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陣列基板及其制造方法

文檔序號:6930938閱讀:116來源:國知局
專利名稱:陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù),尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)
RC位相延遲是電路中常見的問題,是由導(dǎo)線電阻和電路中的電容產(chǎn)生的延遲。當(dāng) 導(dǎo)線電阻和電路中的電容越大時(shí),導(dǎo)線電阻和電路中電容產(chǎn)生的延遲時(shí)間就越長,延遲時(shí) 間τ利用數(shù)學(xué)公式可表示為r=V^/^。在液晶顯示面板中,顯示區(qū)域的畫面顯示需要柵極掃描信號和數(shù)據(jù)信號的驅(qū)動, 而柵極掃描信號是來自顯示區(qū)域外的柵極驅(qū)動器,數(shù)據(jù)信號是來自顯示區(qū)域外的源極驅(qū)動 器。柵極驅(qū)動器與顯示區(qū)域的柵線通過柵連接線連接,或源極驅(qū)動器與顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線 之間通過數(shù)據(jù)連接線連接。如圖1所示,柵連接線或數(shù)據(jù)連接線的布置一般采取八字形排 布,使得這些連接線的長度存在差異,其中,位于中間的連接線最短,位于兩側(cè)的連接線的 長度最長。因而這些連接線的電阻大小也存在差異。同時(shí)各柵線和數(shù)據(jù)線與液晶顯示面板 的層間也會存在著大量的電容。因而柵線與柵連接線的導(dǎo)線電阻、數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)連接線的 導(dǎo)線電阻的差異、以及層間電容的存在會產(chǎn)生RC位相延遲,并且各條柵線、數(shù)據(jù)線上的RC 位相延遲都存在著差異。由于各條柵線、數(shù)據(jù)線上的RC位相延遲的差異,從而降低了液晶顯示面板的顯示 效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板以及制造方法,能夠解決液晶顯示面板中,由于各條柵 線和數(shù)據(jù)線上的RC延遲不一致造成的顯示效果的降低。為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案—種陣列基板,包括基板和設(shè)置于所述基板上的陣列電路,其中,與柵線和柵極 驅(qū)動器之間的各柵連接線相對、且通過絕緣層隔離設(shè)置有第一金屬線,所述第一金屬線與 各柵連接線正對的面積從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減;和/或與數(shù)據(jù)線和源極驅(qū) 動器之間的各數(shù)據(jù)連接線相對、且通過絕緣層隔離設(shè)置有第二金屬線,所述第二金屬線與 各數(shù)據(jù)連接線正對的面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減。以下為了簡便起見,將柵線與柵極驅(qū)動器的連接線簡稱為柵連接線,將數(shù)據(jù)線與 源極驅(qū)動器連接的數(shù)據(jù)連接線簡稱為數(shù)據(jù)連接線。以下不再對此做特別說明。本發(fā)明提供的陣列基板,通過在各柵連接線上通過絕緣層隔離形成有第一金屬線、和/或各數(shù)據(jù)連接線上通過絕緣層隔離形成有第二金屬線,這些金屬線與柵連接線或 數(shù)據(jù)連接線相對形成層間電容,而且所述第一金屬線與各條柵連接線正對的面積從對應(yīng)的 柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,所述第二金屬線與各條數(shù)據(jù)連接線正對的面積從對應(yīng)的源 極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,因而位于柵極驅(qū)動器中間的柵連接線或位于源極驅(qū)動器中間 的數(shù)據(jù)連接線上的電容的正對面積最大,電容也最大,從而減小了各柵線或各數(shù)據(jù)線上的RC延遲差異,提高液晶顯示器的畫面顯示質(zhì)量。本發(fā)明還公開了一種陣列基板的制造方法,包括在玻璃基板上形成陣列電路; 該方法進(jìn)一步包括與各柵連接線相對形成第一金屬線,和/或與各數(shù)據(jù)連接線相對形成 第二金屬線;其中,所述第一金屬線與所述各柵連接線之間通過絕緣層隔離,且相對面積從 對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減;所述第二金屬線與所述各數(shù)據(jù)連接線之間通過絕緣 層隔離,且相對面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減。