專利名稱：在蝕刻高縱橫比結(jié)構(gòu)中降低微負載的方法
在蝕刻高縱橫比結(jié)構(gòu)中降低微負載的方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及蝕刻具有不同縱橫比特征的導(dǎo)電層。更具體地，本發(fā)明涉及在蝕刻具 有開口 (open)和密集的特征的導(dǎo)電層過程中降低微負載。 在半導(dǎo)體晶片處理期間，有時半導(dǎo)體器件會具有開口和密集的特征。這些開口特 征具有較寬的寬度，而這些密集的特征具有較窄的寬度。結(jié)果，該半導(dǎo)體器件會具有不同縱 橫比的特征。特征的縱橫比是特征的高度和寬度之間的比。因此，如果半導(dǎo)體器件上所有特 征的高度近似相同，那么開口特征具有相對低的縱橫比，而密集特征具有相對高的縱橫比。
在這種具有不同縱橫比的特征的半導(dǎo)體器件蝕刻期間，特別是當(dāng)特征的縱橫比高 時，微負載變成常見問題。結(jié)果，開口特征比密集特征蝕刻得更快。通常，當(dāng)開口特征的蝕 刻完成時，密集特征的蝕刻可能僅僅部分完成。這稱為"依賴縱橫比蝕刻"。繼續(xù)進行蝕刻 工藝以完成密集特征的蝕刻會導(dǎo)致將開口特征蝕刻進正在蝕刻的層下方的層中(如基片) 并且損害半導(dǎo)體器件。 對于依賴縱橫比的蝕刻，通常的蝕刻工藝參數(shù)變化對于降低開口和密集特征之間 的微負載具有很小的或者沒有作用。因此，所需要的是能夠解決上面提到的問題的系統(tǒng)和 方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)前面所述的以及按照本發(fā)明的目的，在一個實施例中，提供一種在導(dǎo)電 層中蝕刻不同縱橫比的特征的方法。該方法包括利用依賴縱橫比的沉積在該導(dǎo)電層上方 沉積；利用對該導(dǎo)電層的依賴縱橫比的蝕刻將特征蝕刻進該導(dǎo)電層；以及至少重復(fù)一次該 沉積和該蝕刻。 在另一實施例中，提供一種在導(dǎo)電層中蝕刻不同縱橫比的特征的方法。該方法 包括利用依賴縱橫比的沉積在該導(dǎo)電層上方沉積；利用對該導(dǎo)電層的依賴縱橫比的蝕 刻將特征蝕刻進該導(dǎo)電層；以及至少重復(fù)一次該沉積和該蝕刻，其中該特征的縱橫比大于 7 : l，較寬特征的寬度至少是較窄特征的寬度的五倍，該沉積有選擇地在較寬特征底部上 比較窄特征的底部和該特征的側(cè)壁上沉積更多，該蝕刻有選擇地蝕刻該較寬特征比該較窄 特征快。 在又一實施例中，提供一種在導(dǎo)電層中蝕刻不同縱橫比的特征的設(shè)備。該設(shè)備包 括等離子處理室、氣體源和控制器。該等離子處理室包括形成等離子處理室外殼的室壁； 在該等離子處理室外殼內(nèi)支撐基片的基片支撐件；用于調(diào)節(jié)該等離子處理室外殼內(nèi)壓力的 壓力調(diào)節(jié)器；至少一個電極，用于提供功率至該等離子處理室外殼以維持等離子；至少一 個RF功率源，電氣連接到該至少一個電極；氣體入口 ，用以將氣體提供進該等離子處理室 外殼；以及氣體出口 ，用以從該等離子處理室外殼排出氣體。 該氣體源與該等離子處理室的氣體入口流體連通并包括沉積氣體源；以及蝕刻 氣體源。 該控制器以可控方式連接到該氣體源和該等離子處理室的至少一個RF功率源，
4包括至少一個處理器；以及計算機可讀介質(zhì)，包括用于利用依賴縱橫比的沉積在該導(dǎo)電 層上方沉積的計算機可讀代碼；用于利用對該導(dǎo)電層的依賴縱橫比的蝕刻將特征蝕刻進該 導(dǎo)電層的計算機可讀代碼；以及用于至少重復(fù)一次該沉積和該蝕刻的計算機可讀代碼。
本發(fā)明的這些和其他特征將在下面的具體描述中結(jié)合附圖更詳細地說明。


在附圖中，本發(fā)明作為示例而不是作為限制來說明，其中類似的參考標號指出相 似的元件，其中 圖1是本發(fā)明一個實施例的高層流程圖。
圖2是可用來蝕刻的等離子處理室的示意圖。 圖3A-B說明計算機系統(tǒng)，其適于實現(xiàn)用于本發(fā)明的實施例的控制器。
