專利名稱：具有有源元件的天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及無線通信領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及在這種無線通信中使用的天線。
背景技術(shù)：
由于新一代手機(jī)和其他無線通信設(shè)備變得越來越小，并且嵌入于越來越多應(yīng)用 中，因此需要新的天線設(shè)計(jì)來解決這些設(shè)備的固有的局限性。傳統(tǒng)的天線結(jié)構(gòu)需要一定的 物理體積，來產(chǎn)生在特定無線電頻率的并具有特定帶寬的諧振天線結(jié)構(gòu)。在多頻帶應(yīng)用中， 可能需要多于一個(gè)的這樣的諧振天線的結(jié)構(gòu)。隨著新一代無線設(shè)備的出現(xiàn)，這種傳統(tǒng)天線 結(jié)構(gòu)將需要考慮波束轉(zhuǎn)換、波束轉(zhuǎn)向(beam steering)、空間或極化天線多樣性、阻抗匹配、 頻率切換、模式切換等，以減少設(shè)備的尺寸并提高其性能。無線設(shè)備還經(jīng)歷與其他移動(dòng)電子設(shè)備的融合。由于數(shù)據(jù)傳輸速率以及處理器和內(nèi) 存資源的增加，使得在無線設(shè)備上提供多種產(chǎn)品和服務(wù)成為可能，其通常已經(jīng)為更多的傳 統(tǒng)電子設(shè)備保留。例如，現(xiàn)代移動(dòng)通信設(shè)備可以被配備接收廣播電視信號(hào)。與更傳統(tǒng)的蜂 窩通信的例如800/900MHZ和1800/1900MHZ的頻率相比，這些信號(hào)往往是在非常低的頻率 (例如，200-700MHz)廣播。此外，現(xiàn)代手機(jī)中使用的低頻雙波段內(nèi)置天線的設(shè)計(jì)面臨其他挑戰(zhàn)?，F(xiàn)有的移動(dòng) 設(shè)備的天線設(shè)計(jì)的一個(gè)問題是，其不容易在如此低的頻率上被激勵(lì)來接收所有廣播信號(hào)。 標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)要求在低頻工作時(shí)需制造較大的天線。特別是，由于目前的手機(jī)、PDA和類似的 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)趨向于越來越小的外形尺寸，這使得設(shè)計(jì)不同頻率應(yīng)用的內(nèi)置天線來適應(yīng) 小的外形尺寸變得越發(fā)困難。本發(fā)明解決了目前的天線設(shè)計(jì)的缺陷，以產(chǎn)生具有更高帶寬 的更有效的天線。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)方面中，多頻天線包括隔離型磁偶極子(IMD，IsolatedMagnetic Dipole )元件、一個(gè)或多個(gè)寄生元件和一個(gè)或多個(gè)有源調(diào)諧元件，其中有源元件偏離于 IMD元件設(shè)置。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，有源調(diào)諧元件適合于改變天線的頻率響應(yīng)。在一種實(shí)施方式中，寄生元件位于IMD元件之下。在另一實(shí)施方式中，寄生元件偏 離于MD元件設(shè)置。在一種實(shí)施方式中，有源調(diào)諧元件設(shè)置于一個(gè)或多個(gè)寄生元件上。在另一實(shí)施方式中，有源調(diào)諧元件和寄生元件可以設(shè)置于接地平面之上。而在又 一實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)寄生元件設(shè)置于IMD元件之下，且IMD元件與寄生元件之間的間 隙提供可調(diào)頻率。進(jìn)一步地，另一實(shí)施方式提供了，寄生元件在寄生元件之一連接到接地平 面的區(qū)域上具有有源調(diào)諧元件。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中提供了，多頻天線包括多個(gè)諧振元件。進(jìn)一步地，諧振 元件中每一個(gè)都可以包括有源調(diào)諧元件。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，天線具有包含一個(gè)或多個(gè)有源元件的外部匹配電路。