本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法,除了在玻璃基板上形成常規(guī)的陣列電路外, 還包括與各柵連接線各柵連接線相對形成第一金屬線,和/或與各數(shù)據(jù)連接線相對形成第 二金屬線,這些金屬線與柵連接線或數(shù)據(jù)連接線相對形成層間電容,而且所述第一金屬線 與各條柵連接線正對的面積從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,所述第二金屬線與各 條數(shù)據(jù)連接線正對的面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,因而位于柵極驅(qū)動器中 間的柵連接線或位于源極驅(qū)動器中間的數(shù)據(jù)連接線上的電容的正對面積最大,電容也最 大,從而減小了各柵線或各數(shù)據(jù)線上的RC延遲差異,提高了液晶顯示器的畫面顯示質(zhì)量。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中柵線與柵極驅(qū)動器、數(shù)據(jù)線與源極驅(qū)動器的連接示意圖;圖2為本發(fā)明陣列基板實(shí)施例一中陣列基板上第一金屬線和第二金屬線的示意 圖;圖3為沿圖2所示C-C'方向的剖視圖;圖4為沿圖2所示D-D'方向的剖視圖;圖5為本發(fā)明陣列基板實(shí)施例二中柵連接線和數(shù)據(jù)連接線的示意圖;圖6為本發(fā)明的實(shí)施例陣列基板的制造方法的流程圖。附圖標(biāo)記說明A,柵極驅(qū)動器;B,源極驅(qū)動器;10,基板;20,顯示區(qū)域;30,柵連接線;40,柵絕緣 層;50,鈍化層;61,第一金屬線;62,第二金屬線;70,數(shù)據(jù)連接線;gl,g2,gl',g2',柵連 接線;dl,d2,dl',d2'數(shù)據(jù)連接線;g0,柵線;d0,數(shù)據(jù)線。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例陣列基板及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基 于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其 他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。陣列基板實(shí)施例一本發(fā)明的實(shí)施例提供的陣列基板 包括基板和設(shè)置于所述基板上的陣列電路,其 中,與柵線和柵極驅(qū)動器之間的各柵連接線相對、且通過絕緣層隔離設(shè)置有第一金屬線,所述第一金屬線與各柵連接線正對的面積從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減;和/或與 數(shù)據(jù)線和源極驅(qū)動器之間的各數(shù)據(jù)連接線相對、且通過絕緣層隔離設(shè)置有第二金屬線,所 述第二金屬線與各數(shù)據(jù)連接線正對的面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減。
形成的第一金屬線和第二金屬線可以參考圖2所示,圖中未示出各柵線、數(shù)據(jù)線 等結(jié)構(gòu),圖2中僅示出有一個柵極驅(qū)動器和一個數(shù)據(jù)線驅(qū)動器的情況。第一金屬線61和第 二金屬線62的寬度并不限于圖中所示的平行寬度,也可以是其它形狀,只需保證第一金屬 線正對柵連接線的面積、第二金屬線正對數(shù)據(jù)連接線的面積滿足上述要求即可。第一金屬 線61和第二金屬線62的形狀優(yōu)選與相應(yīng)的柵連接線或數(shù)據(jù)連接線形狀一樣。本發(fā)明提供的陣列基板,通過在各柵連接線上通過絕緣層隔離形成有第一金屬 線、和/或各數(shù)據(jù)連接線上通過絕緣層隔離形成有第二金屬線,這些金屬線與柵連接線或 數(shù)據(jù)連接線相對形成層間電容,而且所述第一金屬線與各條柵連接線正對的面積從對應(yīng)的 柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,所述第二金屬線與各條數(shù)據(jù)連接線正對的面積從對應(yīng)的源 極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,因而位于柵極驅(qū)動器中間的柵連接線或位于源極驅(qū)動器中間 的數(shù)據(jù)連接線上的電容的正對面積最大,電容也最大,從而減小了各柵線或各數(shù)據(jù)線上的 RC延遲差異,提高液晶顯示器的畫面顯示質(zhì)量。以下將說明本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)用于5次光刻工藝形成的液晶顯示器陣列基板中, 形成的層間電容結(jié)構(gòu)。如圖3所示,柵連接線30上依次沉積了 一層?xùn)沤^緣層40和鈍化層50 ;并且在所述 鈍化層50上,形成有第一金屬線61。其中,柵連接線30與柵線(圖中未示出)位于陣列基 板的同一層上,并且可以一次成型。因而圖3中顯示的柵絕緣層40也形成在柵線上方。第 一金屬線61與柵連接線30之間形成了層間電容。