圖4A-F是按照本發(fā)明一個實施例進行處理的堆疊的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將根據(jù)其如在附圖中說明的幾個實施方式來具體描述本發(fā)明。在下面的描述 中，闡述許多具體細節(jié)以提供對本發(fā)明的徹底理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯然，本發(fā) 明可不利用這些具體細節(jié)的一些或者全部而實施。在有的情況下，公知的工藝步驟和/或 結(jié)構(gòu)沒有說明，以避免不必要的混淆本發(fā)明。 在具有不同縱橫比或不同寬度的特征的半導(dǎo)體器件蝕刻期間，特別是當(dāng)這些特征 的縱橫比高時，微負載因為擴散而變成常見的問題。蝕刻化學(xué)制劑進入該較寬的開口特征 比進入較窄的密集特征快。類似地，該蝕刻工藝的副產(chǎn)物從該較寬的開口特征出來得比該 較窄的密集特征快。結(jié)果，開口特征(即具有較寬的寬度的特征)比密集特征(即，具有較 窄寬度的特征)蝕刻得快。 為了便于理解，圖1是用于本發(fā)明一個實施例的工藝的高層流程圖。圖案化有不 同縱橫比的特征(即，開口和密集特征)的掩模層形成在導(dǎo)電層上方(步驟100)。該開口和 密集特征將最終被蝕刻進該導(dǎo)電層。依賴縱橫比的沉積在該導(dǎo)電層上方進行(步驟iio)。 在這個實施例中，該開口 (較寬)和密集(較窄)特征使用該導(dǎo)電層上方的掩模或硬掩模 來圖案化。該導(dǎo)電層上方的沉積必須是依賴縱橫比的，從而該開口 (較寬)特征內(nèi)可比該 密集(較窄)特征內(nèi)沉積更多的材料。這個依賴縱橫比的沉積是由在蝕刻室中執(zhí)行沉積時 相對低的晶片溫度導(dǎo)致的。該沉積過程執(zhí)行特定的時間。在一個實施例中，該沉積過程在 過多的材料沉積在該特征的側(cè)壁上方之前停止，從而這些特征的開口不會明顯變窄。
接著，對該導(dǎo)電層進行依賴縱橫比的蝕刻(步驟120)。該蝕刻工藝首先蝕刻穿之 前在步驟110期間沉積在該導(dǎo)電層上方的沉積物，然后繼續(xù)蝕刻進該導(dǎo)電層。開口 (較寬) 和密集(較窄)特征兩者都蝕刻進該導(dǎo)電層。并且，該導(dǎo)電層的蝕刻是依賴縱橫比的，因為 擴散導(dǎo)致該開口 (較寬)特征比該密集(較窄)特征更快蝕刻進該導(dǎo)電層。但是因為開口 (較寬)特征中有更厚的沉積物，該導(dǎo)電層的蝕刻比該密集(較窄)特征處延遲更多。只要 該開口 (較寬)特征處的導(dǎo)電層的蝕刻比該密集(較窄)特征處開始得晚，就可以降低或 者逆轉(zhuǎn)蝕刻微負載。該蝕刻工藝持續(xù)特定時間。 確定該蝕刻工藝是否完成(步驟130)。當(dāng)所有該開口和密集特征完全蝕刻進該導(dǎo)電層時，該蝕刻工藝完成。換句話說，當(dāng)達到該導(dǎo)電層中的蝕刻終點時，該蝕刻工藝完成，該 蝕刻終點是預(yù)先定義的該特征需要向下蝕刻進該導(dǎo)電層的程度或深度。如果該蝕刻工藝還 沒有完成，重復(fù)步驟110和120。如果該蝕刻工藝完成，則停止該蝕刻工藝。在這個實施例 中，步驟110和120重復(fù)至少一次，但是必要時可重復(fù)許多次以完成該導(dǎo)電層的蝕刻?？蛇x 地，在該蝕刻工藝完成后，可去除該掩模層(步驟140)。 為了蝕刻該導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層和相關(guān)的堆疊設(shè)在等離子處理室。圖2是等離子處 理系統(tǒng)200的示意圖，包括等離子處理工具201。該等離子處理工具201是電感耦合等離子 蝕刻工具并包括其中具有等離子處理室204的等離子反應(yīng)器202。變壓器耦合功率(TCP) 控制器250和偏置功率控制器255分別控制TCP電源251和偏置電源256，影響該等離子室 204內(nèi)產(chǎn)生的等離子224。 該TCP功率控制器250設(shè)定TCP電源251的設(shè)定值，該電源配置將13. 56腿z的射 頻信號(由TCP匹配網(wǎng)絡(luò)252調(diào)諧)提供至設(shè)在該等離子室204附近的TCP線圈253。提 供RF透明窗254以將TCP線圈253與等離子室204分離，同時允許能量從TCP線圈253傳 到等離子室204。 一種光透明窗265由設(shè)在該RF透明窗254孔中的直徑大約2. 5cm(1英 寸)的藍寶石圓片提供。 該偏置功率控制器255設(shè)置偏置電源256的設(shè)定值，該電源配置為將RF信號(由