在一種實(shí)施方式中，天線中采用的有源調(diào)諧元件是以下項(xiàng)的至少一個(gè)壓控可調(diào) 電容器、壓控可調(diào)移相器、FET (場效應(yīng)管)和開關(guān)。本發(fā)明的另一方面涉及一種用于形成一種多頻天線的方法，該多頻天線提供接地 平面之上的IMD元件、一個(gè)或多個(gè)寄生元件以及所有適合于接地平面之上的一個(gè)或多個(gè)有 源調(diào)諧元件，并且有源調(diào)諧元件偏離于IMD元件設(shè)置。而本發(fā)明的另一方面提供了一種用于無線設(shè)備的天線陣列，該無線設(shè)備包括IMD 元件、一個(gè)或多個(gè)寄生元件以及一個(gè)或多個(gè)有源調(diào)諧元件，其中IMD元件可以位于襯底上， 而有源調(diào)諧元件位于偏離IMD元件。在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)寄生元件用于改 變IMD元件的場以改變天線的頻率。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的天線的一種實(shí)施方式。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的天線的另一實(shí)施方式。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的天線的一種實(shí)施方式，該天線具有分布在IMD元件附近 的多個(gè)寄生元件，寄生元件具有有源調(diào)諧元件。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)寄生元件的天線的另一種實(shí)施方式的側(cè)視圖， 寄生元件具有源調(diào)諧元件。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的具有寄生元件的天線的一種實(shí)施方式的側(cè)視圖，寄生元 件具有可變高度和有源調(diào)諧元件。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的具有寄生元件的天線的另一實(shí)施方式的側(cè)視圖，寄生元 件具有可變高度和有源調(diào)諧元件。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的具有寄生元件的天線的另一實(shí)施方式的側(cè)視圖，寄生元 件具有可變高度和有源調(diào)諧元件。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的具有寄生元件的天線，寄生元件具有包含在外部匹配電 路中的有源調(diào)諧元件。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的具有有源調(diào)諧元件和寄生元件的天線，寄生元件具有有 源調(diào)諧元件。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)諧振有源調(diào)諧元件和寄生元件的天線，寄生 元件具有有源調(diào)諧元件。圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的另一種天線，該天線具有為主要IMD元件和 寄生元件所利用的有源調(diào)諧元件。圖12a和12b示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的天線的有源調(diào)諧元件的示例性的頻 率響應(yīng)。圖13a和13b示出了通過根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的天線中的有源調(diào)諧元件的調(diào)節(jié)
的寬帶頻率覆蓋。圖14a_14d示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多種形狀的寄生元件。