并且,在位于對應(yīng)的柵極驅(qū)動器中間的 柵連接線上方,正對第一金屬線61的面積較大,因而能夠形成較大的層間電容。而位于最 外側(cè)的兩條柵連接線上正對的第一金屬線面積最小,可以認(rèn)為形成的層間電容幾乎為零。如圖4所示,數(shù)據(jù)連接線70上通過鈍化層50的隔離相對形成有第二金屬線62。 其中數(shù)據(jù)連接線70與數(shù)據(jù)線(圖中未示出)位于同一層,并且可以一次成型,因而圖4中 顯示的鈍化層40也形成在數(shù)據(jù)線之上。第二金屬線62與所述數(shù)據(jù)連接線70之間形成了 層間電容。并且,位于對應(yīng)的源極驅(qū)動器中間的數(shù)據(jù)連接線上方,正對的第二金屬線62的 面積較大,因而能夠形成較大的層間電容。而位于最外側(cè)的兩條數(shù)據(jù)連接線上正對的第二 金屬線62的面積最小,可以認(rèn)為形成的層間電容幾乎為零。本實(shí)施例中,第一金屬線或第二金屬線優(yōu)選為透明導(dǎo)電薄膜形成,即為ITO(納米 銦錫金屬氧化物)。本實(shí)施例中,說明的是最普通的5次光刻工藝的情況,顯然4次或者3次光刻工藝 都可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,第一金屬線或第二金屬線可以相應(yīng)設(shè)置在各柵連接線、或各數(shù)據(jù)連接 線的上方或下方。對于4次光刻工藝的情況,在圖4中,數(shù)據(jù)連接線70的下方還包括了半 導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜。由于位于對應(yīng)的柵極驅(qū)動器中間的柵連接線、或位于對應(yīng)的源極驅(qū)動器中間的數(shù) 據(jù)連接線上電容較大,從而緩和了由于位于中間的柵連接線、或數(shù)據(jù)連接線的長度最短導(dǎo) 致的各柵線或數(shù)據(jù)線上較大的RC延遲差異,提高了液晶顯示器的畫面顯示質(zhì)量。以下將通過計(jì)算說明采用本實(shí)施例的方案如何減小不同柵線和數(shù)據(jù)線上的RC延遲差異。
如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中,柵線與柵極驅(qū)動器A連接的柵連接線或與源極驅(qū)動器 B連接的數(shù)據(jù)連接線示意圖,其中10為基板,20為顯示區(qū)域。首先計(jì)算現(xiàn)有技術(shù)中,柵線上的RC乘積的差異大小。由于RC延遲為r = ^/RC/2;r, 因而RC的乘積大,則RC延遲也大。所以以下將只比較RC乘積的大小。設(shè)Rgtl為顯示區(qū)域20上的各條柵線的電阻;Rgl為柵連接線的最小電阻,即如圖1 所示的位于中間的柵連接線gl的電阻;Rg2為柵連接線的最大電阻,即如圖1所示的位于最 下側(cè)的柵連接線g2的電阻。Cgtl為顯示區(qū)域20上各條柵線上的層間電容的大小,對于與gl 線或g2線相連的柵線g0,Cg0是相同的。gl線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積RC_gl為RC_gl = (Rgl+Rg0) XCg0 = Rgl X Cg0+Rg0 X Cg0(1);g2線與相應(yīng)的柵線上的RC延遲RC_g2為RC_g2 = (Rg2+Rg0) XCg0 = Rg2XCg0+Rg0XCg0(2);因而,各柵連接線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積的差異的最大值為RC_g = (Rg2-Rgl) XCg0(3)再計(jì)算現(xiàn)有技術(shù)中,數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的數(shù)據(jù)連接線上的RC乘積的差異大小。設(shè)Rdci為顯示區(qū)域20上的各條數(shù)據(jù)線上的電阻大??;Rdl為數(shù)據(jù)連接線的最小電 阻,即如圖1所示、位于中間的連接線dl的電阻;Cdtl為顯示區(qū)域20中各條數(shù)據(jù)線上的層間 電容的大小,對于dl線或d2線,Cdo是相同的。dl線與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線上的RC乘積為RC_dl = (Rdl+Rd0) X Cdo = Rdl X Cd0+Rd0 X Cdo(4);d2線與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線上的乘積為RC_d2 = (Rd2+Rd0) X Cdo = Rd2 X Cd0+Rd0 X Cdo(5);因而,數(shù)據(jù)連接線與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線上的RC乘積的差異的最大值為RC_d = (Rd2-Rdl) XCdo(6)本實(shí)施例在柵連接線上與絕緣層相對設(shè)置了第一金屬線,和/或在數(shù)據(jù)連接線上 與絕緣層相對設(shè)置了第二金屬線,以下將說明采用本實(shí)施例的方案對柵線或數(shù)據(jù)線上的RC 延遲差異的改善。柵連接線上采用了本實(shí)施例所述的第一金屬線后,Cgl表示gl線與金屬線相對形 成的層間電容的大??;Cg2表示g2線與第一金屬線相對形成的層間電容的大小。如圖2所