偏置匹配網(wǎng)絡(luò)257調(diào)諧)提供至設(shè)在該等離子室204內(nèi)的卡盤電極208，在電極208上方產(chǎn)
生直流(DC)偏置，該電極適于接收所處理的基片206，如半導(dǎo)體晶片工件。 氣體供應(yīng)機構(gòu)或氣體源210包括經(jīng)由氣體歧管217連接以將工藝所需的適當(dāng)?shù)幕?br> 學(xué)制劑提供至該等離子室204內(nèi)部的多個氣體源。 一個氣體源可以是蝕刻氣體源215，其
提供用于蝕刻該導(dǎo)電層的適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)制劑。另一氣體源可以是沉積氣體源216，其提供用
于沉積在該導(dǎo)電層上的適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)制劑。氣體排出機構(gòu)218包括壓力控制閥219和排氣泵
220，并且從該等離子室204內(nèi)去除顆粒以及維持該等離子室204內(nèi)特定壓力。 溫度控制器280通過控制加熱器電源284而控制提供在該卡盤電極208內(nèi)的加熱
器282的溫度。該等離子處理系統(tǒng)200還包括電子控制電路270。該等離子處理系統(tǒng)200
還可包括終點檢測器260。 圖3A和3B說明計算機系統(tǒng)，其適于實現(xiàn)用于本發(fā)明一個或多個實施例的控制器 235。圖3A示出該計算機系統(tǒng)300的一種可能的物理形式。當(dāng)然，該計算機系統(tǒng)可以具有 從集成電路、印刷電路板和小型手持設(shè)備到巨型超級計算機的范圍內(nèi)的許多物理形式。計 算機系統(tǒng)300包括監(jiān)視器302、顯示器304、機箱306、磁盤驅(qū)動器308、鍵盤310和鼠標312。 磁盤314是用來與計算機系統(tǒng)300傳入和傳出數(shù)據(jù)的計算機可讀介質(zhì)。
圖3B是計算機系統(tǒng)300的框圖的一個例子。連接到系統(tǒng)總線320的是各種各樣 的子系統(tǒng)。處理器322(也稱為中央處理單元，或CPU)連接到存儲設(shè)備，包括存儲器324。 存儲器324包括隨機訪問存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)。如本領(lǐng)域所公知的，ROM用 作向CPU單向傳輸數(shù)據(jù)和指令，而RAM通常用來以雙向的方式傳輸數(shù)據(jù)和指令。這兩種類 型的存儲器可包括下面描述的任何合適的計算機可讀介質(zhì)。固定磁盤326也是雙向連接 到CPU322 ;其提供額外的數(shù)據(jù)存儲并且也包括下面描述的任何計算機可讀介質(zhì)。固定磁盤 326可用來存儲程序、數(shù)據(jù)等，并且通常是次級存儲介質(zhì)(如硬盤)，其比主存儲器慢?？梢?理解的是保留在固定磁盤326內(nèi)的信息可以在適當(dāng)?shù)那闆r下作為虛擬存儲器以標準的方式結(jié)合在存儲器324中?？梢苿哟疟P314可以采用下面描述的任何計算機可讀介質(zhì)的形式。
CPU 322還連接到各種輸入/輸出設(shè)備，如顯示器304、鍵盤310、鼠標312和揚聲 器330。通常，輸入/輸出設(shè)備可以是下面的任何一種視頻顯示器、軌跡球、鼠標、鍵盤、麥 克風(fēng)、觸摸顯示器、轉(zhuǎn)換器讀卡器、磁帶或紙帶閱讀器、書寫板、觸針、語音或手寫識別器、生 物閱讀器或其他計算機。CPU 322可選地可使用網(wǎng)絡(luò)接口 340連接到另一臺計算機或者電 信網(wǎng)絡(luò)。利用這樣的網(wǎng)絡(luò)接口 ，計劃在執(zhí)行上述方法步驟地過程中，CPU可從網(wǎng)絡(luò)接收信息 或者向網(wǎng)絡(luò)輸出信息。此外，本發(fā)明的方法實施方式可在CPU 322上單獨執(zhí)行或者可在如 Internet的網(wǎng)絡(luò)上與共享該處理一部分的遠程CPU —起執(zhí)行。 