具體實(shí)施例方式在以下描述中，為了解釋的目的并且不作為限制，闡述了細(xì)節(jié)和描述以提供本發(fā) 明的深入了解。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，本發(fā)明可以在脫離這些細(xì)節(jié)和描述的 其他的實(shí)施方式中被實(shí)踐。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的天線10包括隔離型磁偶極子元件11和 具有位于襯底的接地平面13上的有源調(diào)諧元件14的寄生元件12。在該實(shí)施方式中，有源 調(diào)諧元件14位于寄生元件12或者其垂直連接上。有源調(diào)諧元件可以是例如壓控可調(diào)電容 器、壓控可調(diào)移相器、FET、開關(guān)、MEMs器件、晶體管、或者可實(shí)現(xiàn)展示ON-OFF和/或主動(dòng)可 控電導(dǎo)/電感特性的電路中的任意一個(gè)或多個(gè)。進(jìn)一步地，在該實(shí)施方式中，IMD元件11和 接地平面13之間的距離大于寄生元件12和接地平面13之間的距離。由于寄生元件14和 IMD元件11之間的耦合，可以改變該距離以調(diào)節(jié)頻率。電流主要通過IMD元件11驅(qū)動(dòng)，其 從而允許改進(jìn)的功率處理和更高的效率。IMD元件與有源調(diào)諧結(jié)合使用，用于實(shí)現(xiàn)通信設(shè)備工作的可變頻率。同時(shí)，有源調(diào) 諧元件位于偏離IMD元件，以控制天線的頻率響應(yīng)。在一種實(shí)施方式中，這可以通過一個(gè)或 多個(gè)寄生元件的調(diào)諧來實(shí)現(xiàn)?？梢晕挥贗MD元件之下、之上或偏離其中心的寄生元件與IMD 元件耦合，以改變IMD元件的一個(gè)或多個(gè)工作特性。在一種實(shí)施方式中，寄生元件被激勵(lì)時(shí) 表現(xiàn)出四極子型(quadrapole-type)輻射方向圖(radiation pattern)。此外，MD元件可 以包括短截線型(stub type)天線。有源調(diào)諧元件的調(diào)節(jié)以及寄生元件的定位允許提高的帶寬和輻射方向圖的調(diào)節(jié)。 寄生位置、長度以及與IMD元件有關(guān)的定位允許增大或減小耦合，以及從而增大或減小工 作頻率和輻射方向圖特性的修正。有源調(diào)諧元件位于寄生元件上允許IMD和寄生元件之間 的耦合的精細(xì)調(diào)節(jié)，以及從而允許整個(gè)天線系統(tǒng)的頻率響應(yīng)的精細(xì)調(diào)諧。圖2示出了具有IMD元件21以及一個(gè)或多個(gè)寄生元件24的天線20的另一實(shí)施 方式，寄生元件24具有有源調(diào)諧元件22。所有的元件位于接地平面上。然而，在該實(shí)施方 式中，多個(gè)寄生元件24排列在x-y平面中，一個(gè)寄生元件被設(shè)置在另一個(gè)寄生元件之上，用 于多級(jí)調(diào)諧調(diào)節(jié)。接地平面與寄生元件之間的距離隨著寄生元件與IMD元件之間的距離一 同改變。這就允許來自耦合的頻率響應(yīng)和/或輻射方向圖的改變。該實(shí)施方式中的寄生元 件還具有在y軸上的長度可變的多個(gè)部分，也是便于進(jìn)一步操縱由IMD元件產(chǎn)生的輻射方 向圖。電流仍僅通過IMD元件驅(qū)動(dòng)，提供天線20的提高的效率。而圖3示出了用于改變來自IMD元件31的發(fā)射信號(hào)的另一實(shí)施方式。在該實(shí)施 方式中，天線30包括IMD元件31和多個(gè)寄生元件32。多個(gè)寄生元件32中的每一個(gè)具有與 其相連的有源調(diào)諧元件34。有源調(diào)諧元件34位于天線30的接地平面33上。在該實(shí)施方 式中，寄生元件32分布在IMD元件31周圍。如所示，寄生元件34可以在χ和y平面中的 兩個(gè)長度上改變，以及改變?chǔ)品较蛏系絀MD元件31的距離。表面面積改變以及到IMD元件 的接近度允許控制寄生元件和IMD元件之間的耦合以及IMD元件31的輻射方向圖的增加 的改變，其然后可以由每個(gè)分別的寄生元件32上的有源調(diào)諧元件33調(diào)節(jié)到期望的頻率。圖4是具有一般結(jié)構(gòu)的天線40的一種實(shí)施方式的側(cè)視圖，天線40包括位于略高于多個(gè)寄生元件42和多個(gè)有源調(diào)諧元件44的IMD元件41。所有的元件仍位于接地平面 43上，連接器在ζ方向上垂直擴(kuò)展。然而，根據(jù)其中設(shè)置這些元件的設(shè)備的結(jié)構(gòu)，元件可以位于任何平面內(nèi)，并且不應(yīng)局限于示例性的實(shí)施方式中所提供的那些平面。在該實(shí)施方式 中，多個(gè)有源調(diào)諧元件44位于寄生元件42上，固定高度不同以及從而到IMD元件41的距 離不同。同時(shí)，有源調(diào)諧元件44位于水平地在長度上擴(kuò)展并改變的多個(gè)寄生元件42之間。 在該結(jié)構(gòu)中，每個(gè)相應(yīng)的有源調(diào)諧元件能夠控制直接位于其上方的寄生元件，進(jìn)一步控制 天線的頻率輸出。