示,由于gl線上的第一金屬線面積較大,由電容公式,C =—,其中,ε為介電常數(shù),s為
柵連接線與第一金屬線的正對面積,d為柵連接線與第一金屬線之間的層間距離。因而gl 線上形成電容較大,即在本實(shí)施例中Cgl大于Cg2,從而能夠緩解由于gl線較短、導(dǎo)致的Rgl 小于Rg2弓丨起的RC延遲不一致的問題。由于g2線上第一金屬線的面積極小,可視為0,因而可認(rèn)為Cg2 = 0。gl線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積RC_g/為RC_gl ‘ = (Rgl+Rg0) X (Cg0+Cgl) = Rgl X Cg0+Rg0 X Cg0+Rgl X Cgl+Rg0 X Cgl (7);g2線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積RC_g2為
RC_g2 ‘ = (Rg2+Rg0) X (Cg0+Cg2) = Rg2 X Cg0+Rg0 X Cg0+Rg2 X Cg2+Rg0 X Cg2 (8);因而,各柵連接線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積的差異的最大值為RC_g' = (Rg2-Rgl) X Cg0-(Rg0+Rgl) XCgl(9);可見,相對于現(xiàn)有技術(shù)中,各柵連接線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積的最大差異RC_g =(Rg2-Rgl) XCgtl來說,采用本實(shí)施例的方案,各柵連接線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積的最大 差異RC_g'增加了 一項(xiàng)Ag = -(Rg0+Rgl) XCgl < 0 ;因而采用本實(shí)施例的方案之后,柵線上的RC延遲差異減小。具體地,各柵連接線上相對設(shè)置的第一金屬線的面積大小,可以通過計(jì)算來設(shè)置。 對于第i條柵線,如果要與圖中與g2相連的整條柵線上的RC延遲一致,則設(shè)Rgi表示第i 條柵連接線的電阻大?。籆gi表示所述第i條柵連接線上形成的層間電容的大小,Si表示第 i條柵連接線上的第一金屬線面積;則根據(jù)式(9)可得,RC_g ‘ = (Rg2-Rgi) X Cg0- (Rg0+Rgi) X Cgi (10)將C =代入式(10),可得RC.g' = (Rg2- Rgi) X Cg0 - (Rg0+ Rgi) x ^=0,
4^kdCg0(R,(Rg0°因而各條柵線連接上的第一金屬線的面積應(yīng)當(dāng)參照上式來設(shè)定。其中,Cg(l、Rg(l、Rg2 為定值,可以根據(jù)液晶顯示器的參數(shù)獲得。同理對于數(shù)據(jù)連接線與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線上的RC延遲差異來說,在引入與數(shù)據(jù)連接 線相對設(shè)置的第二金屬線后,也能夠減小,理論同上,這里不再贅述。本實(shí)施例采用的方案,可以只在柵連接線上沉積絕緣層和第一金屬線,從而形成 層間電容,對柵線上的RC延遲差異進(jìn)行改善;也可以只在數(shù)據(jù)連接線上沉積絕緣層和第二 金屬線,從而形成層間電容,對數(shù)據(jù)線上的RC延遲差異進(jìn)行改善;當(dāng)然還可以采用二者結(jié) 合的方案。陣列基板實(shí)施例二在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上,為了進(jìn)一步改善柵線或數(shù)據(jù)線上的RC延遲不一致的現(xiàn)象, 本實(shí)施例還可以對柵連接線、或數(shù)據(jù)連接線的形狀進(jìn)行改進(jìn)。如圖5所示,本實(shí)施例將各柵連接線、各數(shù)據(jù)連接線設(shè)計(jì)為有彎曲部分和直線部 分連接而成。所述各柵連接線的彎曲部分用于與柵極驅(qū)動器A相連接,且長度從對應(yīng)的柵 極驅(qū)動器A的中間向兩側(cè)遞減,所述柵連接線的直線部分與柵線g0相連接;所述數(shù)據(jù)連接 線的彎曲部分用于與源極驅(qū)動器B相連接,且長度從對應(yīng)的源極驅(qū)動器B的中間向兩側(cè)遞 減,所述數(shù)據(jù)連接線的直線部分與數(shù)據(jù)線d0相連接。并且,位于gl'兩側(cè)的各柵連接線的直線部分呈八字形排布;位于dl'兩側(cè)的各數(shù)據(jù)連接線的直線部分呈八字形排布。這種排布方式與圖1相同,因而,本實(shí)施例對柵連接 線或數(shù)據(jù)連接線的改進(jìn),即在彎曲部分。以下說明采用本實(shí)施例的方案對柵線或數(shù)據(jù)線上的RC延遲差異的改善。