜49的按壓力，而較大形 成驅(qū)動用的下部電極47的形成面積，且配置為靠近RF信號線45側(cè)。由此， 若向上部電極46和下部電極47施加控制電壓，則可以使具有彈簧結(jié)構(gòu)的 梁48B與電介質(zhì)膜49側(cè)接觸，若截斷下部電極47的電壓，則可以使用彈 簧力使梁48B與電介質(zhì)膜49分離。
由此，圖5所示的第3實施方式中，通過將靜電力用的下部電極的電 極位置配置在RF信號線的外側(cè)，從而提高了高頻特性。g卩，由于靜電力用 電極未在高頻信號線的下部而是離開配置，所以靜電力用電極沒有成為對 高頻信號線的噪聲源，因此可以提高高頻特性。并且，通過將RF信號線形 成為彈簧結(jié)構(gòu)以及改變地線44的圖案形狀和下部電極47的圖案形狀，可 以進一步提高可變電容部53的梁48B的上下動作。
圖6是表示示出作出圖4所示的高頻電子元件的高頻MEMS41的Q 值提高后的例子的模擬結(jié)果的圖。
圖6所示的圖表縱軸表示Q值，橫軸表示頻率，表示出Q值相對頻率 的變化。圖6所示的曲線L5， L7表示圖4所示的第2實施方式的高頻 MEMS41的Q值的變化。與此相對，圖6所示的曲線L6， L8表示比較例 的高頻MEMS的Q值變化。曲線L5， L6是向下部電極施加了預(yù)定電壓的 情況下，梁靠近電介質(zhì)膜側(cè)時的值，曲線L6， L8是沒有向下部電極施加預(yù) 定電壓的情況下，梁與電介質(zhì)膜遠離時的值。
圖6中，如比較曲線L5和曲線L6所明白的，可以看出本發(fā)明的第2 實施方式的高頻MEMS41的Q值比比較例的沒有形成空氣層的高頻MEMS 的Q值提高了。另夕卜，如比較曲線L7和曲線L8所明白的，可以看出本發(fā) 明的第2實施方式的高頻MEMS41的Q值比比較例的沒有形成空氣層的高 頻MEMS的Q值提高了。由此，無論是下部電極和上部電極接通時還是截 斷時，Q值都提高了，由于在可變電容部的位置上實現(xiàn)了RF信號線45的 空氣橋化，所以可以實現(xiàn)具有高Q值的可變電容。(第4實施方式)
圖7 (A)是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第4實施方式的圖，圖
7 (B)是圖7 (A)所示的高頻電子元件的E—E線的放大后的截面圖。
作為圖7 (A)所示的高頻電子元件的高頻MEMS71為將圖5所示的 高頻MEMS61作為單位口」變電容部，且串聯(lián)連接多個作為該單位口」變電容 部的高頻MEMS61后的電容組(bank)結(jié)構(gòu)。圖7(A)所示的高頻MEMS71 作為一例為具有4個高頻MEMS61的結(jié)構(gòu)。通過將作為單位可變電容部的 4個高頻MEMS61的信號電容電極面積設(shè)計為二進制值(2值)，從而可以 表示例如24=16種的電容值。
圖7 (B)表示圖7 (A)所示的高頻MEMS71的結(jié)構(gòu)的各單位可變電 容部的信號線間的連接結(jié)構(gòu)部分74。圖7 (B)表示圖7 (A)所示的高頻 MEMS71的E—E線的截面結(jié)構(gòu)，作為空氣橋化后的信號線的梁48B經(jīng)由 在硅基板2上形成的金屬電極72所構(gòu)成的錨(anchor)結(jié)構(gòu)來連接。由此， 通過連接梁48B和金屬電極72來連接各單位可變電容部的信號線之間。 (第5實施方式)
圖8 (A)是表示本發(fā)明的高頻電子元件的優(yōu)選第5實施方式的圖，圖
8 (B)是圖8 (A)所示的高頻電子元件的F-F線的放大后的截面圖。
作為圖8 (A)所示的高頻電子元件的高頻MEMS81與圖7 (A)所示 的高頻MEMS71相比，省略了連接各單位可變電容部間的錨結(jié)構(gòu)部分，圖 8 (B)表示各單位可變電容部的信號線間的連接結(jié)構(gòu)部分84。如圖8 (B) 所示，各單位可變電容部的信號線間的連接結(jié)構(gòu)部分84是在梁48B和絕緣 膜3之間形成了空間部83的空氣橋化狀態(tài)下使各單位可變電容部連接的電 容組(bank)結(jié)構(gòu)。由此，可以取消錨部分處的基板損失的影響，可以實 現(xiàn)更高的Q值。
圖9是表示作為本發(fā)明的高頻電子元件的高頻MEMS82的使用例的 圖，圖9 (A)中，是將高頻MEMS82裝載在可調(diào)諧天線上的例子，實現(xiàn) 了寬帶地面數(shù)字廣播用天線的小型化。圖9 (B)中，是將高頻MEMS82 作為放大器的匹配電路裝載的例子，實現(xiàn)了放大器類別的減少。圖9(C) 表示裝載在硅基板的電源部上的例子，硅基板上的放大器80和高頻 MEMS82通過RF連接線83相接觸。本發(fā)明的高頻電子元件的實施方式中，包括硅基板；在硅基板上彼
此交叉地形成的高頻信號線和接地線；以及電介質(zhì)膜，其在高頻信號線和 接地線交叉的部分，形成在高頻信號線和接地線的至少一方上，并且該電 介質(zhì)膜構(gòu)成可變電容部，所述可變電容部為，高頻信號線和接地線能夠沿 接觸分離方向相對移位地被支撐。由此，可以實現(xiàn)具有高Q值的可變電容 部，且可減少電路損耗。
可變電容部中的高頻信號線通過在硅基板上形成的共面線與高頻電子 元件的外部相連，且在高頻信號線的一部分區(qū)域中與其他區(qū)域相比，被形 成為離開硅基板側(cè)。由此，在高頻信號線的一部分區(qū)域中，與其他區(qū)域相 比，可通過使用共面線而拱起形成。