由于多個(gè)寄生元件42的距離和表面面積關(guān)于IMD元件41改變并且關(guān)于 彼此改變，因此更多的改變是可實(shí)現(xiàn)的。在另一實(shí)施方式中，圖5提供了一種結(jié)構(gòu)，其中在接地平面53之上，奇異寄生元件 54可以在ζ方向的高度上改變。在這方面，寄生元件54被配置為不與IMD元件51平行的 板。更確切地，配置寄生元件54，以使自由端被設(shè)置為比連接到垂直連接器的一端更靠近 于IMD元件51。此外，IMD元件51、寄生元件54和有源調(diào)諧元件55全部位于接地平面上， 有源調(diào)諧元件55位于寄生元件54上。由于奇異寄生元件54可以在接地平面上方的高度 上改變，這就允許對IMD元件51與寄生元件54之間的耦合的更加的控制。這種特點(diǎn)產(chǎn)生 IMD元件51與寄生元件54之間的耦合區(qū)域52。此外，有源調(diào)諧元件55可以進(jìn)一步改變寄 生元件54與IMD元件51之間的耦合。寄生元件54在χ軸上的長度可以在很大程度上比 在其他的實(shí)施方式中的長，提供了更大的表面面積以更好地耦合IMD元件51，以及進(jìn)一步 操縱產(chǎn)生的頻率響應(yīng)和/或輻射方向圖?？勺兏叨鹊募纳拈L度還可以根據(jù)耦合的量 以及從而根據(jù)期望的頻率改變變得更短。在類似的實(shí)施方式中，圖6提供了圖5中提供的概念的變形，寄生元件64仍然在 ζ軸的高度上變化。在圖6的實(shí)施方式中，配置寄生元件64以使自由端設(shè)置得比連接到垂 直連接器的一端離IMD元件61更遠(yuǎn)。如圖5中所討論的，寄生元件64的長度可以改變，以 及在該實(shí)施方式中，與IMD元件61有關(guān)的寄生元件64的長度還可能由于寄生元件的上升 高度部分的方向改變而改變。這種改變還影響了寄生元件與IMD元件的耦合。當(dāng)處于更加 靠近IMD元件61的距離時(shí)，耦合區(qū)域62減小，允許耦合的略小的變化以及更穩(wěn)定地控制天 線的頻率輸出。與圖5中的類似，寄生元件64的長度比在其他實(shí)施方式中的更長，以及如 果需要小耦合則寄生元件64的長度可以更短。有源調(diào)諧元件65仍位于寄生元件64上，允 許更進(jìn)一步地控制天線的頻率特性。圖7提供了一種類似于圖5的示例性的實(shí)施方式，其中多個(gè)寄生元件72關(guān)于IMD 元件71和接地平面73在高度上改變。代替具有有源調(diào)諧元件65的寄生元件64的部分的 不斷下降或上升，該實(shí)施方式包括具有多個(gè)有源調(diào)諧元件74的階梯式配置來控制具體輸 出的頻率。更小的寄生階梯的一個(gè)或多個(gè)部分可以被分別調(diào)諧以實(shí)現(xiàn)天線的期望頻率輸
出ο然后，參照圖8中提供的實(shí)施方式，IMD元件81和具有有源調(diào)諧元件85的寄生元 件82全部位于接地平面83上。在該實(shí)施方式中，有源元件包含在天線結(jié)構(gòu)外部的匹配電路 84中。匹配電路84控制流入IMD元件81的電流，以匹配源和有源天線產(chǎn)生的負(fù)載之間的 電阻，以及從而實(shí)現(xiàn)更大帶寬的最小化反射和最大化功率傳輸。并且，增加匹配電路84允 許通過IMD元件81的更受控的頻率響應(yīng)。有源匹配電路可以被獨(dú)立地調(diào)節(jié)或者結(jié)合位于 寄生元件上的有源組件進(jìn)行調(diào)節(jié)，以更好地控制天線的頻率響應(yīng)和/或輻射方向圖特性。在另一實(shí)施方式中，圖9示出了另一結(jié)構(gòu)，其中具有有源調(diào)諧元件92的IMD元件 91合并在IMD元件91結(jié)構(gòu)上并且位于接地平面94上。與以上實(shí)施方式類似，寄生元件93還具有有源調(diào)諧元件92，以調(diào)節(jié)寄生元件93對IMD元件91的耦合。在該實(shí)施方式中，在 IMD元件91上的有源調(diào)諧元件92的添加包括一種器件，其可以展示ON-OFF和/或可控制電 容或電感特性。在一種實(shí)施方式中，有源調(diào)諧元件92可以包括晶體管器件、FET器件、MEMs 器件或者其他合適的控制元件或電路。在一種實(shí)施方式中，其中有源調(diào)諧元件顯示OFF特 性，已經(jīng)確定IMD元件91的LC特性可以被改變，以使IMD元件91工作在高于或低于具有 顯示ON特性的有源調(diào)諧元件的天線工作的頻率一個(gè)或多個(gè)倍頻程的頻率上。