另外，本發(fā)明的實施方式進一步涉及具有計算機可讀介質(zhì)的計算機存儲產(chǎn)品，在 計算機可讀介質(zhì)上有用于執(zhí)行各種計算機實現(xiàn)的操作的計算機代碼。該介質(zhì)和計算機代碼 可以是那些為本發(fā)明目的專門設(shè)計和構(gòu)建的，或者它們可以是對于計算機軟件領(lǐng)域技術(shù)人 員來說公知并且可以得到的類型。計算機可讀介質(zhì)的例子包括，但不限于磁介質(zhì)，如硬盤、 軟盤和磁帶；光介質(zhì)，如CD-ROM和全息設(shè)備；磁_光介質(zhì)，如光軟盤；以及為了存儲和執(zhí)行 程序代碼專門配置的硬件設(shè)備，如專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)以及ROM和 RAM器件。計算機代碼的例子包括如由編譯器生成的機器代碼，以及包含高級代碼的文件， 該高級代碼能夠由計算機使用解釋器來執(zhí)行。計算機可讀介質(zhì)還可以是在載波中由計算機 數(shù)據(jù)信號攜帶的并且表示能夠被處理器執(zhí)行的指令序列的計算機代碼。
為了便于理解本發(fā)明，圖4A-F是按照本發(fā)明一個實施例處理的堆疊的示意圖。
圖4A是堆疊400的剖視示意圖，具有基片410，其上方設(shè)有蝕刻層420。該蝕刻層 420是導(dǎo)電層，如鎢(W)、硅化鎢(WSi2)或鋁(Al)。掩模層430形成在該導(dǎo)電層420上方 (步驟100)。該掩模層430可以是碳基掩模(如CH或CF)或氧化物基硬掩模(如SiO)。 該掩模層430圖案化有開口特征440和密集特征450兩者。 該開口特征440的寬度441相對該密集特征450的寬度451大。換句話說，該開 口特征440具有比該密集特征450更寬的開口。因此，該開口特征440也可稱為"較寬"特 征，該密集特征450也可稱為"較窄"特征。優(yōu)選地，該開口或較寬特征440的寬度至少是 該密集或較窄特征450的五倍。更優(yōu)選地，該開口或較寬特征440的寬度至少是該密集或 較窄特征450的十倍。最優(yōu)選地，該開口或較寬特征440的寬度至少是該密集或較窄特征 450的二十倍。 在該導(dǎo)電層上方進行的依賴縱橫比的沉積持續(xù)一定時間(步驟110)。圖4B示出 在沉積完成之后該堆疊400的剖視示意圖。在該開口 (較寬、低縱橫比)特征440里面、尤 其是在其底部的沉積物443比該密集(較窄、高縱橫比)特征450里面的沉積物453多，因 為沉積化學(xué)制劑進到該開口特征440里面比進到該密集特征450里面快。因此，該沉積依 賴縱橫比。優(yōu)選地，該開口特征440底部上的沉積物至少是在該密集特征450底部上的兩 倍。 此外，該沉積是非共形的，從而在這些特征的底部上的沉積物比在這些特征側(cè)壁 上方的沉積物多得多。在該特征的側(cè)壁上具有很少或者沒有沉積物可防止該特征的開口變 窄。在這個示例中，該沉積物可以是氧化硅(SiO)基(如使用3化1402等離子)，或碳或氫 氟碳(C-H-(F， Cl， Br))基(如使用CH4/HBr等離子)。在該掩模層430的頂部還可以有一 定量的沉積物446、456。
對該導(dǎo)電層進行的依賴縱橫比的蝕刻持續(xù)一段時間(步驟120)。圖4C示出在蝕 刻完成之后該堆疊400的剖視示意圖。該蝕刻工藝首先蝕刻穿在之前的步驟(步驟110) 中沉積在該導(dǎo)電層420上方的該沉積物443、453，然后繼續(xù)將該特征440 、450蝕刻進該導(dǎo)電 層420。該沉積物443、453的蝕刻產(chǎn)生導(dǎo)電層420上開口 (較寬)特征的蝕刻中的延遲。
該導(dǎo)電層420的蝕刻依賴縱橫比。其受到擴散限制。該開口 (較寬、低縱橫比)特 征440的蝕刻比該密集(較窄、高縱橫比)特征450快。然而，因為在該開口特征440底部 上的沉積物443比在該密集特征450底部上的沉積物453多，其補償了該開口特征440的 較快蝕刻，并且在蝕刻步驟期間，對于開口 440和密集450特征兩者，導(dǎo)電層420被蝕刻掉 近似相同的深度(零微負載)。還可通過改變沉積和蝕刻步驟的時間實現(xiàn)相反的或正的微 負載。 確定該導(dǎo)電層的蝕刻是否完成(步驟130)。圖4C中，該導(dǎo)電層420還沒有完全蝕 刻，也就是，該特征還沒有到達該導(dǎo)電層420的底部。因此，重復(fù)該沉積和蝕刻步驟。