用于使高頻信號線在硅基板上可動的靜電力用電極配置在高頻信號線 的側(cè)方，且通過連接用絕緣體連接靜電力用電極和高頻信號線。由此，由 于靜電力用電極未在高頻信號線的下部而是離開配置，所以靜電力用電極 不會成為對高頻信號線的噪聲源，所以可提高高頻特性。
靜電力用電極配置在高頻信號線的側(cè)方，在將通過連接用絕緣體連接 靜電力用電極和高頻信號線而成的結(jié)構(gòu)部作為單位結(jié)構(gòu)部時，具有串聯(lián)連 接多個單位結(jié)構(gòu)部而成的電容組部的結(jié)構(gòu)，單位結(jié)構(gòu)部的高頻信號線與硅 基板側(cè)的金屬電極連接。由此，單位結(jié)構(gòu)部的高頻信號線與硅基板側(cè)的金 屬電極連接，但是其他部分拱起，所以可以提高Q值。
靜電力用電極配置在高頻信號線的外側(cè)，在將通過連接用絕緣體連接 靜電力用電極和高頻信號線而成的結(jié)構(gòu)部作為單位結(jié)構(gòu)部時，具有串聯(lián)連 接多個單位結(jié)構(gòu)部而成的電容組部結(jié)構(gòu)，單位結(jié)構(gòu)部的高頻信號線形成為 從硅基板側(cè)拱起。由此，單位結(jié)構(gòu)部的高頻信號線不與硅基板側(cè)的金屬電 極連接，且可減少硅基板的損耗而提高Q值。
本發(fā)明的高頻電子元件的實施方式中，通過可變電容外部的高頻信號 線的空氣橋化或可變電容部的高頻信號線的空氣橋化，可實現(xiàn)具有高Q值 的可變電容部，從而可減少電路損耗。
本發(fā)明并不原樣限于上述實施方式，在實施階段可以在不脫離其精神 的范圍下變形構(gòu)成要素而使其具體化。
通過適當組合上述實施方式公開的多個構(gòu)成要素而可形成各種發(fā)明。例如，也可從實施方式所示的所有構(gòu)成要素中刪除幾個構(gòu)成要素。進一步， 可以適當組合不同實施方式中的構(gòu)成要素。
權(quán)利要求
1、一種高頻電子元件，其特征在于，包括硅基板；在所述硅基板上彼此交叉地形成的高頻信號線和接地線；以及電介質(zhì)膜，其在所述高頻信號線和所述接地線交叉的部分，形成在所述高頻信號線和所述接地線的至少一方上，且該電介質(zhì)膜構(gòu)成可變電容部，所述電介質(zhì)膜為，所述高頻信號線和所述接地線能夠沿接觸分離方向相對移位地被支撐。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電子元件，其特征在于 所述可變電容部中的所述高頻信號線通過在所述硅基板上形成的共面線與所述高頻電子元件的外部相連，在所述高頻信號線的一部分區(qū)域中， 與其他區(qū)域相比，被形成為離開所述硅基板側(cè)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電子元件，其特征在于用于使所述高頻信號線在所述硅基板上可動的靜電力用電極配置在所 述高頻信號線的側(cè)方，通過連接用絕緣體連接所述靜電力用電極和所述高 頻信號線。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻電子元件，其特征在于 所述靜電力用電極配置在所述高頻信號線的側(cè)方，在將通過連接用絕緣體連接所述靜電力用電極和所述高頻信號線而成的結(jié)構(gòu)部作為單位結(jié)構(gòu) 部時，具有串聯(lián)連接多個所述單位結(jié)構(gòu)部而成的電容組部結(jié)構(gòu)，所述單位 結(jié)構(gòu)部的所述高頻信號線與所述硅基板側(cè)的金屬電極連接。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻電子元件，其特征在于-所述靜電力用電極配置在所述高頻信號線的側(cè)方，在將通過連接用絕緣體連接所述靜電力用電極和所述高頻信號線而成的結(jié)構(gòu)部作為單位結(jié)構(gòu) 部時，具有串聯(lián)連接多個所述單位結(jié)構(gòu)部而成的電容組部結(jié)構(gòu)，所述單位 結(jié)構(gòu)部的所述高頻信號線從所述硅基板側(cè)拱起地形成。
全文摘要
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種可實現(xiàn)具有高Q值的可變電容部且可減少電路損耗的高頻電子元件。其解決方案是作為高頻電子元件的高頻MEMS(1)具有硅基板(2)；在硅基板(2)上彼此交叉地形成的高頻信號線(5)和接地線(4)；以及電介質(zhì)膜(8)，其在高頻信號線(5)和接地線(4)的梁(8)交叉的部分，形成在高頻信號線(5)和接地線(4)的至少一方上，且構(gòu)成可變電容部(13)，該可變電容部(13)為，高頻信號線(5)和接地線(4)能夠沿接觸分離方向相對移位地被支撐。
文檔編號H01P1/12GK101533937SQ200910126558
公開日2009年9月16日 申請日期2009年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月12日
發(fā)明者山崎宏明, 日浦滋, 池橋民雄 申請人:株式會社東芝