為了簡便起見,還是以柵線上的RC延遲差異來說明。Rgl'為柵連接線的最小電阻,即如圖5所示的位于中間的柵連接線gl'的電阻;Rg2‘為柵連接線的最大電阻,即如圖 5所示的位于最外側(cè)的柵連接線g2'的電阻。則實(shí)施例一中式(9)相應(yīng)為,RC_g〃 = (Rg2 ‘ -Rgl' ) XCg0-(Rg0+Rgl' ) XCgl(11)其中,由于gl'線上的彎曲部分最長,因而相對于實(shí)施例一 Rg/增大了;g2'線 上的彎曲部分最短,因而相對于實(shí)施例一 Rg2‘幾乎沒有增大,從而在柵線上的RC延遲最大 差異RC_g“中,(Rg2 ‘ -Rgl ‘ ) X Cgtl這一項(xiàng)減小了,而(RgQ+Rgl ) X Cgl增大了,從而進(jìn)一步 減小了柵連接線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積的最大差異RC_g"。在本實(shí)施例的基礎(chǔ)上來計(jì)算各條柵連接線上的RC延遲差異為零的情況。Rgi表示 第i條柵連接線的電阻大小;Cgi表示所述第i條柵連接線上與第一金屬線相對形成的層間 電容的大小;Rg2‘表示本實(shí)施例中位于最外側(cè)的連接線的電阻;Cg2‘表示g2'線上形成的 層間電容,可以認(rèn)為是零。gi線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積為RC_gi= (Rgi+Rg0) X (Cg0+Cgi)= Rgi X Cg0+Rg0 X Cg0+Rgi X Cgi+Rg0 X Cgi(12)g2'線與相應(yīng)的柵線上的RC乘積為RC_g2' = (Rg2+Rg0) X (Cg0+Cg2) = V XCg0+Rg0XCg0 ; (13)因而gi線與g2'上的RC乘積的差異為RC_g “ =Rg2' X Cg0-Rgi X Cg0-Rgi X Cgi-Rg0 X Cgi= (Rg2' -Rgi) XCg0-(Rgi+Rg0)Cgi(14)為了減少各條柵線之間的RC延遲,應(yīng)當(dāng)使RC_g〃 = 0,且由于Rgtl >> Rgi,則可得Cgi= (Rg2 ‘ -Rgi) XCg0/Rg0(15)其中,Cg(1、Rgtl為定值;Rg2'可以認(rèn)為與Rg2相等,也可以認(rèn)為是定值。則第i條連 接線的彎曲部分與第一金屬線形成的層間電容的大小Cgi可以通過式(15)計(jì)算獲得。當(dāng)然 計(jì)算的方法可選,為了精確起見,也可以不省略Rgi直接計(jì)算。Rgi的大小可以通過電阻公式進(jìn)行計(jì)算,其中P為柵連接線的金屬電阻
率,1為柵連接線長度,S'為柵連接線的橫截面積。在根據(jù)計(jì)算出的Rgi計(jì)算出Cgi的大小
之后,可以根據(jù)電容公式(=^^來計(jì)算需要在第i條金屬線上正對的第一金屬線的面
積S的大小。應(yīng)當(dāng)明確,要使RC乘積的差異為零或接近零,各條第一金屬線上的面積大小 與相應(yīng)的第一金屬線的長度緊密相關(guān),因而需要根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整第一金屬線的長度。通過本實(shí)施例所述的方式能夠?qū)崿F(xiàn)將柵線上的RC延遲差異減少到幾乎為零。同理,對于數(shù)據(jù)線上的RC延遲差異,采用本實(shí)施例的方案也能夠改善,理論計(jì)算 同上。為了能夠在集成工藝上更好地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,如圖5所示,各條柵連接線上的彎曲 部分平行排列。并且,位于柵連接線gl'的同一側(cè)的各柵連接線中,直線部分都互相平行。 各條數(shù)據(jù)連接線上的彎曲部分互相平行。并且,位于數(shù)據(jù)連接線dl'的同一側(cè)的各數(shù)據(jù)連 接線中,直線部分都互相平行。柵連接線的彎曲部分或數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分的形狀可以為矩形彎曲、三角彎 曲、圓形彎曲或以上任意幾種的組合。
本實(shí)施例陣列基板,可以只對柵極連接線采用本實(shí)施例所述的彎曲部分與直線部 分相結(jié)合的設(shè)計(jì),也可以只對數(shù)據(jù)連接線采用本實(shí)施例所述的彎曲部分與直線部分相結(jié)合 的設(shè)計(jì),或者也可以在兩部分上同時(shí)采用本實(shí)施例所述的設(shè)計(jì)。 比較圖2和圖5,第一金屬線61位于各條柵連接線的彎曲部分的正上方為一較佳 方案,并且第一金屬線61可以與對應(yīng)的柵連接線的彎曲部分形狀完全相同;第二金屬線62 位于各條數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分的正上方為一較佳方案,并且第二金屬線62可以與對應(yīng) 的數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分形狀完全相同。這樣的方案,能夠較為有效地改善各柵線或各數(shù) 據(jù)線的RC延遲差異。