圖4D示出該堆疊400在第二個沉積完成之后的剖視示意圖。并且，該開口 (較寬， 低縱橫比)特征440里面的沉積物443比該密集(較窄，高縱橫比)特征450里面的沉積 物453多。 一些密集特征450在其底部幾乎沒有任何沉積物453。在特征的底部上比在特 征的側(cè)壁上有更多的沉積物。以及在該掩模層430頂部上還可有一定量的沉積物446、456。
圖4E示出該堆疊400在第二個蝕刻完成之后的剖視示意圖。此時，該導(dǎo)電層420 已經(jīng)完全蝕刻。也就是，已經(jīng)到達該導(dǎo)電層420中的蝕刻終點?？赏Ｖ乖摴に?。
可選地，可去除該掩模層430 (步驟140)。圖4F示出僅有該基片410和該導(dǎo)電層 420的堆疊400的剖視示意圖，該導(dǎo)電層420具有蝕刻進其中的開口 440和密集450特征。 可去除該掩模層430。 該開口 (較寬)特征440的寬度441相對大于該密集(較窄)特征450的寬度 451。該開口 (較寬)特征440和該密集(較窄)特征450兩者的高度442近似相同。因 此，該開口 (較寬)特征440的縱橫比相對低于或小于該密集(較窄)特征450的縱橫比。 在這個示例中，該導(dǎo)電層420中的特征的縱橫比可大于1 : 1。在另一示例中，該導(dǎo)電層420 中的特征的縱橫比可大于7 : 1。在第三示例中，該導(dǎo)電層420中的特征的縱橫比可大于 15 : 1。在這個示例中，該密集(較窄)特征的寬度大約30納米(nm)或更少。該特征的 高度大約220nm或更多。 在這個示例中，該沉積和蝕刻步驟僅重復(fù)一次，因為在這個示例中，當(dāng)該導(dǎo)電層
420完全蝕刻時，到達該蝕刻終點。在別的示例中，該沉積和蝕刻步驟在必要時可重復(fù)許多
次以到達該導(dǎo)電層420中預(yù)先確定的蝕刻終點。使用多個沉積和蝕刻循環(huán)防止在特征的側(cè)
壁(輪廓)上沉積過多材料并由此導(dǎo)致的該特征開口縮窄。該方法還提供低掩模腐蝕速率。
另外，該沉積和蝕刻步驟可在原位、同一等離子反應(yīng)器內(nèi)或在單獨的設(shè)備中完成。 盡管本發(fā)明依照多個實施方式描述，但是存在落入本發(fā)明范圍內(nèi)的改變、置換和
各種替代等同物。還應(yīng)當(dāng)注意，有許多實現(xiàn)本發(fā)明方法和設(shè)備的可選方式。所以，其意圖是
下面所附的權(quán)利要求解釋為包括所有這樣的落入本發(fā)明主旨和范圍內(nèi)的改變、置換和各種
替代等同物。
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權(quán)利要求
一種在導(dǎo)電層中蝕刻不同縱橫比的特征的方法，包括利用依賴縱橫比的沉積在該導(dǎo)電層上方沉積；利用對該導(dǎo)電層的依賴縱橫比的蝕刻將特征蝕刻進該導(dǎo)電層；以及至少重復(fù)一次該沉積和該蝕刻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該沉積有選擇地在較寬特征底部比在較窄特征的底部和該特征的側(cè)壁上沉積更多。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l-2任一項所述的方法，其中該蝕刻有選擇地蝕刻該較寬特征比該較窄特征快。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l-3任一項所述的方法，其中該蝕刻去除沉積物，并且對該較窄特征中的沉積物蝕刻在該較寬特征之前完成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l-4任一項所述的方法，其中該較窄特征處的該導(dǎo)電層的蝕刻在該較寬特征之前開始。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l-5任一項所述的方法，其中該沉積在該特征被顯著縮窄之前停止。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l-6任一項所述的方法，其中該沉積沉積硅氧化物基或氫氟碳基沉積物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l-7任一項所述的方法，其中該導(dǎo)電層從鎢(W)、硅化鎢(WSi2)和鋁(Al)組成的組中選取。