在另一實(shí)施 方式中，當(dāng)有源調(diào)諧元件92的電感被控制時(shí)，已經(jīng)確定IMD元件91的諧振頻率可以在窄帶 寬上快速變化。圖10示出了天線的另一實(shí)施方式，其中IMD元件101包括多個(gè)諧振元件105，每個(gè)諧振元件105包括一個(gè)有源元件104。同時(shí)，寄生元件102具有有源調(diào)諧元件104。寄生和 IMD元件都位于接地平面103上。向IMD元件101增加諧振元件105允許通過諧振相互作 用和修改的電流分布來實(shí)現(xiàn)多個(gè)諧振頻率輸出。圖11示出了具有有源調(diào)諧元件115的多種實(shí)現(xiàn)的天線的一種實(shí)施方式，有源調(diào)諧 元件115結(jié)合主IMD元件111和寄生元件113被利用，主IMD元件111和寄生元件113都 位于天線的接地平面114上。在該實(shí)施方式中，IMD元件111具有多個(gè)諧振元件117，每個(gè) 諧振元件具有用于調(diào)諧的有源元件115。寄生元件113具有寄生元件113的結(jié)構(gòu)上的有源 元件115以及寄生元件113連接到接地平面114的區(qū)域上的有源元件115。同時(shí)，存在連接 到IMD元件111的外部匹配電路116和連接到寄生元件113的外部匹配電路116。有源調(diào) 諧元件115也包括在IMD元件111和寄生元件113外部的匹配電路116中。元件的增加允 許天線的準(zhǔn)確頻率響應(yīng)的精細(xì)調(diào)諧。在諧振元件和寄生元件上的每個(gè)調(diào)諧元件及其位置可 以更好地控制發(fā)射的或接收的信號(hào)的精確的頻率響應(yīng)。圖12a和圖12b提供了當(dāng)偏離IMD元件設(shè)置的有源調(diào)諧元件用于改變天線的頻率 響應(yīng)時(shí)獲取的示例性的頻率響應(yīng)。圖12a提供了天線的回波損耗121 (y軸)與頻率122(x 軸)的關(guān)系曲線圖示。沿圖12a的y軸顯示的回波損耗表示天線和收發(fā)機(jī)之間的阻抗匹配 的度量。圖12b提供了天線的效率123與頻率122的關(guān)系曲線圖示。在每個(gè)圖中，F(xiàn)l表示 在激活調(diào)諧元件之前的IMD元件的頻率響應(yīng)，例如天線的基頻。F2表示當(dāng)使用有源調(diào)諧元 件將頻率響應(yīng)移至較低的頻率時(shí)的天線的頻率響應(yīng)。F3表示當(dāng)使用有源調(diào)諧元件將頻率響 應(yīng)移至較高的頻率時(shí)的天線的頻率響應(yīng)。圖13a和圖13b提供了顯示其中有源調(diào)諧元件被調(diào)節(jié)的示例性實(shí)施方式的圖示， 其改變天線發(fā)射的或接收的信號(hào)(即頻率響應(yīng))。該圖示出了通過有源調(diào)諧元件的調(diào)節(jié)可 以獲得寬帶頻率覆蓋。通過生成多調(diào)諧“狀態(tài)”，還可以實(shí)現(xiàn)寬頻率范圍的回波損耗要求和 效率變化。這就允許當(dāng)輸出頻率被操縱時(shí)天線仍保持效率和回波損耗要求。根據(jù)以上所討論的，暴露于IMD元件的表面面積、到IMD元件的距離以及寄生元 件的形狀可以影響耦合，并從而影響IMD元件產(chǎn)生的可變頻率響應(yīng)和/或輻射方向圖。圖 14A-D提供了寄生元件141、142、143、144的可能形狀的一些實(shí)施方式。例如，在一種簡化的 實(shí)施方式中，寄生元件141提供了最小的表面面積和簡化的規(guī)矩的形狀，其可以暴露給IMD 元件以及被有源元件145調(diào)諧。寄生提供給IMD元件的更小和更少的暴露意味著可以獲得 較少的頻率改變。對于寄生元件，如143和144中提供的實(shí)施方式，可以在天線的頻率響應(yīng) 中實(shí)現(xiàn)更大的帶寬以及仍可有源地調(diào)諧145。寄生元件的形狀不受所示的類型的約束，并可以被改變以獲得需要在許多不同類型的通信設(shè)備中使用的天線的期望頻率。
盡管已經(jīng)公開了本發(fā)明的具體的實(shí)施方式，然而應(yīng)理解的是，在所附權(quán)利要求的 真實(shí)精神和范圍內(nèi)，各種不同的修改和組合是可能的以及被設(shè)想的。因此，沒有限制 于這里 展示的確切的摘要和公開的意圖。
權(quán)利要求