本發(fā)明的實(shí)施例提供的陣列基板,能夠減少各柵線或數(shù)據(jù)線上的RC 延遲的差異,提高液晶顯示器的畫面顯示質(zhì)量。本發(fā)明還公開了一種陣列基板的制造方法,包括在玻璃基板上形成陣列電路; 該方法進(jìn)一步包括與各柵連接線相對形成第一金屬線,和/或與各數(shù)據(jù)連接線相對形成 第二金屬線;其中,所述第一金屬線與所述各柵連接線之間通過絕緣層隔離,且正對面積從 對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減;所述第二金屬線與所述各數(shù)據(jù)連接線之間通過絕緣 層隔離,且正對面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減。形成的第一金屬線和第二金屬線可以參考圖2所示,圖中未示出各柵線、數(shù)據(jù)線 等結(jié)構(gòu)。第一金屬線61和第二金屬線62的寬度并不限于圖中所示的平行寬度,也可以是 其它形狀,只需保證第一金屬線正對柵連接線的面積、第二金屬線正對數(shù)據(jù)連接線的面積 滿足上述要求即可。第一金屬線61和第二金屬線62的形狀優(yōu)選與相應(yīng)的柵連接線或數(shù)據(jù) 連接線形狀一樣。本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法,除了在玻璃基板上形成常規(guī)的陣列電路外, 還包括與各柵連接線各柵連接線相對形成第一金屬線,和/或與各數(shù)據(jù)連接線相對形成第 二金屬線,這些金屬線與柵連接線或數(shù)據(jù)連接線相對形成層間電容,而且所述第一金屬線 與各條柵連接線正對的面積從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,所述第二金屬線與各 條數(shù)據(jù)連接線正對的面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,因而位于柵極驅(qū)動器中 間的柵連接線或位于源極驅(qū)動器中間的數(shù)據(jù)連接線上的電容的正對面積最大,電容也最 大,從而減小了各柵線或各數(shù)據(jù)線上的RC延遲差異,提高液晶顯示器的畫面顯示質(zhì)量。為了進(jìn)一步減少各柵線或數(shù)據(jù)線上的RC延遲,還可以在通過構(gòu)圖工藝形成柵線 圖形或數(shù)據(jù)線圖形時(shí),同時(shí)形成各柵連接線圖形或數(shù)據(jù)連接線圖形。形成的柵連接線和數(shù) 據(jù)連接線結(jié)構(gòu)可以參照圖5所示。所述柵連接線可以包括相連接的彎曲部分和直線部分, 所述柵連接線的彎曲部分用于與柵極驅(qū)動器相連接,且長度從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向 兩側(cè)遞減,所述柵連接線的直線部分與柵線相連接所述直線部分與柵線相連接。所述數(shù)據(jù) 連接線可以包括相連接的彎曲部分和直線部分,所述數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分用于與源極驅(qū) 動器相連接,且長度從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,所述數(shù)據(jù)連接線的直線部分 與數(shù)據(jù)線相連接。以下詳細(xì)描述將本發(fā)明的實(shí)施例結(jié)合5次光刻工藝完成陣列基板的制造的方案, 形成的各柵連接線或數(shù)據(jù)線連接以及金屬線結(jié)構(gòu)如陣列基板的各實(shí)施例所述。如圖6所示,本發(fā)明的實(shí)施例陣列基板的制造方法可以包括如下步驟;S601、沉積柵金屬薄膜,通過構(gòu)圖工藝在玻璃基板上形成包括柵線和柵連接線的 圖形,所述柵連接線包括相連接的彎曲部分和直線部分。
柵連接線的形狀如圖5所示,其中柵連接線的彎曲部分用于與柵極驅(qū)動器A相連 接,長度從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)依次遞減,即由柵連接線gl ‘向兩側(cè)遞減;柵 連接線的直線部分與柵線go相連接,位于gl'兩側(cè)的各柵連接線的直線部分呈八字形分
布。
在該步驟之前可以參照現(xiàn)有技術(shù)在玻璃基板上形成襯底結(jié)構(gòu),這里不再贅述。S602、在S601形成的玻璃基板上沉積柵絕緣層薄膜,其中包括在各連接線的彎曲 部分上也沉積了柵絕緣層。S603、在S602形成的玻璃基板上沉積半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜,利用構(gòu) 圖工藝形成有源層圖形。S604、在S603形成的玻璃基板上沉積源、漏金屬薄膜,利用構(gòu)圖工藝形成包括數(shù) 據(jù)線和數(shù)據(jù)連接線以及源、漏電極的圖形,數(shù)據(jù)連接線包括相連接的彎曲部分和直線部分。