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l-8任一項所述的方法，其中該特征的縱橫比大于7 : 1。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l-9任一項所述的方法，其中較寬特征的寬度至少是較窄特征的寬度的五倍。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l-10任一項所述的方法，其中較窄特征的寬度不大于30納米。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l-ll任一項所述的方法，進一步包括在該導(dǎo)電層上方形成掩模層，其中該掩模層圖案化有不同寬度的特征，且其中該依賴縱橫比的沉積物形成在該掩模層上方。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中該掩模層是硅氧化物基或碳基。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12-13任一項所述的方法，進一步包括去除該掩模層。
15. 由權(quán)利要求l-14任一項所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。
16. —種在導(dǎo)電層中蝕刻不同縱橫比的特征的方法，包括利用依賴縱橫比的沉積在該導(dǎo)電層上方沉積；利用對該導(dǎo)電層的依賴縱橫比的蝕刻將特征蝕刻進該導(dǎo)電層；以及至少重復(fù)一次該沉積和該蝕刻，射該特征的縱橫比大于7 : 1，較寬特征的寬度至少是較窄特征的寬度的五倍，該沉積有選擇地在較寬特征底部比較窄特征的底部和該特征的側(cè)壁上沉積更多，以及該蝕刻有選擇地蝕刻該較寬特征比該較窄特征快。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中該蝕刻去除該沉積物，并且該較窄特征中的沉積物蝕刻在該較寬特征之前完成。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16-17任一項所述的方法，其中對該較窄特征處的導(dǎo)電層的蝕刻在該較寬特征之前進行。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16-18任一項所述的方法，其中該沉積在該特征被顯著縮窄之前停止。
20. —種在導(dǎo)電層中蝕刻不同縱橫比的特征的設(shè)備，包括等離子處理室，包括形成等離子處理室外殼的室壁；在該等離子處理室外殼內(nèi)支撐基片的基片支撐件；用于調(diào)節(jié)該等離子處理室外殼內(nèi)壓力的壓力調(diào)節(jié)器；至少一個電極，用于提供功率至該等離子處理室外殼以維持等離子；至少一個RF功率源，電氣連接到該至少一個電極；氣體入口 ，用以將氣體提供進該等離子處理室外殼；以及氣體出口，用以從該等離子處理室外殼排出氣體；氣體源，其與該氣體入口流體連通，包括沉積氣體源；以及蝕刻氣體源；以及控制器，以可控方式連接到該氣體源和該至少一個RF功率源，包括至少一個處理器；以及計算機可讀介質(zhì)，包括用于利用依賴縱橫比的沉積在該導(dǎo)電層上方沉積的計算機可讀代碼；用于利用對該導(dǎo)電層的依賴縱橫比的蝕刻將特征蝕刻進該導(dǎo)電層的計算機可讀代碼；以及用于至少重復(fù)一次該沉積和該蝕刻的計算機可讀代碼。
全文摘要
提供一種在導(dǎo)電層中蝕刻不同縱橫比的特征的方法。該方法包括利用依賴縱橫比的沉積在該導(dǎo)電層上方沉積；利用對該導(dǎo)電層的依賴縱橫比的蝕刻將特征蝕刻進該導(dǎo)電層；以及至少重復(fù)一次該沉積和該蝕刻。
文檔編號H01L21/02GK101730930SQ200880018762
公開日2010年6月9日 申請日期2008年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月4日
發(fā)明者劉身健, 布賴恩·普, 李源哲, 符謙 申請人:朗姆研究公司