一種多頻天線，包括隔離型磁偶極子(TMD)元件；一個(gè)或多個(gè)寄生元件；以及一個(gè)或多個(gè)有源調(diào)諧元件；其中所述有源調(diào)諧元件偏離于所述IMD元件設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述有源調(diào)諧元件適合于改變所述天線的頻率響應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其中所述一個(gè)或多個(gè)寄生元件位于所述IMD元件之下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其中所述一個(gè)或多個(gè)寄生元件與所述IMD元件分開設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述有源調(diào)諧元件設(shè)置于一個(gè)或多個(gè)寄生元件上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其中所述IMD元件、有源調(diào)諧元件和寄生元件設(shè)置于接 地平面之上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線，其中所述IMD元件和所述寄生元件之間的間隙提供了可調(diào)諧頻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其中所述寄生元件在所述寄生元件之一連接到接地平 面的區(qū)域處具有有源元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其中所述天線包括多個(gè)諧振元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的天線，其中所述每個(gè)諧振元件具有有源調(diào)諧元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其中所述天線包括外部匹配電路，所述外部匹配電路 包括一個(gè)或多個(gè)有源調(diào)諧元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其中所述有源調(diào)諧元件是以下項(xiàng)中的至少一個(gè)壓控 可調(diào)諧電容器、壓控可調(diào)諧移相器、FET和開關(guān)。
13.一種方法，用于形成具有可變頻率的天線，所述方法包括 在接地平面之上提供IMD元件；在所述接地平面之上設(shè)置寄生元件；以及 偏離所述IMD元件設(shè)置至少一個(gè)有源調(diào)諧元件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中寄生元件設(shè)置于所述IMD天線之下，以在更低的頻率上諧振。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述寄生元件偏離所述IMD天線設(shè)置，以在更低 的頻率上諧振。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述寄生元件吸收來自所述MD元件的波并將 所述波耦合到發(fā)射的信號(hào)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步提供了改變輻射方向圖的寄生元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述寄生元件耦合到所述IMD元件。
19.一種天線陣列，用于無線設(shè)備，所述天線陣列包括 IMD元件，該IMD元件布置在襯底上；以及一個(gè)或多個(gè)寄生元件，該一個(gè)或多個(gè)寄生元件適合于改變所述IMD元件產(chǎn)生的場；一個(gè)或多個(gè)有源調(diào)諧元件，該一個(gè)或多個(gè)有源調(diào)諧元件偏離所述IMD元件設(shè)置。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的天線陣列，其中所述寄生元件用于改變所述IMD元件的頻 率。
全文摘要
一種多頻天線，包括IMD元件、有源調(diào)諧元件和寄生元件。IMD元件與有源調(diào)諧和寄生元件結(jié)合來使用，從而實(shí)現(xiàn)天線工作的可變頻率，其中，當(dāng)被激勵(lì)時(shí)，寄生元件可以耦合IMD元件來改變IMD元件的工作特性。
文檔編號(hào)H01L35/00GK101816078SQ200880110088
公開日2010年8月25日 申請日期2008年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月20日
發(fā)明者勞倫·德克勞斯, 杰弗里·薛柏林, 羅蘭·瓊斯, 賽巴斯蒂安·羅森, 韓哲敏 申請人:艾斯特里克有限公司