如圖5所示,其中數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分用于與源極驅(qū)動器B相連接,且長度從源 極驅(qū)動器B的中間向兩側(cè)依次遞減,即從數(shù)據(jù)連接線dl'向兩側(cè)依次遞減,數(shù)據(jù)連接線的 直線部分與數(shù)據(jù)線d0相連接,位于dl'兩側(cè)的各連接線的直線部分呈八字形分布。S605、在S604形成的玻璃基板上沉積一層鈍化層薄膜,其中包括在上述各彎曲部 分上也形成有鈍化層,通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形。S606、在S605形成的玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜,利用構(gòu)圖工藝形成像素電極 圖形,所述柵連接線彎曲部分上方的第一金屬線和數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分上方的第二金屬 線。形成的第一金屬線和第二金屬線的結(jié)構(gòu)可以參照圖2所示。位于柵極驅(qū)動器A的 中間的柵連接線的彎曲部分正對的第一金屬線61的面積最大,第一金屬線61與各柵連接 線正對的面積從中間向兩側(cè)依次遞減。位于源極驅(qū)動器B的中間的數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分 正對的第二金屬線62的面積最大,第二金屬線62與各數(shù)據(jù)連接線正對的面積從中間向兩 側(cè)依次遞減。第一金屬線61和第二金屬線62的形狀并不局限于圖中所示,只需第一金屬線61 和第二金屬線62與各彎曲部分正對的面積滿足上述要求即可。此外,一種優(yōu)選的方式是, 第一金屬線61的形狀與圖5中的柵連接線的彎曲部分的形狀相同;第二金屬線62的形狀 與圖5中的數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分的形狀相同。這種設(shè)置方式能夠較好地改善各柵線或數(shù) 據(jù)線上的RC延遲差異。原理可以參照上述陣列基板實(shí)施例一和實(shí)施例二中所述。另外,除了透明導(dǎo)電薄膜之外,第一金屬線和第二金屬線也可以通過其它金屬形 成。在柵連接線的彎曲部分上形成第一金屬線從而形成的層間電容的結(jié)構(gòu)可以參照圖3 所示,在數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分上形成第二金屬線從而形成的層間電容的結(jié)構(gòu)類似圖4所
7J\ ο本發(fā)明的實(shí)施例還可以與4次光刻工藝結(jié)合完成陣列基板的制造,采用4次光刻 工藝形成的陣列基板,略有不同,在圖4所示的數(shù)據(jù)連接線70的下方還有半導(dǎo)體層薄膜和 摻雜半導(dǎo)體層薄膜。本發(fā)明的實(shí)施例并不局限于上述實(shí)施例,可以僅在柵連接線的彎曲部分上形成上 述第一金屬線,或者僅在數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分上形成上述第二金屬線。本實(shí)施例的方案可以通過對陣列基板的制造流程進(jìn)行改進(jìn)而實(shí)現(xiàn),達(dá)到減小各柵線或數(shù)據(jù)線線上的RC延遲差異的目的,從而提高了液晶顯示面板的畫面顯示質(zhì)量。
以上所述,僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭 露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng) 涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種陣列基板,包括基板和設(shè)置于所述基板上的陣列電路,其特征在于與柵線和柵極驅(qū)動器之間的各柵連接線相對、且通過絕緣層隔離設(shè)置有第一金屬線,所述第一金屬線與各柵連接線正對的面積從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減;和/或與數(shù)據(jù)線和源極驅(qū)動器之間的各數(shù)據(jù)連接線相對、且通過絕緣層隔離設(shè)置有第二金屬線,所述第二金屬線與各數(shù)據(jù)連接線正對的面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述各柵連接線與所述第一金屬線之間為柵絕緣層和鈍化層,且所述第一金屬線位于 所述柵連接線的上方;所述各數(shù)據(jù)連接線與所述第二金屬線之間為鈍化層,且所述第二金屬線位于所述數(shù)據(jù) 連接線的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一金屬線或第二金屬線由透明導(dǎo)電薄膜形成,與像素電極同層設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板,其特征在于,所述各柵連接線、和/或各數(shù)據(jù)連接線包括相連接的彎曲部分和直線部分,所述各柵 連接線的彎曲部分用于與柵極驅(qū)動器相連接,且長度從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞 減,所述柵連接線的直線部分與柵線相連接;所述數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分用于與源極驅(qū)動器相連接,且長度從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的 中間向兩側(cè)遞減,所述數(shù)據(jù)連接線的直線部分與數(shù)據(jù)線相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述各柵連接線或各數(shù)據(jù)連接線的 彎曲部分的形狀包括以下任一項(xiàng)或多項(xiàng)的組合矩形彎曲、三角彎曲和圓形彎曲。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一金屬線與對應(yīng)的各柵連接 線的彎曲部分相對,或所述第二金屬線與對應(yīng)的各數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分相對。
7.—種陣列基板的制造方法,包括在玻璃基板上形成陣列電路;其特征在于,所述方法進(jìn)一步包括與柵線和柵極驅(qū)動器之間的各柵連接線相對形成第一金屬線,和/或與數(shù)據(jù)線和源極 驅(qū)動器之間的各數(shù)據(jù)連接線相對形成第二金屬線;其中,所述第一金屬線與所述各柵連接線之間通過絕緣層隔離,且正對面積從對應(yīng)的柵極驅(qū) 動器的中間向兩側(cè)遞減;所述第二金屬線與所述各數(shù)據(jù)連接線之間通過絕緣層隔離,且正 對面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述與各柵連接線相對 形成第一金屬線具體為在玻璃基板上通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形后,在所述各柵連接線上方,相對形成 第一金屬線的圖形;所述與各數(shù)據(jù)連接線相對形成第二金屬線具體為在玻璃基板上通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形后,在各數(shù)據(jù)連接線上方,相對形成第 二金屬線的圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,通過構(gòu)圖工藝在玻璃基板上形成柵線圖形的同時(shí),形成所述柵連接線圖形,所述柵連接線包括相連接的彎曲部分和直線部分,所述柵連接線的彎曲部分用于與柵極驅(qū)動器相連 接,且長度從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,所述柵連接線的直線部分與柵線相連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,通過構(gòu)圖工藝在玻璃基板上形成數(shù)據(jù)線圖形的同時(shí),形成所述數(shù)據(jù)連接線圖形,所述 數(shù)據(jù)連接線包括相連接的彎曲部分和直線部分,所述數(shù)據(jù)連接線的彎曲部分用于與源極驅(qū) 動器相連接,且長度從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減,所述數(shù)據(jù)連接線的直線部分 與數(shù)據(jù)線相連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8或9所述的陣列基板的制造方法,其特征在于, 所述第一金屬線或第二金屬線由透明導(dǎo)電薄膜形成,與像素電極同層形成。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例公開了一種基板及其制造方法,涉及顯示技術(shù),能夠解決液晶顯示面板中,由于各條柵線和數(shù)據(jù)線上的RC延遲不一致造成的顯示效果的降低。所述陣列基板包括基板和設(shè)置于所述基板上的陣列電路,其中,與柵線和柵極驅(qū)動器之間的各柵連接線相對、且通過絕緣層隔離設(shè)置有第一金屬線,所述第一金屬線與各柵連接線正對的面積從對應(yīng)的柵極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減;和/或與數(shù)據(jù)線和源極驅(qū)動器之間的各數(shù)據(jù)連接線相對、且通過絕緣層隔離設(shè)置有第二金屬線,所述第二金屬線與各數(shù)據(jù)連接線正對的面積從對應(yīng)的源極驅(qū)動器的中間向兩側(cè)遞減。本發(fā)明適用于液晶顯示器的制造。
文檔編號H01L27/12GK101847639SQ200910080788
公開日2010年9月29日 申請日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者李于華, 柳奉烈 申請人:北京京東方光電科技有限公司
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